KR20130064472A - 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광대역 광원인 플라즈마를 이용한 에칭 및 에싱 공정에서 웨이퍼 및 글라스에서 방출되는 방사선을 분광계로 측정함으로써, 플라즈마 에칭 및 에싱 공정의 상태를 분석하여 종말점 검출을 위한 공정 상태를 진단하는 방법을 제공하기 위한 것으로서, (A) 적어도 하나의 에칭 공정툴에서 수행되는 플라즈마 에칭 또는 에싱 공정을 이용하여 1개의 스펙트럼에서 웨이퍼의 에칭 또는 에싱을 통한 발광 방전에 의해 생성되는 복수의 발광 스펙트럼 파장들을 나타내는 강도 데이터를 수집하는 단계와, (B) 상기 수집된 다양한 파장을 나타내는 강도 데이터를 스케일링하여 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값을 생성하는 단계와, (C) 상기 생성된 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값의 적어도 일부분을 사용하여 고유분석법, 특이값 분해법, 누승법 중 적어도 하나를 이용하여 복수의 로딩들을 결정하는 단계와, (D) 상기 복수의 로딩들을 사용하여 상기 수집된 복수의 발광 스펙트럼에 따른 복수의 근사 스코어들을 검출하는 단계와, (E) 상기 검출된 상기 근사 스코어들을 사용하여 공정 시간에 따른 트랜드 변화를 기반으로 공정 상태를 진단하여 상기 에칭 또는 에싱 종료점을 결정하는 단계를 포함하는데 있다.

Description

멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법{Method for process diagnosis using multi light wavelength monitoring}
본 발명은 에칭 및 에싱 등 플라즈마를 이용하는 공정을 진단하는 OES 프로그램의 알고리즘과 이를 구현하는 시스템에 관한 것으로, 특히 광대역 광원인 플라즈마를 이용한 에칭 및 에싱 공정에서 웨이퍼 및 글라스에서 방출되는 방사선을 분광계로 측정함으로써, 플라즈마 에칭 및 에싱 공정의 상태를 분석하여 종말점 검출을 위한 공정 상태를 진단하는 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 상에 형성되는 반도체 장치 등의 미세 형상을 얻기 위해, 플라즈마를 이용하여 유전물질을 전리(電離)하고, 그 유전물질과는 화학적으로 반응을 하지만 플라즈마와는 화학적으로 반응하지 않는 에칭용 가스가 유전물질 표면 속으로 확산해 들어가도록 하여 웨이퍼 상의 유전물질을 제거하는 에칭 처리가 행해진다. 이때, 에칭용 가스는 유전물질과 화학적으로 반응하여 휘발성 부생물을 생성하며, 이 휘발성 부생물을 유전물질의 표면으로부터 탈착시켜 에칭용 가스 속을 확산시킨다. 그리고 패턴을 에칭하여 유전층 속에 형성한 후에는 패턴을 형성하기 위해 사용되었던 포토레지스터를 제거하는 에싱 공정을 진행한다.
이때 유전막을 전리하는 물질은 다양하며, 또한 웨이퍼 상의 유전물질도 제품 기능에 따라 다종 다양하다. 또한, 소정의 형상을 얻기 위해 반응의 속도를 조절하기 위한 물질도 추가로 도입된다. 따라서 에칭 처리를 행하고 있는 챔버 용기 내에서는 다종 다양한 물질이 서로 반응하고 있다.
플라즈마에 의한 전리 현상은 발광 현상을 따르기 때문에, 플라즈마를 이용하여 처리를 행하는 에칭 장치에는 광방출 분광학(Optical Emission Spectroscopy : OES)을 이용하여 에칭 및 에싱 공정을 진행한다. 즉, OES는 에칭가스 및 이 에칭가스와 유전재료 사이의 부생물에 관한 정보를 제공함으로써, 에칭 프로세스에서의 종료시점을 결정하는데 사용된다.
상기 OES 기술은 플라즈마에서의 유전성 부생물 유래의 특징적인 광복사의 방출강도 변화에 근거한 것이다. 즉, 전자들이 고에너지 상태로부터 낮은 에너지 상태로 여기된 원자 혹은 분자들은 빛을 방출하는데, 상이한 화합물의 원자 혹은 분자는 일련의 독특한 스펙트럼선을 방출한다. 따라서 플라즈마 내에서의 각 화합물의 방출강도는 플라즈마 내에서의 화합물의 상대적인 농도에 의존한다.
