JP4841953B2 - 凹部エッチング制御方法 - Google Patents
凹部エッチング制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4841953B2 JP4841953B2 JP2005506612A JP2005506612A JP4841953B2 JP 4841953 B2 JP4841953 B2 JP 4841953B2 JP 2005506612 A JP2005506612 A JP 2005506612A JP 2005506612 A JP2005506612 A JP 2005506612A JP 4841953 B2 JP4841953 B2 JP 4841953B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reflection spectrum
- vertical dimension
- trench
- endpoint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 147
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 150
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 57
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 32
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 18
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012314 multivariate regression analysis Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Substances OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000001472 potassium tartrate Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000004268 Sodium erythorbin Substances 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005290 field theory Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000611 regression analysis Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0683—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating measurement during deposition or removal of the layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
- G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/66181—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. trench capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/038—Making the capacitor or connections thereto the capacitor being in a trench in the substrate
- H10B12/0387—Making the trench
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Weting (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
図3Bはパターン基板300のネット反射率を計算するには薄膜層体316、318の高さが同一でなければならないことを示す。空気または真空層324がポリシリコン柱310の上面に加えられ、薄膜層体316、318の高さの相違を補整する。
式中、Rは測定されたネット反射率であり、Eiは個々の非干渉状に追加するフィールド項であり、wi(λ0)はその非干渉状に追加する項に対する加重因子である。│Ei│2の使用は電磁界理論の周波数領域表記の複素界Eiの大きさを示す。
式中、R300はパターン基板300からのネット反射率であり、E330、E336は領域330、336からの個々の非干渉的に加わるフィールド項であり、w330(λ0)、w336(λ0)はその非干渉的に加わる項に対する加重因子である。式(4)からE330は次のようになる。
式(3)と(4)は単純化されたモデルを提供し、パターン基板からの反射はマスク層厚や開始エッチング深度等のいくつかの数値に関してパラメータ化できる。1実施例においては、本発明は反射率を測定するための技術として垂直入射光反射技術を利用する。すなわち、パターン基板は基板に対して垂直な入射光で照射され、基板に垂直に反射する光のみが収集される。すなわち、鏡面反射光のみが収集される。しかし、方位範囲はどのパターンでも見られるので、パターンを照射する全光が垂直入射で反射するわけではない。例えば、凹部(図3Aの314)によって非鏡面反射するものがあろう。そのような非鏡面反射による反射損失は無視すべきでない。本発明の1実施例においては、拡散損失率は式(3)の追加項の一部または式(3)の全反射に適用される。拡散損失率はλ0の関数であり得る。
Claims (16)
- 凹部エッチングプロセスの制御方法であって、
トレンチと、該トレンチ内に充填された材料柱とを有した多層基板に対して基板面から基板の基準点までの第1垂直寸法を決定するステップを含んでおり、該決定ステップは、前記トレンチを含んだ基板の少なくとも一部の測定ネット反射スペクトルを取得するステップと、
基板の前記一部を構成するn≧1個の異なる領域からの加重非干渉反射合計として該一部のモデル化ネット反射スペクトルを計算するステップであって、前記n個の異なる領域のそれぞれの反射は、その領域を構成するk≧1個の横方向独立部分からの反射フィールドの加重干渉合計である、計算ステップと、
前記測定ネット反射スペクトルと前記モデル化ネット反射スペクトルとの間の緊密なマッチングを提供するモデル化ネット反射スペクトルのパラメータセットの値を決定するステップであって、前記モデル化ネット反射スペクトルが前記n個の異なる領域を表すネット反射スペクトルのモデルのネット反射スペクトルに関するもので、
該パラメータセットの値を使用して前記第1垂直寸法を導くステップとを含んでおり、
前記基板の表面から材料柱の表面までの第2垂直寸法を決定するステップと、
該第1垂直寸法の関数として凹部エッチングプロセスのエンドポイントと、前記基準点から測定した望む凹部深度とを計算するステップと、
該エンドポイントが達成されるまで前記材料柱の表面からエッチング加工するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。 - 測定ネット反射スペクトルの取得ステップは、垂直入射光線での基板部分の照射ステップを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- それぞれの横方向独立部分は薄膜層体としてモデル化されていることを特徴とする請求項1記載の方法。
