JP2000114130A - 半導体製造装置のための管理方法および管理システム - Google Patents

半導体製造装置のための管理方法および管理システム

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JP2000114130A JP10277043A JP27704398A JP2000114130A JP 2000114130 A JP2000114130 A JP 2000114130A JP 10277043 A JP10277043 A JP 10277043A JP 27704398 A JP27704398 A JP 27704398A JP 2000114130 A JP2000114130 A JP 2000114130A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造装置の異常動作を正確に判定する
ことのできる管理方法を提供すること。 【解決手段】 半導体製造装置１１の正常動作状態下で
少なくとも１つのパラメータについて複数のデータをサ
ンプリングし、サンプリングされたデータ群に基づいて
マハラノビス空間Ａを作成し、該マハラノビス空間に基
づいて、半導体製造装置１１の動作状態で得られる前記
パラメータについての測定値からマハラノビス距離Ｄ２
を算出し、当該マハラノビス距離の値が所定の値を超え
たとき、半導体製造装置１１が異常動作を生じたと判定
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
管理方法および管理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置のような製造装置の管理
システムでは、製造装置が正常に動作しているか否かを
判定するために、一般的には、製造装置の機能部分にお
ける温度あるいは圧力のようなパラメータについてのデ
ータを検出し、そのデータの値が異常値を示すとき、製
造装置の動作が停止するインターロック方式が採用され
ている。このインターロック方式によれば、異常データ
値を検出したとき、直ちに製造装置の作動を停止し、こ
れにより不良品の排出を最小限に抑えることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たような従来のインターロック方式では、たとえばプラ
ズマエッチング装置のエッチング作業の開始から終了ま
での各エッチング工程をプラズマ発光強度の変化で管理
するとき、このプラズマ発光強度がエッチング工程の開
始から終了まで大きく変化することから、このプラズマ
発光強度をパラメータとしてその異常動作を検出するこ
とはできない。また、インターロック方式では、単一の
パラメータについてのデータ値が所定の範囲を超えるか
否かを判定するのみであり、データ値相互間の時経列的
な変化を捉えることはできないことから、異常動作を正
確に把握することは容易ではない。さらに、インターロ
ック方式では、複数のパラメータを組み合わせた場合で
あっても、個々のパラメータに相関性を与えることがで
きないことから、異常動作の正確な把握に問題があっ
た。
【０００４】そこで、本発明の目的は、半導体製造装置
の異常動作を正確に判定することのできる管理方法およ
び管理システムを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体製造装
置の動作を管理する方法であって、前記半導体製造装置
の正常動作状態下で少なくとも１つのパラメータについ
て複数のデータをサンプリングし、サンプリングされた
データ群に基づいてマハラノビス空間を作成し、該マハ
ラノビス空間に基づいて、前記半導体製造装置の動作状
態で得られる前記パラメータについての測定値群からマ
ハラノビス距離を算出し、当該マハラノビス距離の値が
所定の値を超えたとき、前記半導体製造装置が異常動作
を生じたと判定することを特徴とする。
【０００６】本発明に係る前記管理方法では、複数のデ
ータからなるデータ群に基づくマハラノビス空間が作成
され、このマハラノビス空間に基づいて、前記半導体製
造装置の動作状態で得られる前記パラメータについての
測定値からマハラノビス距離が算出され、このマハラノ
ビス距離の値に応じて前記半導体製造装置の動作状態の
正常動作および異常動作が判定される。
【０００７】前記マハラノビス空間は、後述するような
データの集合体から導き出される相関行列の逆行列で表
現されることから、マハラノビス空間を用いることによ
り、たとえ単一のパラメータが採用されたとしても、マ
ハラノビス空間では、データ群が個々のデータ値として
単独に取り扱われることはなく、データ相互間の相関関
係が考慮される。
【０００８】従って、本発明に係る前記管理方法によれ
ば、データ相互間の相関関係が考慮されない従来のイン
ターロック方式では得られない精度の高さで、正確に前
記半導体製造装置の動作状態が正常か否かを判定するこ
とができ、これにより従来に比較して高い精度で前記半
導体製造装置の動作を管理することができる。
【０００９】さらに、予め、前記パラメータ以外の複数
のパラメータであってそれぞれが異常状況を示す前記複
数のパラメータのそれぞれについてそのパラメータ以外
の他のパラメータが正常状況を示す異常状態下でのマハ
ラノビス空間を予め作成し、前記マハラノビス距離の値
から異常動作を生じたと判定されたとき、異常状況を示
す前記マハラノビス空間に基づいて、前記測定値群から
それぞれのマハラノビス空間に対応するマハラノビス距
離を算出し、前記複数のパラメータのうち、前記マハラ
ノビス距離が最も１の値に近いマハラノビス空間を与え
る前記パラメータに異常があった旨を推定することがで
きる。
【００１０】各マハラノビス空間に基づいて算出された
マハラノビス距離のうち、測定値を与えた状況下に最も
近い状況下のマハラノビス空間を用いて算出したマハラ
ノビス距離が最も１に近くなる。従って、マハラノビス
距離を算出するのに用いた複数のマハラノビス空間のう
ち、最も１の値に近いマハラノビス距離を導き出すのに
用いたマハラノビス空間が測定値を与えた状況下に最も
近い状況下でのマハラノビス空間であるとみなすことが
でき、これにより、最も１の値に近いマハラノビス距離
を導き出したマハラノビス空間を導出する異常パラメー
タに、異常原因があったと推定することができる。
【００１１】前記パラメータを相互に異なる複数のパラ
メータで構成することができる。これにより、所定の時
間毎における複数のパラメータのデータ群に基づいて所
定の時間毎のマハラノビス空間を作成することができる
ことから、各時間毎の前記マハラノビス空間に基づい
て、前記半導体製造装置の動作状態で得られる前記複数
のパラメータについての測定値群から各時間毎のマハラ
ノビス距離を算出することができる。
【００１２】また、本発明に係る管理システムは、半導
体製造装置の正常動作状態を示すパラメータから得られ
たマハラノビス空間についてのデータを格納する記憶部
と、動作中の前記半導体製造装置装置から前記パラメー
タのデータ値を得るための検出機構と、前記記憶部に格
納された前記マハラノビス空間に基づいて、前記検出機
構により得られた前記パラメータ値からマハラノビス距
離を算出する演算回路と、該演算回路により算出された
前記マハラノビス距離が所定値を越えたか否かを判定す
る回路とを含むことを特徴とする。
【００１３】本発明によれば、前記演算回路が、前記記
憶部に格納された前記マハラノビス空間に基づいて、前
記検出機構により得られた前記パラメータ値群からマハ
ラノビス距離を算出し、前記判定回路が、算出されたマ
ハラノビス距離が所定値を越えたか否かを判定すること
から、迅速かつ効果的に本願方法を実施することができ
る。
【００１４】本願発明に係る管理システムをプラズマエ
ッチング装置の管理に適用することができる。プラズマ
エッチング装置のプラズマ発光強度を検出する検出機構
として、前記エッチング装置のプラズマ発光の所定の波
長についての強度を測定するためのプラズマ発光強度検
出器を備える検出機構を用いることができる。このプラ
ズマ発光強度検出器により検出されるプラズマ発光強度
についてのデータを用いて、前記したマハラノビス空間
およびマハラノビス距離を求めることができ、このマハ
ラノビス距離を用いた判定により、プラズマエッチング
装置が正常に動作したか否かを高精度で判定することが
できる。
【００１５】また、前記検出機構として、プラズマエッ
チング装置に設けられる高周波発信器の高周波出力につ
いての電流値、電圧値および位相をそれぞれ求めるため
の電圧検出器および電流検出器を備える検出機構を用
い、これら電圧値、電流値および位相についてのデータ
から、前記したマハラノビス空間およびマハラノビス距
離を求めることができ、このマハラノビス距離を用いた
判定により、プラズマエッチング装置が正常に動作した
か否かを高精度で判定することができる。
【００１６】前記検出機構に、さらに、前記電流検出器
および前記電圧検出器により検出された電流値および電
圧値から、前記高周波出力の基本波およびその高調波に
ついての電流値、電圧値および位相を算出するためのデ
ータ変換器を設けることができる。これにより、所定の
時間毎における、基本波およびその高調波についての電
流値、電圧値および位相からなる複数のパラメータのデ
ータ群に基づいて所定の時間毎のマハラノビス空間を作
成することができることから、各時間毎のマハラノビス
空間に基づいて、前記エッチング装置の動作状態で得ら
れる前記複数のパラメータについての測定値群から各時
間毎のマハラノビス距離を算出することができる。従っ
て、時系列的なマハラノビス距離の判定により、前記エ
ッチング装置の動作状態をデータ値相互間の時系列的な
変化に代えて、パラメータ相互間の相関関係で、前記エ
ッチング装置の作動状態を時系列的に好適に管理するこ
とができる。
【００１７】前記エッチング装置の前記検出機構とし
て、プラズマ発光の複数の所定の波長についての強度を
測定するための発光分析器を備える検出機構を用いるこ
とができる。前記発光分析器は、所定の複数の波長につ
いての強度の測定を可能とすることから、プラズマ発光
に関して複数の波長のそれぞれの強度を各パラメータと
して取り扱うことができ、これにより、プラズマ発光の
波長毎の強度の相互間の相関関係で以て、前記エッチン
グ装置の作動状態を時系列的に好適に管理することがで
きる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
について詳細に説明する。 〈具体例１〉図１は、本発明に係る管理システムを半導
体製造装置の１つであるプラズマエッチング装置に適用
した例を示す。本発明に係る管理システム１０が適用さ
れるプラズマエッチング装置１１は、従来よく知られて
いるように、例えば、半導体ウエハのような半導体基板
１２上に積層された絶縁膜のような上層部分１２ａにコ
ンタクト孔を形成すべく、この上層部分１２ａにドライ
エッチング処理を施すために、用いられる。
【００１９】プラズマエッチング装置１１は、図１に示
されているように、ハウジング１３と、該ハウジング内
に収容されたプラズマ保持用反応槽１４と、該反応槽内
に規定された反応室１４ａに相互に間隔をおいて配置さ
れる一対の電極１５（１５ａおよび１５ｂ）と、プラズ
マ発生用の高周波発生源たる高周波発生器１６と、プラ
ズマエッチング装置１１の高周波発生器１６を含む各部
の動作を制御するための制御部１７とを備える。
【００２０】一方の電極１５ａは、接地されており、他
方の電極１５ｂは、インピーダンス調整のためのマッチ
ングボックス１８を経て、高周波発生器１６からの高周
波出力を受ける。高周波発生器１６からの出力を受ける
電極１５ｂ上には、被加工面たる上層部分１２ａを上方
に向けて、半導体基板１２が配置される。半導体基板１
２の前記被加工面１２ａには、従来よく知られているよ
うに、必要に応じて選択エッチングのための選択マスク
が施される。
【００２１】反応槽１４内の反応室１４ａには、図示し
ないが従来よく知られたガス導入系を経て、例えばＣＦ
４のような反応ガスが導入され、反応室１４ａ内の雰囲
気が所定のガス圧に維持されるように、順次、排気系を
経て排出される。
【００２２】プラズマエッチング装置１１では、従来よ
く知られているように、制御部１７の動作により、高周
波発生器１６から他方の電極１５ｂへ高周波電力が出力
されると、両電極１５ａおよび１５ｂ間でのグロー放電
により、ラジカルと呼ばれる活性な分子および原子を含
むプラズマが形成され、このラジカルの化学反応によ
り、半導体基板１２の上層部分１２ａがエッチングを受
ける。
【００２３】このとき、プラズマの発光は、エッチング
の進行に関連して変化する。すなわち、半導体基板１２
と材質の異なる絶縁層である上層部分１２ａのエッチン
グの進行に伴い増大するある特定の波長の光の強度は、
エッチング作用が上層部分１２ａの下層たる半導体基板
１２に及ぶと、減少する。この光強度の変化が図２のグ
ラフに示されている。図２の横軸は、エッチング開始か
らの時間（秒）を表し、その縦軸はエッチング工程にお
ける反応室１４ａ内でのプラズマ発光による光強度を表
す。
【００２４】図２のグラフの特性線１９は、プラズマ発
光によるある特定の波長の光強度の変化を示す。この特
性線１９で示されているように、時間０で開始された上
層部分１２aのエッチングによって生じるプラズマ発光
の強度は、時間Ｘ１、Ｘ２およびＸ３の経過に伴う上層
部分１２ａのエッチングの促進に伴い、Ｙ′１、Ｙ′ ２
およびＹ′３と、増大する。
【００２５】時間Ｘ３でプラズマ発光強度がほぼ飽和に
達する（Ｙ′３）と、上層部分１２ａの膜厚の減少に伴
ってその発光強度は減少し、時間Ｘｎで、その発光強度
が所定値Ｙ′ｎを下回る。この時点で、エッチングが半
導体基板１２に達したと判断することができ、このこと
から、上層部分１２ａを貫通するコンタクトホールのた
めの所定のエッチングが終了したことを知ることができ
る。
【００２６】このようなプラズマ発光におけるある波長
の光を観察してエッチング工程の終了点を知る管理シス
テムは、ＥＰＤ（End Point Detect）システムとして知
られている。本発明に係る管理システム１０は、このプ
ラズマ発光における所定の波長の光の観察により、プラ
ズマエッチング装置１１が正常に動作したか否かを判定
することを可能とする。
【００２７】再び図１を参照するに、本発明に係る管理
システム１０は、反応室１４ａ内のプラズマ発光におけ
る所定の波長の光強度を検出すべく反応室１４ａに設け
られる光センサ２０と、該光センサにより検出された信
号をデータ処理するためのモニタ２１を経て受信する情
報処理装置２２とを備える。
【００２８】プラズマ発光は、反応室１４ａ内の前記活
性ガス、エッチングを受ける上層部分１２ａあるいはそ
の他の運転条件によって、その波長領域は異なるが、所
定の波長領域にピーク値を示す。光検出機構の光強度検
出器として設けられた光センサ２０は、この所定の波長
領域の光を受光するためのフィルタまたはモノクロメー
タを備え、この所定の波長領域の光強度を電気信号に変
換してモニタ２１に送る。
【００２９】モニタ２１は、プラズマ発光強度検出器た
る光センサ２０からの電気信号を受けて、図２に沿って
説明したとおり、発光強度の観察によりエッチング終了
時点を検出する。また、モニタ２１は、前記光センサ２
０からの電気信号を情報処理装置２２に送出する。
【００３０】情報処理装置２２は、図示の例では、コン
ピュータからなる。コンピュータ２２は、後述するマハ
ラノビス空間についてのデータを格納するための記憶部
２３と、光強度検出器たる前記光センサ２０から得られ
た光強度についての信号すなわちパラメータ信号で表さ
れるデータを演算処理するための演算回路２４と、比較
回路２５とを備える。演算回路２４および比較回路２５
は、コンピュータ２２をプログラムで制御することによ
り、後述する所定の演算機能を達成すべくソフト的に実
現することが望ましい。
【００３１】本発明に係る管理システム１０を稼動する
に先立ち、プラズマエッチング装置１１の正常動作状態
下でのマハラノビス空間が作成される。このマハラノビ
ス空間を作成するために、ある１つの半導体基板１２上
の上層部分１２ａにエッチング孔を形成する過程でのプ
ラズマ発光における所定の波長の強度が光センサ２０に
より検出される。この光センサ２０での強度検出によ
り、図２に示した時間（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３……Ｘｎ）で
のそれぞれの発光強度（Ｙ′１、Ｙ′２、Ｙ′３……
Ｙ′ｎ）についてのデータがサンプリングを受ける。
【００３２】正常動作状態下で、さらに他の半導体基板
１２についてのエッチング孔形成過程での前記したと同
様なデータについてのサンプリングが行われる。その結
果、正常動作状態下での単一のパラメータすなわち、こ
の例では、プラズマ発光における所定の波長強度につい
て、複数回のエッチング処理工程で得られるデータ群が
形成される。
【００３３】図３（ａ）は、このサンプリングにより得
られた測定データ群を示す。ある半導体基板１２のエッ
チング処理（１）について各発光強度（Ｙ′１、
Ｙ′２、Ｙ′３……Ｙ′ｎ）の測定データがｙ′１・１
……ｙ′ｎ・１で示されており、以下、他の半導体基板
１２のエッチング処理（２……ｍ）についての同様な発
光強度の測定データがｙ′１・２……ｙ′ｎ・ｍで示さ
れている。
【００３４】これら測定データ（ｙ′１・１……ｙ′
ｎ・ｍ）は、次式 Ｙｎ・ｍ ＝（Ｙ′ｎ・ｍ−Ａveｎ）／σｎ…（１） を用いて基準化される。ここで、Ａveｎは、各時間毎
（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３……Ｘｎ）についての各データの平
均値である。すなわち、Ａve１は、ｙ′１・１……ｙ′
１・ｍの平均値を表し、以下同様に、Ａveｎは、ｙ′
ｎ・１……ｙ′ｎ・ｍを表す。また、σｎは、各時間毎
におけるそれぞれのデータの標準偏差である。
【００３５】図３（ｂ）は、図３（ａ）に示された測定
データ群を式（１）を用いて基準化して得られた基準化
データ群である。この基準化データ群を得るための式
（１）の演算をコンピュータ２２の演算回路２４で行う
ことができる。
【００３６】図３（ｂ）に示された基準化データ群に基
づき図４（ａ）に示す相関行列Ｒが求められる。相関行
列Ｒの行列要素ｒi・jおよびｒj・i（ｉ，ｊ＝１〜ｎ）
は、図３（ｂ）の式（２）で示されるとおり、基準化デ
ータ群の各データｙi・jおよびｙj・iの関数で示され
る。
【００３７】前記基準化データ群から相関行列Ｒが求め
られると、この相関行列Ｒの逆行列Ａすなわち、プラズ
マエッチング装置１１が正常な動作状態下でのマハラノ
ビス空間Ａ（基礎空間Ａ）が求められる。このマハラノ
ビス空間を得るための演算処理は、すべて演算回路２４
で行うことができる。また、マハラノビス空間Ａたる逆
行列Ａの各行列要素ａｉ・ｊ（ｉ，ｊ＝１〜ｎ）は、コ
ンピュータ２２の記憶部２３に格納される。
【００３８】前記したマハラノビス空間Ａを得た後、プ
ラズマエッチング装置１１が半導体基板１２のエッチン
グ処理のために、通常の運転状態におかれると、前記し
たと同様に、光センサ２０を介して、プラズマエッチン
グ装置１１の反応室１４ａ内でのプラズマ発光における
所定の波長強度のデータがサンプリングされる。
【００３９】半導体基板１２のエッチング処理の終了に
よって、一連の測定データｙ′１……ｙ′ｎが得られる
と、この測定データは、Ａveｎおよびσｎを用いる式
（１）により、前記したと同様な基準化処理を受け、図
３（ｂ）に示したと同様な一連の基準化データｙ１……
ｙｎが求められる。
【００４０】一連の基準化データが求められると、演算
回路２４での図４（ｃ）に示された式（３）の演算の実
行により、マハラノビス距離Ｄ２が求められる。式
（３）に示されたｙｉ、ｙｊは、通常の運転状況下で得
られた基準化データｙ１……ｙｎからの値であり、他
方、ａｉ・ｊは、予め求めたマハラノビス空間Ａの行列
要素である。
【００４１】このようにして演算回路２４で求められた
マハラノビス距離Ｄ２は、この距離を求める根拠となっ
た一連のデータｙ１……ｙｎと、マハラノビス空間Ａを
求める根拠となった基礎データ群ｙ１・１……ｙｎ・ｍ
との類似度が高い程、１に近い値を示す。すなわち、マ
ハラノビス空間Ａがプラズマエッチング装置１１の正常
運転状況下でのデータ群により、形成されている限り、
前記マハラノビス距離Ｄ２が１に近い程、正常運転に近
く、これとは逆に、マハラノビス距離Ｄ２が１から離れ
る程、正常運転からずれることを意味する。
【００４２】従って、マハラノビス距離Ｄ２がある閾値
を超えたか否かを比較回路２５で判定することにより、
一連のデータｙ１……ｙｎを与えたエッチング作業が正
常に終了したか否かを判定することができる。
【００４３】比較回路２５により、異常と判定されたと
き、警報手段として、図示しない発音器、表示灯等を作
動させることができる。また、コンピュータ２２は、プ
ラズマエッチング装置１１の制御部１７にその作動の停
止信号を送出することができる。
【００４４】前記した閾値は、管理の厳密度合いに応じ
て、例えば、２ないし４の間で、適宜選択することがで
きる。
【００４５】本発明に係る前記管理システム１０によれ
ば、プラズマエッチング装置のプラズマ発光を観察する
ＥＰＤ（End Point Detect）システムの光センサ２０か
らの情報を利用して、エッチング工程が正常に終了した
か否かを各エッチング工程毎に判定することができ、こ
れにより、エッチング工程を好適に管理することができ
る。
【００４６】前記したところでは、エッチング工程の管
理の例について説明したが、本願発明に係る前記管理方
法は、プラズマエッチング装置１１の定期点検後あるい
はオーバホール後等の立ち上げ運転時の異常検出に適用
することができる。立ち上げ時における正常動作状況下
のデータ群から前記したと同様なマハラノビス空間Ａを
求めるために、半導体基板１２に変わる試料として、例
えば未処理のシリコン半導体基板をダミー試料として用
いることができる。
【００４７】このダミー試料を用いて前記したと同様な
プラズマ発光についての図３（ａ）に示したと同様な測
定データ群を求め、この測定データ群から図３（ｂ）に
示したと同様な基準化データ群を求め、この基準化デー
タ群から前記したと同様な正常動作状況下でのマハラノ
ビス空間Ａを求める。その後の立ち上げ運転では、その
ときに得られる前記したと同様な測定データの基準化に
より求められた基準化データから、前記マハラノビス空
間Ａに基づき、前記したと同様なマハラノビス距離Ｄ２
が求められる。従って、このマハラノビス距離Ｄ２の値
によって、立ち上げ運転が正常か否かを判定することが
できる。
【００４８】このとき、予め多数のパラメータのうち、
例えば反応室１４ａ内の圧力についてのパラメータ、そ
の温度についてのパラメータあるいは高周波出力につい
てのパラメータのような１つのパラメータのみを通常と
異なる値に設定し、他のパラメータを正常な通常値に設
定した状態で、それぞれある１つのパラメータのみを通
常と異なる状況下で、それぞれのマハラノビス空間
（Ｂ、Ｃ・・）を作成しておくことができる。
【００４９】プラズマエッチング装置１１が異常運転で
あると判定されたとき、異常であると判定された動作状
況下で得られた基準化データ群を用い、前記マハラノビ
ス空間Ａに代えて、それぞれが異なる１つのあるパラメ
ータのみを通常と異なる状況下で得られたマハラノビス
空間（Ｂ、Ｃ・・）に基づいて、順次それらのマハラノ
ビス距離Ｄ２を求める。これらのマハラノビス距離のう
ち、最も１に近いマハラノビス距離を与えるマハラノビ
ス空間（ＢまたはＣ・・）が、異常であると判定された
動作状況下に最も類似していると考えられる。
【００５０】従って、最も１に近いマハラノビス距離Ｄ
２を与える前記マハラノビス空間（ＢまたはＣ・・）を
導出するのに用いたデータ群を得たときの異常パラメー
タに、異常が生じたであろうと、推定することができ
る。すなわち、例えば高周波出力を通常と異なる値にし
て求められたマハラノビス空間に基づいて算出されたマ
ハラノビス距離Ｄ２が最も１に近いとき、基準化データ
群を与えた異常運転は、高周波出力に異常の原因があっ
たと推定することができる。このことから、異常パラメ
ータ下でのマハラノビス空間を用い、前記したマハラノ
ビス距離Ｄ２の比較により、異常原因の推定が可能とな
る。
【００５１】〈具体例２〉プラズマエッチング装置１１
では、高周波発生器１６から電極１５ｂに供給される高
周波電力は、反応室１４ａのインピーダンス変化に極め
て敏感に反応することから、このインピーダンス変化に
伴う高周波電力の変化を把握することにより、プラズマ
エッチング装置１１に異常が生じたか否かを知ることが
できる。
【００５２】図５に示す管理システム１０では、プラズ
マエッチング装置１１の動作管理に、この高周波電力の
電圧、電流および位相を含む複数のパラメータが採用さ
れており、これらのデータを得るために、マッチングボ
ックス１８と電極１５ｂとの間には、電圧検出器２０ａ
および電流検出器２０ｂを備える検出機構２０が挿入さ
れている。電圧検出器２０ａからの電気信号（Ｖ）およ
び電流検出器２０ｂからの電気信号（Ｉ）は、検出機構
２０のデータ変換器２０ｃに入力される。
【００５３】データ変換器２０ｃは、両電気信号（Ｖ、
Ｉ）を受けることにより、図６に示されているように、
高周波発生器１６からの例えば１３．５６ＭＨｚの高周
波出力についての各時点（Time １, Time ２,…Time
ｎ）ごとの基本波成分における電流値Ｉ０、および１
次、２次、３次および４次の各高調波成分におけるそれ
ぞれの電流値Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４と、基本波成分に
おける電圧値Ｖ０、および１次、２次、３次および４次
の各高調は成分におけるそれぞれの電圧値Ｖ１、Ｖ ２、
Ｖ３、Ｖ４と、位相Θとをコンピュータ２２に出力す
る。
【００５４】図６は、正常動作状況下でのマハラノビス
空間Ａを求めるためのデータ群を示す。図６の例では、
測定データが既に前記したと同様な基準化処理を受けた
後の基準化データ群として示されている。また、図６の
例では、データの基準化のために、各時間毎における各
電流値Ｉ ０、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、各電圧値Ｖ１、
Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４および位相Θについてのそれぞれの標
準偏差σが用いられ、各データ平均値Ａveを求めるため
に、２組からなるデータ群が用いられた。
【００５５】図６に示したように、各時間毎に相互に異
なる複数のパラメータのデータを複数の試料についてサ
ンプリングし、それらの基準化を図ることにより、各時
間毎で図３（ｂ）に示した基準化データ群に対応する基
準化データ群を得ることができる。これら各測定時間毎
の基準化データ群を得ることにより、図４に示したよう
な相関行列Ｒおよびこの相関行列Ｒから導き出されるマ
ハラノビス空間Ａを、データ測定時間毎に作成すること
ができる。
【００５６】従って、予めデータ測定時間毎のマハラノ
ビス空間Ａを求めておくことにより、この各マハラノビ
ス空間Ａに基づいて、エッチング処理中に得られる前記
したと同様な測定データ群（電流値Ｉ０、Ｉ１、Ｉ２、
Ｉ３、Ｉ４、電圧値Ｖ１、Ｖ ２、Ｖ３、Ｖ４および位相
Θ）から、測定時間毎に、逐次、前記したと同様なマハ
ラノビス距離Ｄ２を算出するための式（３）で示した演
算処理を各時間毎に行うことができ、これにより、各測
定時間毎のマハラノビス距離Ｄ２を求めることが可能と
なる。
【００５７】図７〜図９および図１１は、図５に示した
具体例２における各測定データ（Ｉ ０、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ
３、Ｉ４、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４およびΘ）の値の変
化およびマハラノビス距離Ｄ２の変化の一例を示すグラ
フである。この事例は、エッチング処理の開始から約９
０〜１００秒後に、プラズマエッチング装置１１の動作
に異常が生じた事例である。
【００５８】図７のグラフの横軸は、エッチング開始か
らエッチング終了までの時間（秒）を示し、その縦軸は
電圧値（Ｖ）を示す。図７に示された特性線２６および
２７は、高周波発生器１６から出力される高周波出力の
基本波成分の電圧値Ｖ０およびその１次高調波成分の電
圧値Ｖ１の変化をそれぞれ示す。両特性線２６および２
７によれば、ノイズ分であると考えられる微少な電圧変
動が観察されるが、図７のグラフからは、ノイズ分以外
に、変動を示す傾向は見受けられない。
【００５９】図８のグラフの横軸は、時間（秒）を示
し、その縦軸は電圧値（Ｖ）または電流値（Ａ）を示
す。図８に示された特性線２８、２９および３０は、２
次、３次および４次の高調波成分の電圧値Ｖ２、Ｖ３お
よびＶ４の変化をそれぞれ示し、また、特性線３１は、
前記高周波出力の基本波の電流値Ｉ０の変化を示す。
【００６０】各特性線２８〜３１によれば、特性線２６
および２７におけると同様に、ノイズ成分と考えられる
電圧変動あるいは電流変動が観察されるものの、これら
のノイズによりそれ以外の変動を見つけ出すことはでき
ない。
【００６１】図９のグラフの横軸は、時間（秒）を示
し、その縦軸は電流値（Ａ）を示す。図９のグラフに示
された特性線３２〜３５は、前記高周波出力の１次、２
次、３次および４次の各高調波成分における電流値
Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３およびＩ４の変化をそれぞれ示す。特
性線３２にエッチング処理開始から１００秒の時点の前
後で僅かに全体的な変化が見られるが、明確ではなく、
またこの特性線３２と同様に、ノイズ成分を含む各特性
線３３〜３５からは、ノイズ以外の変動を見つけ出すこ
とはできない。
【００６２】他方、横軸が時間（秒）を示し、縦軸が位
相角（度）を示す図１０のグラフでは、その位相変化を
示す特性線３６の変化から明らかなように、この特性線
３６にノイズ成分が含まれていても、約１００秒の時点
の前後で、位相角が変化していることを明確に判定する
ことができる。
【００６３】しかしながら、図１０のグラフから明らか
なように、このときの位相の変化量は、約−５０度から
約−４５度への僅かに５度の位相変化に過ぎないことか
ら、大きなＳ／Ｎ比を得ることはできない。
【００６４】これらに対し、図１１に示すマハラノビス
距離Ｄ２の変化を示すグラフによれば、このマハラノビ
ス距離Ｄ２の極めて大きな変化が明確に観察される。図
１１のグラフの横軸は、時間（秒）を示し、その縦軸が
マハラノビス距離Ｄ ２を示す。特性線３７は、エッチン
グ処理の開始から終了に至るまでの前記した各測定時間
毎に求められた各測定データ（Ｉ０、Ｉ１、Ｉ２、
Ｉ３、Ｉ４、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４およびΘ）から、
それぞれの測定時間毎のマハラノビス空間Ａに基づいて
算出されたマハラノビス距離Ｄ２を、各測定時間毎にプ
ロットして得られた。
【００６５】特性線３７には、微視的に見れば、前記し
た各特性線２６〜３６におけると同様なノイズ成分が含
まれている。しかしながら、これらのノイズ成分による
変化量を越える極めて大きな変化が時間軸の約１００秒
の時点の前後に見受けられる。
【００６６】すなわち、図１１のグラフ上では、特性線
３７は、ほぼ零に近いマハラノビス距離Ｄ２の値（実際
には１）を示すが、エッチングの開始から約９０秒ない
し１５０秒の間に、ほぼ２５０の値に向けて急激に立ち
上がっている。
【００６７】従って、異常値を示すマハラノビス距離Ｄ
２の閾値を例えば２５０に設定することにより、通常時
の値の約２５０倍の変化量で以て、異常時を検出するこ
とができ、前記した位相の変化のみによる検出に比較し
て、極めて高いＳ／Ｎ比で異常状態を検出することがで
きる。
【００６８】前記したマハラノビス距離Ｄ２の閾値は、
適宜選択することができるが、例えば１あるいは５０の
値に設定することができ、これらのいずれに値に設定し
ても、前記した位相のみをパラメータとして異常を検出
する例に比較して高いＳ／Ｎ比でプラズマエッチング装
置１１の動作の異常を正確に検出することができる。
【００６９】具体例２に示した管理システム１０によれ
ば、前記したように、データの測定時間毎にマハラノビ
ス距離Ｄ２が所定の値を超えたか否かを判定することが
でき、これにより、ある１つの半導体基板１２について
のエッチング作業中に異常が生じると、異常が生じた時
点で、直ちに、異常を検出することができる。従って、
より迅速に、異常を検出してこれに対処すべく、直ちに
警告を発し、あるいはプラズマエッチング装置１１の動
作を停止させることができる。
【００７０】前記した具体例２の例においても、例えば
単一のパラメータのみを意図的に異常の値に設定し、そ
の他のパラメータが正常な値を示す条件下でのマハラノ
ビス距離空間をそれぞれ求めておくことにより、これら
を前記具体例１に沿って説明した例におけると同様に、
異常パラメータの推定に使用することができる。
【００７１】〈具体例３〉図１２に示す管理システム１
０では、プラズマエッチング装置１１の反応室１４ａの
プラズマによる発光を複数の波長の光を相互に異なるパ
ラメータとし、それぞれの波長についての光強度がデー
タとしてサンプリングされる。
【００７２】反応室１４ａ内のプラズマ発光から相互に
異なる複数の所定の波長についてのデータを得るための
検出手段２０として、反応室１４ａ内のプラズマによる
光をプラズマエッチング装置１１の外方へ案内する光フ
ァイバ２０が設けられている。光ファイバ２０により導
出されたプラズマ光は発光分析器２１に案内される。発
光分析器２１は、このプラズマ光の所定の波長について
の強度ピーク値をその波長についてのデータと共に演算
回路２４に出力する。
【００７３】図１３は、前記発光分析器２０により得ら
れた、正常動作状況下でのマハラノビス空間Ａを求める
ためのデータ群を示す。図１３の例では、測定データが
既に前記したと同様な基準化処理を受けた後の基準化デ
ータ群として示されている。
【００７４】図１３に示すデータ群では、具体例２につ
いて説明したと同様に、各測定時間毎に相互に異なる複
数のパラメータ（波長λ１、λ２……λ１１）のデータ
が複数の試料についてサンプリングを受けていることか
ら、各時間毎で図３（ｂ）に示した基準化データ群に対
応する基準化データ群を得ることができる。従って、こ
れら各測定時間毎の基準化データ群を得ることにより、
図４に示したような相関行列Ｒおよびこの相関行列Ｒか
ら導き出されるマハラノビス空間Ａを、具体例２におけ
ると同様に、データ測定時間毎に作成することができ
る。
【００７５】図１４は、従来におけると同様な単一の波
長についての発光ピーク値の強度変化を示すグラフであ
り、その横軸はエッチング開始からの経過時間を示し、
またその縦軸は発光強度を示す。図１４に示す事例は、
エッチング処理の開始からある時間Ｔ秒で、プラズマエ
ッチング装置１１の動作に異常が生じた事例であるが、
単なる発光ピーク値強度の変化を示す特性線３８によれ
ば、前記時間Ｔ前後での顕著な変化は見いだせない。
【００７６】他方、図１５のグラフは、前記した時間Ｔ
秒で異常が生じた事例における時間と、マハラノビス距
離Ｄ２との関係を表すグラフである。このグラフに示さ
れた特性線３９は、前記した各波長λ１、λ２……λ１
１におけるピーク値のデータをサンプリングし、それら
の各時間毎での基準化データ群から導出された各測定時
間毎のマハラノビス空間Ａを求め、このマハラノビス空
間Ａに基づいて、前記した時間Ｔ秒で異常が生じた事例
の各測定データから各測定時間毎のマハラノビス距離Ｄ
２を算出したときのマハラノビス距離Ｄ２距離Ｄの変化
を示す。
【００７７】特性線３９によれば、前記時間Ｔの前後
で、図１５のグラフに示された発光強度を示す特性線３
８では観測できなかった大きな変化がマハラノビス距離
Ｄ２の変化として、明瞭に示されている。従って、具体
例３の管理システム１０によれば、発光強度のみの変化
では検出し得ないプラズマエッチング装置１１の反応室
１４ａ内の微少なプラズマ変化をも検出することがで
き、これにより、プラズマエッチング装置１１の動作の
より高精度な管理が可能となる。
【００７８】前記したところでは、プラズマエッチング
装置の動作を管理するためのパラメータとしてプラズマ
発光に関する光パラメータあるいは高周波電力に関する
電圧、電流および位相のような電気パラメータについて
説明した。本願発明は、これに限らず、質量分析器等の
検出器を用いることにより、プラズマエッチング装置の
反応室のガス圧力、ＡＰＣ等、プラズマエッチング装置
の動作状態を表す種々の装置パラメータを用いることが
できる。また、前記したプラズマエッチング装置の管理
に代えて、その他の半導体製造装置の管理に本願発明に
係る管理方法を適用することができる。
【００７９】
【発明の効果】本発明に係る前記管理方法によれば、前
記したように、データ群が個々のデータ値として単独に
取り扱われることはなく、複数のデータからなるデータ
群で構成され、データ相互間の相関関係が考慮されるマ
ハラノビス空間に基づいて、前記半導体製造装置の正常
動作および異常動作が判定されることから、データ相互
間の相関関係を考慮しない従来のインターロック方式で
は得られない精度の高さで、正確に前記半導体製造装置
の動作状態を管理すること可能となる。
【００８０】また、本発明に係る前記管理システムによ
れば、前記したように、前記演算回路が、前記記憶部に
格納された前記マハラノビス空間に基づいて、前記検出
機構により得られた前記パラメータ値からマハラノビス
距離を算出し、前記判定回路が、算出されたマハラノビ
ス距離が所定値を越えたか否かを判定することから、迅
速かつ効果的に本願方法を実施することができ、これに
より、比較的単純な構成で以って高精度で半導体製造装
置の動作状態を管理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体製造装置の管理システムを
概略的に示す構成図である。
【図２】図１に示した管理システムの検出機構により検
出されるデータの変化例を示す発光強度のグラフであ
る。
【図３】図１に示した管理システムに用いられるマハラ
ノビス空間を求めるためのデータ群を示す説明図であ
る。
【図４】マハラノビス空間を求めるためのデータ処理方
法を示す説明図である。
【図５】本発明に係る半導体製造装置の管理システムの
他の例を概略的に示す図１と同様な図面である。
【図６】図５に示した管理システムの検出機構により検
出された複数のパラメータについてのデータからなるデ
ータ群を示す説明図である。
【図７】図６に示したデータ群のデータ変化を示すグラ
フ（その１）である。
【図８】図６に示したデータ群のデータ変化を示すグラ
フ（その２）である。
【図９】図６に示したデータ群のデータ変化を示すグラ
フ（その３）である。
【図１０】図６に示したデータ群のデータ変化を示すグ
ラフ（その４）である。
【図１１】図５に示した管理システムで求められたマハ
ラノビス距離の変化を示すグラフである。
【図１２】本発明に係る半導体製造装置の管理システム
のさらに他の例を概略的に示す図１と同様な図面であ
る。
【図１３】図９に示した管理システムの検出機構により
検出された複数のパラメータについてのデータからなる
データ群を示す説明図である。
【図１４】図１３に示した半導体製造装置における従来
のＥＰＤ波形の一例を示すグラフである。
【図１５】図１３に示した半導体製造装置の管理システ
ムで求められたマハラノビス距離の変化を示すグラフで
ある。
【符号の説明】
１０ 管理システム １１ （プラズマエッチング装置）半導体製造装置 １２ 半導体基板 １４ａ 反応室 ２０（２０ａ、２０ｂ） 検出器 ２２ 情報処理装置 ２３ 記憶部 ２４ 演算回路 ２５ 比較回路

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体製造装置の動作を管理する方法で
    あって、前記半導体製造装置の正常動作状態下で少なく
    とも１つのパラメータについて複数のデータをサンプリ
    ングし、サンプリングされたデータ群に基づいてマハラ
    ノビス空間を作成し、該マハラノビス空間に基づいて、
    前記半導体製造装置の動作状態で得られる前記パラメー
    タについての測定値群からマハラノビス距離を算出し、
    当該マハラノビス距離の値が所定の値を超えたとき、前
    記半導体製造装置が異常動作を生じたと判定することを
    含む、半導体製造装置のための管理方法。
  2. 【請求項２】 さらに、予め、前記パラメータ以外の複
    数のパラメータであってそれぞれが異常状況を示す前記
    複数のパラメータのそれぞれについてそのパラメータ以
    外の他のパラメータが正常状況を示す異常状態下のマハ
    ラノビス空間を予め作成し、前記マハラノビス距離の値
    から異常動作を生じたと判定されたとき、前記異常状態
    下の前記マハラノビス空間に基づいて、前記測定値群か
    らそれぞれのマハラノビス空間に対応するマハラノビス
    距離を算出し、それぞれが異常状況を示す前記複数のパ
    ラメータのうち、前記マハラノビス距離が最も１に近い
    値を与えるマハラノビス空間を導出した異常状況を示す
    前記パラメータに異常があった旨を推定することを含む
    請求項１記載の管理方法。
  3. 【請求項３】 前記パラメータは、相互に異なる複数の
    パラメータであり、所定の時間毎における前記複数のパ
    ラメータのデータ群に基づいて前記所定の時間毎のマハ
    ラノビス空間が作成され、各時間毎の前記マハラノビス
    空間に基づいて、前記半導体製造装置の動作状態で得ら
    れる前記複数のパラメータについての各測定値群から各
    時間毎のマハラノビス距離が算出される請求項１記載の
    管理方法。
  4. 【請求項４】 半導体製造装置の正常動作状態を示すパ
    ラメータから得られたマハラノビス空間についてのデー
    タを格納する記憶部と、動作中の前記半導体製造装置装
    置から前記パラメータのデータ値を得るための検出機構
    と、前記記憶部に格納された前記マハラノビス空間に基
    づいて、前記検出機構により得られた前記パラメータ値
    群からマハラノビス距離を算出する演算回路と、該演算
    回路により算出された前記マハラノビス距離が所定値を
    越えたか否かを判定する回路とを含む、半導体製造装置
    のための管理システム。
  5. 【請求項５】 前記半導体製造装置はプラズマの発光を
    伴うプラズマエッチング装置であり、前記検出機構は、
    前記エッチング装置のプラズマ発光の所定の波長につい
    ての強度を測定するためのプラズマ発光強度検出器を備
    える請求項４記載の管理システム。
  6. 【請求項６】 前記半導体製造装置はプラズマ発光のた
    めの高周波発信器を備えるプラズマエッチング装置であ
    り、前記検出機構は、前記高周波発信器の高周波出力に
    ついての電流値、電圧値および位相をそれぞれ求めるた
    めの電圧検出器および電流検出器を備える請求項４記載
    の管理システム。
  7. 【請求項７】 前記検出機構は、さらに、前記電流検出
    器および前記電圧検出器により検出された電流値および
    電圧値から、前記高周波出力の基本波およびその高調波
    についての電流値、電圧値および位相を算出するための
    データ変換器を備える請求項６記載の管理システム。
  8. 【請求項８】 前記半導体製造装置はプラズマの発光を
    伴うプラズマエッチング装置であり、前記検出機構は、
    前記エッチング装置のプラズマ発光の複数の所定の波長
    についての強度を測定するための発光分析器を備える請
    求項４記載の管理システム。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002189019A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Hitachi Ltd 排ガス計測・監視システム
JP2002318617A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Oki Electric Ind Co Ltd 製造工程のための管理方法
JP2003079596A (ja) * 2001-09-14 2003-03-18 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc 超電導マグネットの故障予測装置およびその方法、並びに磁気共鳴撮影システム
JP2004165216A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 生産管理方法および生産管理装置
JP2005127757A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Hitachi High-Technologies Corp 自動分析装置
JP2006073602A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Omron Corp 熱処理の異常検出方法、異常検出装置、温度調節器およびプログラム
US7076318B2 (en) 1998-09-30 2006-07-11 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method and system for managing semiconductor manufacturing equipment
US7369908B2 (en) 2005-04-11 2008-05-06 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing product formed with a plurality of parts and method for combining parts
JP2009009300A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Yokogawa Electric Corp バッチプロセス解析システムおよびバッチプロセス解析方法
WO2009104725A1 (ja) * 2008-02-21 2009-08-27 富士フイルム株式会社 製造設備の診断装置及び方法
JP2010049285A (ja) * 2003-11-14 2010-03-04 Ricoh Co Ltd 異常判定方法、並びにこれを用いる異常判定装置及び画像形成装置。
JP2010181188A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラント運転状態監視方法
JPWO2009107805A1 (ja) * 2008-02-27 2011-07-07 三菱重工業株式会社 プラント状態監視方法、プラント状態監視用コンピュータプログラム、及びプラント状態監視装置
JP2012013624A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Tokyo Electron Ltd パーティクル分布解析支援方法及びその方法を実施するためのプログラムを記録した記録媒体
US8326564B2 (en) 2009-03-16 2012-12-04 Fuji Xerox Co., Ltd Detected data processing apparatus and computer readable medium for detecting data
JP2013101718A (ja) * 2013-03-05 2013-05-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラント運転状態監視方法
JP2013137797A (ja) * 2013-03-05 2013-07-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラント運転状態監視方法
WO2019058893A1 (ja) * 2017-09-25 2019-03-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 異常検知装置、及び異常検知方法
US10527371B2 (en) 2014-10-20 2020-01-07 Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. Heat exchanger monitoring device that determines the presence or absence of an anomaly of a heat transfer surface of a heat transfer tube

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100303321B1 (ko) * 1999-05-20 2001-09-26 박종섭 반도체 라인 자동화 시스템에서의 오류발생 로트 제어 장치 및그 방법
TW459326B (en) * 2000-06-09 2001-10-11 Winbond Electronics Corp Method to measure the spacing between two electrodes by spectrum measurement and device thereof
US20040071161A1 (en) * 2000-06-30 2004-04-15 Tokyo Electron Limited Part maintenance system and part maintenance method of semiconductor processing system
US6625513B1 (en) * 2000-08-15 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Run-to-run control over semiconductor processing tool based upon mirror image target
JP4128339B2 (ja) * 2001-03-05 2008-07-30 株式会社日立製作所 試料処理装置用プロセスモニタ及び試料の製造方法
JP4248161B2 (ja) * 2001-04-20 2009-04-02 富士フイルム株式会社 機能性混合物の組成量決定方法及び装置
US6885904B2 (en) * 2001-05-18 2005-04-26 Advanced Vision Particle Measurement, Inc. Control feedback system and method for bulk material industrial processes using automated object or particle analysis
JP4149691B2 (ja) * 2001-08-31 2008-09-10 株式会社東芝 半導体製造装置用回転機の寿命予測方法及び半導体製造装置
JP4592235B2 (ja) * 2001-08-31 2010-12-01 株式会社東芝 生産装置の故障診断方法及び生産装置の故障診断システム
JP4184638B2 (ja) * 2001-08-31 2008-11-19 株式会社東芝 半導体製造装置の寿命診断方法
JP2003077907A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Toshiba Corp 生産装置の異常停止回避方法及び異常停止回避システム
US7280883B2 (en) * 2001-09-06 2007-10-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing system managing apparatus information of substrate processing apparatus
JP4150524B2 (ja) * 2002-02-13 2008-09-17 株式会社リコー 生産管理方法及び生産管理プログラム
US20030209518A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of detecting abnormal chamber conditions in etcher
US20040007325A1 (en) * 2002-06-11 2004-01-15 Applied Materials, Inc. Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate
US20040206621A1 (en) * 2002-06-11 2004-10-21 Hongwen Li Integrated equipment set for forming a low K dielectric interconnect on a substrate
JP3692106B2 (ja) * 2002-09-27 2005-09-07 株式会社東芝 製造装置及び回転機の寿命予測方法
US6868760B1 (en) * 2003-02-12 2005-03-22 Pratt-Read Corporation Tool locking mechanism
JP3967245B2 (ja) * 2002-09-30 2007-08-29 株式会社東芝 回転機の寿命予測方法及び回転機を有する製造装置
TWI284846B (en) * 2002-12-24 2007-08-01 Powerchip Semiconductor Corp Semiconductor automation system for a daily check and method thereof
TWI283817B (en) * 2003-05-30 2007-07-11 Tokyo Electron Ltd Method of operating a process control system and method of operating an advanced process control system
JP4411282B2 (ja) * 2003-11-27 2010-02-10 株式会社ダイヘン 高周波電力供給システム
US20060080041A1 (en) * 2004-07-08 2006-04-13 Anderson Gary R Chemical mixing apparatus, system and method
US7281840B2 (en) * 2004-07-09 2007-10-16 Tres-Ark, Inc. Chemical mixing apparatus
KR20070041556A (ko) * 2004-07-08 2007-04-18 트레스-아크, 인크 화학물 혼합용 장치와 시스템 및 방법
SG161239A1 (en) * 2005-04-08 2010-05-27 Ebara Corp Vacuum pump self-diagnosis method, vacuum pump self-diagnosis system, and vacuum pump central monitoring system
US7786176B2 (en) * 2005-07-29 2010-08-31 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Vaginal treatment composition containing xylitol
US7964422B1 (en) 2005-11-01 2011-06-21 Nvidia Corporation Method and system for controlling a semiconductor fabrication process
US7286948B1 (en) * 2006-06-16 2007-10-23 Applied Materials, Inc. Method for determining plasma characteristics
US8378816B2 (en) * 2007-07-17 2013-02-19 Clemson University System and method to assess signal similarity with applications to diagnostics and prognostics
US8010217B2 (en) * 2008-07-28 2011-08-30 International Business Machines Corporation Reconfiguration of assets for reuse during manufacturing
US8618807B2 (en) 2009-06-30 2013-12-31 Lam Research Corporation Arrangement for identifying uncontrolled events at the process module level and methods thereof
US8983631B2 (en) * 2009-06-30 2015-03-17 Lam Research Corporation Arrangement for identifying uncontrolled events at the process module level and methods thereof
US8271121B2 (en) * 2009-06-30 2012-09-18 Lam Research Corporation Methods and arrangements for in-situ process monitoring and control for plasma processing tools
US8538572B2 (en) 2009-06-30 2013-09-17 Lam Research Corporation Methods for constructing an optimal endpoint algorithm
US8473089B2 (en) 2009-06-30 2013-06-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for predictive preventive maintenance of processing chambers
US8295966B2 (en) * 2009-06-30 2012-10-23 Lam Research Corporation Methods and apparatus to predict etch rate uniformity for qualification of a plasma chamber
JP2015022940A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、異常発振判断方法及び高周波発生器
JP6695190B2 (ja) * 2016-03-29 2020-05-20 東京エレクトロン株式会社 異常検知システム及び制御ボード
US11791184B2 (en) * 2021-07-26 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor fabrication process and method of optimizing the same

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03120598A (ja) * 1989-10-03 1991-05-22 Canon Inc 音声認識方法及び装置
MY107650A (en) * 1990-10-12 1996-05-30 Exxon Res & Engineering Company Method of estimating property and / or composition data of a test sample
JPH04346187A (ja) 1991-05-23 1992-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 被検出物の良否判定方法
US5544256A (en) * 1993-10-22 1996-08-06 International Business Machines Corporation Automated defect classification system
US5602938A (en) * 1994-05-20 1997-02-11 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method of generating dictionary for pattern recognition and pattern recognition method using the same
US5590036A (en) * 1994-06-01 1996-12-31 Nippondenso Co., Ltd. Failure-recovering sequential procedure teaching system and method thereof
US5586066A (en) * 1994-06-08 1996-12-17 Arch Development Corporation Surveillance of industrial processes with correlated parameters
EP0706040A1 (en) * 1994-10-07 1996-04-10 Bp Chemicals S.N.C. Property determination
US5835902A (en) * 1994-11-02 1998-11-10 Jannarone; Robert J. Concurrent learning and performance information processing system
EP1045340A3 (en) * 1995-03-29 2000-10-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image processing method and apparatus
FR2734360B1 (fr) * 1995-05-19 1997-07-04 Elf Antar France Procede de correction d'un signal delivre par un instrument de mesure
US5726905A (en) * 1995-09-27 1998-03-10 General Electric Company Adaptive, on line, statistical method and apparatus for motor bearing fault detection by passive motor current monitoring
US5742522A (en) * 1996-04-01 1998-04-21 General Electric Company Adaptive, on line, statistical method and apparatus for detection of broken bars in motors by passive motor current monitoring and digital torque estimation
JPH09305768A (ja) 1996-05-21 1997-11-28 Fuji Electric Co Ltd 画像パターン識別装置
JP3280872B2 (ja) 1996-10-23 2002-05-13 ニッタン株式会社 環境監視システムおよび異常検出方法および異常検出装置
FR2754899B1 (fr) * 1996-10-23 1998-11-27 Elf Antar France Procede de suivi et de surveillance d'une unite de fabrication et/ou d'un spectrometre proche infrarouge au moyen d'un critere de qualite d'ensembles de spectres
JPH1156828A (ja) * 1997-08-27 1999-03-02 Fuji Photo Film Co Ltd 異常陰影候補検出方法および装置
JP4016526B2 (ja) 1998-09-08 2007-12-05 富士ゼロックス株式会社 ３次元物体識別装置
JP3349455B2 (ja) 1998-09-30 2002-11-25 宮崎沖電気株式会社 半導体製造装置のための管理方法および管理システム
US6117601A (en) 1998-12-09 2000-09-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of determining and correcting processing state of photosensitive material based on mahalanobis calculation
JP2000275757A (ja) 1999-03-24 2000-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd 画像評価方法及び装置
JP2001223885A (ja) 1999-11-29 2001-08-17 Canon Inc 画像処理装置及びその方法とその記憶媒体
US6990383B2 (en) 2003-02-03 2006-01-24 Deere & Company Infinitely variable, order specific, holistic assembly process control system

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7076318B2 (en) 1998-09-30 2006-07-11 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method and system for managing semiconductor manufacturing equipment
JP2002189019A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Hitachi Ltd 排ガス計測・監視システム
JP2002318617A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Oki Electric Ind Co Ltd 製造工程のための管理方法
US6862484B2 (en) 2001-04-20 2005-03-01 Oki Electric Industry Co., Ltd. Controlling method for manufacturing process
US7151974B2 (en) 2001-04-20 2006-12-19 Oki Electric Industry Co., Ltd. Controlling method for manufacturing process comprising determining a priority of manufacturing process needing recovery in response to degree of risk
JP2003079596A (ja) * 2001-09-14 2003-03-18 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc 超電導マグネットの故障予測装置およびその方法、並びに磁気共鳴撮影システム
JP2004165216A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 生産管理方法および生産管理装置
JP2005127757A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Hitachi High-Technologies Corp 自動分析装置
JP2010049285A (ja) * 2003-11-14 2010-03-04 Ricoh Co Ltd 異常判定方法、並びにこれを用いる異常判定装置及び画像形成装置。
JP4588796B2 (ja) * 2003-11-14 2010-12-01 株式会社リコー 異常判定方法、並びにこれを用いる異常判定装置及び画像形成装置。
JP2006073602A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Omron Corp 熱処理の異常検出方法、異常検出装置、温度調節器およびプログラム
US7369908B2 (en) 2005-04-11 2008-05-06 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing product formed with a plurality of parts and method for combining parts
JP2009009300A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Yokogawa Electric Corp バッチプロセス解析システムおよびバッチプロセス解析方法
WO2009104725A1 (ja) * 2008-02-21 2009-08-27 富士フイルム株式会社 製造設備の診断装置及び方法
JPWO2009107805A1 (ja) * 2008-02-27 2011-07-07 三菱重工業株式会社 プラント状態監視方法、プラント状態監視用コンピュータプログラム、及びプラント状態監視装置
US10648888B2 (en) 2008-02-27 2020-05-12 Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. Plant state monitoring method, plant state monitoring computer program, and plant state monitoring apparatus
JP2012067757A (ja) * 2008-02-27 2012-04-05 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラント状態監視方法、プラント状態監視用コンピュータプログラム、及びプラント状態監視装置
JP5031088B2 (ja) * 2008-02-27 2012-09-19 三菱重工業株式会社 プラント状態監視方法、プラント状態監視用コンピュータプログラム、及びプラント状態監視装置
JP2010181188A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラント運転状態監視方法
US8326564B2 (en) 2009-03-16 2012-12-04 Fuji Xerox Co., Ltd Detected data processing apparatus and computer readable medium for detecting data
JP2012013624A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Tokyo Electron Ltd パーティクル分布解析支援方法及びその方法を実施するためのプログラムを記録した記録媒体
JP2013101718A (ja) * 2013-03-05 2013-05-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラント運転状態監視方法
JP2013137797A (ja) * 2013-03-05 2013-07-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラント運転状態監視方法
US10527371B2 (en) 2014-10-20 2020-01-07 Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. Heat exchanger monitoring device that determines the presence or absence of an anomaly of a heat transfer surface of a heat transfer tube
WO2019058893A1 (ja) * 2017-09-25 2019-03-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 異常検知装置、及び異常検知方法
JP2019061995A (ja) * 2017-09-25 2019-04-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 異常検知装置、及び異常検知方法
JP7034646B2 (ja) 2017-09-25 2022-03-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 異常検知装置、及び異常検知方法

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