KR20020054479A - 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법 - Google Patents

플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020054479A
KR20020054479A KR1020000083576A KR20000083576A KR20020054479A KR 20020054479 A KR20020054479 A KR 20020054479A KR 1020000083576 A KR1020000083576 A KR 1020000083576A KR 20000083576 A KR20000083576 A KR 20000083576A KR 20020054479 A KR20020054479 A KR 20020054479A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
plasma
plasma chamber
chemical vapor
vapor deposition
Prior art date
Application number
KR1020000083576A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100473856B1 (ko
Inventor
이순종
우봉주
Original Assignee
이순종
(주)쎄미시스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이순종, (주)쎄미시스코 filed Critical 이순종
Priority to KR10-2000-0083576A priority Critical patent/KR100473856B1/ko
Publication of KR20020054479A publication Critical patent/KR20020054479A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100473856B1 publication Critical patent/KR100473856B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32972—Spectral analysis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Abstract

본 발명은 식각 또는 증착 챔버의 동작동안 챔버로부터 발생되는 광 입자로부터 챔버의 공정 상태를 관찰하기 위한 방법을 개시한다. 이 방법은, 플라즈마 챔버의 공정 상태를 관찰하기 위한 방법이 제안된다. 이 관찰 방법은, 세정 공정이 완료된 플라즈마 챔버를 동작시키는 단계; 플라즈마 챔버로부터 발생되는 플라즈마의 파장에 따르는 세기를 측정하는 단계; 및 상기 측정 단계에서 얻어진 세기로부터 상기 플라즈마 챔버의 공정 진행 및 중단을 판단하는 단계를 포함한다.

Description

플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법{Method for observing recipe of plasma chamber}
본 발명은 반도체 또는 액정표시장치의 제조공정인 식각 또는 증착 공정에서 공정챔버의 사용 가능 여부를 확인하기 위한 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 방출 및 광학방출분광계(OES: Optical Emission Spectrometer)를 이용하여 식각 또는 증착 공정에서 공정 챔버의 상태를 관찰하기 위한 방법에 관한 것이다.
DRAM 또는 SRAM과 같은 반도체 메모리 소자의 제조공정이나 액정표시장치의 제조공정에 있어서 플라즈마를 이용한 건식 식각 또는 증착공정은 매우 중요하다. 그러므로, 챔버를 세정하고 난 후 챔버의 조건이 적절한 상태, 즉 실제의 생산용 웨이퍼의 공정을 진행해도 될 정도가 되도록 외부에서 인위적으로 많은 노력을 하고있다.
예를 들면 식각 또는 증착 공정 진행시 사용하는 가스, 고주파 전원(RF power), 압력 등과 같은 공정 조건을 반도체 소자의 실제 공정조건과 동일하게 한 챔버를 준비하고, 더미 웨이퍼(dummy wafer)를 적게는 수장에서 많게는 수백 장을 공정 챔버에 넣어서 실제 공정과 동일한 조건에서 공정을 진행하여 공정챔버를 최적화 시키는 시즈닝(Seasoning)에 많은 노력을 하고 있다.
챔버의 조건을 최적화 시키기 위해 더미 웨이퍼를 이용하는 공정의 진행 중에 사용자는 경험칙에 의한 스스로의 판단에 의하여 적절한 시기를 판단하고, 판단된 시점에서 모니터링용 웨이퍼를 해당 장비의 챔버에 넣어 식각 혹은 증착 공정을 수행한다. 그 후 두께를 측정하여 측정한 두께가 미리 정해놓은 기준범위에 들어오느냐 등의 여부로 공정의 최적화를 위한 기준 잣대로 삼고 있다.
그러나, 이러한 방법은 어느 시점에 챔버의 상태가 사용자가 원하는 상태에 도달하였는지를 정량적으로 정확히 알 수가 없다. 즉, 식각 정도나 증착 정도를 측정하는 시점에 대한 기준이 대부분 사용자의 경험에 의해 판단되는 주관적인 것이많아 객관적인 기준이 모호하다.
또한, 시즈닝 중 챔버상태에 대한 모니터링를 하려면 실제의 생산 웨이퍼와 비슷한 구조를 가진 모니터링 웨이퍼가 사용되어져야 하는데, 매번 시즈닝 중간 중간에 모니터링 웨이퍼를 챔버에 넣어 식각률이나 증착률을 측정하는데 따른 모니터링 웨이퍼의 낭비와, 시즈닝에 따른 챔버의 양상이 사용자에게 전혀 인지되지 않아 최적화 완료시점을 예측하기가 거의 불가능하다. 이 때문에, 챔버가 이미 최적화 시점에 도달하였음에도 불구하고 시간과 웨이퍼를 낭비하는 경우가 있을 수 있다.
또한 실제의 공정이 진행 중일 때 가스의 유량을 제어하는 유량조절계(MFC: Mass Flow Controller) 등에 문제가 생겨 해당되는 가스의 유량이 늘거나 줄어들 때 이는 즉시 플라즈마의 성분을 변화시킨다. 그러나, 경험칙으로 플라즈마 성분의 변화를 감지할 수 없기 때문에, 플라즈마의 상태가 정상상태가 아님에도 불구하고 공정이 계속 진행되므로써 불량 웨이퍼를 발생시킨다.
따라서, 본 발명의 목적은 챔버의 세정 후 시즈닝 동안 챔버의 상태를 정량적으로 분석하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 챔버의 플라즈마 스펙트럼을 실시간으로 분석하여 공정 챔버의 이상 유무를 감지하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 챔버로부터 발생되는 광 입자들의 스펙트럼 분석을 통하여 가스 유량 조절계의 이상을 탐지하는데 있다.
도 1은 본 발명에 적용된 챔버의 공정 상태 관찰을 위한 장치의 개략적 블럭도.
도 2는 본 발명에 실시예에 따르는 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법을 설명하기 위한 것으로서, 플라즈마를 이용한 식각 챔버에서 시즈닝 후와 더미 웨이퍼의 투입 후의 스펙트럼을 관찰한 결과를 보여주는 도면.
도 3은 식각 챔버가 정상적으로 동작 할 때의 풀 스펙트럼을 보여주는 도면.도 4는 식각 챔버에서 공정 가스가 조정된 양 이상으로 유입되었을 때의 풀 스펙트럼을 보여주는 도면.
상기한 목적 및 장점들을 달성하기 위하여, 플라즈마 챔버의 공정 상태를 관찰하기 위한 방법이 제안된다. 이 관찰 방법은, 세정 공정이 완료된 플라즈마 챔버를 동작시키는 단계; 플라즈마 챔버로부터 발생되는 플라즈마의 파장에 따르는 세기를 측정하는 단계; 및 상기 측정 단계에서 얻어진 세기로부터 상기 플라즈마 챔버의 공정 진행 및 중단을 판단하는 단계를 포함한다.
바람직하게는, 플라즈마의 파장에 따르는 세기 측정은 광학 방출 분광계에 의하여 수행된다.
바람직하게는, 상기 판단단계는, 상기 측정단계에서 얻어진 플라즈마의 세기가 공정의 중단을 필요로 하는 것으로 판단되면, 이를 상기 플라즈마 챔버 운용자에게 경보를 이용하여 알리는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 공정 상태 관찰 방법에 적용되는 장비의 개략적 구성도이다.
도 1을 참조하면, 공정 상태 관찰 장비(10)는 식각 또는 증착을 위한 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 챔버(12)를 포함한다. 여기서, 플라즈마 챔버란 식각 또는 증착 공정의 진행을 위하여 플라즈마(14)를 발생시키는 스퍼터(Sputter), 화학기상증착 챔버를 포함하며, 화학기상증착 챔버는 저압화학기상증착 (Low Pressure Chemical Vapor Deposition: LPCVD), 대기압 화학기상증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition: APCVD), 분자 유기 화학기상증착(Molecular Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD), 원자층 화학기상증착(Atomic LayerChemical Vapor Deposition: ALCVD)를 포함한다.
플라즈마 챔버(12)의 내부에는 식각 또는 증착을 위한 웨이퍼(16)가 장착된다. 도시되지는 않았지만, 본 발명의 플라즈마 챔버(12)는 공정 가스의 유량을 제어하는 유량조절계(Mass Flow Controller)와, 플라즈마 챔버(12) 내에 설치된 전극에 고주파 전원을 인가하기 위한 고주파 공급 유닛에 연결된다.
플라즈마 챔버(12)의 방출단자(18)에 플라즈마 챔버(12)로부터 방출되는 광 입자들을 포획하여 스펙트럼을 분석하기 위한 광학 방출 분광계(22)(OES:Optical Emission Spectrometer)가 광섬유(20)를 통하여 연결된다. 광학 방출 분광계(22)는 측정한 플라즈마의 스펙트럼을 분석하기 위한 플라즈마 공정 분석기(26)에 연결된다. 플라즈마 공정 분석기(26)는 플라즈마 챔버(12)에 연결되어 플라즈마 챔버(12)의 공정 조건을 변화시키기 위한 제어신호를 플라즈마 챔버(12)에 출력한다.
통상적으로 식각이나 증착 공정중 예기치 않은 입자가 웨이퍼 위에 떨어지거나 공정결과가 미리 정해놓은 기준에 미달하거나 초과할 때, 중수(Deionized Water:DI)나 에틸알콜(C2H5OH) 등을 이용하여 플라즈마 챔버(12)를 세정한다. 챔버(12)의 세정이 완료되면, 다음 공정의 진행을 위하여 세정된 플라즈마 챔버(12)에 더미 웨이퍼를 투입하고 실제 공정조건과 동일한 공정 조건을 적용하여 플라즈마 챔버(12)를 시즈닝한다.
광학 방출 분광계(22)는 플라즈마 챔버(12)의 시즈닝 동안 방출되는 광 입자들을 포획하여 스펙트럼을 측정한다. 측정된 스펙트럼은 실시간으로 플라즈마 공정분석기(26)로 입력되고, 플라즈마 공정 분석기(26)는 입력된 스펙트럼을 이미 저장되어 있는 정상 상태의 스펙트럼과 비교한다.
