KR100418072B1 - 플라즈마처리장치의 메인티넌스방법 및 메인티넌스시스템 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000010407 vacuum cleaning Methods 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000004171 remote diagnosis Methods 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
진공처리실에 있어서 플라즈마를 사용하여 시료의 처리를 행하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스에 있어서, 진공처리실을 대기개방하여 그 진공처리실을 구성하는 부재의 습식세정을 행한 후의 복구작업처리시에 미리 정해진 장치 고유의 최적의 시퀀스에 따라 자동적 또는 반자동적으로 복구작업처리의 적부의 판정을 행하면서 그 결과에 의거하여 자동적 또는 반자동적으로 다음처리로 이행한다.
Description
본 발명은 진공처리실을 가지는 플라즈마처리장치의 메인티넌스법 및 메인티넌스시스템에 관한 것으로, 특히 습식세정 등, 진공처리실의 대기개방을 수반하는 메인티넌스실시 후의 복구작업 중의 메인티넌스에 관한 것이다.
종래, 플라즈마처리장치의 대기개방을 수반하는 메인티넌스실시 후의 복구작업에 있어서는 진공배기개시 후부터 진공처리실내의 공기 등의 누설유무의 확인을 개시하여 진공처리실내의 도달압력의 확인, 반송이물·방전이물발생량의 확인 및 에칭율 및 성막율 확인 등의 잡다한 작업이 필요하게 된다. 또하 각 작업단계마다에서의 경험에 의거하는 판단이 요구되기 때문에 단계마다에 사람이 개재하여 조작 또는 판단을 하지 않으면 안되었다.
도 7에 종래의 방법에 의한 습식세정 후의 처리순서의 예를 나타낸다.
먼저, 습식작업이 종료하면, 진공펌프에 의한 진공뽑기를 개시한다. 다음에 2시간동안 하고 나서 누설체크·도달압체크를 행한다. 이것이 NG(no good)이면 나중에 다시한다. OK이면 다음에 반송·가스배출, 이물체크[전측정, QC(quality contact), 후측정]을 행한다. 이것이 OK이면 더미런(dummy run)(방전체크; 체크용 시료를 사용한 시험방전의 체크)을 행한다. 또한 방전이물체크(전측정, QC, 후측정)를 행하여 OK이면 레이트체크(전측정, QC, 후측정)를 행한다. 이것이 OK이면 제품선행 웨이퍼의 처리에 착수하여 OK이면 습식작업을 완료하여 제품처리에 착수한다.
상기한 바와 같이 종래의 방법에 의한 메인티넌스실시 후의 복구작업법에서는 사람의 개재·판단이 종종 필요하여 작업의 능률이 나쁘고, 가동개시까지 많은 일손을 필요로 하여 복구까지 많은 시간이 걸리고 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 사람이 개재하지 않으면 안되는 번잡한 작업과 경험을 중심으로 한 복구작업처리의 단계마다의 합격여부(처리의 적부)판정을 생략하고, 가동개시까지의 일손의 절력화 또는 복구시간의 단축화를 실현할 수 있는 플라즈마처리장치의 메인티넌스방법 및 메인티넌스시스템을 제공하는 데에 있다.
도 1은 본 발명을 반도체제조장치에 적용한 원격진단시스템의 구성을 나타내는 블록도,
도 2는 플라즈마에칭용 진공처리장치의 전체 구성도,
도 3은 본 발명에 의한 습식세정 후 처리의 복구작업의 시퀀스를 나타내는 도,
도 4는 표준 누설율시와 이상 누설율시의 도달진공도의 시간경과의 예를 나타내는 도,
도 5는 진공배기 중의 Q-MASS를 사용한 측정예를 나타내는 도,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 습식세정 후의 처리의 예를 나타내는 도,
도 7은 종래의 방법에 의한 습식세정 후의 처리순서의 예를 나타내는 도이다.