전형적인 광방출 분광학(OES) 장치는 반응성 에칭가스와 이 반응성 에칭가스와 유전 재료 사이의 부생물의 방출 강도를 측정하여 분석하는 것이다. 즉, 유전물질이 에칭되어 그 두께가 감소함에 따라 부생물의 방출도 점점 감소하여 지며, 최종적으로 종말점에 도달하면 방출이 정지한다. 광방출 분광학 장치는 부생물의 방출강도가 감소하는 것을 감지하여 이 종말점을 측정하게 된다.
종래, 이 OES 데이터로부터 반응에 영향을 주는 물질이나, 발광의 변화를 추출하는 방법으로서는, 일본 특개평06-224098호 공보(특허문헌 1), 일본 특개2001-60585호 공보(특허문헌 2), 일본 특개 2001-244254호 공보(특허문헌 3), 일본 특개2003-017471호(특허문헌 4), 일본 특개2005-340547호 공보(특허문헌 5), 일본 특개평09-306894호 공보(특허문헌 6), 일본 특개2001-521280호 공보(특허문헌 7)에 기재된 것이 있었다.
특허문헌 1에서는, 챔버 내의 플라즈마로부터의 발광 스펙트럼(OES)을 취득하고, 물질에 따른 스펙트럼선의 정보에 의거하여 실시간으로 챔버 내의 물질을 특정하여, 그 상대 농도 레벨을 판별하는 방법이 나타나 있다.
특허문헌 2에서는, 발광 파형의 상관 계수를 이용하여 주성분을 분석하고, 참조하는 주성분과 제조 실행 시에 얻어지는 주성분을 비교함으로써 프로세스나 챔버의 상황에 영향이 있는 주성분을 특정하고, 예를 들면 종점을 검출하는 것과 같은 제어를 행하는 방법이 나타나 있다.
특허문헌 3에서는, 특허문헌 2와 마찬가지로 발광 파형의 상관 계수를 이용하여 주성분을 분석하고, 참조하는 주성분과 제조 실행시의 주성분을 비교하는 방법이 나타나 있다. 플라즈마의 발광 스펙트럼을 직접적으로 모니터하는 것이 아니라, 플라즈마 발광을 광원으로 한 웨이퍼 표면의 반사 발광 강도를 대상으로 하여, 막 두께를 제어하는 방법이 나타나 있다.
특허문헌 4에서는, OES와 같은 처리 중의 프로세스 량의 모니터 결과와 프로세스 처리 결과의 관계를 모델화하여, 최적의 레시피를 구함으로써 플라즈마 처리를 제어하는 방법이 나타나 있다. 특히 OES 데이터를 주성분 분석하여 변화가 큰 파형이 되어 있는 파장을 추출하는 것에 대한 기재가 있다.
특허문헌 5에서는, 특허 종점 검출을 위해, 미리 파형 변화의 패턴을 데이터 베이스에 준비해 두고, 에칭 처리 중에 특정의 패턴과 일치했을 때에, 그 패턴에 따라 종점을 검지하는 방법이 나타나 있다. 패턴은 상승, 하강, 평탄의 3종류에 의거하여, 그 변화의 정도마다 더 상세하게 설정한다고 하고 있다.
특허문헌 6에서는, 플라즈마 처리 장치에 접속하고, 플라즈마 발광을 분광하여 강도의 시간 변화를 파형별로 검출 및 분석하여 최적의 파장을 자동적으로 결정하는 방법이 나타나 있다.
특허문헌 7에서는, P개의 방사 파장의 각 강도를 처리 시간에 따라 모니터하여 방사 파장 간에 존재하는 상관 관계를 생성하고, 이전의 플라즈마 처리와 비교하여 상태를 검출하는 방법이 나타나 있다.