플라즈마 공정 분석기(26)는 실시간으로 입력되는 스펙트럼이 정상상태의 스펙트럼과 일치하는 경우에 테스트용 웨이퍼를 투입하도록 제어하고 플라즈마 챔버(12)의 증착속도나 식각속도를 확인만 한 후 바로 생산용 웨이퍼의 공정을 진행할 수 있도록 한다.
또한 같은 원리로 역시 정상상태의 풀 스펙트럼(Full spectrum)이나 특정 파장의 스펙트럼을 데이터베이스에 기억을 시켜 놓은 후 실시간으로 입력되는 풀 스펙트럼이나 특정파장의 스펙트럼이 데이터베이스에 있는 정상치의 미리 정해준 허용범위를 넘거나 미달될 때 알람 등을 이용하여 사용자에게 이를 알려서, 공정사고를 미연에 방지할 수 있도록 한다.
이러한 원리는 역시 챔버의 세정시점을 미리 예측을 하는데도 큰 도움이 되는데 챔버에서 공정이 진행될수록 특별히 스펙트럼의 세기가 강해지거나 약해지는 임의의 특정파장을 찾아 이 파장의 스펙트럼이 어느 세기 이상이나 이하로 떨어지거나 올라갈 때에도 사용자에게 알려준다. 이 정보로부터 사용자는 챔버의 세정 시점을 미리 예측할 수 있다.
도 2은 도 1의 플라즈마 챔버가 산화막 식각용 챔버인 경우로서, 챔버(12)를 세정하고 펌핑한 후 실리콘 더미 웨이퍼를 실제 공정 조건(recipe)과 동일하게 하여 얻어진 스펙트럼을 보여준다.
도 2에서, 점선은 챔버 세정 직후에 펌핑을 하여 챔버의 진공도가 만족되었을 때 챔버를 시즈닝한 두 번째 웨이퍼의 결과이고, 실선은 웨이퍼 100매의 식각 공정을 진행한 후의 스펙트럼을 측정한 결과이다.
도 2에 도시된 것처럼, 점선의 경우 656 nm부근의 값이 높고 또한 651 nm부근의 값이 높다. 이는, 챔버 세정시 사용되어지는 약품이 중수(DI)와 에틸알콜 (C2H5OH)임을 생각해 보면 당연한 결과라 할 수 있다.
두개의 피크(Peak) 중 하나는 수소(H)에 관한 스펙트럼이고 다른 하나는 일산화탄소(CO)에 관한 스펙트럼이므로 세정 직후 식각챔버에서 나오는 대부분의 스펙트럼은 H2O와 C2H5OH가 분해되면서 작용한다고 볼 수 있다.
그러나 도 2의 실선과 같이 어느 정도의 웨이퍼를 사용하여 (여기서는 100장) 챔버를 시즈닝을 하면 수소나 일산화탄소에서 나오는 스펙트럼은 현저하게 줄어드는 것을 볼 수 있다. 이는 챔버 세정시 챔버의 벽에 묻어있던 물이나 알코올 성분이 플라즈마에서 발생하는 여러가지의 원소와 반응을 하여 챔버 밖으로 펌핑이 되었다고 해석할 수 있다.
도 3은 식각 챔버가 정상적으로 동작 할 때의 풀 스펙트럼이고 도 4는 식각챔버에 공정 가스를 공급하는 유량 조절계가 조정된 양 이상으로 가스를 챔버로 유입시켰을때의 풀 스펙트럼이다.
도 3과 도 4를 비교하면, 비정상 상태의 스펙트럼은 정상 상태의 스펙트럼과 비교할 때, 특정 파장에서 스펙트럼의 세기가 변화되는 것을 알 수 있다. 그러므로, 이들 차이가 공정 진행을 위한 허용범위 내에 해당하는 지를 계산하여 공정의계속적인 진행여부를 쉽고 정량적으로 판단할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 상술한 본 발명에 따르면, 챔버의 세정 후 시즈닝 동안 챔버의 상태를 정량적으로 분석하므로써 식각이나 증착공정을 최적의 공정 조건에서 수행할 수 있다.
또한, 챔버의 플라즈마 스펙트럼을 실시간으로 분석하므로써, 가스 유량 조절계의 이상을 탐지하고, 그로부터 불량 웨이퍼의 발생을 방지하는 동시에 공정 챔버의 수명이 얼마나 남았는지를 정량적으로 분석하여 일어날 수 있는 많은 공정 사고를 미연에 방지 할 수 있다.
한편, 여기에서는, 본 발명의 특정 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 통상의 지식을 가진 자에 의하여 변형과 변경이 가능할 것이다. 따라서, 이하 특허청구범위는 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않는 한 그러한 모든 변형과 변경을 포함하는 것으로 간주된다.

