JP2009252945A - エッチング処理状態の判定方法、システム - Google Patents
エッチング処理状態の判定方法、システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009252945A JP2009252945A JP2008098111A JP2008098111A JP2009252945A JP 2009252945 A JP2009252945 A JP 2009252945A JP 2008098111 A JP2008098111 A JP 2008098111A JP 2008098111 A JP2008098111 A JP 2008098111A JP 2009252945 A JP2009252945 A JP 2009252945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peak
- emission spectrum
- spectrum distribution
- wavelength
- difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 185
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 145
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 202
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 136
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 122
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 32
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 27
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 27
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 20
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000000611 regression analysis Methods 0.000 claims description 13
- 238000001672 corrected emission spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012821 model calculation Methods 0.000 claims 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 20
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 19
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 30
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 22
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 7
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000002790 cross-validation Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000003050 experimental design method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0658—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of emissivity or reradiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0683—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating measurement during deposition or removal of the layer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/443—Emission spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
- G01N21/67—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using electric arcs or discharges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N2021/8411—Application to online plant, process monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】複数のウエハのエッチング処理中の発光をモニタした発光スペクトル分布を取得するスペクトルデータ取得ステップと、エッチング処理中の特定の時点における、発光スペクトル分布から、ピークを検出し、ピーク特徴量を求めるピーク検出ステップと、記ピーク検出ステップで検出したピークの中から、ウエハ間で共通のピークを特定する共通ピーク特定ステップと、共通のピークについて、特徴量を比較して、エッチング処理におけるウエハごとの状態を検出する状態検出ステップと、を有することを特徴とするエッチング処理状態の判定方法。
【選択図】 図9
Description
前記ピーク検出ステップで検出したピークの中から、ウエハ間で共通のピークを特定する共通ピーク特定ステップと、共通のピークについて、特徴量を比較して、エッチング処理におけるウエハごとの状態を検出する状態検出ステップと、を有する。
第1のモードでは、OESデータの発光スペクトル分布からピークを自動的に検出し、ウエハ間での共通ピークの特徴量の差により、エッチング処理の異常・正常を判定する。
ピークにおける短い波長側の立ち上がり位置の波長(「左端部波長」という)WLeft_Bottom;
左端部波長WLeft_Bottomに対応する発光強度MLeft_Bottom;
発光スペクトル分布強度が最大となる波長WTop;
強度最大波長WTopに対応する発光スペクトル分布強度MTop;
ピークにおける長い波長側の立ち上がり位置の波長(「右側端部波長」という)WRight_Bottom;