이처럼 반도체 및 LCD 생산 공정에서 포토레지스트 박리, 에칭 혹은 잔류물 제거 처리시의 종료 시점을 결정하는 것을 매우 중요하며, 이에 따라 꾸준한 연구가 계속 진행되고 있다. 즉, 정확한 종료 시점의 결정은 생산수율을 개선하고, 각종 디바이스들의 손상을 최소화할 수 있다. 따라서 이러한 이유로 현재 OES를 이용한 공정 종료시점 결정법은 매우 중요한 기술로 연구되고 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 기존의 OES 프로그램의 알고리즘 및 시스템의 경우 1개의 파장만을 분석하여 이를 이용하여 알고리즘을 적용 후 모니터링을 하는 것을 다양한 파장을 동시에 분석하고 가공하여 식각 종료 시점을 판단하는 알고리즘을 적용한 모니터링을 통해 공정 진단을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 수집된 다양한 파장을 나타내는 강도 데이터를 스케일링하여 수집된 강도 데이터에 대한 다양한 파장을 2차 미분 알고리즘을 이용하여 2차 미분함으로써, 정확한 종료 시점을 결정할 수 있는 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법의 특징은 (A) 적어도 하나의 에칭 공정툴에서 수행되는 플라즈마 에칭 또는 에싱 공정을 이용하여 1개의 스펙트럼에서 웨이퍼의 에칭 또는 에싱을 통한 발광 방전에 의해 생성되는 복수의 발광 스펙트럼 파장들을 나타내는 강도 데이터를 수집하는 단계와, (B) 상기 수집된 다양한 파장을 나타내는 강도 데이터를 스케일링하여 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값을 생성하는 단계와, (C) 상기 생성된 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값의 적어도 일부분을 사용하여 고유분석법, 특이값 분해법, 누승법 중 적어도 하나를 이용하여 복수의 로딩들을 결정하는 단계와, (D) 상기 복수의 로딩들을 사용하여 상기 수집된 복수의 발광 스펙트럼에 따른 복수의 근사 스코어들을 검출하는 단계와, (E) 상기 검출된 상기 근사 스코어들을 사용하여 공정 시간에 따른 트랜드 변화를 기반으로 공정 상태를 진단하여 상기 에칭 또는 에싱 종료점을 결정하는 단계를 포함하는데 있다.
바람직하게 상기 (B) 단계는 수집된 강도 데이터에 대한 다양한 파장에 2차 미분 알고리즘을 이용하여 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값을 생성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 상기 2차 미분 알고리즘은 최초 수집되는 발광 스펙트럼 파장에 1차 미분을 수행하여, 발광 스펙트럼 파장에 따른 그래프의 변곡을 확인하는 단계와, 상기 1차 미분 결과에 2차 미분을 수행하여 1차 미분 그래프에서 기울기의 하강이 시작하는 지점을 에칭 종료점으로 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게 상기 (E) 단계를 통해 에칭 또는 에싱 종료점이 결정되면 상기 플라즈마의 에칭 또는 에싱 공정을 종료하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법은 멀티 광 파장을 동시에 모니터링을 함으로써, 새로 생성되는 물질의 양이나 없어지는 물질의 양을 플라즈마 빛의 변화량을 동시에 읽어 들일 수 있어, 생성물과 부생성물의 변화를 동시에 모니터링할 수 있어, 공정의 진행 상태를 좀 더 정확하게 진단 할 수 있는 효과가 있다.
또한, 수집된 다양한 파장을 나타내는 강도 데이터를 스케일링하여 수집된 강도 데이터에 대한 다양한 파장을 2차 미분 알고리즘을 이용하여 2차 미분함으로써, 정확한 종료 시점을 결정할 수 있어 생산수율을 개선하고, 각종 디바이스들의 손상을 최소화할 수 있다.
또한, 이러한 효과는 직전 공정의 문제나 장비상의 문제로 이상 공정이 진행되어도, 좀 더 정확한 진단이 가능하다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 에칭 장치의 구성을 나타낸 구성도
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법을 설명하기 위한 흐름도
도 3 내지 도 5 는 2차 미분 알고리즘에 따라 검출되는 그래프
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록하며 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 에칭 장치의 구성을 나타낸 구성도이다.
도 1과 같이, 에칭 장치(101)는 챔버(102), 전극(103), 웨이퍼(105), 전극(106), 배기계(107), 가스 공급계(108), 장치 컨트롤러/외부 통신 장치(109), 분광기(OES)(110), 계산기 시스템인 계산기/기억 장치(111), 단말인 화면·유저 인터페이스(112)로 구성되고, 상기 챔버(402)에는 창(121)이 설치되어, 플라즈마에 의한 광(122)을 분광기(OES)(110)에 입사(入射)시키고 있다.
또한, 에칭 장치(101)는, 네트워크(132)를 통해, 검사 장치(131), 데이터베이스(DB)(133), 계산기 시스템인 OES 데이터 해석 시스템(134)에 접속되어 있다.
이처럼, 에칭 장치(101)에는 챔버(102)가 설치되고, 이 챔버(102) 내에서 에칭이 행해진다. 웨이퍼(105)는 전극(103,106)에 끼워지도록 배치되고, 이 전극(103, 106)간에 플라즈마(104)를 발생시킴으로써 웨이퍼(105) 표면을 에칭한다. 한편, 플라즈마(104)의 발생에 관해서는 반드시 전극에 의하지 않아도 된다.