Claims (5)

  1. 세정 공정이 완료된 플라즈마 챔버를 동작시키는 단계;
    플라즈마 챔버로부터 발생되는 플라즈마의 파장에 따르는 세기를 측정하는 단계; 및
    상기 측정 단계에서 얻어진 세기로부터 상기 플라즈마 챔버의 공정 진행 및 중단을 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마의 파장에 따르는 세기 측정은 광학 방출 분광계에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 판단단계는, 상기 측정단계에서 얻어진 플라즈마의 세기가 공정의 중단을 필요로 하는 것으로 판단되면, 이를 상기 플라즈마 챔버 운용자에게 경보를 이용하여 알리는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버는 식각 또는 증착 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 증착 챔버는 스퍼터와 화학기상증착 챔버를 포함하며, 상기 화학기상증착 챔버는 저압화학기상증착, 대기압 화학기상증착, 분자 유기 화학기상증착, 원자층 화학기상증착를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법.
KR10-2000-0083576A 2000-12-28 2000-12-28 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법 KR100473856B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0083576A KR100473856B1 (ko) 2000-12-28 2000-12-28 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0083576A KR100473856B1 (ko) 2000-12-28 2000-12-28 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020054479A true KR20020054479A (ko) 2002-07-08
KR100473856B1 KR100473856B1 (ko) 2005-03-07

Family

ID=27687209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2000-0083576A KR100473856B1 (ko) 2000-12-28 2000-12-28 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100473856B1 (ko)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020060817A (ko) * 2001-01-12 2002-07-19 동부전자 주식회사 플라즈마 공정 제어 장치 및 그 방법
KR100418072B1 (ko) * 2001-07-26 2004-02-11 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치의 메인티넌스방법 및 메인티넌스시스템
WO2005062359A1 (en) * 2003-12-22 2005-07-07 Adaptive Plasma Technology Corporation Method and apparatus for seasoning semiconductor apparatus of sensing plasma equipment
WO2006004259A1 (en) * 2004-03-25 2006-01-12 Adaptive Plasma Technology Corporation Plasma chamber having plasma source coil and method for etching the wafer using the same
KR100699841B1 (ko) * 2005-05-04 2007-03-27 삼성전자주식회사 반도체 공정을 위한 챔버의 시즈닝 방법
KR100816736B1 (ko) * 2007-03-21 2008-03-25 차동호 셀프 플라즈마 챔버와 결합하여 플라즈마 공정장치에서공정진행상태를 실시간으로 모니터하고 이상 여부를검출하는 플라즈마 모니터링 장치 및 방법
KR100854082B1 (ko) * 2007-03-06 2008-08-25 중앙대학교 산학협력단 플라즈마 식각 장치를 이용하여 시즈닝 하는 방법
WO2009028743A1 (en) * 2007-08-24 2009-03-05 Semisysco Co., Ltd. Real time chamber monitoring method using intelligence algorithm
KR100945770B1 (ko) * 2004-08-31 2010-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 실리콘 산화막의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및컴퓨터 기억 매체
KR20100135764A (ko) * 2008-04-03 2010-12-27 램 리써치 코포레이션 광방출 스펙트럼의 정규화 방법 및 장치
CN113686802A (zh) * 2020-05-19 2021-11-23 江苏鲁汶仪器有限公司 一种智能清洗薄膜沉积腔室的方法及系统

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101794069B1 (ko) 2010-05-26 2017-12-04 삼성전자주식회사 반도체 제조설비 및 그의 시즈닝 공정 최적화 방법
US9200950B2 (en) * 2014-02-25 2015-12-01 Applied Materials, Inc. Pulsed plasma monitoring using optical sensor and a signal analyzer forming a mean waveform

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4493745A (en) * 1984-01-31 1985-01-15 International Business Machines Corporation Optical emission spectroscopy end point detection in plasma etching
KR19980065202A (ko) * 1997-01-04 1998-10-15 김광호 반도체공정 플라즈마 식각에서의 EPD(End Point Detection)용 파장 선택방법

