TWI278931B - Maintenance method and system for plasma processing apparatus - Google Patents

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1278931 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1) 發明背景 本發明係關於具有真空處理室之電漿處理裝置的維護 保養方法以及維護保養系統，特別是伴隨濕式淸理等之真 空處理室的大氣開放之維護保養實施後的回復作業中的維 護保養者。 習知上，在伴隨電漿處理裝置的大氣釋放之維護保養 實施後的回復作業中，由真空排氣開始後以真空處理室內 之空氣等之洩漏有無的確認起，需要真空處理室內之到達 壓力的確認、搬運異物、放電異物發生量的確認以及蝕刻 率或成膜率之確認等之繁雜的作業。進而，要求依據在各 作業階段之經驗的判斷之故，在各階段需要人之介入、操 作或判斷。 圖7係顯示依據習知方法之濕式淸理後的處理順序之 例。 首先，濕式作業一完了，開始藉由真空泵之真空吸引 。接著，2小時之後，進行洩漏檢查、到達壓力檢查。此 在如爲N G ( no good )後，進行重試。如爲〇K，接著， 搬運、排氣、進行異物檢查（前測、Q C (品質控制）、 後測）。此如爲〇 K，進行僞運作（放電檢查）。進而， 進行放電異物檢查（前測、Q C、後測），如爲〇K，蝕 刻率檢查（前測、Q C、後測），此如0 K，著手產品實 驗性晶圓之處理，如爲〇K，完了濕式作業，著手產品處 理0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 1278931 A7 B7 五、發明説明（2) 發明摘要 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述般地，在依據習知方法之維護保養實施後的回 復作業法中，偶而需要人的介入、判斷，作業之效率差， 至稼動開始爲止，需要很多之人手，至回復爲止，需要很 多之時間。 因此’本發明之目的在於提供：省略以人必須介入之 繁雜的作業與經驗爲中心之回復作業處理的各階段的合否 (處理之適否）判定，可以實線至稼動開始爲止之人手的 省力化或回復時間的縮短化之電漿處理裝置的維護保養方 法以及維護保養系統。 如依據本發明之一側面，係一種在真空處理室中利用 電漿進行試料的處理之電漿處理裝置的濕式淸理後的維護 保養方法， 在維護保養中，大氣開放前述真空處理室，進行構成 該真空處理室的構件的濕式淸理後之回復作業處理時， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依循預先決定之裝置固有的最適當程序，自動或半自 動地一面進行回復作業處理之適否的判定，一面依據其結 果自動或半自動地移往下一處理。 如依據本發明之另外之一側面，係一種具備：真空處 理室、以及真空排氣部、以及電漿產生用之氣體供給部、 以及電漿產生部、以及載置在前述真空處理室內被處理之 晶圓用之試料台之電漿處理裝置的維護保養系統，包含： 儲存濕式淸理後之回復作業用的程序實行用演算電路 以及量測資料之記憶部；以及由動作中的電漿處理裝置採 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） 1278931 Α7 Β7 五、發明説明（3) 取量測資料値用之複數的檢測傳感器；以及進行規格値之 設定等之輸入輸出部；以及進行儲存在前述記憶部之資料 與前述規格値之比較的比較判定電路。 如依據本發明，將人必須介入之繁雜的作業當成裝置 固有之最適當程序，事先加以組合，半自動或自動地依循 上述程序，啓動確認程式，在回復作業處理之各階段一面 判定合否（處理之適否），一面依據其結果，半自動或自 動地可以移往下一階段以及處理，實現至稼動開始爲止之 人手的省力化或回復時間之縮短化。 實施例之詳細說明 以下，詳細說明本發明之實施形態。圖1係顯示將本 發明適用於半導體製造裝置之遙控診斷系統之構成的方塊 圖。在此診斷系統中，係利用在A公司之管理下之半導體 製造裝置1 0 (在此例中，爲電漿實施處理裝置）、不在 A公司管理下之B公司（支援中心）之診斷裝置6 0 ,在 定期以及需要診斷時，適當進行遙控診斷者。於此實施例 中，設B公司爲製造交給A公司之半導體製造裝置的一部 份或大半之製造商。B公司也可以爲維護保養專門之服務 公司。 在此遙控診斷系統中，成爲故障診斷或資料更新之對 象的A公司之蝕刻裝置1 〇 (也可以爲複數台）透過控制 器1 2與L A N被接續於A公司之半導體製造裝置控制伺 服器2 0。伺服器2 0被接續於A公司內之L AN (企業 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 J—. -6- 1278931 A7 B7 五、發明説明（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 內網路）3 0，進而，透過未圖示出之網際網路伺服器以 及防火牆系統被接續於網際網路5 0 °在網際網路5 0透 過B公司之未圖示出之防火牆系統以及網際網路伺服器（ 以及企業內網路）接續有支援中心之診斷裝置6 0。 B公司之遙控診斷系統例如以個人電腦6 1所構成’ 包含··程序實行用演算電路6 2、以及儲存量測資料之記 憶部6 3、以及進行規格値之設定等之輸入輸出部6 4 ; 以及進行被儲存在記憶部之資料與規格値之比較的比較判 定電路6 5。又，由A公司之動作中的電漿處理裝置，藉 由複數的檢測傳感器1 2採取各種之量測資料値，或就在 A公司取得之資料進行詢問，經由網際網路接受。作爲上 述檢測傳感器，係具備量測單獨或複數的波長之電漿發光 強度用之發光分光器〇ES 1 1 3 (參考圖2)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，半導體製造裝置、各伺服器、網際網路、以及診 斷裝置之間的接續係使用一般的電話線路或專用的通訊線 路、光纖之通訊線路等。又，爲了顧客A與裝置製造商B 間的通訊，不用說在各機器賦予I P位址或特定之I D號 碼等。 各伺服器係藉由電腦構成’作爲輸入輸出ί阜接續有鍵 盤或滑鼠等之操作部或顯示器。又，具有存取網際網路 5 0，接續於.其它之伺服器用之瀏覽軟體（W W W瀏覽器 )。伺服器2 0等之各電腦具備通訊介面，進行微電腦製 作之資料或指令的調制以及發送，以及經由電話線路等被 傳送來之資料或指令的接收以及解調。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 1278931 A7 __ B7 __ 五、發明説明（5 ) 又，各半導體製造裝置1 〇個別具有個人電腦，接續 有作爲輸入輸出埠之鍵盤或滑鼠等之操作部或顯示器。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 診斷裝置6 0例如係由個人電腦所構成，具備與外部 接續接續用之外部接續用介面或通訊介面。進而，個人電 腦具備C P U以及各種記憶部，於記憶部保持有存取網際 網路5 0，接續於伺服器用之瀏覽軟體（W W W瀏覽器） 或遙控診斷用之診斷程式。進而，設置有：裝置的錯誤碼 等之裝置診斷用資訊以及裝置診斷資訊的資料庫7 6、電 漿特性資料庫7 7、顧客固有之定期或不定期之診斷用資 料庫、記錄診斷之排程以及診斷結果之資料庫等。 展斷裝置6 0就關於A公司之半導體製造裝置1 〇之 各種資訊利用通訊線路以檢測傳感器1 2進行線上檢測， 或進行詢問，依據所獲得之資訊，進行診斷以及維護保養 之支援之同時，爲了診斷，需要追加資訊之情形，對A公 司要求追加資訊之提供，進行診斷。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖2係電漿蝕刻用之真空處理裝置的全體構成圖。真 空處理裝置係具備··真空處理室1 0 4、以及藉由真空泵 之真空排氣部1 0 5、以及電漿產生用之氣體供給部、以 及於真空處理室產生電漿1 〇 7用之電漿產生部、以及載 置在真空處理室內被處理之晶圓用之試料台1 0 8。 微波由上部之微波電源被導入真空處理室1 0 4內。 在真空處理室1 0 4之周圍設置有電磁鐵1 〇 3，磁場強 度係被設定爲與微波之頻率引起共振，例如，頻率如爲 2 · 4 5 G Η z ，磁場強度爲8 7 5 G a u s s。試料被 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ' ' -8- 1278931 A7 B7 五、發明説明（6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) s又置於試料台1 〇 8上。爲了加速射入試料之離子，高頻 電壓電源1 0 9被接續於試料台1 〇 8。高頻電壓電源之 頻率並無特別限制，通常頻率之實用範圍爲2 〇 〇 k Η z 至2 ΟΜΗ ζ。微波電源與偏壓電壓1 〇 9具有開關（οη_ off )控制其個別之脈衝信號產生器。 作爲由A公司之動作中的電漿處理裝置1 〇採取各種 之量測資料値用之檢測傳感器，另外組裝入檢測任意的質 量之分子或原子用之質量氣體分析器q 一 MA S S 1 1 〇 。進而，組裝異物檢查裝置（異物監視器），或由外部光 或電漿本身發生之光被照射於晶圓表面，藉由量測由晶圓 表面來之干涉光以檢測膜厚之膜厚量測器1 1 1。進而， 爲了檢測蝕刻製程變數，組裝分別檢測高頻輸出之電壓、 電營、相位或反射波電力等用之檢測器1 1 2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明中，關於電漿蝕刻處理裝置1 〇，係進行： 在維護保養等中，大氣開放真空處理室而進行之真空處理 室構成構件的濕式淸理後的回復作業時、依據B公司之遙 控診斷系統來之指示，依循預先決定之裝置固有的最適當 程序，自動或半自動地回復作業處理之合否判定（回復作 業處理適當與否之判定）。而且，依據該結果，自動或半 自動地移往係一處理。藉由此’實現至稼動開始爲止之人 手的省力化或回復時間的縮短化。 圖3係顯示依據本發明之濕式淸理後的處理的回復作 業之程序。此實施例係含裝置狀態監視器+遙控監視器之 情形。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 1278931 A7 B7 _ 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，伴隨濕式作業完了，藉由操作者按壓按鈕，開 始藉由真空泵之真空吸引（真空排氣處理）。作爲回復作 業之程序以及回復作業處理之合否判定之項目係利用真空 處理室之高真空排氣的到達壓力以及到達時間，自動判斷 洩漏之有無。即，進行洩漏率、到達真空度檢查。此係藉 由自動判斷而進行，如N G，即到達真空度不適當，進行 真空吸引之自動重試。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖4係顯示標準洩漏率時與異常洩漏率時之到達真空 度的時間經過例。此處，所謂洩漏率係在真空處理中，例 如係指每3 0分鐘關閉真空處理室之閥，內時之壓力上升 率之量測値。閥在那之後，再度被打開，再度開始真空吸 引處理。到達真空度是否正常之判定係在各判定步驟中以 .具有之指定的真空度之幅度之判斷基準進行。判斷基準之 寬幅（圖4之高度方向）係藉由追逐各步驟地設定爲愈窄 ，在很快之階段可以預測到達真空度是否正常。在圖4所 示例中，•記號係正常、X記號係異常之例。圖4中，第 1步驟其判斷基準之寬幅寬，正常、異常之任何一種之例 都在判斷基準內。在第2步驟中，正常例雖在判斷基準內 ，但是異常例在判斷基準上限附近。到達真空度在此種判 斷基準之上限或下限附近（例如，由上限至僅少指定値之 値的範圍或由.下限至僅多指定値之値的範圍）時，菜此時 間點，一對操作者發出警告，可以早期檢討對策之故，有 效。作爲警告之方法，發出警報聲音、使警報燈閃滅、或 在個人電腦之畫面上顯示警告即可。在第3步驟中，正常 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 1278931 A7 B7 五、發明説明（8) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之例雖在判斷基準內，但是異常例在判斷基準外，到達真 空度一顯示此種傾向，即使原樣地繼續真空吸引，預告成 爲異常之故，在此時間點，發出異常之警告信號。或進行 真空吸引處理之重試。又，判斷基準之寬幅藉由掌握時間 經過之真空到達曲線而決定即可。例如，可以考慮取得結 果成爲異常之情形的真空到達曲線之統計，其統計値成爲 上限値或下限値地決定判斷基準之寬幅。 又，作爲回復作業之程序以及回復作業處理之合否判 定之項目，不單真空處理室之高真空排氣之到達壓力以及 到達時間，藉由掌握至此爲止之時間經過之真空到達曲線 ，1個或複數個組合由微分計算等所獲得之傾斜等之數値 解析結果。如此，在到達真空度被判斷爲不適當之情形， .例如，藉由黃色之閃滅信號通知操作者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，作爲上述程序以及合否判定之項目，藉由排氣用 閥之關閉等之排氣系統遮斷將高真空排氣之真空處理室內 的殘留氣體儲存在真空處理室內後，藉由適當之電漿產生 方法使之放電，藉由觀察其之發光光譜，掌握殘留氣體成 分，將其結果單獨或複數以及時間經過地加以利用。 又，作爲上述殘留氣體成分，也可以掌握氮氣（N) 或氫氣（H) 、◦Η之相對量，將其結果單獨或複數以及 時間經過地加.以利用。或作爲上述程序以及合否判定之項 目，也可以藉由質量氣體分析器等掌握高真空排氣之真空 處理室內的殘留氣體成分，將其結果單獨或複數以及時間 經過地加以利用。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） — -11 - 1278931 A7 B7 立、發明説明（9) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或在真空處理室內之殘留氣體成分之中，藉由判斷氮 氣以及氧氣之含有比率是否成爲4 : 1 ，判斷由真空處理 室外部來之洩漏的有無。 圖5係利用真空排氣中之Q— MAS S 1 1 0之量測 例，以氮氣以及氧氣含有比率爲基礎，判斷由真空處理室 之外部來之洩漏之有無者。 回到圖3，在到達真空度正常之情形，接著，進行僞 運轉。即，在僞晶圓之最後設定鈾刻率Q C晶圓。而且’ 藉由裝置狀態監視器，自動判斷放電狀態。又，藉由鈾刻 率監視器，自動量測、判斷蝕刻率。 之後，顯示真空檢查、僞運轉之完了。 進而，進行異物Q C之晶圓設定（前測）、以及異物 Q C晶圓設定（後測），如〇K，進行產品實驗性晶圓處 理之著手，如無問題，完了濕式作業，著手產品之處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖6係顯示依據本發明之其它的實施例之濕式淸理後 之處理例。此例係附加異物監視器1 1 1之系統。首先， 伴隨濕式作業完了，藉由操作者按壓按鈕，開始真空吸引 。而且，自動判斷洩漏之有無。檢查洩漏率、到達真空度 ，進行自動判斷。如爲N G，自動重試。如爲Ο K，進而 ，進行僞運轉。即，在僞晶圓之最後，設定鈾刻率Q C晶 圓、異物Q C晶圓。接著，藉由裝置狀態監視器，自動量 測、判斷放電狀態。 進而，藉由蝕刻率監視器，自動量測、判斷蝕刻率 Q C晶圓之蝕刻率，藉由異物監視器1 Γ1 ，自動量測、 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ~ ' -12- 1278931 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（10) 判斷放電空間中的異物，將自動量測、判斷的結果顯示於 顯示部。 如此，作爲程序以及合否判定之項目，爲了確認真空 處理室內之異物發生量在規定値以下，使用裝置組入型或 另外裝置型之異物檢查裝置等。而且，在真空處理室內之 異物發生量超過規定値之情形，自動或半自動地啓動數次 重複真空處理室內的氣體曝氣以及排氣之異物降低程序。 作爲此例之程序以及合否判定之項目，爲了確認預先 決定之蝕刻率或成膜率在規定値範圍內，也可以使用裝置 組入型或另外裝置型之膜厚量測器等。或作爲蝕刻製程變 數，也可以量測預先決定之關於電漿放電之各種參數之電 壓、電流、相位或反射波電力等，確認在規定値範圍內。 回到圖6，自動量測、判斷之結果如爲〇K _，著手產 品實驗性晶圓之處理。而且，此如爲0 K，完了濕式作業 ，著手產品處理。 又，A公司本身保有診斷裝置6 0，診斷其之半導體 製造裝置1 0亦可。 如依據本發明，省略習知上以人必須介入之繁雜之作 業與經驗爲中心之各階段的合否判定，可以半自動或自動 地實施。即，藉由將這些之繁雜之作業作爲裝置固有之最 適當程序，事前加以組合，可以實現至稼動開始爲止之人 手的省力化或回復時間的縮短化。 I"""MV ^ 裝 Ί 訂 · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 1278931 A7 B7 五、發明説明（11) 【圖面之簡單說明】 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1係顯示將本發明適用於半導體製造裝置之遙控診 斷系統的構成之方塊圖。 圖2係電漿蝕刻用之真空處理裝置的全體構成圖。 圖3係顯示依據本發明之濕式淸理後的處理的回復作 業之程序圖。 圖4係顯示標準洩漏率時與異常洩漏率時之到達真空 度的時間經過例。 圖5係顯示利用真空排氣中的Q - M A S S之量測例 〇 圖6係顯示依據本發明之其它的實施例之濕式淸理後 的處理例。 圖7係顯示依據習知方法之濕式淸理後的處理順序之 例圖。 主要元件對照表 10 12 2 0 5 0 6 0 6 1 6 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 半導體製造裝置 檢測傳感器 半導體製造裝置控制伺服器 網際網路 診斷裝置 個人電腦 程序實行用演算電路 記憶部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 1278931 A7 B7五、發明説明（12) 輸入輸出部 比較判定電路 真空處理室 真空排氣部 試料台 膜厚量測器 檢測器

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -15-

Claims (1)

1278931 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第90122001號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國92年1月24日修正 1 . 一種維護保養方法，其係在真空處理室中利用電 漿進行試料之處理的電漿處理裝置的維護保養方法，其特 徵爲包含如下步驟： 在大氣開放前述真空處理室，進行構成該真空處理室 之構件的維護保養後的回復作業處理時， 依循針對複數個檢查項目的回復作業處理用的程序， 在針對前述複數個檢查項目之一的回復作業處理中， 由前述電漿處理裝置採取測定資料値，並且進行前述 測定資料値與預先設定的判斷基準的比較，若前述測定資 料値在前述判斷基準內的話，判斷爲針對前述一個檢查項 目的回復作業處理爲恰當，移到針對前述複數個檢查項目 的其他一個回復作業處理。 2 .如申請專利範圍第1項記載之維護保養方法，其 中作爲前述回復作業處理之適否的判定的項目，係利用前 述真空處理室之高真空排氣處理的處理經過時間與那時之 前述真空處理室內的到達壓力之關係。 3 ·如申請專利範圍第2項記載之維護保養方法，其 中前述回復作業處理之適否的判定係以指定之處理經過時 間之前述到達壓力是否在指定之範圍內而進行。 4 ·如申請專利範圍第2項記載之維護保養方法，其 中藉由掌握前述真空處理室之高真空排氣之到達壓力以及 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 1 _ 1278931 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 々、申請專利範圍 至到達時間爲止之時間經過的真空到達曲線，1個或複數 個組合由微分計算所獲得之傾斜等之數値解析結果。 5 ·如申請專利範圍第1項記載之維護保養方法，其 中作爲回復作業處理之適否的判定之項目係藉由關閉排氣 用閥等之排氣系統遮斷，將高真空排氣之前述真空處理室 內的殘留氣體儲存在前述真空處理室內後，藉由適當之電 漿產生方法使之放電，藉由觀察其之發光光譜，掌握殘留 氣體成分，單獨或複數以及時間經過地利用其結果。 6 ·如申請專利範圍第5項記載之維護保養方法，其 中作爲前述殘留氣體成分，掌握氮氣（N)或氫氣（H) 、Ο Η之相對量，單獨或複數以及時間經過地利用其結果 〇 7 .如申請專利範圍第1項記載之維護保養方法，其 中作爲回復作業處理之適否的項目，藉由質量氣體分析器 等掌握高真空排氣之前述真空處理室內的殘留氣體成分， 單獨或複數以及時間經過地利用其結果。 8 .如申請專利範圍第7項記載之維護保養方法，其. 中藉由判斷前述真空處理室內之殘留含有氣體成分之中， 氮氣以及氧氣之含有比率是否成爲4 : 1，判斷由前述真 空處理室外部來之洩漏的有無。 · 9 ·如申請專利範圍第1項記載之維護保養方法，其 中作爲回復作業處理之適否的判定之項目，爲了確認前述 真空處理室內之異物發生量在規定値以下，使用裝置組入 型或另外裝置型之異物檢查裝置。 本紙張尺度適用中國國家梂率（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 7^ ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線· 1278931 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 〇 ·如申請專利範圍第9項記載之維護保養方法， 其中前述真空處理室內之異物發生量在超過規定値之情形 ，半自動或自動地啓動數次重複前述真空處理室內之氣體 曝氣以及排氣之異物降低程序。 1 1 .如申請專利範圍第1項記載之維護保養方法， 其中作爲回復作業處理之適否的判定之項目，爲了確認預 先決定之蝕刻率或成膜率成爲規定値範圍內’使用裝置組 入型或另外裝置型之膜厚量測器。 1 2 .如申請專利範圍第1項記載之維護保養方法， 其中作爲回復作業處理之適否的判定之項目，量測預先決 定之關於電漿放電之各種參數之電壓、電流、相位或反射 波電力等，一確認該量測値在規定値範圍內，判定回復作 業處理爲適當。 1 3 .如申請專利範圍第3項記載之維護保養方法， 其中前述高真空排氣處理是否正常係以在各判定步驟具有 指定之到達壓力範圍之判斷基準進行，前述指定之到達壓 力範圍之寬幅係隨著判定步驟之前進而設定爲窄範圍。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項記載之維護保養方法 ，其中在前述判定步驟中，如被判斷到達壓力爲對應之判 斷基準的上限或下限附近，發出警報。 . 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項記載之維護保養方法 ’其中在前述判定步驟中，到達壓力一被判斷爲偏離對應 之判斷基準，再度進行前述高真空排氣處理。 1 6 .如申請專利範圍第1 3項記載之維護保養方法 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐） -3- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 線- 1278931 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ，其中前述指定之壓力範圍之寬幅係藉由掌握時間經過之 真空到達曲線而決定。 1 7 .如申請專利範圍第1項記載之維護保養方法， 其中針對前述複數個檢查項目之一的回復作業處理中所進 行的前述判斷基準與測定資料値的比較是在複數步驟的每 一個中進行，在各步驟進行的比較處理的判斷基準的寬度 爲步驟每次前進會變窄。 18.—種維護保養系統，其係具備：真空處理室； 以及真空排氣部；以及電漿產生用之氣體供給部；以及電 漿產生部；以及載置在前述真空處理室內被處理之晶圓用 之試料台之電漿處理裝置的維護保養系統，其特徵爲具備 維修保養後之針對複數個檢查項目的每一個的回復作 業處理用之程序實行用演算電路；以及 儲存量測資料之記憶部；以及 由回復作業中的電漿處理裝置取得量測資料用之複數 的傳感器；以及 進行判斷基準之設定等之輸入輸出部；以及 具有進行被儲存在前述記憶部之針對前述複數個檢查 項目的每一個的回復作業處理中的前述測定資料値與前述 判斷基準之比較的比較演算電路，， 前述程序實行用演算電路若針對前述複數個檢查項目 之一的回復作業處理中的測定資料値在預先決定的判斷基 準內的話，判斷爲針對前述一個檢查項目的回復作業處理 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 4 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線 1278931 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 爲恰當，進行針對前述複數個檢查項目的其他一個回復作 業。 1 9 .如申請專利範圍第1 8項記載之維護保養系統 ，其中作爲前述檢測傳感器，.係具備：量測單獨或複數的 波長之電漿發光強度用之發光分光器。 2 0 .如申請專利範圍第1 8項記載之維護保養系統 ，其中作爲前述檢測傳感器，係具備：檢測任意之質量的 分子或原子用之質量氣體分析器。 2 1 .如申請專利範圍第1 8項記載之維護保養系統 ，其中作爲前述檢測傳感器係組入異物檢查裝置。 2 2 .如申請專利範圍第1 8項記載之維護保養系統 ，其中作爲前述檢測傳感器係組入：外部光或由電漿本身 發出之光被照射於晶圓表面，藉由量測由晶圓表面來之干 涉光，檢測膜厚之膜厚量測器。 2 3 ·如申請專利範圍第1 8項記載之維護保養系統 ，其中作爲前述檢測傳感器係組入：分別量測高頻輸出之 電壓、電流、相位或反射波電力等用之檢測器。 2 4 .如申請專利範圍第1 8項記載之維護保養系統 ，其中針對前述複數個檢查項目之一的回復作業處理中所 進行的前述判斷基準與測定資料値的比較是在複數步驟的 每一個中進行，在各步驟進行的比較處理的判斷基準的寬 度爲步驟每次前進會變窄。 25·—種遙控診斷系統，其係將在第一公司之管理 下之電漿處理裝置透過通訊網路，接續於前述電漿處理裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------1T------ά. (請先聞脅背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 1278931 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 置的系統，而且，利用不在前述第一公司之管理下之第二 公司的診斷裝置進行維護保養用之遙控診斷系統，其特徵 爲具備： 由動作中的電漿處理裝置取得量測資料値用之複數的 檢測傳感器；以及 將關於該量測資料値之資訊透過前述通訊網路提供給 前述診斷裝置之提供部， 在大氣開放真空處理室而進行之維護保養後的回復作 業時，依循針對複數個檢查項目的回復作業處理用的程序 ， 在針對前述複數個檢查項目之一的回復作業處理中， 由前述電漿處理裝置採取測定資料値，並且進行前述 測定資料値與預先設定的判斷基準的比較，若前述測定資 料値在前述判斷基準內的話，判斷爲針對前述一個檢查項 目的回復作業處理爲恰當，移到針對前述複數個檢查項目 的其他一個回復作業處理。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項記載之遙控診斷系統 ，其中針對前述複數個檢查項目之一的回復作業處理中所. 進行的前述判斷基準與測定資料値的比較是在複數步驟的 每一個中進行，在各歩驟進行的比較處理的判斷基準的寬 度爲步驟每次前進會變窄。 . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 -