그리고 에칭에 필요한 가스 재료는 가스 공급계(108)로부터 도입되고, 에칭 반응 후의 가스는 배기계(107)로부터 배기된다.
플라즈마(104)는 발광을 수반하고, 이 광을 분광기(OES)(110)에 의해 광(122)의 파장별로 발광 강도를 검지한다. 그리고 창(121)을 통하여 챔버(102) 내부의 광을 받는다. 분광기(OES)(110) 및 장치 컨트롤러/외부 통신장치(109)는, 에칭 장치(101)에 설치된 계산기/기억 장치(111)와 접속되어 있으며, 계산기/기억 장치(111)에 의해 스펙트럼, 파형을 계산 처리하여, 에칭 처리를 모니터한다.
계산기/기억 장치(111)에는 복수의 OES 데이터를 저장할 수 있다. 그리고 모니터 결과에 따라 에칭의 이상·정상을 판정하고, 또한 에칭 처리 조건을 조정한다. 또한 계산기/기억 장치(111)는 화면·유저 인터페이스(112)와 접속되어 있으며, 화면·유저 인터페이스(112)를 통해, 유저는 계산 처리에 필요한 설정을 행하고, 또한 계산 처리 결과를 확인한다. 한편, 분광기(OES)(110), 계산기/기억 장치(111), 화면/유저 인터페이스(112)는 독립한 분석 장치로서 플라즈마의 발광을 관찰하는 구성이어도 된다.
분광기(OES)(110) 및 장치 컨트롤러/외부 통신 장치(109)는, 네트워크(132)를 통해 데이터베이스(DB)(133)에 접속되어 있으며, OES 데이터나 에칭 처리 조건, 착공 내력에 관한 데이터를 데이터베이스(133)에 저장할 수 있다.
또한, 에칭 전/후의 선폭, CD(LSI칩 내의 최소 게이트 치수)나 막두께와 같은 에칭 처리 결과를 계측하는 검사 장치(131)도 마찬가지로 네트워크(132)에 접속되어 있으며, 검사 결과는 데이터베이스(133)에 저장된다. 데이터베이스(133)에 저장된 OES 데이터, 에칭 처리에 관한 데이터 및 검사 결과를 OES 데이터 해석 시스템(134)에 의해 해석·평가한다.
또한, 데이터베이스(133)에 저장된 검사 결과를, 에칭 장치(101)의 장치 컨트롤러/외부 통신 장치(109)에 의해 에칭 장치(101)로 취득함으로써 검사 결과를 반영하여 계산기/기억 장치(111)에 있어서 에칭 조건을 조정할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 에칭 장치를 이용한 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2를 참조하여 설명하면, 먼저 적어도 하나의 에칭 공정툴에서 수행되는 플라즈마 에칭 공정을 이용하여 1개의 스펙트럼에서 웨이퍼의 에칭을 통한 발광 방전에 의해 생성되는 복수의 발광 스펙트럼 파장들을 나타내는 강도 데이터를 수집한다(S10). 상기 복수의 발광 스펙트럼 파장을 이용하는 이유는 반도체나 LCD 제조 공정은 생산 공정 중 플라즈마를 이용하여 다양한 공정을 진행하게 되는데, 이에 따라 플라즈마를 이용하여 에칭이나 증착 등의 공정을 진행하면 다양한 가스들이 사용되게 된다. 이처럼 다양한 가스들이 사용될 때 공정이 진행됨에 따라 가스에 반응하여 새로 생성되는 물질이 있는가 하면, 반응하여 없어지는 물질도 존재하게 된다. 이때 다양한 파장을 동시에 모니터링 함으로써, 새로 생성되는 물질의 양이나 없어지는 물질의 양을 플라즈마의 발광 스펙트럼 파장의 변화량을 통해 동시에 일어들일 수 있게 된다. 이와 같이, 생성물과 부생성물의 변화를 동시에 모니터링 함으로써, 공정의 진행 상태를 좀 더 정확하게 진단할 수 있다.
이어 상기 수집된 다양한 파장을 나타내는 강도 데이터를 스케일링하여 수집된 강도 데이터에 대한 다양한 파장에 2차 미분 알고리즘을 이용하여 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값을 생성한다(S20). 이처럼 수집된 파장을 2차 미분 알고리즘을 이용하여 2차 미분을 함으로써, 정확한 종료 시점을 결정할 수 있어 생산수율을 개선하고, 각종 디바이스들의 손상을 최소화할 수 있다.
상기 2차 미분 알고리즘을 이용하여 종료 시점을 결정하는 방법을 도면을 참조하여 상세히 설명하면, 먼저 최초 수집되는 발광 스펙트럼 파장은 도 3과 같이, 지속적으로 증가하는 그래프로 어떤 변화의 경향을 파악하기 어렵다. 이에 도 4와 같이, 1차 미분을 수행하면, 발광 스펙트럼 파장에 따른 그래프의 변곡을 확인할 수 있으며, 하강이 시작하는 지점을 에칭 종료점으로 검출하게 된다. 이때, 1차 미분을 통한 발광 스펙트럼 파장에 따른 그래프만으로는 보다 정확한 수치적인 하강이 시작하는 지점을 확인하는데 어려움이 있다.
따라서 1차 미분의 결과에 2차 미분을 수행하여 보다 정확한 수치적인 하강이 시작하는 지점을 확인한다. 즉, 도 5와 같이 1차 미분 그래프에서 기울기가 하강하는 시점은 2차 미분을 수행한 후 나타내고 있는 2차 미분 그래프에서 화살표가 표시된 그래프의 0(zero)이 되는 지점이다. 이처럼, 수집된 파장을 2차 미분 알고리즘을 이용하여 2차 미분을 함으로써, 정확한 종료 시점을 결정할 수 있게 된다.
그리고 상기 생성된 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값의 적어도 일부분을 사용하여 고유분석법, 특이값 분해법, 누승법 등을 이용함으로써, 복수의 로딩들을 결정한다(S30). 이때, 상기 사전 강도 데이터는 복수의 사전 플라즈마 에칭공정 동안 수집되는 데이터들을 말한다.
그리고 상기 복수의 로딩들을 사용하여 상기 수집된 복수의 발광 스펙트럼에 따른 복수의 근사 스코어들을 검출한다(S40).
이어 상기 검출된 상기 근사 스코어들을 사용하여 공정 시간에 따른 트랜드 변화를 기반으로 공정 상태를 진단하여 상기 에칭 종료점을 결정하고(S50), 이렇게 에칭 종료점이 결정되면 상기 플라즈마의 에칭 공정을 종료한다(S60). 이때, AHSER의 경우 웨이퍼 상에 PR의 양에 따라 공정 중 발생되는 플라즈마의 방출 강도는 웨이퍼 별로 달라진다. 하지만 웨이퍼별 트랜드는 대부분 동일한 모양으로 나오게 되므로, 이를 이용하여 알고리즘을 적용하여 최종 종료 시점을 결정하게 된다.
상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술적 분야의 통상의 지식을 가진자라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (5)

  1. (A) 적어도 하나의 에칭 공정툴에서 수행되는 플라즈마 에칭 또는 에싱 공정을 이용하여 1개의 스펙트럼에서 웨이퍼의 에칭 또는 에싱을 통한 발광 방전에 의해 생성되는 복수의 발광 스펙트럼 파장들을 나타내는 강도 데이터를 수집하는 단계와,
    (B) 상기 수집된 다양한 파장을 나타내는 강도 데이터를 스케일링하여 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값을 생성하는 단계와,
    (C) 상기 생성된 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값의 적어도 일부분을 사용하여 고유분석법, 특이값 분해법, 누승법 중 적어도 하나를 이용하여 복수의 로딩들을 결정하는 단계와,
    (D) 상기 복수의 로딩들을 사용하여 상기 수집된 복수의 발광 스펙트럼에 따른 복수의 근사 스코어들을 검출하는 단계와,
    (E) 상기 검출된 상기 근사 스코어들을 사용하여 공정 시간에 따른 트랜드 변화를 기반으로 공정 상태를 진단하여 상기 에칭 또는 에싱 종료점을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (B) 단계는 수집된 강도 데이터에 대한 다양한 파장에 2차 미분 알고리즘을 이용하여 복수의 발광 스펙트럼 파장에 따른 평균값 및 평균-스케일된 값을 생성하는 것을 특징으로 하는 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 2차 미분 알고리즘은
    최초 수집되는 발광 스펙트럼 파장에 1차 미분을 수행하여, 발광 스펙트럼 파장에 따른 그래프의 변곡을 확인하는 단계와,
    상기 1차 미분 결과에 2차 미분을 수행하여 1차 미분 그래프에서 기울기의 하강이 시작하는 지점을 에칭 종료점으로 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 사전 강도 데이터는 복수의 사전 플라즈마 에칭 또는 에싱 공정 동안 수집되는 데이터인 것을 특징으로 하는 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 (E) 단계를 통해 에칭 또는 에싱 종료점이 결정되면 상기 플라즈마의 에칭 또는 에싱 공정을 종료하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법.
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