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020060817A (ko) * 2001-01-12 2002-07-19 동부전자 주식회사 플라즈마 공정 제어 장치 및 그 방법
KR100418072B1 (ko) * 2001-07-26 2004-02-11 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치의 메인티넌스방법 및 메인티넌스시스템
CN100419969C (zh) * 2003-12-22 2008-09-17 自适应等离子体技术公司 用于陈化感测等离子体设备的半导体装置的方法和装置
WO2005062359A1 (en) * 2003-12-22 2005-07-07 Adaptive Plasma Technology Corporation Method and apparatus for seasoning semiconductor apparatus of sensing plasma equipment
US7524395B2 (en) 2004-03-25 2009-04-28 Adaptive Plasma Technology Corp. Plasma chamber having plasma source coil and method for etching the wafer using the same
WO2006004259A1 (en) * 2004-03-25 2006-01-12 Adaptive Plasma Technology Corporation Plasma chamber having plasma source coil and method for etching the wafer using the same
KR100945770B1 (ko) * 2004-08-31 2010-03-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 실리콘 산화막의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및컴퓨터 기억 매체
KR100699841B1 (ko) * 2005-05-04 2007-03-27 삼성전자주식회사 반도체 공정을 위한 챔버의 시즈닝 방법
KR100854082B1 (ko) * 2007-03-06 2008-08-25 중앙대학교 산학협력단 플라즈마 식각 장치를 이용하여 시즈닝 하는 방법
KR100816736B1 (ko) * 2007-03-21 2008-03-25 차동호 셀프 플라즈마 챔버와 결합하여 플라즈마 공정장치에서공정진행상태를 실시간으로 모니터하고 이상 여부를검출하는 플라즈마 모니터링 장치 및 방법
WO2009028743A1 (en) * 2007-08-24 2009-03-05 Semisysco Co., Ltd. Real time chamber monitoring method using intelligence algorithm
CN101663735B (zh) * 2007-08-24 2011-07-06 塞米西斯科株式会社 使用智能算法的实时腔室监控方法
KR20100135764A (ko) * 2008-04-03 2010-12-27 램 리써치 코포레이션 광방출 스펙트럼의 정규화 방법 및 장치
CN113686802A (zh) * 2020-05-19 2021-11-23 江苏鲁汶仪器有限公司 一种智能清洗薄膜沉积腔室的方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR100473856B1 (ko) 2005-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6157867A (en) Method and system for on-line monitoring plasma chamber condition by comparing intensity of certain wavelength
US7844559B2 (en) Method and system for predicting process performance using material processing tool and sensor data
JP4620524B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100557673B1 (ko) 플라즈마 장비를 시즌닝하는 방법
KR100473856B1 (ko) 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법
WO2002029884A2 (en) Detection of process endpoint through monitoring fluctuation of output data
US20090026172A1 (en) Dry etching method and dry etching apparatus
US7389203B2 (en) Method and apparatus for deciding cause of abnormality in plasma processing apparatus
JP3660896B2 (ja) プラズマ処理装置のメンテナンス方法
JPH08106992A (ja) プラズマ処理方法およびその装置
JP2004039952A (ja) プラズマ処理装置の監視方法およびプラズマ処理装置
US8685265B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus
US6599759B2 (en) Method for detecting end point in plasma etching by impedance change
US7630064B2 (en) Prediction method and apparatus for substrate processing apparatus
US6117348A (en) Real time monitoring of plasma etching process
US7312865B2 (en) Method for in situ monitoring of chamber peeling
JP2020088397A (ja) その場でのリアルタイムのプラズマチャンバ条件監視
KR20130064472A (ko) 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법
US7354778B2 (en) Method for determining the end point for a cleaning etching process
JP4300182B2 (ja) プラズマ処理装置のメンテナンス方法
JP2005019763A (ja) ドライエッチング装置
KR20020060817A (ko) 플라즈마 공정 제어 장치 및 그 방법
KR20230055609A (ko) 플라즈마 설비의 실시간 모니터링 방법 및 모니터링 시스템
JPH11238723A (ja) プラズマ処理のモニタリング方法及び装置
Bluem et al. EV-140 P, New Emission Spectroscopic Product for Semiconductor Endpoint, Cleaning and Plasma Chambers Control.

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140123

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150127

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160107

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170124

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180130

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190129

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200129

Year of fee payment: 16