JP7149428B2 - 半導体装置製造システムおよび半導体装置製造方法 - Google Patents
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Description
半導体製造装置と、ネットワークを介して前記半導体製造装置に接続され異物低減処理が実行されるプラットフォームとを備える半導体装置製造システムにおいて、
前記異物低減処理は、
前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得するステップと、
機械学習により、前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生と相関がある前記半導体製造装置の部品を特定するステップと、
前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定するステップと、
前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングするステップとを有し、
前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データであることにより達成される。
半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置製造方法において、
前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得する工程と、
前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生と相関がある前記半導体製造装置の部品を機械学習により特定する工程と、
前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定する工程と、
前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングする工程とを有し、
前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データであることにより達成される。
半導体製造装置と、ネットワークを介して前記半導体製造装置に接続され異物低減処理が実行されるプラットフォームとを備える半導体装置製造システムにおいて、
前記異物低減処理は、
前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得するステップと、
前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生と相関がある前記半導体製造装置の部品を特定するステップと、
前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定するステップと、
前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングするステップとを有し、
前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データであり、
前記異物特性値は、前記試料上における異物の位置を含むことにより達成される。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
以下、本発明の一実施形態を、図1を参照して説明する。まず、図1の半導体装置製造システムにおける処理フローについて説明する。本図に示す処理フローの目的は、半導体製造において重要とされる異物低減である。
処理レシピはレシピデータベース110に格納され、判別のためにレシピ識別子としてのコード番号が付与される。このコード番号は、処理レシピに関する情報であって、処理レシピに基づきエッチング処理された処理ウェハに対応付けられた番号であり、例えばウェハを格納するカセットにバーコード添付され、それを読み取る形で付与されても良い。また、バーコードは、処理に用いたエッチング装置を特定する装置識別子(処理装置に関する情報、例えば処理装置の各部品の素材に関する情報を含む)や、処理されたウェハを特定するウェハ識別子(ウェハの素材の情報を含む)を有することができる。
V=W1・A+W2・B+W3・C+W4・D+W5・E (1)
本発明の別な実施形態を、図2及び図3を参照して説明する。まず、図2の機器のネットワーク図を用いた実施形態について説明する。図2を用いて、半導体製造装置と異物検査装置との接続方法と、処理するデータの流れを示し、また、重要なデータセキュリティを守るためのネットワーク構築の方法を示す。
本発明のさらに別な実施形態を、図4により説明する。
図4は、異物サイクルを制御するための操作画面であり、例えばセンターパソコン123のモニタに表示される。ここでは、一例として図3の異物測定自動処理サイクルのフローとともに、ウェハ処理のためのレシピ表示画面中に現在の処理レシピ150と、図1内の各サーバによって演算処理され異物が減少するよう探索された推奨処理レシピ151を対比して示す。処理実行者あるいは処理実行者に指示を出す者(以下、処理実行者等という)は、表示された推奨処理レシピ151を見ながら、現在の処理レシピ150に反映するか検討する。
Z=10×(X-I)/(Y-I)・・・・・(2)
Claims (14)
- 半導体製造装置と、ネットワークを介して前記半導体製造装置に接続され異物低減処理が実行されるプラットフォームとを備える半導体装置製造システムにおいて、
前記異物低減処理は、
前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得するステップと、
機械学習により、前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生と相関がある前記半導体製造装置の部品を特定するステップと、
前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定するステップと、
前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングするステップとを有し、
前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データであることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項1に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記異物低減処理は、前記プラットフォームに備えられたアプリケーションとして実行されることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項1に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記半導体製造装置と前記プラットフォームは、クラウドコンピューティングとして構成されていることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項1に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記プラットフォームは、ローカルエリアネットワークを介して前記半導体製造装置に接続されていることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項1に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記機械学習に用いられる予測モデルは、前記異物低減処理を繰り返す毎に更新されることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項1に記載の半導体装置製造システムにおいて、
異物測定装置と異物分析装置が前記ネットワークを介して前記プラットフォームに接続され、
前記異物特性値は、異物数と異物の成分を含み、
前記異物数は、前記異物測定装置により測定され、
前記異物の成分は、前記異物分析装置により分析されることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項6に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記プラットフォームは、サーバを備え、
前記半導体製造装置は、プラズマエッチング装置であることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置製造方法において、
前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得する工程と、
前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生と相関がある前記半導体製造装置の部品を機械学習により特定する工程と、
前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定する工程と、
前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングする工程とを有し、
前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データであることを特徴とする半導体装置製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置製造方法において、
前記半導体製造装置は、プラズマエッチング装置であり、
前記異物発生と相関がある前記半導体製造装置の部品を特定した後、プラズマクリーニングにより異物を低減できないと判断した場合、前記プラズマエッチング装置をウェットクリーニングする工程をさらに有することを特徴とする半導体装置製造方法。 - 半導体製造装置と、ネットワークを介して前記半導体製造装置に接続され異物低減処理が実行されるプラットフォームとを備える半導体装置製造システムにおいて、
前記異物低減処理は、
前記半導体製造装置により処理された試料を用いて異物特性値を取得するステップと、
前記取得された異物特性値と相関データを基に異物発生と相関がある前記半導体製造装置の部品を特定するステップと、
前記半導体製造装置をクリーニングするためのクリーニング条件を前記特定された部品を基に規定するステップと、
前記規定されたクリーニング条件を用いて前記半導体製造装置をクリーニングするステップとを有し、
前記相関データは、予め取得された前記異物特性値と前記部品との相関データであり、
前記異物特性値は、前記試料上における異物の位置を含むことを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項10に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記試料上における異物の位置を示すマップ図が表示されたグラフィカルユーザーインターフェースを備えていることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項11に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記グラフィカルユーザーインターフェースにより前記異物の形状の画像が表示されることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項11に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記異物に含まれる元素成分の強度を示す異物成分チャートが前記グラフィカルユーザーインターフェースにより表示されることを特徴とする半導体装置製造システム。 - 請求項12に記載の半導体装置製造システムにおいて、
前記異物に含まれる元素成分の強度を示す異物成分チャートが前記グラフィカルユーザーインターフェースにより表示されることを特徴とする半導体装置製造システム。
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