右側端部波長WRight_Bottomに対応する発光スペクトル分布強度MRight_Bottom;
発光スペクトル分布強度の最大値MTopと、左側端部波長の発光スペクトル分布強度MLeft_Bottomとの差(「左側ピーク差」という)MLeft_H;
発光スペクトル分布強度最大値MTopと、右側端部波長の発光スペクトル分布強度MRight_Bottomとの差(「右側ピーク差」という)MRight_H;
左側ピーク差MLeft_Hと右側ピーク差MRight_Hとの平均MAVE_H;
左側ピーク差MLeft_Hを、強度が最大となる波長WTopと左側端部波長WLeft_Bottomとの差WLeft_Wで除して求まるアスペクト比(「左側アスペクト比」という)Left_AR;
右側ピーク差MRight_Hを、強度が最大となる波長WTopと右側端部波長WRight_Bottomとの差WRight_Wで除して求まるアスペクト比(「右側アスペクト比」という)Right_AR;
左側アスペクト比Left_ARと右側アスペクト比Right_ARとの平均AVE_AR;
などである。
次に、CPU255は、操作者からの入力値に基づいて、ピーク及び大域的分布特徴量の検出の対象となる複数のウエハを設定する(ステップS102)。
次に、発光スペクトル分布の比(スペクトル比)を利用してウエハ間でのエッチングの経時的な変化を検出して、エッチング処理の異常・正常を判定する方法を説明する。
次にエッチングの初期過程を評価して、エッチング処理の異常・正常を判定する方法を示す。
また、ピークではなく波長に渡った大域的な発光スペクトル分布も求めて判断に利用できる。
202 チャンバ
203 電極
204 プラズマ
205 ウエハ
206 電極
207 排気系
208 装置コントローラ・外部通信装置
209 ガス供給系
210 分光器(OES)
211 窓
212 光
221 検査装置
222 ネットワーク
223 データベース
224 OESデータ解析システム
225 CPU
226 メモリ
227 インターフェース
228 入力装置
229 出力装置
Claims (11)
- 複数のウエハのエッチング処理中の発光をモニタした発光スペクトル分布を取得するスペクトルデータ取得ステップと、
エッチング処理中の特定の時点における、前記発光スペクトル分布から、ピークを検出し、ピーク特徴量を求めるピーク検出ステップと、
前記ピーク検出ステップで検出したピークの中から、ウエハ間で共通のピークを特定する共通ピーク特定ステップと、
共通のピークについて、特徴量を比較して、エッチング処理におけるウエハごとの状態を検出する状態検出ステップと、
を有することを特徴とするエッチング処理状態の判定方法。 - 請求項1に記載のエッチング処理状態の判定方法であって、
前記ピーク検出ステップは、
前記発光スペクトル分布の中から、強度の急激な上昇と下降で特定されるピーク候補を抽出し、さらに、
ピークにおける短い波長側の立ち上がり位置の波長(「左側立ち上がり波長」という)WLeft_Bottomに対応する発光スペクトル分布強度MLeft_Bottom;
発光スペクトル分布強度が最大となる波長WTopに対応する発光スペクトル分布強度MTop;
ピークにおける長い波長側の立ち上がり位置の波長(「右側立ち上がり波長」という)WRight_Bottomに対応する発光スペクトル分布強度MRight_Bottom;
発光スペクトル分布強度の最大値MTopと、前記左側立ち上がり波長の発光スペクトル分布強度MLeft_Bottomとの差(「左側ピーク差」という)MLeft_H;
発光スペクトル分布強度最大値MTopと、前記右側立ち上がり波長の発光スペクトル分布強度MRight_Bottomとの差(「右側ピーク差」という)MRight_H;
前記左側ピーク差MLeft_Hと前記右側ピーク差MRight_Hとの平均MAVE_H;
前記左側ピーク差MLeft_Hを、発光スペクトル分布強度が最大となる波長WTopと前記左側立ち上がり波長WLeft_Bottomとの差WLeft_Wで除して求まるアスペクト比(「左側アスペクト比」という)Left_AR;
前記右側ピーク差MRight_Hを、発光スペクトル分布強度が最大となる波長WTopと前記右側立ち上がり波長WRight_Bottomとの差WRight_Wで除して求まるアスペクト比(「右側アスペクト比」という)Right_AR;
前記左側アスペクト比Left_ARと前記右側アスペクト比Right_ARとの平均AVE_AR;を求め、
平均AVE_AR及び平均MAVE_Hが、それぞれ所定の値以上のピーク候補を、ピークとして検出する
ことを特徴とするエッチング処理状態の判定方法。 - 請求項1または2に記載のエッチング処理状態の判定方法であって、
前記ピーク特徴量は、
ピークにおける短い波長側の立ち上がり位置の波長(「左側立ち上がり波長」という)WLeft_Bottomに対応する発光スペクトル分布強度MLeft_Bottom;
発光スペクトル分布強度が最大となる波長WTopに対応する発光スペクトル分布強度MTop;
ピークにおける長い波長側の立ち上がり位置の波長(「右側立ち上がり波長」という)WRight_Bottomに対応する発光スペクトル分布強度MRight_Bottom;
発光スペクトル分布強度の最大値MTopと、前記左側立ち上がり波長の発光スペクトル分布強度MLeft_Bottomとの差(「左側ピーク差」という)MLeft_H;
発光スペクトル分布強度最大値MTopと、前記右側立ち上がり波長の発光スペクトル分布強度MRight_Bottomとの差(「右側ピーク差」という)MRight_H;
前記左側ピーク差MLeft_Hと前記右側ピーク差MRight_Hとの平均MAVE_H;
前記左側ピーク差MLeft_Hを、発光スペクトル分布強度が最大となる波長WTopと前記左側立ち上がり波長WLeft_Bottomとの差WLeft_Wで除して求まるアスペクト比(「左側アスペクト比」という)Left_AR;
前記右側ピーク差MRight_Hを、発光スペクトル分布強度が最大となる波長WTopと前記右側立ち上がり波長WRight_Bottomとの差WRight_Wで除して求まるアスペクト比(「右側アスペクト比」という)Right_AR;
前記左側アスペクト比Left_ARと前記右側アスペクト比Right_ARとの平均AVE_AR;
のうちの少なくとも一つを含む、
ことを特徴とするエッチング処理状態の判定方法。 - 請求項1または2に記載のエッチング処理状態の判定方法であって、
元の発光スペクトル分布から、前記ピーク検出ステップで検出したピークを取り除いて、ピーク除去後の発光スペクトル分布を求めるピーク除去ステップと、
前記ピーク除去後の発光スペクトル分布から、所定の波長位置の強度を複数求めることにより、前記発光スペクトル分布の大域的な変化を示す大域的分布特徴量を求める大域的分布特徴量算出ステップと、