- モデル化ネット反射スペクトルの計算ステップは極性化された独立反射を有したものとしての基板のモデル化ステップを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- パラメータセットの決定ステップは、測定ネット反射スペクトルとモデル化ネット反射スペクトルとの間の最小平方差誤差を計算するステップと、誤差メトリック量を最小化するパラメータセットを発見するステップとを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 誤差メトリック量に対する第1垂直寸法の変動の影響を増幅させるステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項5記載の方法。
- モデル化ネット反射スペクトルの計算ステップは、パラメータセットの当初予測セットを入力として受領するステップを含んでいることを特徴とする請求項6記載の方法。
- エンドポイントはブロードバンド反射法と干渉エンドポイントアプローチとの組み合わせに基いていることを特徴とする請求項1記載の方法。
- エンドポイントの計算ステップは、エンドポイントに到達するのに必要なフリンジのカウントを計算するステップを含んでいることを特徴とする請求項8記載の方法。
- エッチング加工ステップはエッチング時に基板の一部から展開した干渉フリンジのカウンティングステップと、該干渉フリンジがフリンジカウントに到達したときにエッチングを停止させるステップとを含んでいることを特徴とする請求項9記載の方法。
- 第2垂直寸法決定ステップはパラメータセットから第2垂直寸法を導くステップを含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- エンドポイント計算ステップは第2垂直寸法に比例した量でエンドポイントを調整するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項11記載の方法。
- 第1垂直寸法の決定に先立って基板の表面を平坦化するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 第1垂直寸法の決定に先立って基板の表面に構築された酸化物を除去するステップをさらに含んでいることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 凹部エッチングプロセスの制御方法であって、
トレンチと、該トレンチ内に充填された材料柱とを有した多層基板の表面を平坦化するステップと、
該平坦化ステップ後に該基板の表面から基板の基準点までの第1垂直寸法を決定するステップを含んでおり、該ステップは、前記トレンチを含んだ基板の少なくとも一部の測定ネット反射スペクトルを取得するステップと、
基板の前記一部を構成するn≧1個の異なる領域からの加重非干渉反射合計として該一部のモデル化ネット反射スペクトルを計算するステップであって、n個の異なる領域のそれぞれの反射は、その領域を構成するk≧1個の横方向独立部分からの反射フィールドの加重干渉合計である計算ステップと、
前記測定ネット反射スペクトルと前記モデル化ネット反射スペクトルとの間の緊密なマッチングを提供するモデル化ネット反射スペクトルのモデルのパラメータセットの値を決定するステップとを含んでおり、
前記基板の表面から材料柱の表面までの第2垂直寸法を決定するステップを含んでおり、該ステップは、該パラメータセットの値を使用して前記第1垂直寸法を導くステップを含んでおり、 該第1垂直寸法の関数として凹部エッチングプロセスのエンドポイントと、前記基準点から測定した望む凹部深度とを計算するステップを含んでおり、該ステップは、前記エンドポイントが前記第2垂直寸法に比例する量によって前記エンドポイントを調整するステップをさらに含んでおり、
該エンドポイントが達成されるまで前記材料柱の表面からエッチング加工するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。 - 凹部エッチングプロセスの制御方法であって、
トレンチと、該トレンチ内に充填された材料柱とを有した多層基板に対して基板面から基板の基準点までの第1垂直寸法と、基板の表面から材料柱の上面までの第2垂直寸法とを決定するステップを含んでおり、該決定ステップは、
前記トレンチを含んだ基板の少なくとも一部の測定ネット反射スペクトルを取得するステップと、
基板の前記一部を構成するn≧1個の異なる領域からの加重非干渉反射合計として該一部のモデル化ネット反射スペクトルを計算するステップであって、前記n個の異なる領域のそれぞれの反射は、その領域を構成するk≧1個の横方向独立部分からの反射フィールドの加重干渉合計である、計算ステップと、
前記測定ネット反射スペクトルと前記モデル化ネット反射スペクトルとの間の緊密なマッチングを提供するモデル化ネット反射スペクトルのモデルのパラメータセットの値を決定するステップと、
該パラメータセットの値を使用して前記第1垂直寸法と第2垂直寸法とを導くステップと、
該第1垂直寸法と第2垂直寸法の関数として凹部エッチングプロセスのエンドポイントと、前記基準点から測定した望む凹部深度とを計算するステップと、
該エンドポイントが達成されるまで前記材料柱の表面からエッチング加工するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US40321302P | 2002-08-13 | 2002-08-13 | |
US60/403,213 | 2002-08-13 | ||
US40861902P | 2002-09-06 | 2002-09-06 | |
US60/408,619 | 2002-09-06 | ||
US10/286,410 | 2002-11-01 | ||
US10/286,410 US7019844B2 (en) | 2002-08-13 | 2002-11-01 | Method for in-situ monitoring of patterned substrate processing using reflectometry. |
US10/286,409 US7399711B2 (en) | 2002-08-13 | 2002-11-01 | Method for controlling a recess etch process |
US10/286,409 | 2002-11-01 | ||
US10/401,118 US6979578B2 (en) | 2002-08-13 | 2003-03-27 | Process endpoint detection method using broadband reflectometry |
US10/401,118 | 2003-03-27 | ||
PCT/US2003/025156 WO2004015727A2 (en) | 2002-08-13 | 2003-08-12 | Method for controlling a recess etch process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005536076A JP2005536076A (ja) | 2005-11-24 |
JP4841953B2 true JP4841953B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=31721852
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506611A Expired - Fee Related JP4679365B2 (ja) | 2002-08-13 | 2003-08-12 | 広帯域反射光測定法を用いた処理終点検知方法 |
JP2005506612A Expired - Fee Related JP4841953B2 (ja) | 2002-08-13 | 2003-08-12 | 凹部エッチング制御方法 |
JP2005506609A Expired - Fee Related JP4679364B2 (ja) | 2002-08-13 | 2003-08-12 | 反射率測定を使用してパターン基板処理をin−situモニタリングする方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506611A Expired - Fee Related JP4679365B2 (ja) | 2002-08-13 | 2003-08-12 | 広帯域反射光測定法を用いた処理終点検知方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506609A Expired - Fee Related JP4679364B2 (ja) | 2002-08-13 | 2003-08-12 | 反射率測定を使用してパターン基板処理をin−situモニタリングする方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
EP (3) | EP1546649A1 (ja) |
JP (3) | JP4679365B2 (ja) |
KR (3) | KR20050028057A (ja) |
CN (4) | CN100376864C (ja) |
AT (1) | ATE445141T1 (ja) |
AU (3) | AU2003255272A1 (ja) |
DE (1) | DE60329602D1 (ja) |
TW (3) | TWI314762B (ja) |
WO (3) | WO2004015727A2 (ja) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7006224B2 (en) * | 2002-12-30 | 2006-02-28 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Method and system for optical inspection of an object |
US20050020073A1 (en) * | 2003-07-22 | 2005-01-27 | Lam Research Corporation | Method and system for electronic spatial filtering of spectral reflectometer optical signals |
US7799273B2 (en) | 2004-05-06 | 2010-09-21 | Smp Logic Systems Llc | Manufacturing execution system for validation, quality and risk assessment and monitoring of pharmaceutical manufacturing processes |
US7444197B2 (en) | 2004-05-06 | 2008-10-28 | Smp Logic Systems Llc | Methods, systems, and software program for validation and monitoring of pharmaceutical manufacturing processes |
JP4531465B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2010-08-25 | 株式会社フジクラ | ブラインドビアの深さ評価方法および深さ評価装置ならびに基板の研磨装置 |
JP5441332B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2014-03-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フォトマスクエッチングのための終点検出 |
US7521332B2 (en) * | 2007-03-23 | 2009-04-21 | Alpha & Omega Semiconductor, Ltd | Resistance-based etch depth determination for SGT technology |
CN101599433B (zh) * | 2008-06-03 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体刻蚀方法及刻蚀系统 |
JP5027753B2 (ja) | 2008-07-30 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理制御方法及び記憶媒体 |
FR2960340B1 (fr) | 2010-05-21 | 2012-06-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un support de substrat |
CN102954903B (zh) * | 2011-08-22 | 2015-02-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 锗硅薄膜监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法 |
CN102426421B (zh) * | 2011-11-30 | 2014-08-13 | 上海华力微电子有限公司 | 用于等离子体刻蚀的先进工艺控制方法 |
CN102519364B (zh) * | 2011-11-30 | 2014-10-15 | 上海华力微电子有限公司 | 用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法及计算机辅助系统 |
NL2010162A (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-06 | Asml Netherlands Bv | A lithography model for 3d resist profile simulations. |
NL2010163A (en) * | 2012-02-07 | 2013-08-08 | Asml Netherlands Bv | Substrate-topography-aware lithography modeling. |
CN103575703B (zh) * | 2012-08-09 | 2016-03-09 | 中国科学院微电子研究所 | 利用反射光谱测量单晶硅基太阳能表面增透膜的方法 |
AU2013393870B2 (en) | 2013-07-09 | 2017-06-29 | Halliburton Energy Services, Inc. | Integrated computational elements with laterally-distributed spectral filters |
EP2989442A4 (en) | 2013-07-09 | 2016-12-28 | Halliburton Energy Services Inc | INTEGRATED COMPUTING ELEMENTS HAVING SELECTIVE FREQUENCY SURFACE |
WO2015099709A1 (en) | 2013-12-24 | 2015-07-02 | Halliburton Energy Services, Inc. | Real-time monitoring of fabrication of integrated computational elements |
MX359927B (es) | 2013-12-24 | 2018-10-16 | Halliburton Energy Services Inc | Fabricacion de capas criticas de elementos computacionales integrados. |
US9395721B2 (en) | 2013-12-24 | 2016-07-19 | Halliburton Energy Services, Inc. | In-situ monitoring of fabrication of integrated computational elements |
US9495505B2 (en) | 2013-12-24 | 2016-11-15 | Halliburton Energy Services, Inc. | Adjusting fabrication of integrated computational elements |
EP3063682A1 (en) | 2013-12-30 | 2016-09-07 | Halliburton Energy Services, Inc. | Determining temperature dependence of complex refractive indices of layer materials during fabrication of integrated computational elements |
EP2929319A4 (en) | 2013-12-31 | 2016-12-21 | Halliburton Energy Services Inc | FABRICATION OF INTEGRATED COMPUTER PROCESSING ELEMENTS USING A SHAPED SUBSTRATE CARRIER TO COINCIDE WITH THE SPATIAL PROFILE OF A DEPOSIT PANACHE |
US9727052B2 (en) | 2014-02-14 | 2017-08-08 | Halliburton Energy Services, Inc. | In-situ spectroscopy for monitoring fabrication of integrated computational elements |
EP2943774A4 (en) | 2014-03-21 | 2016-05-11 | Halliburton Energy Services Inc | MONOLITHIC, BAND-LIMITED, INTEGRATED CALCULATION ELEMENTS |
MX2016015788A (es) | 2014-06-13 | 2017-04-25 | Halliburton Energy Services Inc | Elemento computacional integrado con multiples superficies selectivas de frecuencia. |
WO2016067296A1 (en) * | 2014-11-02 | 2016-05-06 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Method and system for optical metrology in patterned structures |
US9576811B2 (en) * | 2015-01-12 | 2017-02-21 | Lam Research Corporation | Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch) |
US9870899B2 (en) | 2015-04-24 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Cobalt etch back |
US10727073B2 (en) | 2016-02-04 | 2020-07-28 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching 3D structures: Si and SiGe and Ge smoothness on horizontal and vertical surfaces |
US9792393B2 (en) * | 2016-02-08 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for etch profile optimization by reflectance spectra matching and surface kinetic model optimization |
US10032681B2 (en) * | 2016-03-02 | 2018-07-24 | Lam Research Corporation | Etch metric sensitivity for endpoint detection |
CN109477211B (zh) * | 2016-07-13 | 2022-01-14 | 瑞士艾发科技 | 宽带光学监控 |
US10262910B2 (en) * | 2016-12-23 | 2019-04-16 | Lam Research Corporation | Method of feature exaction from time-series of spectra to control endpoint of process |
US10861755B2 (en) * | 2017-02-08 | 2020-12-08 | Verity Instruments, Inc. | System and method for measurement of complex structures |
US10559461B2 (en) | 2017-04-19 | 2020-02-11 | Lam Research Corporation | Selective deposition with atomic layer etch reset |
US10832909B2 (en) | 2017-04-24 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Atomic layer etch, reactive precursors and energetic sources for patterning applications |
US10763083B2 (en) | 2017-10-06 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | High energy atomic layer etching |
US10784174B2 (en) * | 2017-10-13 | 2020-09-22 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for determining etch process parameters |
KR102642011B1 (ko) | 2018-03-30 | 2024-02-27 | 램 리써치 코포레이션 | 내화성 금속들 및 다른 고 표면 결합 에너지 재료들의 원자 층 에칭 및 평활화 (smoothing) |
US10572697B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Lam Research Corporation | Method of etch model calibration using optical scatterometry |
US11624981B2 (en) | 2018-04-10 | 2023-04-11 | Lam Research Corporation | Resist and etch modeling |
WO2019200015A1 (en) | 2018-04-10 | 2019-10-17 | Lam Research Corporation | Optical metrology in machine learning to characterize features |
KR102200662B1 (ko) * | 2019-10-23 | 2021-01-12 | 충남대학교 산학협력단 | 비침습형 플라즈마 공정 진단 방법 및 장치 |
JP7288553B1 (ja) * | 2021-07-14 | 2023-06-07 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置、データ解析装置及び半導体装置製造システム |
KR102630373B1 (ko) * | 2022-05-02 | 2024-01-30 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판의 부상량 측정 방법 |
US20230417682A1 (en) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | Onto Innovation Inc. | Metrology solutions for complex structures of interest |
CN115996031B (zh) * | 2023-03-24 | 2023-06-13 | 武汉敏声新技术有限公司 | 谐振器的制作方法以及谐振器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000241126A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-08 | Nikon Corp | 測定装置及び測定方法 |
JP2002512447A (ja) * | 1998-04-17 | 2002-04-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体プロセスの終点検出 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US271047A (en) | 1883-01-23 | Geoege b | ||
US4147435A (en) * | 1977-06-30 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Interferometric process and apparatus for the measurement of the etch rate of opaque surfaces |
DE19640273C1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-03-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung barrierenfreier Halbleiterspeicheranordnungen |
US5900633A (en) * | 1997-12-15 | 1999-05-04 | On-Line Technologies, Inc | Spectrometric method for analysis of film thickness and composition on a patterned sample |
US6271047B1 (en) * | 1998-05-21 | 2001-08-07 | Nikon Corporation | Layer-thickness detection methods and apparatus for wafers and the like, and polishing apparatus comprising same |
US6166819A (en) * | 1998-06-26 | 2000-12-26 | Siemens Aktiengesellschaft | System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices |
US6275297B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-08-14 | Sc Technology | Method of measuring depths of structures on a semiconductor substrate |
JP2000292129A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Toshiba Corp | エッチング深さ測定方法および装置 |
US6160621A (en) * | 1999-09-30 | 2000-12-12 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for in-situ monitoring of plasma etch and deposition processes using a pulsed broadband light source |
US6340602B1 (en) * | 1999-12-10 | 2002-01-22 | Sensys Instruments | Method of measuring meso-scale structures on wafers |
US6413867B1 (en) * | 1999-12-23 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Film thickness control using spectral interferometry |
-
2003
- 2003-08-11 TW TW092122018A patent/TWI314762B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-11 TW TW092122020A patent/TWI303090B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-11 TW TW092122019A patent/TWI276802B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-12 CN CNB038193418A patent/CN100376864C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-12 JP JP2005506611A patent/JP4679365B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-12 WO PCT/US2003/025156 patent/WO2004015727A2/en active Application Filing
- 2003-08-12 CN CNB038194260A patent/CN100370221C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-12 DE DE60329602T patent/DE60329602D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-12 KR KR1020057002407A patent/KR20050028057A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-08-12 CN CN200810000091A patent/CN100595899C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-12 JP JP2005506612A patent/JP4841953B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-12 AU AU2003255272A patent/AU2003255272A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-12 AU AU2003255273A patent/AU2003255273A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-12 AT AT03785204T patent/ATE445141T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-08-12 AU AU2003258170A patent/AU2003258170A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-12 EP EP03785199A patent/EP1546649A1/en not_active Withdrawn
- 2003-08-12 JP JP2005506609A patent/JP4679364B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-12 EP EP03785204A patent/EP1529193B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-12 WO PCT/US2003/025155 patent/WO2004015365A1/en active Application Filing
- 2003-08-12 KR KR1020057002409A patent/KR20050047097A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-08-12 EP EP03785203A patent/EP1546650B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-12 KR KR1020057002410A patent/KR20050047098A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-08-12 CN CNB03819340XA patent/CN100353140C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-12 WO PCT/US2003/025147 patent/WO2004015364A1/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002512447A (ja) * | 1998-04-17 | 2002-04-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体プロセスの終点検出 |
JP2000241126A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-08 | Nikon Corp | 測定装置及び測定方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4841953B2 (ja) | 凹部エッチング制御方法 | |
US7531369B2 (en) | Process endpoint detection method using broadband reflectometry | |
US7049156B2 (en) | System and method for in-situ monitor and control of film thickness and trench depth | |
KR100769607B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 처리방법 및 처리장치 | |
US7126697B2 (en) | Method and apparatus for determining endpoint of semiconductor element fabricating process | |
JP2002526918A (ja) | プラズマ・エッチング工程の精度を改善する方法および装置 | |
JP3854810B2 (ja) | 発光分光法による被処理材の膜厚測定方法及び装置とそれを用いた被処理材の処理方法及び装置 | |
CN108413883B (zh) | 用于测量复杂结构的系统及方法 | |
US7019844B2 (en) | Method for in-situ monitoring of patterned substrate processing using reflectometry. | |
US7399711B2 (en) | Method for controlling a recess etch process | |
EP1037012B1 (en) | Method and apparatus for measurements of patterned structures | |
US6486675B1 (en) | In-situ method for measuring the endpoint of a resist recess etch process | |
JP2006119145A (ja) | 半導体ウエハの処理方法及び処理装置 | |
US7372579B2 (en) | Apparatus and method for monitoring trench profiles and for spectrometrologic analysis | |
KR100733120B1 (ko) | 반도체 웨이퍼처리의 검출방법 및 검출장치 | |
JP2005303088A (ja) | プラズマ処理装置及びレジストトリミング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110613 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110620 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110713 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110812 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110906 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111005 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4841953 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |