JPH11354509A - プラズマエッチングの終点検出方法及びプラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチングの終点検出方法及びプラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH11354509A JPH11354509A JP10211833A JP21183398A JPH11354509A JP H11354509 A JPH11354509 A JP H11354509A JP 10211833 A JP10211833 A JP 10211833A JP 21183398 A JP21183398 A JP 21183398A JP H11354509 A JPH11354509 A JP H11354509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radio frequency
- plasma etching
- end point
- voltage
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
Abstract
(57)【要約】
【課題】 より確実にプラズマエッチングの終点を検出
することができるプラズマエッチング装置及びプラズマ
エッチングの終点検出方法を提供すること。 【解決手段】 無線周波発電装置５から発生した無線周
波ヘルツ波は、配線３０を伝搬し、プラズマ室１内の陰
極９に無線周波ヘルツ波を印加する。これにより、プラ
ズマ室１内においてプラズマ１１が発生し、このプラズ
マにより半導体ウエハ１２が選択的にエッチングされ
る。ＲＦプローブ８によって、配線３０を流れる無線周
波ヘルツ波の電圧及び電流を測定する。判断装置１５に
よって、電圧及び電流のうち、先に変化した方を基にし
てプラズマエッチングの終点を判断する。
することができるプラズマエッチング装置及びプラズマ
エッチングの終点検出方法を提供すること。 【解決手段】 無線周波発電装置５から発生した無線周
波ヘルツ波は、配線３０を伝搬し、プラズマ室１内の陰
極９に無線周波ヘルツ波を印加する。これにより、プラ
ズマ室１内においてプラズマ１１が発生し、このプラズ
マにより半導体ウエハ１２が選択的にエッチングされ
る。ＲＦプローブ８によって、配線３０を流れる無線周
波ヘルツ波の電圧及び電流を測定する。判断装置１５に
よって、電圧及び電流のうち、先に変化した方を基にし
てプラズマエッチングの終点を判断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体装
置の製造に適用することができるプラズマエッチングの
終点検出方法及びプラズマエッチング装置に関するもの
である。
置の製造に適用することができるプラズマエッチングの
終点検出方法及びプラズマエッチング装置に関するもの
である。
【０００２】
【背景技術】半導体装置の製造に、プラズマエッチング
が用いられている。このプラズマエッチングにおいて、
終点検出方法は現在、プラズマからの発光を分光し検出
する方法が主流である。このエッチングの終点検出方法
は、エッチング中のプラズマ状態をその発光分析により
観測し、エッチング終点の検出に応用したものである。
プラズマの発光は、プラズマ中に存在する活性なガス種
により起きる現象であり、プラズマ発光の研究はスペク
トル分析によるプラズマ診断技術として発達してきた。
プラズマ発光スペクトルは、プラズマ中の反応ガス、反
応生成物に依存しており、ある特定波長の発光強度、す
なわちプラズマ中に存在する特定物質の発光強度の時間
変化を観察することにより、エッチング反応生成物若し
くは反応活性種の量的な変化を知ることができる。
が用いられている。このプラズマエッチングにおいて、
終点検出方法は現在、プラズマからの発光を分光し検出
する方法が主流である。このエッチングの終点検出方法
は、エッチング中のプラズマ状態をその発光分析により
観測し、エッチング終点の検出に応用したものである。
プラズマの発光は、プラズマ中に存在する活性なガス種
により起きる現象であり、プラズマ発光の研究はスペク
トル分析によるプラズマ診断技術として発達してきた。
プラズマ発光スペクトルは、プラズマ中の反応ガス、反
応生成物に依存しており、ある特定波長の発光強度、す
なわちプラズマ中に存在する特定物質の発光強度の時間
変化を観察することにより、エッチング反応生成物若し
くは反応活性種の量的な変化を知ることができる。
【０００３】実際の終点検出方法としては、プラズマの
発光強度の変化をある特定波長に関し、干渉フィルタ若
しくはモノクロメータを介して取り込み、この変化をモ
ニターし、データ処理してプラズマエッチングの終点を
検出する方法が一般的である。しかし、この方法では、
下記のような問題を有している。（１）プラズマ光取り
込み用窓の劣化により、プラズマ光の透過性が悪化して
しまい、終点検出に影響を及ぼす。（２）プラズマの不
安定性による発光のちらつきが終点検出に大きな影響を
及ぼす。（３）プラズマエッチングを行う被エッチング
膜のパターン面積が非常に小さい場合、詳述すれば半導
体装置のコンタクトホールやビアホールなどのプラズマ
エッチングでは、発光強度の変化量が極めて少ないため
終点検出をする事ができない。（４）新素材のエッチン
グの際には、終点検出が可能な程度の変化幅のある特定
波長を探さなくてはならない。また、特定波長が存在し
ない場合もある。
発光強度の変化をある特定波長に関し、干渉フィルタ若
しくはモノクロメータを介して取り込み、この変化をモ
ニターし、データ処理してプラズマエッチングの終点を
検出する方法が一般的である。しかし、この方法では、
下記のような問題を有している。（１）プラズマ光取り
込み用窓の劣化により、プラズマ光の透過性が悪化して
しまい、終点検出に影響を及ぼす。（２）プラズマの不
安定性による発光のちらつきが終点検出に大きな影響を
及ぼす。（３）プラズマエッチングを行う被エッチング
膜のパターン面積が非常に小さい場合、詳述すれば半導
体装置のコンタクトホールやビアホールなどのプラズマ
エッチングでは、発光強度の変化量が極めて少ないため
終点検出をする事ができない。（４）新素材のエッチン
グの際には、終点検出が可能な程度の変化幅のある特定
波長を探さなくてはならない。また、特定波長が存在し
ない場合もある。
【０００４】プラズマからの発光を分光し検出する方法
の問題点を解決する手段として、例えば、特公平５−２
８８９５号公報に開示された終点検出方法がある。この
技術は、プラズマエッチング装置の電極のＲＦ電圧を測
定し、ＲＦ電圧の変化を検出することにより、エッチン
グの終点を検出している。
の問題点を解決する手段として、例えば、特公平５−２
８８９５号公報に開示された終点検出方法がある。この
技術は、プラズマエッチング装置の電極のＲＦ電圧を測
定し、ＲＦ電圧の変化を検出することにより、エッチン
グの終点を検出している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、被エッチング
材によっては、エッチング終了時、無線周波ヘルツ波の
電圧が変化しない可能性、または、無線周波ヘルツ波の
電圧の変化がエッチングの終了より遅れる可能性があ
る。よって、このような被エッチング材をエッチングす
る場合、上記技術では、エッチングの終点を正確に検出
することができない。
材によっては、エッチング終了時、無線周波ヘルツ波の
電圧が変化しない可能性、または、無線周波ヘルツ波の
電圧の変化がエッチングの終了より遅れる可能性があ
る。よって、このような被エッチング材をエッチングす
る場合、上記技術では、エッチングの終点を正確に検出
することができない。
【０００６】また、エッチングの終点を、ＲＦ電流の変
化により測定する場合、従来のＲＦプローブでは、プロ
ーブ自体のインピーダンスが計測環境に直接影響を及ぼ
し、下記のような問題が生じる。（１）ＲＦプローブが
発熱する。よって、発熱前と発熱後とでは、ＲＦ電流の
測定値が変動してしまう。（２）ＲＦプローブを取り付
けたときと、取り外したときとでは、プラズマの放電状
態が変化する。よって、安定したプラズマエッチングを
行うことができない。（３）ＲＦプローブが発熱するた
め、エッチング装置を長期放電使用した場合、ＲＦプロ
ーブが発火する可能性がある。
化により測定する場合、従来のＲＦプローブでは、プロ
ーブ自体のインピーダンスが計測環境に直接影響を及ぼ
し、下記のような問題が生じる。（１）ＲＦプローブが
発熱する。よって、発熱前と発熱後とでは、ＲＦ電流の
測定値が変動してしまう。（２）ＲＦプローブを取り付
けたときと、取り外したときとでは、プラズマの放電状
態が変化する。よって、安定したプラズマエッチングを
行うことができない。（３）ＲＦプローブが発熱するた
め、エッチング装置を長期放電使用した場合、ＲＦプロ
ーブが発火する可能性がある。
【０００７】この発明は、かかる従来の課題を解決する
ためになされたものである。この発明は、より確実にプ
ラズマエッチングの終点検出をすることができるプラズ
マエッチングの終点検出方法及びプラズマエッチング装
置を提供することを課題とする。
ためになされたものである。この発明は、より確実にプ
ラズマエッチングの終点検出をすることができるプラズ
マエッチングの終点検出方法及びプラズマエッチング装
置を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】（１）この発明に係るプ
ラズマエッチング装置は、無線周波ヘルツ波を用いるプ
ラズマエッチング装置であって、無線周波ヘルツ波を発
生する無線周波発生手段と、プラズマが発生する場所に
設置された電極と、無線周波発生手段で発生した無線周
波ヘルツ波を電極に伝搬する無線周波伝搬手段と、無線
周波伝搬手段に設けられ、無線周波伝搬手段を伝搬する
無線周波ヘルツ波の電圧を測定する無線周波電圧測定手
段と、無線周波伝搬手段に設けられ、無線周波伝搬手段
を伝搬する無線周波ヘルツ波の電流を測定する無線周波
電流測定手段と、電圧及び電流を基にして、プラズマエ
ッチングの終点を判断する判断手段と、を備えている。
ラズマエッチング装置は、無線周波ヘルツ波を用いるプ
ラズマエッチング装置であって、無線周波ヘルツ波を発
生する無線周波発生手段と、プラズマが発生する場所に
設置された電極と、無線周波発生手段で発生した無線周
波ヘルツ波を電極に伝搬する無線周波伝搬手段と、無線
周波伝搬手段に設けられ、無線周波伝搬手段を伝搬する
無線周波ヘルツ波の電圧を測定する無線周波電圧測定手
段と、無線周波伝搬手段に設けられ、無線周波伝搬手段
を伝搬する無線周波ヘルツ波の電流を測定する無線周波
電流測定手段と、電圧及び電流を基にして、プラズマエ
ッチングの終点を判断する判断手段と、を備えている。
【０００９】この発明に係るプラズマエッチング装置
は、無線周波電圧測定手段で、無線周波伝搬手段を伝搬
する無線周波ヘルツ波の電圧を測定し、無線周波電流測
定手段で、無線周波伝搬手段を伝搬する無線周波ヘルツ
波の電流を測定する。そして、判断手段により、無線周
波ヘルツ波の電圧及び電流を基にして、プラズマエッチ
ングの終点を判断している。よって、無線周波ヘルツ波
の電圧の変化のみで、エッチングの終点を判断する従来
の装置に比べ、より確実にエッチングの終点を判断する
ことができる。ここで、無線周波ヘルツ波の電圧及び電
流の変化とは、例えば変化開始時、変化中または変化終
了時を意味する。この変化は、被エッチング材の特性を
考慮して決めることができる。
は、無線周波電圧測定手段で、無線周波伝搬手段を伝搬
する無線周波ヘルツ波の電圧を測定し、無線周波電流測
定手段で、無線周波伝搬手段を伝搬する無線周波ヘルツ
波の電流を測定する。そして、判断手段により、無線周
波ヘルツ波の電圧及び電流を基にして、プラズマエッチ
ングの終点を判断している。よって、無線周波ヘルツ波
の電圧の変化のみで、エッチングの終点を判断する従来
の装置に比べ、より確実にエッチングの終点を判断する
ことができる。ここで、無線周波ヘルツ波の電圧及び電
流の変化とは、例えば変化開始時、変化中または変化終
了時を意味する。この変化は、被エッチング材の特性を
考慮して決めることができる。
【００１０】（２）判断手段としては、無線周波ヘルツ
波の電圧及び電流のうち、先に変化した方を基にして、
プラズマエッチングの終点を判断するのが好ましい。
波の電圧及び電流のうち、先に変化した方を基にして、
プラズマエッチングの終点を判断するのが好ましい。
【００１１】（３）無線周波電圧測定手段及び無線周波
電流測定手段を含む測定手段と、電極との間の電気素子
は、無線周波伝搬手段のみであるのが好ましい。電極と
測定手段との間に、無線周波整合ネットワークやブロッ
キングコンデンサがあると、無線周波ヘルツ波の電圧及
び電流の変化を正確に測定する精度が低くなるからであ
る。よって、無線周波ヘルツ波の電圧及び電流を正確に
測定する精度が低くならない限り、電極と測定手段との
間に電気素子が存在してもよい。
電流測定手段を含む測定手段と、電極との間の電気素子
は、無線周波伝搬手段のみであるのが好ましい。電極と
測定手段との間に、無線周波整合ネットワークやブロッ
キングコンデンサがあると、無線周波ヘルツ波の電圧及
び電流の変化を正確に測定する精度が低くなるからであ
る。よって、無線周波ヘルツ波の電圧及び電流を正確に
測定する精度が低くならない限り、電極と測定手段との
間に電気素子が存在してもよい。
【００１２】（４）無線周波電流測定手段は、無線周波
伝搬手段に巻き付けられたコイルを流れる電流を測定す
るのが好ましい。無線周波伝搬手段を流れる電流が、無
線周波電流測定手段を直接流れないので、無線周波電流
測定手段が発熱したり、プラズマのインピーダンスが変
化したりすることはないからである。
伝搬手段に巻き付けられたコイルを流れる電流を測定す
るのが好ましい。無線周波伝搬手段を流れる電流が、無
線周波電流測定手段を直接流れないので、無線周波電流
測定手段が発熱したり、プラズマのインピーダンスが変
化したりすることはないからである。
【００１３】従来のプラズマエッチングの終点を判断す
る手段である他の判断手段を備え、この発明の判断手段
及び他の判断手段のデータを基にして、プラズマエッチ
ングの終点を判断するのが好ましい。他の判断手段を備
えることにより、エッチングの終点を検出するデータが
増える。従って、より高精度にエッチングの終点を検出
することができる。また、この発明の判断手段及び他の
判断手段のデータの比較判定による結果、予め設定して
ある基準とモニター値とを比較することによって、モニ
ター値が基準値のある範囲内から外れた場合を異常とす
ることで、エッチング中にリアルタイムに異常検出をす
ることができる。
る手段である他の判断手段を備え、この発明の判断手段
及び他の判断手段のデータを基にして、プラズマエッチ
ングの終点を判断するのが好ましい。他の判断手段を備
えることにより、エッチングの終点を検出するデータが
増える。従って、より高精度にエッチングの終点を検出
することができる。また、この発明の判断手段及び他の
判断手段のデータの比較判定による結果、予め設定して
ある基準とモニター値とを比較することによって、モニ
ター値が基準値のある範囲内から外れた場合を異常とす
ることで、エッチング中にリアルタイムに異常検出をす
ることができる。
【００１４】従来のプラズマエッチングの終点を判断す
る手段である他の判断手段として、例えば、（１）試料
にＨｅ−Ｎｅレーザ光等をあて、反射光の干渉を利用し
て膜厚を測定する（２）質量分析器を用いて、プラズマ
室内の分子を質量から判断し、何がエッチングされてい
るかを知る（３）プラズマからの発光を分光し検出す
る、がある。
る手段である他の判断手段として、例えば、（１）試料
にＨｅ−Ｎｅレーザ光等をあて、反射光の干渉を利用し
て膜厚を測定する（２）質量分析器を用いて、プラズマ
室内の分子を質量から判断し、何がエッチングされてい
るかを知る（３）プラズマからの発光を分光し検出す
る、がある。
【００１５】（５）この発明に係るプラズマエッチング
の終点検出方法は、無線周波ヘルツ波を用いるプラズマ
エッチングにおけるエッチングの終点検出方法であっ
て、無線周波ヘルツ波の電圧及び電流を測定し、電圧及
び電流を基にして、プラズマエッチングの終点を判断す
る。従って、無線周波ヘルツ波の電圧の変化のみでエッ
チングの終点を判断する従来の方法に比べ、より確実に
エッチングの終点を判断することができる。
の終点検出方法は、無線周波ヘルツ波を用いるプラズマ
エッチングにおけるエッチングの終点検出方法であっ
て、無線周波ヘルツ波の電圧及び電流を測定し、電圧及
び電流を基にして、プラズマエッチングの終点を判断す
る。従って、無線周波ヘルツ波の電圧の変化のみでエッ
チングの終点を判断する従来の方法に比べ、より確実に
エッチングの終点を判断することができる。
【００１６】（６）無線周波ヘルツ波の電圧及び電流を
測定し、先に変化した方を基にして、プラズマエッチン
グの終点を判断するのが好ましい。
測定し、先に変化した方を基にして、プラズマエッチン
グの終点を判断するのが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１は、こ
の発明に係るプラズマエッチング装置の第１の実施の形
態の模式図である。このエッチング装置は、平行平板電
極型ＲＩＥプラズマエッチング装置である。プラズマ室
１には、反応ガス導入管２から、反応性ガスが導入され
る。真空排気装置３によって、プラズマ室１内の圧力は
所望の圧力に保たれる。プラズマ室１の上部には、陽極
１０が取り付けられ、下部には陰極９が取り付けられて
いる。陰極９の上には、被エッチング材である半導体ウ
エハ１２が載置される。グランド４に電気的に接続され
た無線周波発電装置５から発生した無線周波ヘルツ波
は、無線周波整合ネットワーク６、ブロッキングコンデ
ンサ７、ＲＦプローブ８、陰極９の順番で伝搬し、プラ
ズマ室１の陰極９と陽極１０との間にプラズマ１１を発
生させる。これらの電気素子は、無線周波伝搬手段の一
例である配線３０によって電気的に直列接続されてい
る。
の発明に係るプラズマエッチング装置の第１の実施の形
態の模式図である。このエッチング装置は、平行平板電
極型ＲＩＥプラズマエッチング装置である。プラズマ室
１には、反応ガス導入管２から、反応性ガスが導入され
る。真空排気装置３によって、プラズマ室１内の圧力は
所望の圧力に保たれる。プラズマ室１の上部には、陽極
１０が取り付けられ、下部には陰極９が取り付けられて
いる。陰極９の上には、被エッチング材である半導体ウ
エハ１２が載置される。グランド４に電気的に接続され
た無線周波発電装置５から発生した無線周波ヘルツ波
は、無線周波整合ネットワーク６、ブロッキングコンデ
ンサ７、ＲＦプローブ８、陰極９の順番で伝搬し、プラ
ズマ室１の陰極９と陽極１０との間にプラズマ１１を発
生させる。これらの電気素子は、無線周波伝搬手段の一
例である配線３０によって電気的に直列接続されてい
る。
【００１８】ＲＦプローブ８は、無線周波電圧測定手段
及び無線周波電流測定手段を含む測定手段の一例であ
る。そして、陰極９とＲＦプローブ８との間の電気素子
は、配線３０のみである。ＲＦプローブ８には、判断装
置１５が電気的に接続されている。判断装置１５は、判
断手段の一例であり、ＲＦプローブ８が測定した無線周
波ヘルツ波の電圧及び電流のうち、先に変化した方を基
にして、プラズマエッチングの終点を判断する。
及び無線周波電流測定手段を含む測定手段の一例であ
る。そして、陰極９とＲＦプローブ８との間の電気素子
は、配線３０のみである。ＲＦプローブ８には、判断装
置１５が電気的に接続されている。判断装置１５は、判
断手段の一例であり、ＲＦプローブ８が測定した無線周
波ヘルツ波の電圧及び電流のうち、先に変化した方を基
にして、プラズマエッチングの終点を判断する。
【００１９】図２は、ＲＦプローブ８の電気回路図であ
る。配線３０には、コイル３１が巻き付けられており、
コイル３１は、電流計に接続されている。電流計とコイ
ル３１とで、電流測定装置３２が構成されている。電流
測定装置３２は、無線周波電流測定手段の一例である。
また、配線３０には、抵抗とキャパシタからなる回路が
接続されている。この回路と電圧計とで、電圧測定装置
３３が構成されている。電圧測定装置３３は、無線周波
電圧測定手段の一例である。
る。配線３０には、コイル３１が巻き付けられており、
コイル３１は、電流計に接続されている。電流計とコイ
ル３１とで、電流測定装置３２が構成されている。電流
測定装置３２は、無線周波電流測定手段の一例である。
また、配線３０には、抵抗とキャパシタからなる回路が
接続されている。この回路と電圧計とで、電圧測定装置
３３が構成されている。電圧測定装置３３は、無線周波
電圧測定手段の一例である。
【００２０】図３は、半導体ウエハ１２の断面図であ
り、半導体ウエハ１２の上には、シリコン酸化膜１４が
形成され、シリコン酸化膜１４の上には、選択露光され
たフォトレジスト膜１３が形成されている。この半導体
ウエハ１２を、図１に示す陰極９の上に載置し、フォト
レジスト膜１３をマスクとして、シリコン酸化膜１４を
プラズマエッチングした。エッチングの条件は、反応性
ガスとしてＣ2Ｆ6とＨｅを用い、流量はそれぞれ３０ｓ
ｃｃｍ、５０ｓｃｃｍとし、エッチング室１の圧力は２
ｔｏｒｒとし、無線周波ヘルツ波の電力は６００Ｗとし
た。
り、半導体ウエハ１２の上には、シリコン酸化膜１４が
形成され、シリコン酸化膜１４の上には、選択露光され
たフォトレジスト膜１３が形成されている。この半導体
ウエハ１２を、図１に示す陰極９の上に載置し、フォト
レジスト膜１３をマスクとして、シリコン酸化膜１４を
プラズマエッチングした。エッチングの条件は、反応性
ガスとしてＣ2Ｆ6とＨｅを用い、流量はそれぞれ３０ｓ
ｃｃｍ、５０ｓｃｃｍとし、エッチング室１の圧力は２
ｔｏｒｒとし、無線周波ヘルツ波の電力は６００Ｗとし
た。
【００２１】プラズマエッチング中における無線周波ヘ
ルツ波の電圧Ｖｐ及び無線周波ヘルツ波の電流Ｉｐを、
ＲＦプローブ８により計測した。これらの時間推移の様
子を示したのが図４である。電圧Ｖｐ、電流Ｉｐは、無
線周波ヘルツ波の電力印加後、それぞれ上昇し約４００
Ｖ、２２Ａに達した。その後、シリコン酸化膜１４のプ
ラズマエッチングが終了するまで、電圧Ｖｐ及び電流Ｉ
ｐは、ほぼ一定であった。シリコン酸化膜１４のプラズ
マエッチング終了後に、電圧Ｖｐは約３５０Ｖまで下降
し、電流Ｉｐは約４０Ａまで上昇した。
ルツ波の電圧Ｖｐ及び無線周波ヘルツ波の電流Ｉｐを、
ＲＦプローブ８により計測した。これらの時間推移の様
子を示したのが図４である。電圧Ｖｐ、電流Ｉｐは、無
線周波ヘルツ波の電力印加後、それぞれ上昇し約４００
Ｖ、２２Ａに達した。その後、シリコン酸化膜１４のプ
ラズマエッチングが終了するまで、電圧Ｖｐ及び電流Ｉ
ｐは、ほぼ一定であった。シリコン酸化膜１４のプラズ
マエッチング終了後に、電圧Ｖｐは約３５０Ｖまで下降
し、電流Ｉｐは約４０Ａまで上昇した。
【００２２】プラズマエッチング中、電圧Ｖｐ及び電流
Ｉｐの信号は、随時図１に示す判断装置１５に送られ
た。そして、判断装置１５は、電圧Ｖｐ及び電流Ｉｐの
うち、先に変化した方を基にして、プラズマエッチング
の終点を判断した。このプラズマエッチングにおいて
は、電圧Ｖｐと電流Ｉｐとは、ほぼ同時に変化した。
Ｉｐの信号は、随時図１に示す判断装置１５に送られ
た。そして、判断装置１５は、電圧Ｖｐ及び電流Ｉｐの
うち、先に変化した方を基にして、プラズマエッチング
の終点を判断した。このプラズマエッチングにおいて
は、電圧Ｖｐと電流Ｉｐとは、ほぼ同時に変化した。
【００２３】このように、第１の実施の形態において
は、無線周波ヘルツ波の電圧の変化及び無線周波ヘルツ
波の電流の変化を基にして、プラズマエッチングの終点
を判断しているので、無線周波ヘルツ波の電圧の変化の
みでプラズマエッチングの終点を判断する装置に比べ、
より確実にエッチングの終点を判断するができる。
は、無線周波ヘルツ波の電圧の変化及び無線周波ヘルツ
波の電流の変化を基にして、プラズマエッチングの終点
を判断しているので、無線周波ヘルツ波の電圧の変化の
みでプラズマエッチングの終点を判断する装置に比べ、
より確実にエッチングの終点を判断するができる。
【００２４】（第２の実施の形態）図５は、この発明に
係るプラズマエッチング装置の第２の実施の形態の模式
図である。この実施の形態は、ＥＣＲ型プラズマエッチ
ング装置である。プラズマ室１には、反応ガス導入管
（図示省略）より反応性ガスが導入される。プラズマ室
１内の圧力は、真空排気装置（図示省略）により所望の
圧力に保たれる。
係るプラズマエッチング装置の第２の実施の形態の模式
図である。この実施の形態は、ＥＣＲ型プラズマエッチ
ング装置である。プラズマ室１には、反応ガス導入管
（図示省略）より反応性ガスが導入される。プラズマ室
１内の圧力は、真空排気装置（図示省略）により所望の
圧力に保たれる。
【００２５】マグネトロン１６により発生した無線周波
ヘルツ波１７は、導波管１８を伝搬し、電磁コイル１９
が形成する磁場領域でＥＣＲ共鳴を起こし、これにより
プラズマ室１内にプラズマ１１が生成される。
ヘルツ波１７は、導波管１８を伝搬し、電磁コイル１９
が形成する磁場領域でＥＣＲ共鳴を起こし、これにより
プラズマ室１内にプラズマ１１が生成される。
【００２６】一方、グランド４に電気的に接続された無
線周波発電装置５から発生した無線周波ヘルツ波は、無
線周波整合ネットワーク６、ＲＦプローブ８、陰極９の
順番で伝搬し、陰極９の上に載置された被エッチング材
である半導体ウエハ１２の近傍のプラズマ１１の状態を
制御する。これらの電気素子は、無線周波伝搬手段の一
例である配線３０によって電気的に直列接続されてい
る。
線周波発電装置５から発生した無線周波ヘルツ波は、無
線周波整合ネットワーク６、ＲＦプローブ８、陰極９の
順番で伝搬し、陰極９の上に載置された被エッチング材
である半導体ウエハ１２の近傍のプラズマ１１の状態を
制御する。これらの電気素子は、無線周波伝搬手段の一
例である配線３０によって電気的に直列接続されてい
る。
【００２７】ＲＦプローブ８は、無線周波電圧測定手段
及び無線周波電流測定手段とを含む測定手段の一例であ
り、その構造は第１の実施の形態に示すＲＦプローブ８
と同じである。ＲＦプローブ８は、判断手段の一例であ
る判断装置１５に電気的に接続されている。
及び無線周波電流測定手段とを含む測定手段の一例であ
り、その構造は第１の実施の形態に示すＲＦプローブ８
と同じである。ＲＦプローブ８は、判断手段の一例であ
る判断装置１５に電気的に接続されている。
【００２８】第２の実施の形態は、従来のエッチング終
点検出方法の一例であるプラズマ発光分光法によるエッ
チング終点検出機構が設けられている。すなわち、プラ
ズマ室１内で発生したプラズマ光２１を、プラズマ光取
り込み用窓２２から光ファイバ２３を介して、モノクロ
メータ２４に取り込み、モノクロメータ２４から所望波
長の発光強度信号が、判断装置１５に送られる。よっ
て、判断装置１５は、従来のプラズマエッチングの終点
を判断する手段である第２の判断手段の一例でもある。
点検出方法の一例であるプラズマ発光分光法によるエッ
チング終点検出機構が設けられている。すなわち、プラ
ズマ室１内で発生したプラズマ光２１を、プラズマ光取
り込み用窓２２から光ファイバ２３を介して、モノクロ
メータ２４に取り込み、モノクロメータ２４から所望波
長の発光強度信号が、判断装置１５に送られる。よっ
て、判断装置１５は、従来のプラズマエッチングの終点
を判断する手段である第２の判断手段の一例でもある。
【００２９】図６は、半導体ウエハ１２の断面図であ
る。半導体ウエハ１２の上には、順にシリコン酸化膜１
４、ポリシリコン膜２０、レジスト１３が形成されてい
る。レジスト１３は、選択露光されている。この半導体
ウエハ１２を、図５に示す陰極９の上に載置し、ポリシ
リコン膜２０を選択的にエッチング除去し、下地のシリ
コン酸化膜１４を露出させた。エッチングの条件は、反
応性ガスとしてＳＦ6とＣ2ＨＣｌ2Ｆ3を用い、流量はそ
れぞれ３０ｓｃｃｍ、６０ｓｃｃｍとし、プラズマ室１
の圧力は１０ｍｍｔｏｒｒとし、無線周波ヘルツ波の電
力は１０Ｗとした。
る。半導体ウエハ１２の上には、順にシリコン酸化膜１
４、ポリシリコン膜２０、レジスト１３が形成されてい
る。レジスト１３は、選択露光されている。この半導体
ウエハ１２を、図５に示す陰極９の上に載置し、ポリシ
リコン膜２０を選択的にエッチング除去し、下地のシリ
コン酸化膜１４を露出させた。エッチングの条件は、反
応性ガスとしてＳＦ6とＣ2ＨＣｌ2Ｆ3を用い、流量はそ
れぞれ３０ｓｃｃｍ、６０ｓｃｃｍとし、プラズマ室１
の圧力は１０ｍｍｔｏｒｒとし、無線周波ヘルツ波の電
力は１０Ｗとした。
【００３０】プラズマエッチング中における無線周波ヘ
ルツ波の電圧Ｖｐ及び無線周波ヘルツ波の電流Ｉｐを、
ＲＦプローブ８により計測した。これらの時間推移の様
子を示したのが図７である。電圧Ｖｐ、電流Ｉｐは、無
線周波ヘルツ波の電力印加後、それぞれ上昇し約８０
Ｖ、１Ａに達した。その後、ポリシリコン膜２０のプラ
ズマエッチングが終了するまで、電圧Ｖｐ及び電流Ｉｐ
がほぼ一定であった。ポリシリコン膜２０のプラズマエ
ッチング終了後に、電圧Ｖｐは約９０Ｖまで上昇し、電
流Ｉｐは約０．５Ａまで下降した。プラズマエッチング
中、電圧Ｖｐ及び電流Ｉｐの信号は、随時、図５に示す
判断装置１５に転送され、判断装置１５はどちらが先に
変化したかを判断した。このプラズマエッチングにおい
ては、電圧Ｖｐと電流Ｉｐとは、ほぼ同時に変化した。
そして、このデータと従来の発光分光法による所望波長
の発光強度信号の変化量のデータとの比較判定を行い、
先に変化した方を基にしてプラズマエッチングの終点を
判断した。
ルツ波の電圧Ｖｐ及び無線周波ヘルツ波の電流Ｉｐを、
ＲＦプローブ８により計測した。これらの時間推移の様
子を示したのが図７である。電圧Ｖｐ、電流Ｉｐは、無
線周波ヘルツ波の電力印加後、それぞれ上昇し約８０
Ｖ、１Ａに達した。その後、ポリシリコン膜２０のプラ
ズマエッチングが終了するまで、電圧Ｖｐ及び電流Ｉｐ
がほぼ一定であった。ポリシリコン膜２０のプラズマエ
ッチング終了後に、電圧Ｖｐは約９０Ｖまで上昇し、電
流Ｉｐは約０．５Ａまで下降した。プラズマエッチング
中、電圧Ｖｐ及び電流Ｉｐの信号は、随時、図５に示す
判断装置１５に転送され、判断装置１５はどちらが先に
変化したかを判断した。このプラズマエッチングにおい
ては、電圧Ｖｐと電流Ｉｐとは、ほぼ同時に変化した。
そして、このデータと従来の発光分光法による所望波長
の発光強度信号の変化量のデータとの比較判定を行い、
先に変化した方を基にしてプラズマエッチングの終点を
判断した。
【００３１】この第２の実施の形態においては、プラズ
マエッチングの終点を判断するデータとして、無線周波
ヘルツ波の電圧及び電流の他に、従来の発光分光法によ
る所望波長の発光強度信号の変化量のデータがあるの
で、第１の実施の形態に比べ、さらにエッチングの終点
を正確に判断することができる。なお、発光分光法の代
わりに、従来の他のエッチングの終点を判断する方法を
使用し、この方法により得られたデータを、発光分光法
より得られたデータの代わりにしてもよい。
マエッチングの終点を判断するデータとして、無線周波
ヘルツ波の電圧及び電流の他に、従来の発光分光法によ
る所望波長の発光強度信号の変化量のデータがあるの
で、第１の実施の形態に比べ、さらにエッチングの終点
を正確に判断することができる。なお、発光分光法の代
わりに、従来の他のエッチングの終点を判断する方法を
使用し、この方法により得られたデータを、発光分光法
より得られたデータの代わりにしてもよい。
【００３２】なお、第１及び第２の実施の形態において
は、無線周波ヘルツ波の電圧と電流とはほぼ同時に変化
していたが、被エッチング材によっては、エッチング終
了時、無線周波ヘルツ波の電圧の変化がしない可能性ま
たは無線周波ヘルツ波の電圧の変化が遅れる可能性があ
る。従って、無線周波ヘルツ波の電圧の変化に加え無線
周波ヘルツ波の電流の変化をもエッチング終点の判断の
データとするこの発明は、従来のエッチング終点検出に
比べ、より確実にエッチングの終点を判断することがで
きる。
は、無線周波ヘルツ波の電圧と電流とはほぼ同時に変化
していたが、被エッチング材によっては、エッチング終
了時、無線周波ヘルツ波の電圧の変化がしない可能性ま
たは無線周波ヘルツ波の電圧の変化が遅れる可能性があ
る。従って、無線周波ヘルツ波の電圧の変化に加え無線
周波ヘルツ波の電流の変化をもエッチング終点の判断の
データとするこの発明は、従来のエッチング終点検出に
比べ、より確実にエッチングの終点を判断することがで
きる。
【００３３】また、第１及び第２の実施の形態において
は、無線周波ヘルツ波の電圧及び電流のうち、先に変化
した方を基にしてプラズマエッチングの終点を判断して
いたが、ノイズの影響による誤判断を防ぐため、後に変
化した方を基にしても良い。これは、先に変化した方が
ノイズの影響を受けて数値変化を生じている可能性があ
るからである。電圧が先に変化した場合には電流が変化
するのを待って、また電流が先に変化した場合には電圧
が変化するのを待ってプラズマエッチングの終点を判断
してもよい。
は、無線周波ヘルツ波の電圧及び電流のうち、先に変化
した方を基にしてプラズマエッチングの終点を判断して
いたが、ノイズの影響による誤判断を防ぐため、後に変
化した方を基にしても良い。これは、先に変化した方が
ノイズの影響を受けて数値変化を生じている可能性があ
るからである。電圧が先に変化した場合には電流が変化
するのを待って、また電流が先に変化した場合には電圧
が変化するのを待ってプラズマエッチングの終点を判断
してもよい。
【００３４】
【図１】図１は、この発明に係るプラズマエッチング装
置の第１の実施の形態の模式図である。
置の第１の実施の形態の模式図である。
【図２】図２は、この発明に用いることができるＲＦプ
ローブの回路図である。
ローブの回路図である。
【図３】図３は、この発明の第１の実施の形態を用いて
プラズマエッチングをする半導体ウエハ１２の断面図で
ある。
プラズマエッチングをする半導体ウエハ１２の断面図で
ある。
【図４】図４は、この発明の第１の実施の形態における
無線周波ヘルツ波の電圧及び電流の時間推移の様子を示
したグラフである。
無線周波ヘルツ波の電圧及び電流の時間推移の様子を示
したグラフである。
【図５】図５は、この発明に係るプラズマエッチング装
置の第２の実施の形態の模式図である。
置の第２の実施の形態の模式図である。
【図６】図６は、この発明の第２の実施の形態を用いて
プラズマエッチングをする半導体ウエハの断面図であ
る。
プラズマエッチングをする半導体ウエハの断面図であ
る。
【図７】図７は、この発明の第２の実施の形態における
無線周波ヘルツ波の電圧及び電流の時間推移の様子を示
したグラフである。
無線周波ヘルツ波の電圧及び電流の時間推移の様子を示
したグラフである。
１ プラズマ室 ５ 無線周波発電装置 ８ ＲＦプローブ ９ 陰極 １１ プラズマ １５ 判断装置 １７ 無線周波ヘルツ波 ３０ 配線 ３１ コイル ３２ 電流測定装置 ３３ 電圧測定装置
Claims (6)
- 【請求項１】 無線周波ヘルツ波を用いるプラズマエッ
チング装置であって、 前記無線周波ヘルツ波を発生する無線周波発生手段と、 プラズマが発生する場所に設置された電極と、 前記無線周波発生手段で発生した前記無線周波ヘルツ波
を前記電極に伝搬する無線周波伝搬手段と、 前記無線周波伝搬手段に設けられ、前記無線周波伝搬手
段を伝搬する前記無線周波ヘルツ波の電圧を測定する無
線周波電圧測定手段と、 前記無線周波伝搬手段に設けられ、前記無線周波伝搬手
段を伝搬する前記無線周波ヘルツ波の電流を測定する無
線周波電流測定手段と、 前記電圧及び前記電流を基にして、プラズマエッチング
の終点を判断する判断手段と、 を備えたプラズマエッチング装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記判断手段は、前記電圧及び前記電流のうち、先に変
化した方を基にして、プラズマエッチングの終点を判断
する、プラズマエッチング装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、 前記無線周波電圧測定手段及び前記無線周波電流測定手
段を含む測定手段と、前記電極との間の電気素子は、前
記無線周波伝搬手段のみである、プラズマエッチング装
置。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３において、 前記無線周波電流測定手段は、前記無線周波伝搬手段に
巻き付けられたコイルを流れる電流を測定する、プラズ
マエッチング装置。 - 【請求項５】 無線周波ヘルツ波を用いるプラズマエッ
チングにおけるエッチングの終点検出方法であって、 前記無線周波ヘルツ波の電圧及び電流を測定し、前記電
圧及び前記電流を基にして、プラズマエッチングの終点
を判断するプラズマエッチングの終点検出方法。 - 【請求項６】 請求項５において、 前記電圧及び前記電流のうち、先に変化した方を基にし
て、プラズマエッチングの終点を判断する、プラズマエ
ッチングの終点検出方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10211833A JPH11354509A (ja) | 1998-04-07 | 1998-07-10 | プラズマエッチングの終点検出方法及びプラズマエッチング装置 |
| US09/287,611 US6447691B1 (en) | 1998-04-07 | 1999-04-07 | Method for detecting end point of plasma etching, and plasma etching apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9493198 | 1998-04-07 | ||
| JP10-94931 | 1998-04-07 | ||
| JP10211833A JPH11354509A (ja) | 1998-04-07 | 1998-07-10 | プラズマエッチングの終点検出方法及びプラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354509A true JPH11354509A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=26436156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10211833A Withdrawn JPH11354509A (ja) | 1998-04-07 | 1998-07-10 | プラズマエッチングの終点検出方法及びプラズマエッチング装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6447691B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11354509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002063999A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ電位測定方法と測定用プローブ |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000031072A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Seiko Epson Corp | プラズマモニタ方法及び半導体製造装置 |
| JP4819244B2 (ja) * | 2001-05-15 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP3977114B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | プラズマ処理装置 |
| US6896775B2 (en) * | 2002-10-29 | 2005-05-24 | Zond, Inc. | High-power pulsed magnetically enhanced plasma processing |
| JP2005033173A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US7871830B2 (en) * | 2005-01-19 | 2011-01-18 | Pivotal Systems Corporation | End point detection method for plasma etching of semiconductor wafers with low exposed area |
| US7695984B1 (en) * | 2005-04-20 | 2010-04-13 | Pivotal Systems Corporation | Use of modeled parameters for real-time semiconductor process metrology applied to semiconductor processes |
| JP5094002B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-12-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置およびその異常放電抑止方法 |
| US7970562B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-06-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for monitoring power |
| US8849585B2 (en) * | 2008-06-26 | 2014-09-30 | Lam Research Corporation | Methods for automatically characterizing a plasma |
| JP5661622B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2015-01-28 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | プラズマ処理チャンバで用いるための真空ギャップを備えたプラズマ対向プローブ装置 |
| US8780522B2 (en) * | 2008-07-07 | 2014-07-15 | Lam Research Corporation | Capacitively-coupled electrostatic (CCE) probe arrangement for detecting dechucking in a plasma processing chamber and methods thereof |
| CN102084471B (zh) * | 2008-07-07 | 2012-11-28 | 朗姆研究公司 | 用于检测等离子体处理室中的等离子体不稳定的无源电容耦合静电(cce)探针装置 |
| KR101606734B1 (ko) | 2008-07-07 | 2016-03-28 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 프로세싱 챔버에서 인시츄 아킹 이벤트들을 검출하기 위한 패시브 용량성-커플링된 정전식 (ｃｃｅ) 프로브 장치 |
| WO2010005934A2 (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-14 | Lam Research Corporation | Rf-biased capacitively-coupled electrostatic (rfb-cce) probe arrangement for characterizing a film in a plasma processing chamber |
| KR20110039239A (ko) * | 2008-07-07 | 2011-04-15 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 처리 챔버에서의 스트라이크 단계를 검출하기 위한 용량 결합형 정전 (ｃｃｅ) 프로브 장치 및 그 방법 |
| CN109887872A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 华南理工大学 | 用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4207137A (en) | 1979-04-13 | 1980-06-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of controlling a plasma etching process by monitoring the impedance changes of the RF power |
| US4358338A (en) | 1980-05-16 | 1982-11-09 | Varian Associates, Inc. | End point detection method for physical etching process |
| US4602981A (en) | 1985-05-06 | 1986-07-29 | International Business Machines Corporation | Monitoring technique for plasma etching |
| JPH0528895A (ja) | 1991-07-18 | 1993-02-05 | Anritsu Corp | 小形リレー |
| US5330615A (en) | 1991-11-04 | 1994-07-19 | Cheng Chu | Symmetric double water plasma etching system |
| US5228939A (en) | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Cheng Chu | Single wafer plasma etching system |
| US5273610A (en) | 1992-06-23 | 1993-12-28 | Association Institutions For Material Sciences, Inc. | Apparatus and method for determining power in plasma processing |
| US5467013A (en) | 1993-12-07 | 1995-11-14 | Sematech, Inc. | Radio frequency monitor for semiconductor process control |
| US5556549A (en) | 1994-05-02 | 1996-09-17 | Lsi Logic Corporation | Power control and delivery in plasma processing equipment |
| US5576629A (en) * | 1994-10-24 | 1996-11-19 | Fourth State Technology, Inc. | Plasma monitoring and control method and system |
| US5565737A (en) | 1995-06-07 | 1996-10-15 | Eni - A Division Of Astec America, Inc. | Aliasing sampler for plasma probe detection |
| US5910011A (en) * | 1997-05-12 | 1999-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system |
| US5971591A (en) * | 1997-10-20 | 1999-10-26 | Eni Technologies, Inc. | Process detection system for plasma process |
-
1998
- 1998-07-10 JP JP10211833A patent/JPH11354509A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-04-07 US US09/287,611 patent/US6447691B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002063999A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ電位測定方法と測定用プローブ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6447691B1 (en) | 2002-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11354509A (ja) | プラズマエッチングの終点検出方法及びプラズマエッチング装置 | |
| US6911157B2 (en) | Plasma processing method and apparatus using dynamic sensing of a plasma environment | |
| US6695947B2 (en) | Device for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP3349455B2 (ja) | 半導体製造装置のための管理方法および管理システム | |
| US6771481B2 (en) | Plasma processing apparatus for processing semiconductor wafer using plasma | |
| KR920010726B1 (ko) | 반도체 제조장치의 크리닝 종점 판정방법 | |
| KR101355728B1 (ko) | 평면 이온 플럭스 프로빙 장치의 이용을 통해 유도된 파라미터를 이용한 플라즈마 처리의 제어 | |
| KR100515548B1 (ko) | 에칭 종점 검출 방법 | |
| JP2003318115A (ja) | 窓型プローブ、プラズマ監視装置、及び、プラズマ処理装置 | |
| US6052183A (en) | In-situ particle monitoring | |
| JP2000031072A (ja) | プラズマモニタ方法及び半導体製造装置 | |
| US7738976B2 (en) | Monitoring method of processing state and processing unit | |
| US20040200718A1 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| de Castro et al. | End-point detection of polymer etching using Langmuir probes | |
| KR100562627B1 (ko) | 식각종말점 제어장치 및 그를 이용한 식각종말점 제어 방법 | |
| JPH05175165A (ja) | プラズマ装置 | |
| KR100816736B1 (ko) | 셀프 플라즈마 챔버와 결합하여 플라즈마 공정장치에서공정진행상태를 실시간으로 모니터하고 이상 여부를검출하는 플라즈마 모니터링 장치 및 방법 | |
| JP3144779B2 (ja) | プラズマエッチング室の監視方法 | |
| JPS63229718A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2002353199A (ja) | プラズマ処理装置およびこれを用いたプラズマモニタリング方法 | |
| US6372523B1 (en) | Etching method and etching device | |
| KR20020077753A (ko) | 박막 두께 변화율 산출 및 공정조건 모니터링 장치 | |
| JP2000031226A (ja) | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 | |
| JPH11238723A (ja) | プラズマ処理のモニタリング方法及び装置 | |
| JPH09232289A (ja) | ドライエッチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040304 |