前記大域的分布特徴量を比較して、エッチング処理におけるウエハごとの状態を検出する状態検出ステップと、
を有することを特徴とするエッチング処理状態の判定方法。 - 請求項1または2に記載のエッチング処理状態の判定方法であって、
元の発光スペクトル分布から、前記ピーク検出ステップで検出したピークを取り除いて、ピーク除去後の発光スペクトル分布を求めるピーク除去ステップと、
前記ピーク除去後の発光スペクトル分布から、所定の波長位置の強度を複数求めることにより、前記発光スペクトル分布の大域的な変化を示す大域的分布特徴量を求める大域的分布特徴量算出ステップと、
予め定めた基準となるウエハの大域的分布特徴量に対する、他のウエハの大域的分布特徴量の比率を、波長位置ごとに求めて、当該比率を、前記他のウエハの元の発光スペクトル分布に、波長位置ごとに掛け合わせることで、ウエハ間の差異を取り除いた補正後の発光スペクトル分布を求める補正ステップと、を有し、
前記状態検出ステップは、
前記補正ステップにより求めた補正後の発光スペクトル分布におけるピークのピーク特徴量を比較して、エッチング処理におけるウエハ間の状態の相違を検出する
ことを特徴とするエッチング処理状態の判定方法。 - 請求項1または2に記載のエッチング処理状態の判定方法であって、さらに、
複数のウエハに関して、発光スペクトル分布を取得するととともに、当該発光スペクトル分布がモニタされたウエハの表面形状もしくはエッチングレートを示すデータを取得するステップと、
前記ウエハの表面形状もしくはエッチングレートと、前記ウエハの発光スペクトル分布のピーク特徴量と、の関係モデルを、重回帰分析により求める関係モデル算出ステップと、
予測対象のウエハの発光をモニタして得た発光スペクトル分布を取得するステップと、
前記予測対象のウエハの発光スペクトル分布からピーク特徴量を求めるステップと、
前記予測対象のウエハの発光スペクトル分布のピーク特徴量を用いて、前記関係モデルから、前記予測対象のウエハの表面形状もしくはエッチングレートを推定するステップと
を行うことを特徴とするエッチング処理の状態定方法。 - 請求項6に記載のエッチング処理状態の判定方法であって、
前記関係モデル算出ステップは、
前記ピーク検出ステップで検出したピーク特徴量の中から、前記関係モデルに導入するピーク特徴量の数を減らす処理を行う
ことを特徴とするエッチング処理状態の判定方法。 - 請求項1または2に記載のエッチング処理の状態判定方法であって、さらに、
エッチング処理開始から所定の初期過程終了時点までの、時間刻みの各時点における発光スペクトル分布を取得するステップと、
前記ピーク検出ステップで検出したピーク特徴量を時系列で並べるステップと、
各ピーク特徴量について時系列での最大値と最小値とを用いて、ピーク特徴量を規格化するステップと、
各時点でのピーク特徴量と初期過程終了時点でのピーク特徴量の差を時系列でのピーク特徴量の標準偏差で除し、二乗した後に、ピーク特徴量間の平均を、各時点で求め安定化指数を求めるステップと、
ウエハ間での安定化指数の平均が所定の値、もしくは自由度がピーク数となるカイ二乗値よりも小さくなったときに、エッチングの初期過程が安定となったと判定する安定化判定ステップと、
を有することを特徴とするエッチング処理の状態判定方法。 - 請求項1または2に記載のエッチング処理の状態判定方法であって、さらに、
エッチング処理開始から所定の初期過程終了時点までの、時間刻みの各時点における発光スペクトル分布を取得するステップと、
前記ピーク検出ステップで検出したピーク特徴量を時系列で並べるステップと、
各ピーク特徴量について時系列での最大値と最小値とを用いて、ピーク特徴量を規格化するステップと、
ある基準となるウエハの規格化特徴量に対して、他ウエハの同一の波長位置にある規格化ピーク特徴量の差の二乗を、他ウエハの規格化ピーク特徴量の時間をずらしながら求めて、
基準の規格化ピーク特徴量と他ウエハの時間をずらした規格化ピーク特徴量とで時間が重なっている範囲でピーク特徴量の差の二乗を時間平均し、
その差の二乗の時間平均が最も小さくなったときの時間のずらし量を遅れ、もしくは進みとして遅れ量を求めて、
遅れ量の大きさに基づいてエッチング処理の状態検出を行うステップと、
を有することを特徴とするエッチング処理状態の判定方法。 - 複数のウエハのエッチング処理中の発光をモニタした発光スペクトル分布を取得するスペクトルデータ取得ステップと、
エッチング処理中の特定の時点における、前記発光スペクトル分布から、ピークを検出し、ピーク特徴量を求めるピーク検出ステップと、
予め定めた基準となるウエハの発光スペクトル分布を基準として、他のウエハの発光スペクトル分布について、スペクトル比率を、波長位置ごとに求めて、
所定の幅の波長位置ごとに、前記スペクトル比率の標準偏差を求め、
所定の幅の波長位置ごとに、前記スペクトル比率の微分を求め、
所定の幅の波長位置ごとに、前記標準偏差を前記微分の絶対値で除したばらつきの指標を求め、
前記ばらつきの指標に基づいて、前記基準となるウエハに対する、前記他のウエハの状態の変化を検出する状態検出ステップと、
を有することを特徴とするエッチング処理状態の判定方法。 - 複数のウエハのエッチング処理中の発光をモニタした発光スペクトル分布を取得するスペクトルデータ取得手段と、
エッチング処理中の特定の時点における、前記発光スペクトル分布から、ピークを検出し、ピーク特徴量を求めるピーク検出手段と、
前記ピーク検出ステップで検出したピークの中から、ウエハ間で共通のピークを特定する共通ピーク特定手段と、
共通のピークについて、特徴量を比較して、エッチング処理におけるウエハごとの状態を検出する状態検出手段と、
を有することを特徴とするエッチング処理状態の判定システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008098111A JP5026326B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | エッチング処理状態の判定方法、システム |
TW098110136A TWI408758B (zh) | 2008-04-04 | 2009-03-27 | Method for judging the state of etching |
KR1020090028597A KR101080554B1 (ko) | 2008-04-04 | 2009-04-02 | 에칭 처리 상태의 판정 방법, 시스템 |
US12/385,273 US8282849B2 (en) | 2008-04-04 | 2009-04-03 | Etching process state judgment method and system therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008098111A JP5026326B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | エッチング処理状態の判定方法、システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009252945A true JP2009252945A (ja) | 2009-10-29 |
JP5026326B2 JP5026326B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=41133638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008098111A Active JP5026326B2 (ja) | 2008-04-04 | 2008-04-04 | エッチング処理状態の判定方法、システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8282849B2 (ja) |
JP (1) | JP5026326B2 (ja) |
KR (1) | KR101080554B1 (ja) |
TW (1) | TWI408758B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8685265B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-04-01 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
JP2016153798A (ja) * | 2011-04-28 | 2016-08-25 | 公益財団法人がん研究会 | 質量分析データ処理方法及び装置 |
JP2018175850A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | 株式会社Nttドコモ | データ収集装置及びデータ収集方法 |
WO2019036139A1 (en) * | 2017-08-18 | 2019-02-21 | Applied Materials, Inc. | TREATMENT TOOL WITH MONITORING DEVICE |
WO2021210431A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9620338B2 (en) * | 2010-03-16 | 2017-04-11 | Mizuho Information & Research Institute, Inc. | System, method, and program for predicting processing shape by plasma process |
JP6001234B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2016-10-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム、基板処理装置、データ処理方法およびプログラム |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
JP6173851B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-08-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析方法およびプラズマエッチング装置 |
JP6220319B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2017-10-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
JP6553398B2 (ja) | 2015-05-12 | 2019-07-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置、データ処理装置およびデータ処理方法 |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10386828B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for etch profile matching by surface kinetic model optimization |
US9792393B2 (en) | 2016-02-08 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for etch profile optimization by reflectance spectra matching and surface kinetic model optimization |
US10032681B2 (en) | 2016-03-02 | 2018-07-24 | Lam Research Corporation | Etch metric sensitivity for endpoint detection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10197908B2 (en) | 2016-06-21 | 2019-02-05 | Lam Research Corporation | Photoresist design layout pattern proximity correction through fast edge placement error prediction via a physics-based etch profile modeling framework |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10254641B2 (en) | 2016-12-01 | 2019-04-09 | Lam Research Corporation | Layout pattern proximity correction through fast edge placement error prediction |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10534257B2 (en) | 2017-05-01 | 2020-01-14 | Lam Research Corporation | Layout pattern proximity correction through edge placement error prediction |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10572697B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Lam Research Corporation | Method of etch model calibration using optical scatterometry |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
CN111971551A (zh) | 2018-04-10 | 2020-11-20 | 朗姆研究公司 | 机器学习中的光学计量以表征特征 |
KR20200131342A (ko) | 2018-04-10 | 2020-11-23 | 램 리써치 코포레이션 | 레지스트 및 에칭 모델링 |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
CN109688607B (zh) * | 2019-01-02 | 2022-03-01 | 成都华日通讯技术股份有限公司 | 一种可应用于低速无线网络传输的频谱数据压缩方法 |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
US10977405B2 (en) | 2019-01-29 | 2021-04-13 | Lam Research Corporation | Fill process optimization using feature scale modeling |
CN110850690B (zh) * | 2019-11-19 | 2023-05-23 | 上海华力微电子有限公司 | 去胶设备、顶针监控方法和去胶工艺 |
JP7413081B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
US11927620B2 (en) | 2021-01-28 | 2024-03-12 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Method for simulating electricity of wafer chip |
CN114823398A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 模拟晶圆芯片的电性的方法及半导体工艺方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005527983A (ja) * | 2002-05-29 | 2005-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | データハンドリング、ストレージ及び操作のための方法とシステム |
WO2006138199A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Unaxis Usa Inc. | Process change detection through the use of evolutionary algorithms |
JP2007501532A (ja) * | 2003-05-09 | 2007-01-25 | ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド | 時分割多重プロセスにおける包絡線フォロア終点検出 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5546322A (en) | 1994-04-12 | 1996-08-13 | International Business Machines Corporation | Method and system for analyzing plasma data |
US6077386A (en) * | 1998-04-23 | 2000-06-20 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
KR20020060817A (ko) | 2001-01-12 | 2002-07-19 | 동부전자 주식회사 | 플라즈마 공정 제어 장치 및 그 방법 |
JP4497302B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2010-07-07 | リコー光学株式会社 | エッチバック方法、及びそれを用いた無機偏光子製造方法 |
JP4972277B2 (ja) | 2004-11-10 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置 |
JP2007115765A (ja) | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
-
2008
- 2008-04-04 JP JP2008098111A patent/JP5026326B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-27 TW TW098110136A patent/TWI408758B/zh active
- 2009-04-02 KR KR1020090028597A patent/KR101080554B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-03 US US12/385,273 patent/US8282849B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005527983A (ja) * | 2002-05-29 | 2005-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | データハンドリング、ストレージ及び操作のための方法とシステム |
JP2007501532A (ja) * | 2003-05-09 | 2007-01-25 | ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド | 時分割多重プロセスにおける包絡線フォロア終点検出 |
WO2006138199A1 (en) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Unaxis Usa Inc. | Process change detection through the use of evolutionary algorithms |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016153798A (ja) * | 2011-04-28 | 2016-08-25 | 公益財団法人がん研究会 | 質量分析データ処理方法及び装置 |
US8685265B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-04-01 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
JP2018175850A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | 株式会社Nttドコモ | データ収集装置及びデータ収集方法 |
WO2019036139A1 (en) * | 2017-08-18 | 2019-02-21 | Applied Materials, Inc. | TREATMENT TOOL WITH MONITORING DEVICE |
US10763143B2 (en) | 2017-08-18 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Processing tool having a monitoring device |
US10957565B2 (en) | 2017-08-18 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Processing tool having a monitoring device |
WO2021210431A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
JPWO2021210431A1 (ja) * | 2020-04-13 | 2021-10-21 | ||
JP7361892B2 (ja) | 2020-04-13 | 2023-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI408758B (zh) | 2013-09-11 |
TW201003812A (en) | 2010-01-16 |
JP5026326B2 (ja) | 2012-09-12 |
KR101080554B1 (ko) | 2011-11-04 |
US20090253222A1 (en) | 2009-10-08 |
KR20090106351A (ko) | 2009-10-08 |
US8282849B2 (en) | 2012-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5026326B2 (ja) | エッチング処理状態の判定方法、システム | |
US20200328101A1 (en) | Search apparatus and search method | |
US9727049B2 (en) | Qualitative fault detection and classification system for tool condition monitoring and associated methods | |
US10847430B2 (en) | Method of feature exaction from time-series of spectra to control endpoint of process | |
KR101215367B1 (ko) | 에칭 장치, 분석 장치, 에칭 처리 방법, 및 에칭 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체 | |
US10627788B2 (en) | Retrieval apparatus and retrieval method for semiconductor device processing | |
US20190170653A1 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method and plasma processing analysis method | |
WO2006034179A2 (en) | Method and apparatus for multivariate control of semiconductor manufacturing processes | |
US9443704B2 (en) | Data analysis method for plasma processing apparatus, plasma processing method and plasma processing apparatus | |
US20150024521A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
CN113994453A (zh) | 半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法 | |
US8685265B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus | |
US11404253B2 (en) | Plasma processing apparatus and analysis method for analyzing plasma processing data | |
JP4836994B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
JP2020025116A (ja) | 探索装置および探索方法 | |
KR100446926B1 (ko) | 반도체제조장치의 감시 및 제어방법과 그 실시장치 | |
JP2005051269A (ja) | 半導体処理装置 | |
KR20130064472A (ko) | 멀티 광 파장 모니터링을 이용한 공정 진단 방법 | |
US20030119215A1 (en) | Method and system for determining a performance of plasma etch equipment | |
JP2009147183A (ja) | 異常検知方法およびこれを搭載したエッチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100823 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120522 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120620 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5026326 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |