JP2007266641A - 半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法 - Google Patents
半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法において、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行し、前記プラズマエッチング工程中に発生された一つ以上の特定波を検出し、前記一つ以上の特定波を基準値で規格化し、前記一つ以上の特定波の波長、各々に対する分散共分散行列を形成し、前記分散共分散行列に対する固有値を求め、前記固有値を使用して固有ベクトルを求め、前記固有ベクトルから主要な因子を一つ以上選択し、前記一つ以上の主要因子、及び前記一つ以上の特定波の波長を公知の数式に各々代入して相関線を求め、前記相関線の中の一つを利用して、所定の乾式エッチング時間でエッチング終了点をチェックすることを含む。
【選択図】図12
Description
前述したように、本発明は多層膜を持つ半導体基板を乾式エッチングする間にプラズマを構成するイオンまたはラジカル(Radical)により発生された光を利用してエッチング終了点をを探す検出方法を提供する。すなわち、前記検出方法は、半導体乾式エッチング装置の検出器で前記光をスペクトラム化及び前記スペクトラムで一つ以上の特定波を形成することにより、いろんな場合の工程チェンバー雰囲気に対応してエッチング終了点を容易に探せるようにするアルゴリズムを持っている。これにより、前記半導体乾式エッチング装置は半導体基板上の選択された膜の上で、容易にエッチング工程を終了するとともに、半導体素子の信頼性確保及び半導体基板上で半導体素子の収率を向上させることができる。
10 工程チェンバー
12 下部電極
14 上部電極
16 半導体基板
18 第1膜
20 第2膜
22 第3膜
24 第4膜
26 フォトレジスト
27 開口部
30 ビューポート
32 検出部
34 検出器
36 主制御部
Claims (4)
- 工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行し、
前記プラズマエッチング工程中に発生された一つ以上の特定波を検出し、
前記一つ以上の特定波を基準値で規格化し、
前記一つ以上の特定波の波長、各々に対する分散共分散行列を形成し、
前記分散共分散行列に対する固有値を求め、
前記固有値を使用して固有ベクトルを求め、
前記固有ベクトルから主要な因子を一つ以上選択し、
前記一つ以上の主要因子、及び前記一つ以上の特定波の波長を公知の数式に各々代入して相関線を求め、
前記相関線の中の一つを利用して、所定の乾式エッチング時間でエッチング終了点をチェックすることを含む半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法。 - 請求項1に記載の半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法において、
前記一つ以上の特定波を検出することは、
前記工程チェンバーから投射された光を乾式エッチングする間に実時間でスペクトラム化し、
前記スペクトラムを前記乾式エッチングにより、一つ以上の波長を持つ軌跡で細分することを含む半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法。 - 請求項1に記載の半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法において、
前記一つ以上の主要因子は、前記一つ以上の特定波から交互関係がある寄与度により前記固有ベクトルを順次に羅列したことを特徴とする半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法。 - 請求項1に記載の半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法において、
前記エッチング終了点をチェックすることは、前記相関線の中で交互関係が最も大きい固有ベクトルで作成された前記一つの相関線を利用して所定の乾式エッチング時間で成り立つことを特徴とする半導体乾式エッチング工程でのエッチング終了点の検出方法。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000331985A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Tokyo Electron Ltd | 終点検出方法 |
JP2001060585A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-03-06 | Applied Materials Inc | 主成分分析を用いてプロセスをモニタするための方法と装置 |
JP2003509839A (ja) * | 1999-09-08 | 2003-03-11 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 発光スペクトルの主成分分析を用いてエッチ終点を決定する方法 |
Family Cites Families (3)
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---|---|---|---|---|
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JP4143176B2 (ja) * | 1997-08-04 | 2008-09-03 | 東京エレクトロンAt株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP4567828B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2010-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 終点検出方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000331985A (ja) * | 1999-05-18 | 2000-11-30 | Tokyo Electron Ltd | 終点検出方法 |
JP2001060585A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-03-06 | Applied Materials Inc | 主成分分析を用いてプロセスをモニタするための方法と装置 |
JP2003509839A (ja) * | 1999-09-08 | 2003-03-11 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 発光スペクトルの主成分分析を用いてエッチ終点を決定する方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101333432B1 (ko) * | 2011-11-08 | 2013-11-26 | 명지대학교 산학협력단 | 광 모니터링을 통한 세정 종료점 검출 시스템 및 방법 |
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