본 발명의 일 면에 의하면, 진공처리실에 있어서 플라즈마를 이용하여 시료의 처리를 행하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법으로서, 메인티넌스 등으로 상기 진공처리실을 대기개방하여 그 진공처리실을 구성하는 부재의 습식세정을 행한 후의 복구작업처리시에 미리 결정된 장치 고유의 최적의 시퀀스에 따라 자동적 또는 반자동적으로 복구작업처리의 적부의 판정을 행하면서 그 결과에 의거하여 자동적 또는 반자동적으로 다음처리로 이행한다.
본 발명의 다른 일 면에 의하면, 진공처리실과, 진공배기부와, 플라즈마생성용 가스공급부와, 플라즈마생성부와, 상기 진공처리실내에서 처리되는 웨이퍼를 얹어 놓기 위한 시료대를 구비한 플라즈마처리장치의 메인티넌스시스템에 있어서, 습식세정 후의 복구작업을 위한 시퀀스실행용 연산회로 및 측정데이터를 저장하는 기억부와, 동작중인 플라즈마처리장치로부터 측정데이타치를 채취하기 위한 복수의 검출센서와, 규격치의 설정 등을 행하는 입출력부와, 상기 기억부에 저장된 데이터와 상기 규격치와의 비교를 행하는 비교판정회로를 포함한다.
본 발명에 의하면 사람이 개재하지 않으면 안되는 번잡한 작업을 장치에 고유한 최적의 시퀀스로서 사전에 조합시켜 둠으로써 반자동 또는 자동적으로 상기 시퀀스에 따라 확인프로그램이 기동하여 복구작업처리의 단계마다 합격여부(처리의 적부)를 판정하면서 그 결과에 의거하여 반자동 또는 자동적으로 다음 단계 및 처리로 이행할 수 있게 하여 가동개시까지의 일손의 생력화 또는 복구시간의 단축화를 실현한다.
이하 본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명을 반도체제조장치에 적용한 원격진단시스템의 구성을 나타내는 블록도이다. 이 진단시스템에서는 A사의 관리하에 있는 반도체제조장치(10)(이 예에서는 플라즈마에칭처리장치)를 A사의 관리하에 없는 B사(서포트센터)의 진단장치(60)을 사용하여 정기 및 진단이 필요한 때에 적절히, 원격진단하는 것이다. 이 실시예에 있어서, B사는 A사의 반도체제조장치의 일부 또는 대부분을 제조하여 납입한 제조회사로 한다. B사가 보수전문 서비스회사이어도 좋다.
이 원격진단시스템에서는 고장진단이나 데이터갱신의 대상이 되는 A사의 에칭장치(10)(복수대있어도 좋음)가 제어기(12)와 LAN을 거쳐 A사의 반도체제조장치 제어서버(20)에 접속되어 있다. 서버(20)는 A사 내의 LAN(인트라넷)(30)에 접속되어 있고, 다시 도시 생략한 인터넷서버 및 방화벽시스템을 거쳐 인터넷(50)에 접속되어 있다. 인터넷(50)에는 B사의 도시 생략한 방화벽시스템 및 인터넷서버(및 인트라넷)를 거쳐 서포트센터의 진단장치(60)가 접속되어 있다.
B사의 원격진단시스템은, 예를 들면 퍼스널컴퓨터(61)로 구성된, 시퀀스실행용 연산회로(62)와, 측정데이터를 저장하는 기억부(63)와, 규격치의 설정 등을 행하는 입출력부(64)와, 기억부에 저장된 데이터와 규격치의 비교를 행하는 비교판정회로(65)를 포함한다. 또 A사의 동작 중인 플라즈마처리장치로부터 복수의 검출센서(12)에 의해 각종 측정데이타치를 채취하고, 또는 A사에서 취득한 데이터에 대하여 문의를 행하여 인터넷을 경유하여 수취한다. 상기 검출센서로서, 단독 또는 복수의 파장의 플라즈마발광강도를 측정하기 위한 발광분광기(OES 113)(도 2참조)를 구비하고 있다.
또한 반도체제조장치, 각 서버, 인터넷 및 진단장치 사이의 접속에는 일반 전화회선이나 전용 통신회선, 광케이블에 의한 통신회선 등이 이용된다. 또 고객(A)과 장치제조회사(B) 사이의 통신을 위해 미리 각 기기마다에 IP어드레스나 특정 ID번호 등을 부여하여 두는 것은 물론이다.
각 서버는 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 입출력부로서 키보드나 마우스 등의 조작부나 디스플레이가 접속되어 있다. 또 인터넷(50)에 엑세스하여 다른 서버에 접속하기 위한 열람소프트(WWW브라우저)를 가지고 있다. 서버(20) 등의 각 컴퓨터는 통신인터페이스를 구비하고 있고, 마이크로컴퓨터가 작성한 데이터나 코멘드의 변조 및 송신과, 전화회선 등을 거쳐 보내져 오는 데이터나 코멘드의 수신 및 복조를 행한다.
또 각 반도체제조장치(10)도 각각 퍼스널컴퓨터를 구비하고 있고, 입출력부로서의 키보드나 마우스 등의 조작부나 디스플레이가 접속되어 있다.
진단장치(60)는 예를 들면 퍼스널컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 외부기기와접속하기 위한 외부접속용 인터페이스나 통신인터페이스를 구비하고 있다. 또한 퍼스널컴퓨터는 CPU 및 각종 기억부를 구비하고 기억부에는 인터넷(50)에 엑세스하여 서버에 접속하기 위한 열람소프트(WWW브라우저)와, 원격진단용 진단프로그램이 유지되어 있다. 또한 장치의 에러코드 등의 장치진단용 정보 및 장치진단정보의 데이터베이스(76), 플라즈마특성데이터베이스(77), 고객고유의 정기 또는 부정기 진단용 데이터베이스, 진단 스케줄 및 진단결과를 기록한 데이터베이스 등이 설치되어 있다.
진단장치(60)는 A사의 반도체제조장치(10)에 관한 각종 정보에 대하여 통신회선을 이용하여 검출센서(12)로 온라인검출을 행하고, 또는 문의를 행하여 얻어진 정보에 의거하여 진단 및 메인티넌스의 서포트를 행함과 동시에, 진단을 위하여 추가정보가 필요한 경우, 추가정보의 제공을 A사에 대하여 요구하여 진단을 행한다.
도 2는 플라즈마에칭용 진공처리장치의 전체 구성도이다. 진공처리장치는 진공처리실(104)과 진공펌프에 의한 진공배기부(105)와, 플라즈마생성용 가스공급부와, 진공처리실에 플라즈마(107)를 생성하기 위한 플라즈마생성부와, 진공처리실내에서 처리되는 웨이퍼를 얹어 놓기 위한 시료대(108)를 구비하고 있다.
상부의 마이크로파전원으로부터 진공처리실(104) 내로 마이크로파가 도입된다. 진공처리실(104)의 주위에는 전자석(103)이 설치되어 있고, 자장강도는 마이크로파의 주파수와 공명을 일으키도록 설정되어, 예를 들면 주파수가 2.45 GHz 이면 자장강도는 875 Gauss 이다.
시료대(108)의 위에 시료가 설치된다. 시료에 입사하는 이온을 가속하기 위하여 고주파 전압전원(109)이 시료대(108)에 접속되어 있다. 고주파 전압전원의 주파수에 특별히 제한은 없으나, 통상에서는 주파수는 200 kHz 내지 20 MHz의 범위가 실용적이다. 마이크로파전원과 바이어스전원(109)에는 각각을 온오프제어하는 펄스신호발생기가 구비되어 있다.
A사의 동작중인 플라즈마처리장치(10)로부터 각종 측정데이터치를 채취하기 위한 검출센서로서는 그 외에 임의의 질량의 분자 또는 원자를 검출하기 위한 질량가스분석기(Q-MASS)(110)를 조립한다. 또한 이물검사장치(이물모니터)나 외부광 또는 플라즈마자체로부터 발생하는 빛이 웨이퍼표면에 조사되어 웨이퍼표면으로부터의 간섭광을 측정함으로써 막두께를 검출하는 막두께 측정기(111)를 조립한다. 또한 에칭프로세스변수를 검출하기 위하여 고주파출력의 전압, 전류, 위상이나 반사파전력 등을 각각 측정하기 위한 검출기(112)를 조립한다.
본 발명에서는 플라즈마에칭처리장치(10)에 있어서, 메인티넌스 등으로 진공처리실을 대기개방하여 행하는 진공처리실 구성부재의 습식세정 후의 복구작업시, B사의 원격진단시스템으로부터의 지시에 의하여 미리 정해진 장치 고유의 최적의 시퀀스에 따라 자동적 또는 반자동적으로 복구작업처리의 합격 여부판정(복구작업처리가 적정한지 여부의 판정)을 행한다. 그리고 그 결과에 의거하여 자동적 또는 반자동적으로 다음처리로 이행한다. 이에 의하여 가동개시까지의 일손의 생력화 또는 복구시간의 단축화를 실현한다.
도 3에 본 발명에 의한 습식세정 후의 처리의 복구작업의 시퀀스를 나타낸다. 이 실시예는 장치상태모니터 + 레이트모니터부착의 경우이다.
먼저, 습식작업완료에 따라 오퍼레이터가 버튼을 누름으로써 진공펌프에 의한 진공뽑기(진공배기처리)가 개시된다. 복구작업의 시퀀스 및 복구작업처리의 합격 여부판정의 항목으로서 진공처리실의 고진공배기에 있어서의 도달압력 및 도달시간을 이용하여 누설의 유무를 자동판단한다. 즉 누설율·도달진공도체크를 행한다. 이것은 자동판단에 의하여 행하고, NG 즉 도달진공도가 부적당하면 진공뽑기를 자동으로 재실시한다.
도 4에 표준누설율시와, 이상누설율시의 도달진공도의 시간경과의 예를 나타낸다. 여기서 누설율이란, 진공뽑기처리에 있어서, 예를 들면 30분마다 진공처리실의 밸브를 폐쇄하고, 그 때의 압력상승율의 계측치를 말한다. 밸브는 그후 다시 개방되어 진공뽑기처리가 재개된다. 도달진공도가 정상인지의 여부의 판정은 각 판정단계마다 소정의 진공도의 폭을 가진 판단기준으로 행한다. 판단기준의 폭(도 4의 높이방향)은 단계를 쫓을 때마다 좁게 설정함으로써 도달진공도가 정상인지의 여부를 빠른 단계에서 미리 예측할 수 있다. 도 4에 나타내는 예는표가 정상, ×표가 이상인 예이다. 도 4에 있어서, 1 단계째는 판단기준의 폭이 넓고 정상, 이상, 어느쪽의 예도 판단기준 내에 들어가 있다. 2 단계째에서는 정상의 예는 판단기준 내에 들어가 있으나, 이상의 예는 판단기준의 상한부근으로 되어 있다. 도달진공도가 이와 같은 판단기준의 상한 또는 하한부근(예를 들면 상한으로부터 소정치만큼 적은 값까지의 범위 또는 하한으로부터 소정치만큼 많은 값까지의 범위)에 있을 때는 이 시점에 있어서 오퍼레이터에 경고를 내면, 조기에 대책을 검토할 수 있으므로 유효하다. 경고의 방법으로서는 경고음을 내도록 하거나 경보램프를점등시키거나, 또는 퍼스널컴퓨터의 화면 위에 경고를 표시하도록 하면 된다. 3 단계째에서는 정상의 예는 판단기준 내에 들어가 있으나, 이상의 예는 판단기준으로부터 벗어나 있다. 도달진공도가 이와 같은 경향을 나타낼 때, 그대로 진공뽑기를 계속하여도 이상이 되는 것이 미리 전망되므로, 이 시점에서 이상의 경고신호를 낸다. 또는 진공뽑기처리를 다시 행하면 좋다. 또한 판단기준의 폭은, 경시적인 진공도달곡선을 파악함으로써 결정하면 좋다. 예를 들면 결과적으로 이상이 된 경우의 진공도달곡선의 통계를 취하여 그 통계치가 상한치 또는 하한치가 되도록 판단기준의 폭을 결정하는 것을 생각할 수 있다.
또한 복구작업의 시퀀스 및 복구작업처리의 합격 여부판정의 항목으로서, 진공처리실의 고진공배기에 있어서의 도달압력 및 도달시간뿐만이 아니라, 거기에 도달하기까지의 경시적인 진공도달곡선을 파악함으로써 미분계산 등으로부터 얻어지는 기울기 등의 수치해석결과를 하나 또는 복수개 조합한다. 이와 같이 하여 도달진공도가 부적당하다고 판단되는 경우는, 예를 들면 노란색 점멸신호에 의해 오퍼레이터에게 알린다.
또한 상기 시퀀스 및 합격 여부판정의 항목으로서, 고진공배기에 있어서의 진공처리실내의 잔류가스를 배기용 밸브의 개폐 등의 배기계 차단에 의해 진공처리실 내에 축적시킨 후, 적당한 플라즈마생성방법에 의해 방전시켜 그 발광스펙트럼을 관찰함으로써 잔류가스성분을 파악하고, 그 결과를 단독 또는 복수 및 경시 적으로 이용하여도 좋다.
또 상기 잔류가스성분으로서, 질소(N) 또는 수소(H), 0H의 상대량을 파악하고, 그 결과를 단독 또는 복수 및 경시적으로 이용하여도 좋다. 또는 상기 시퀀스 및 합격 여부판정의 항목으로서, 고진공배기에 있어서의 진공처리실내의 잔류가스성분을 질량가스분석기 등에 의해 파악하고, 그 결과를 단독 또는 복수 및 경시적으로 이용하여도 좋다.
또는 진공처리실 내의 잔류가스성분 중, 질소 및 산소의 함유비율이 4 : 1 이 되는지의 여부를 판단함으로써 진공처리실 외부로부터의 누설의 유무를 판단하여도 좋다.
도 5는 진공배기 중의 Q-MASS 110를 사용한 측정예이고, 질소 및 산소의 함유비율을 기초로 진공처리실의 외부로부터의 누설의 유무를 판단하는 것이다.
도 3으로 되돌아가, 도달진공도가 정상인 경우, 다음에 더미런을 행한다. 즉 더미런 웨이퍼의 최후에 레이트 QC 웨이퍼를 세트하여 둔다. 그리고 장치상태모니터에 의해 방전상태를 자동판단한다. 또 레이트모니터에 의해 속도를 자동측정·판단한다.
그후, 진공체크·더미런의 완료를 표시한다.
다시 이물 QC 웨이퍼세트(전측정), 및 이물 QC 웨이퍼세트(후측정)를 행하여 OK이면 제품선행 웨이퍼처리의 착수를 행하여 문제가 없으면 습식작업을 완료하여 제품의 처리에 착수한다.
도 6에 본 발명의 다른 실시예에 의한 습식세정 후의 처리의 예를 나타낸다. 이 예는 이물모니터(111)를 부가한 시스템이다. 먼저 습식작업완료에 따라 오퍼레이터가 버튼을 누름으로써 진공뽑기가 개시된다. 그리고 누설의 유무를 자동판단한다. 누설율·도달진공도를 체크하여 자동판단을 행한다. NG이면 자동으로 재실시한다. OK이면 다시 더미런을 행한다. 즉 더미웨이퍼의 최후에 레이트 QC 웨이퍼, 이물 QC 웨이퍼를 세트하여 둔다. 다음에 장치상태모니터에 의해 방전상태를 자동측정, 판단한다.
다시 레이트모니터에 의하여 레이트 QC 웨이퍼의 레이트를 자동측정, 판단하고, 이물모니터(111)에 의하여 방전공간 중의 이물을 자동측정, 판단하여 자동측정·판단의 결과를 표시부에 표시한다.
이와 같이 시퀀스 및 합격 여부판정의 항목으로서, 진공처리실 내의 이물발생량이 규정치 이하인 것을 확인하기 위하여 장치 조립형 또는 별도 설치형의 이물검사장치 등을 사용한다. 그리고 진공처리실 내의 이물발생량이 규정치를 초과한 경우에 반자동 또는 자동적으로 진공처리실 내의 가스퍼지 및 배기를 수회 반복하는 이물저감시퀀스를 기동한다.
이 예의 시퀀스 및 합격 여부판정의 항목으로서, 미리 결정된 에칭율 또는 성막율이 규정치범위 내인 것을 확인하기 위하여 장치 조립형 또는 별도 설치형의 막두께 측정기 등을 사용하여도 좋다. 또는 에칭공정변수로서 미리 결정된 플라즈마방전에 관한 각종 파라미터인 전압, 전류, 위상이나 반사파전력 등을 계측하여 규정치범위 내인 것을 확인하여도 좋다.
도 6으로 되돌아가, 자동측정·판단의 결과가 OK이면 제품선행 웨이퍼의 처리를 착수한다. 그리고 이것이 OK이면 습식작업을 완료하여 제품처리에 착공한다.
또한 진단장치(60)를 A사 스스로 보유하고 그 반도체제조장치(10)를 진단하여도 좋다.
본 발명에 의하면, 종래 사람이 개재하지 않으면 안되는 번잡한 작업과 경험을 중심으로 한 단계마다의 합격 여부판정을 생략하고, 반자동 또는 자동적으로 실시할 수 있다. 즉 이들 번잡한 작업을 장치에 고유의 최적의 시퀀스로서 사전에 조합시켜 둠으로써 가동개시까지의 일손의 생력화 또는 복구시간의 단축화를 실현할 수 있다.
Claims (23)
- 메인티넌스 등으로 상기 진공처리실을 대기개방하여 그 진공처리실을 구성하는 부재의 습식세정을 행한 후의 복구작업처리시에,미리 정해진 장치 고유의 최적의 시퀀스에 따라 자동적 또는 반자동적으로 복구작업처리의 적부의 판정을 행하면서, 그 결과에 의거하여 자동적 또는 반자동적으로 다음처리로 이행하는 단계로 이루어진 진공처리실에서 플라즈마를 이용하여 시료의 처리를 행하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 1항에 있어서,상기 시퀀스 및 상기 복구작업처리의 적부 판정의 항목으로서, 상기 진공처리실의 고진공 배기처리에 있어서의 처리경과시간과 그 때의 상기 진공처리실 내의 도달압력과의 관계를 이용하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 2항에 있어서,상기 복구작업처리의 적부의 판정은, 소정의 처리경과시간에 있어서의 상기도달압력이 소정의 범위 내인지의 여부로 행하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 2항에 있어서,상기 진공처리실의 고진공 배기에 있어서의 도달압력 및 도달시간에 도달하기까지의 경시적인 진공도달곡선을 파악함으로써 미분계산 등으로부터 얻어지는 기울기 등의 수치해석결과를 하나 또는 복수개 조합시키는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 1항에 있어서,상기 시퀀스 및 복구작업처리의 적부 판정의 항목으로서, 고진공 배기에 있어서의 상기 진공처리실 내의 잔류가스를 배기용 밸브를 폐쇄하는 등의 배기계 차단에 의해 상기 진공처리실 내에 축적시킨 후, 적당한 플라즈마생성방법에 의해 방전시켜 그 발광스펙트럼을 관찰함으로써 잔류가스성분을 파악하고, 그 결과를 단독 또는 복수 및 경시적으로 이용하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 5항에 있어서,상기 잔류가스성분으로서, 질소(N) 또는 수소(H), 0H의 상대량을 파악하여 그 결과를 단독 또는 복수 및 경시적으로 이용하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 1항에 있어서,상기 시퀀스 및 복구작업처리의 적부의 판정항목으로서, 고진공배기에 있어서의 상기 진공처리실 내의 잔류가스성분을 질량가스분석기 등에 의해 파악하고, 그 결과를 단독 또는 복수 및 경시적으로 이용하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 7항에 있어서,상기 진공처리실 내의 잔류가스성분 중, 질소 및 산소의 함유비율이 4 : 1 이 되는지의 여부를 판단함으로써 상기 진공처리실 외부로부터의 누설의 유무를 판단하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 1항에 있어서,상기 시퀀스 및 복구작업처리의 적부의 판정항목으로서, 상기 진공처리실 내의 이물발생량이 규정치 이하인 것을 확인하기 위하여 장치조립형 또는 별도 설치형의 이물검사장치를 사용하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 9항에 있어서,상기 진공처리실 내의 이물발생량이 규정치를 초과한 경우에 반자동 또는 자동적으로 상기 진공처리실 내의 가스퍼지 및 배기를 수회 반복하도록 이물저감 시퀀스를 기동하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 1항에 있어서,상기 시퀀스 및 복구 작업처리의 적부의 판정항목으로서, 미리 결정된 에칭율 또는 성막율이 규정치 범위 내가 되는 것을 확인하기 위하여 장치조립형 또는 별도 설치형의 막두께 측정기를 사용하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 1항에 있어서,상기 시퀀스 및 복구작업처리의 적부의 판정항목으로서 미리 결정할 수 있는 플라즈마방전에 관한 각종 파라미터인 전압, 전류, 위상이나 반사파전력 등을 계측하여 그 계측치가 규정치 범위 내인 것을 확인하면 복구작업처리는 적정하다고 판정하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 3항에 있어서,상기 고진공 배기처리가 정상인지의 여부를 각 판정단계마다 소정의 도달압력범위를 가지는 판단기준으로 행하여 상기 소정의 도달압력범위의 폭은 판정단계가 진행될 때마다 좁게 설정하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 13항에 있어서,상기 판정단계에 있어서 도달압력이 대응하는 판단기준의 상한 또는 하한 부근이라고 판단되면 경보를 발하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 13항에 있어서,상기 판정단계에 있어서, 도달압력이 대응하는 판단기준으로부터 벗어났다고 판정되면 상기 고진공 배기처리를 다시 행하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 제 13항에 있어서,상기 소정의 압력범위의 폭은 경시적인 진공도달곡선을 파악함으로써 결정하는 플라즈마처리장치의 습식세정 후의 메인티넌스방법.
- 진공처리실과, 진공배기부와, 플라즈마생성용 가스공급부와, 플라즈마생성부와, 상기 진공처리실 내에서 처리되는 웨이퍼를 얹어 놓기 위한 시료대를 구비한 플라즈마처리장치의 메인티넌스시스템에 있어서,습식세정 후의 복구작업을 위한 시퀀스실행용 연산회로와;측정데이터를 저장하는 기억부와;동작 중의 플라즈마처리장치로부터 측정데이타치를 채취하기 위한 복수의 검출센서와; 규격치의 설정 등을 행하는 입출력부와;상기 기억부에 저장된 데이터로부터 상기 규격치의 비교를 행하는 비교판정회로를 구비하는 플라즈마처리장치의 메인티넌스시스템.
- 제 17항에 있어서,상기 검출센서로서 단독 또는 복수파장의 플라즈마발광강도를 측정하기 위한 발광분광기를 구비하는 플라즈마처리장치의 메인티넌스시스템.
- 제 17항에 있어서,상기 검출센서로서, 임의의 질량의 분자 또는 원자를 검출하기 위한 질량가스분석기를 구비하는 플라즈마처리장치의 메인티넌스시스템.
- 제 17항에 있어서,상기 검출센서로서 이물검사장치를 조립하는 플라즈마처리장치의 메인티넌스시스템.
- 제 17항에 있어서,상기 검출센서로서 외부광 또는 플라즈마 자체로부터 발생하는 광이 웨이퍼표면에 조사되어 웨이퍼 표면으로부터의 간섭광을 측정함으로써 막두께를 검출하는 막두께 측정기를 조립하는 플라즈마처리장치의 메인티넌스시스템
- 제 17항에 있어서,상기 검출센서로서 고주파출력의 전압, 전류, 위상이나 반사파전력 등을 각각 측정하기 위한 검출기를 조립하는 플라즈마처리장치의 메인티넌스시스템.
- 제 1 회사의 관리하에 있는 플라즈마처리장치를, 통신네트워크를 거쳐 상기플라즈마처리장치의 시스템에 접속하고, 또한 상기 제 1 회사의 관리하에 없는 제 2 회사의 진단장치를 이용하여 메인티넌스하기 위한 원격진단시스템은,동작 중의 플라즈마처리장치로부터 측정데이타치를 채취하기 위한 복수의 검출센서와;상기 측정데이타치에 관한 정보를 상기 통신네트워크를 거쳐 상기 진단장치에 제공하는 부를 구비하고,메인티넌스 등에서 진공처리실을 대기개방하여 행하는 진공처리실 구성부재의 습식세정 후의 복구작업시, 미리 정해진 장치 고유의 최적의 시퀀스에 따라 자동적 또는 반자동적으로 복구작업처리의 적부의 판정을 행하는 플라즈마처리장치의 메인티넌스시스템.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2001-00226702 | 2001-07-26 | ||
| JP2001226702A JP3660896B2 (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | プラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030011199A KR20030011199A (ko) | 2003-02-07 |
| KR100418072B1 true KR100418072B1 (ko) | 2004-02-11 |
Family
ID=19059476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0053030A KR100418072B1 (ko) | 2001-07-26 | 2001-08-30 | 플라즈마처리장치의 메인티넌스방법 및 메인티넌스시스템 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6745096B2 (ko) |
| JP (1) | JP3660896B2 (ko) |
| KR (1) | KR100418072B1 (ko) |
| TW (1) | TWI278931B (ko) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2003271232A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 製造装置の遠隔保守・診断用データを収集する方法及びシステム |
| US20040199361A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Ching-Shan Lu | Method and apparatus for equipment diagnostics and recovery with self-learning |
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2001
- 2001-07-26 JP JP2001226702A patent/JP3660896B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-30 KR KR10-2001-0053030A patent/KR100418072B1/ko active IP Right Grant
- 2001-09-05 TW TW090122001A patent/TWI278931B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-06 US US09/946,621 patent/US6745096B2/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 2003-05-09 US US10/434,213 patent/US7062347B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7062347B2 (en) | 2006-06-13 |
| TWI278931B (en) | 2007-04-11 |
| US20030019839A1 (en) | 2003-01-30 |
| JP3660896B2 (ja) | 2005-06-15 |
| JP2003045847A (ja) | 2003-02-14 |
| US6745096B2 (en) | 2004-06-01 |
| KR20030011199A (ko) | 2003-02-07 |
| US20030201240A1 (en) | 2003-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130111 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140103 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150105 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160105 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170103 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180104 Year of fee payment: 15 |