JP4628807B2 - 真空処理装置および真空処理方法 - Google Patents
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Description
P=P0・t−a … (1)
で比較的よく表されることがよく知られている。aはチャンバの材料や、大気への曝露時間等に依存し、例えば、アルマイト(陽極酸化アルミニウム)を内表面材料とした真空チャンバに対して、J.F.McAndrewらの論文(J.Vac.Sci.Technol.A,14,1996,p.1266)によれば、a=0.582〜0.979であり、発明者らの実験によれば、アルマイトとステンレスを用いた真空チャンバに対して、a=0.9〜1.2であった。理論的には、0.5〜1.5の値を取りうる。
log(P)=−a・log(t)+log(P0) … (2)
となり、横軸をtの対数、縦軸をPの対数としたときの両対数図上で、傾き−aの直線に載る。
P=P0・t−a+PL … (3)
となり、両対数軸上では、t→∞で、圧力P=PLとなる。PL>PTであるとき、装置は目標の圧力まで下がらないことになる。
Claims (4)
- 真空処理チャンバ内のウェットクリーニングや部品交換を行い、前記真空処理チャンバの真空排気を行った後、被処理物の処理に先立って、前記真空処理チャンバ内の馴らし放電やエージングを行う真空処理方法において、
プロセス用の高精度絶対圧真空計と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計とを前記真空処理チャンバに備え、
前記真空処理チャンバ内の真空排気の良否を判定する解析工程と、真空処理チャンバ内の馴らし放電やエージングを目標真空度への到達前に挿入するように制御する制御工程を有し、前記解析工程は、事前に求められた、前記高精度絶対圧真空計によって測定された前記真空処理チャンバ内の圧力を用いて算出される前記真空処理チャンバの真空封止時の見かけのガス流量(以下、リークレート)と前記ワイドレンジ真空計で測定される前記真空処理チャンバ内圧力との間の関係のデータを参照し、前記ワイドレンジ真空計によって測定された前記真空処理チャンバ内の圧力により、基準となるリークレートに到達したか否かを判断し、前記制御工程は、前記解析工程で排気良好と判断される場合に、規定の真空度に達する時刻を予測し、予測した時刻の近傍に馴らし放電やエージングが終了するように馴らし放電やエージングを開始するように制御することを特徴とする真空処理方法。 - 請求項1記載の前記真空処理方法を実現する真空処理装置であって、プロセス用の高精度絶対圧真空計と、高範囲の圧力域で測定可能なワイドレンジ真空計とを前記真空処理チャンバに備え、前記真空処理チャンバ内の真空排気の良否を判定する解析装置と、真空処理チャンバ内の馴らし放電やエージングを目標真空度への到達前に挿入するように制御する制御手段を有し、前記解析装置は、事前に求められた、前記高精度絶対圧真空計によって測定された前記真空処理チャンバ内の圧力を用いて算出される前記真空処理チャンバの真空封止時の見かけのガス流量(以下、リークレート)と前記ワイドレンジ真空計で測定される前記真空処理チャンバ内圧力との間の関係のデータを参照し、前記ワイドレンジ真空計によって測定された前記真空処理チャンバ内の圧力により、基準となるリークレートに到達したか否かを判断し、前記制御手段は、前記解析装置で排気良好と判断される場合に、規定の真空度に達する時刻を予測し、予測した時刻の近傍に馴らし放電やエージングが終了するように馴らし放電やエージングを開始するように制御することを特徴とする真空処理装置。
- 請求項2記載の真空処理装置において、前記解析装置は、事前に求められた、前記高精度絶対圧真空計によって測定された前記真空処理チャンバ内の圧力を用いて算出される前記真空処理チャンバの真空封止時の見かけのガス流量(以下、リークレート)と前記ワイドレンジ真空計で測定される前記真空処理チャンバ内圧力との間の関係のデータを参照し、前記ワイドレンジ真空計によって測定された前記真空処理チャンバ内の圧力により、基準となるリークレートに到達する時刻を予測する手段であることを特徴とする真空処理装置。
- 請求項2又は3記載の真空処理装置において、前記真空処理チャンバ又は、前記真空処理チャンバ内蔵物の一部又は全部の表面がアルマイト被覆であることを特徴とする真空処理装置。
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JP2000072415A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-03-07 | Riyuukoku Univ | 結晶質の窒化炭素膜を形成する方法 |
JP2003045847A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のメンテナンス方法およびメンテナンスシステム |
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US5157960A (en) * | 1990-02-06 | 1992-10-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for transient measurement of gas permeability in closed-cell foam insulation |
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JP2003045847A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置のメンテナンス方法およびメンテナンスシステム |
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