JPH0574672A - 半導体製造設備診断方法およびその診断システム - Google Patents

半導体製造設備診断方法およびその診断システム

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JPH0574672A
JPH0574672A JP3234876A JP23487691A JPH0574672A JP H0574672 A JPH0574672 A JP H0574672A JP 3234876 A JP3234876 A JP 3234876A JP 23487691 A JP23487691 A JP 23487691A JP H0574672 A JPH0574672 A JP H0574672A
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equipment
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semiconductor manufacturing
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JP3234876A
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Masao Sakata
正雄 坂田
Jun Nakazato
純 中里
Takemasa Iwasaki
武正 岩崎
Sadao Shimosha
貞夫 下社
Hide Kobayashi
秀 小林
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体製造設備の動作情報と運転状態をモニ
タして設備診断ルールの把握ができる診断方法および診
断システムを提供すること。 【構成】 診断用設備に診断に必要な設備動作の来歴と
設備を運転した時の設備状態としてモニタする項目を設
定し、設備動作に対応して設備動作の情報と設備を運転
した時の設備状態の変動情報をモニタしてデータを収集
し、収集データを選択してルールをもとにデータを分類
して設備を運転した時の設備状態の変動の特徴量を算出
し、設備診断としてルールにある特徴量の判定基準にし
たがってデータを診断し、診断結果は設備状態で起こっ
ている現象を判断して出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造設備の
診断方法に係り、特に半導体装置の製造設備の運転状況
から設備の状態を判断して設備にその対策を指示する半
導体製造設備診断方法およびその診断システムに関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のプラント等の製造設備の診断方法
として、対象とする装置の異常や故障に関わると考えら
れる量を測定したうえで処理して異常や故障や劣化の指
標となる量をえ、これに基づき装置の状態を判定する方
法があって設備診断技術として普及しており、たとえば
「計測と制御」(第25巻,第10号、昭和61年10
月、社団法人 計測自動制御学会発行の第863頁から
第870頁)に論じられている。この診断方法によれば
個々の装置の異常や故障と明確に関係付けられる設備の
パラメータを事前に知る必要があり、さらにその設備パ
ラメータを検知する手段として設備の動作には直接関係
のないセンサなどを取り付ける必要があった。
【0003】この従来の診断方法を半導体装置の製造設
備に応用する場合には、装置の異常に明確に関係付けら
れるパラメータを特定することが必要であるが、しかし
半導体の製造で用いるスパッタリング法や化学的気相成
長(CVD:Chemical Vapor Depo
sition)法などの成膜工程やドライエッチング法
などは弱電離プラズマを用いて非平衡な状態での物理化
学反応を用いており、この状態をセンシングするにはプ
ローブ法などの外乱となるセンサを設置したりすること
になり、これが本来の反応を乱して逆に不良要因になる
場合がある。
【0004】また半導体製造設備の場合には設備を使用
できる状態に維持することも必要であって、その半導体
装置の成膜装置の場合には成膜による生成物が装置の内
壁等に付着したのち剥がれて製品の不良につながるよう
なことがあり、このため定期的に装置をメンテナンスす
る必要がある。そのメンテナンス作業は真空装置では真
空槽を大気に戻して内部の治具の交換などを人手作業で
行い、その作業終了後の作業ミスのチェックには真空排
気などの実際作業を行ったのち、設備の状態を直接モニ
タせずにダミーウェハを用いて実際の製造作業を模擬的
に行うことにより、成膜した結果でメンテナンス作業の
確認と良否の判定を行っている。このため設備のメンテ
ナンス作業の確認に多くの時間を費やしているが、これ
は設備の稼働状態以外の設備の状態を短時間で判定する
方法がないためである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は最近の
半導体の性能の向上にともない微細化などが進んで、製
造設備の製造できる状態を設備の最高性能に維持する必
要があるために、メンテナンス作業により装置状態を維
持しているが、しかしメンテナンス作業を確認する方法
が確立していないことにより、設備のメンテナンス作業
後の設備の状態を判定するのに多くの時間を要している
問題があった。本発明の目的は、診断すべき半導体製造
設備の動作を行う設備シーケンス情報を設備に設定し、
その動作を設備で行い、その設備の動作情報と運転状態
をモニタし、これにより設備診断ルールすなわち診断の
根拠となる事象の把握ができる半導体製造設備診断方法
およびその診断システムを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体製造設備診断方法およびその診断シ
ステムは設備の動作の来歴を動作の項目とその動作した
時間(時刻)で記憶し、また設備が運転した時の設備状
態の変動を時間の変化で記憶し、その両者を時間(時
刻)で突き合わせ、予め決めておいたルールに従って設
備の動作の項目間での設備状態の変化について比較など
の処理を行い、その動作の項目間の設備状態変化からル
ールに従って状態変化の特徴を示す量すなわち特徴量を
導き、その特徴量をルールの判断基準と比較して、設備
の状態を判定し診断を行うようにしたものである。また
上記したルールを決定するために、上記の設備動作の来
歴と設備を運転した時の設備状態の変動とを同一の時間
軸上で突き合わせることにより、設備の動作に対する設
備を運転した時の設備状態の変動や、また特定の動作に
対する設備を運転した時の設備状態の変動の関係の知見
を得易くしたものである。
【0007】
【作用】上記の半導体製造設備診断方法およびその診断
システムは上記の設備動作の来歴と設備を運転した時の
設備状態の変動との関係をルールとして、設備の動作と
設備を運転した時の設備状態の変動との関係を表す両者
の項目から設備を運転した時の設備状態の変動の特徴量
を導く処理の方法を提供し、その特徴量から設備の状態
を判断する根拠となる条件式を登録する機能を与え、ま
た上記ルールには設備の動作のシーケンスも併記して記
憶できる機能を与えるようにしている。
【0008】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図1から図6によ
り説明する。図1は本発明による半導体製造設備診断方
法およびその診断システムの一実施例を示す診断処理フ
ロー図である。図1において、初めに診断用設備動作の
設定を設備に対して行い、これには診断ルールに記述さ
れた診断に必要な設備状態の変化項目に対応した設備の
測定データすなわち設備動作の来歴と設備を運転した時
の設備状態としてモニタする項目を設備に設定する(処
理1)。この設定後に実際の設備動作に対応して設備動
作の情報と設備を運転した時の設備状態の変動情報をモ
ニタして、設備動作と設備運転状態のデータを収集する
(処理2)。この収集したデータから設備を運転した時
の設備状態の変動データを設備動作の来歴のデータで区
分し、これより設備を運転した時の設備状態の変動デー
タの診断を行う部分についてデータを選択するが、この
データ量はたとえば2000件から3000件にもなっ
てデータ量が多くなるので診断処理に不適であるから、
そこで本発明では設備の動作来歴データから″設備のあ
る動作から動作までの間のデータのみを選択する″と
か、″動作から動作までのデータが10件になるように
選択する″などのルールのデータ選択ルールをもとにデ
ータを分類するようにして、設備動作項目による設備運
転状態データの分類を行う(処理3)。
【0009】この分類した設備運転状態データをルール
のデータ特徴量算出方法に従ってデータ処理するが、こ
れには時系列的に収集したデータからデータ間の比較を
行って変化傾向量などのデータとなるような処理を行
い、この処理により設備を運転した時の設備状態の変動
の特徴量が算出される(処理4)。つぎに特徴量の判定
すなわち診断として、ルールにある特徴量の判定基準に
したがって、特徴量同士の大小比較や特徴量の基準値に
対する大小比較などの判断によりそのデータを診断する
(処理5)。この判定結果(診断結果)の出力を行う
が、その診断の出力は特徴量を算出する時にルールの中
にある診断の項目について予め分かっているので、特徴
量を判断(比較など)することで診断結果としてそのデ
ータは診断項目に対して正常か異常か、またはその設備
状態で起っている現象たとえば″O2ガスがリークして
いる″とか″温度が高い″などの状態をも判断できる
(処理6)。この出力結果の登録を行う(処理7)。
【0010】図2は本発明による半導体製造設備診断方
法およびその診断システムの一実施例を示すハードウェ
ア構成図である。図2において、半導体製造設備の成膜
工程のスパッタ装置について本発明を適用したときの診
断システムのハードウェア構成を示し、この実施例は設
備を運転した時の設備状態の変動モニタとして質量分析
のデータをモニタして設備の真空に関する状態を診断す
ることを目的としている。本実施例の診断システムは設
備診断を行う設備診断計算機101と、この下位に設け
られる計算機103,104と、オペレータに対するデ
ータの入出力端末108とを備え、これらは通信回線1
02を介して接続されている。スパッタ装置107には
設備を運転した時の設備状態の変動モニタとしてスパッ
タのガス雰囲気を分析してガスの種類を分析する質量分
析器105が接続され、また設備の動作来歴のモニタと
して設備の動作を制御するシーケンサ106が接続され
ている。この質量分析器105には質量分析データを受
信する計算機103が接続されている設備状態の一態で
ある真空の状態をモニタし、またシーケンサ106には
計算機104が接続されていて設備診断計算機101か
ら診断用設備動作シーケンスを受信してシーケンサ10
6に診断用設備動作を設定し、なお設定後に設備動作に
対応した設備動作来歴データをもモニタする。
【0011】設備診断用計算機101は図示していない
が、CPU(中央処理装置)と、CPUのプログラムお
よびデータを格納するメモリと、時刻を設定する計時装
置と、信号の入出力を行うインタフェース装置と、ルー
ルや収集する大量のデータを蓄積できる外部記憶装置と
を備えている。上記メモリには診断プログラムや診断の
ための診断用装置動作やルールおよびルール抽出用デー
タ解析プログラムなどがロードされ、これによりCPU
は収集したデータについてルールを制定する手段と、ル
ールに従った装置動作シーケンスを作成する手段と、ル
ールにより規定された設備の現象を判定する手段として
機能することができる。また計算機103,104は図
示していないが、CPUと、CPUのプログラムおよび
データを格納するメモリと、時刻を設定する計時装置
と、信号の入出力を行うインタフェース装置とを備えて
おり、この計算機103,104は質量分析や設備動作
のデータを一時的にバッファして測定が終了したタイミ
ングでそのデータを設備診断用計算機101に送信す
る。上記メモリにはこれらの処理を行うためのプログラ
ムがロードされ、これによりCPUはこのプログラムを
実行することでデータを収集する手段として機能するこ
とができる。
【0012】この計算機103,104の収集するデー
タは、設備を運転した時の設備状態の変動データとして
ガス分析する質量分析器105の出力に時刻を示す情報
を付して取り込み、また設備の部位の動作を示す情報と
してシーケンサ106から出力する設備の各部位の動作
状態を示す情報に時刻を示す情報を付してそれぞれ取り
込むが、この時刻を示す情報は計時装置から取り込まれ
るので各計算機101,103,104の計時装置は予
め時刻を合せておく。またシーケンサ106に接続して
いる計算機104は設備診断計算機101からの信号に
より診断用設備動作シーケンスをシーケンサ106に設
定し、入出力端末108の診断用設備動作シーケンス実
行命令により診断用設備動作シーケンスをシーケンサ1
06もしくはスパッタ装置107に実行させる手段とし
ても機能する。入出力端末108には設備診断情報が表
示できるディスプレイ109と、データや指示やルール
を入力できるキーボード110とが接続されており、ま
たマウス等を接続してもよい。
【0013】図3は図2のスパッタ装置107の構成図
である。図3において、ガス導入バルブ303はスパッ
タ装置107の処理室401に不活性ガスのArガスの
供給を行うバルブである。メインバルブ302は真空排
気ポンプ310と処理室401をつなぐバルブであり、
このメインバルブ202がオープンのときは真空排気を
行っているときであって装置の稼働状態を示している。
ゲートバルブ301はスパッタ装置107に投入された
ウェハが処理室401に入り、成膜の処理が始まること
を示している。なおスパッタ装置107には予備室40
2とインタフェース室403があって、メインバルブ3
021,3022,3023とゲートバルブ3011と
真空排気ポンプ311,312が設けられている。質量
分析器105は処理室401に接続して処理室401の
ガス雰囲気をモニタしており、また処理室401にはベ
ーク用ヒータ602が備えられる。さらにスパッタ用の
ターゲット501は処理室401に設置され、スパッタ
中に温度上昇するので裏面から水冷配管601により冷
却されている。このスパッタターゲット501は膜形成
の蒸着源であるため成膜処理により材料が消耗するか
ら、したがって材料の消耗に合わせてターゲット501
を交換する。このときに通常には真空状態に保持されて
いる処理室401を大気に戻したターゲット501の交
換作用を行い、その作業の後に再び真空排気を行う。こ
のようなときに従来技術でも述べたように、交換作業等
のメンテナンス作業により装置に微小のリークや作業時
の人手の汚染等が発生する場合があり、そこで本実施例
はこれらの装置状態を診断して装置状態の良否を判断す
るものである。
【0014】図4は図2の設備診断計算機101の診断
データの構成例図である。図4において、図2の設備診
断計算機101に送信されて記憶保持されるデータは図
4に示す形式になっており、すなわち作業来歴データテ
ーブル41と、運転時設備状態変動テーブル42と、設
備動作来歴テーブル43として登録される。作業来歴デ
ータテーブル41は診断作業を行った日付と、診断作業
項目(真空排気など)と、診断作業開始時刻と、診断作
業シーケンス番号と、作業に関するコメント項目(ター
ゲット交換など)とを管理テーブルとして記憶する。こ
れらは例えば入出力端末108から入力する。この作業
来歴データテーブル41は診断作業を行った日付と診断
作業項目をID(識別子)として、運転時設備状態変動
テーブル42と設備動作来歴テーブル43とに関係づけ
られている。運転時設備状態変動テーブル42は上記I
Dとして、時系列に質量分析の測定データの質量数と、
そのピーク値と、測定時刻と、全圧力との項目が登録さ
れている。設備動作来歴データテーブル43は上記ID
として、装置の動作に対応してメインバルブ302(図
3)の開閉と、ベークヒータ602のON,OFFなど
の設備の部位の変化に対対応した測定時刻、すなわち設
備の部位に変化の起った時刻とその変化の内容について
記憶している。なお図4に示す各テーブル41〜43は
入出力端末108のディスプレイ109において一覧表
示でき、またこの入出力端末108を用いて、ルールと
して登録するための知見をうるために行う図4の各テー
ブル41〜43を用いた解析と、その解析結果の知見の
ルールとしての登録とができる。
【0015】図5は図2の設備診断計算機101の診断
動作の入力例図である。図5において、図3のターゲッ
ト501の交換作業等のメンテナンス作業後にその作業
を判定する場合に、その判定作業として真空排気と処理
室401のベーク作業を図2の設備診断計算機101か
ら計算機104に送信し、計算機104はその作業をス
パッタ装置107に設定することにより、スパッタ装置
107はその動作を実行するが、図5にはそのターゲッ
ト交換した場合の診断項目(ターゲット交換後排気)
と、設備動作項目およびモニタ項目について示してあ
る。スパッタ装置107は図5の設備動作項目にしたが
って真空排気では処理室401を真空排気ポンプ310
により排気し、つぎに処理室ベークでは排気にともない
処理室401内に吸着したガスを放出するためにベーク
ヒータ602を動作させて処理室401を加熱して吸着
ガスを脱ガスしてから所定時間加熱後にベークヒータ6
02の動作を停止し、さらに真空排気では真空排気作業
が継続して行われる。この設備動作期間にモニタ項目に
したがってモニタデータの全圧力と、ついでガス分析
と、さらにガス分析とがモニタされて、これらのデータ
は計算機103,104を介して設備診断計算機101
に送られる。これらの設備動作により得られるモニタデ
ータの意味については装置を熟知していないと意味を判
断できないが、設備の動作と運転時設備状態変動とは密
接があるから次の図6の実施例のようにしてモニタデー
タの意味を判断できる。
【0016】図6は図2の設備診断計算機101の診断
データの表示例図である。図6において、図4の作業来
歴データテーブル41の日付と診断作業項目をIDとし
て運転時設備状態変動テーブル42と設備動作来歴テー
ブル43のデータをもとに、装置の動作データと質量分
析および全圧力のデータとについて両者のデータを測定
時刻で突き合わせて同一平面に表示した例を示してお
り、この図6の表示から質量分析と加工条件データと設
備の動作データとの関係を理解できる。すなわちメイン
バルブ302がオープンした真空排気時にベークヒータ
602の動作により処理室401内の全圧力が上昇して
ベークヒータ602の停止により全圧力が低下してお
り、この全圧力の変化は通常の変化で異常とは考えられ
ないが、しかしガス分析データをもとに運転時設備状態
変動をさらに分析する必要があり、このガス分析データ
からベークヒータ602の動作時にガス放出される成分
はほとんどH2O であって、ベークヒータ602の停止
後のガス成分の変化に着目して設備状態を判定すると、
そのときのH2Oの排気速度がリークの有無の判定基準
となる。このようにして図6のガス成分の変化から設備
状態を判定するが、これは通常にはルールとして登録し
て自動判定し、この場合にはベーク後のH2O の排気速
度が1Eー5以上であれば正常となる。このルールを事
前に登録してもよく、または図6のような画面を設備診
断計算機101で表示させてルールとして登録すること
ができる。このようにして本実施例によれば、運転時設
備状態変動と設備動作のデータの両者を解析して異常の
診断ルールを導き出せ、さらにそのルールを追加してい
くことができる診断方法を実現できる。
【0017】上記実施例における診断基準ルールによる
診断結果に診断後の設備の対処方法を加えることによ
り、設備の診断による設備の対処方法を指示する診断方
法および診断システムを提供できる。また上記実施例に
おける診断方法で設備動作と設備の運転状態を時系列に
記憶しながら、判断基準と逐次比較して診断を行い、そ
の診断結果を逐次出力して設備に対処方法を指示するな
どして、設備を運転する設備診断制御方法およびその装
置を提供できる。なお上記実施例は半導体製造設備のス
パッタ装置の例を示したが、本発明はこれに限るもので
はなく半導体製造設備の他のCVD装置やエッチング装
置などにも同様に適用できる。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、半導体製造設備の運転
状態を常に自動で監視して設備の状態を診断できるの
で、メンテナンス作業に起因する設備不良などを早期に
発見して対策できるため、設備の稼働率を向上できると
ともに、設備の性能と製品の品質を確保しながら製造で
きて、設備起因の製品不良が低減できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の一実施例での診断処理フロー
を示す図
【図2】図2は、本発明の一実施例でのハードウエア構
成を示す図
【図3】図3は、図2のスパッタ装置の構成を示す図
【図4】図4は、図2の診断データの構成例を示す図
【図5】図5は、図2の診断動作の入力例を示す図
【図6】図6は、図2の診断データの表示例を示す図
【符号の説明】
101…設備診断計算機、102…通信回線、103,
104…計算機、105…質量分析器、106…シーケ
ンサ、107…スパッタ装置、108…入出力端末、1
09…ディスプレイ、110…キーボード、301…ゲ
ートバルブ、302…メインバルブ、303…ガス導入
バルブ、401…処理室、501…スパッタゲート、6
02…ベークヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下社 貞夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 小林 秀 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体製造設備診断方法において、半導
    体製造設備の停止後に運転を開始した設備の運転状態に
    関わる情報と該設備の部位の動作の時間変化の情報とを
    記憶し、両情報を時間を共通にしたデータとして扱い、
    設備の部位の動作と連動した設備の運転状態の変動の特
    徴量を算出し、該特徴量をその判断基準と比較し、該比
    較結果から設備で発生する状態を特定して設備の診断を
    行うことを特徴とする半導体製造設備診断方法。
  2. 【請求項2】 半導体製造設備診断方法において、半導
    体製造設備の診断対象の事象の判断に必要な設備の部位
    の動作を予め登録し、該設備の部位の動作を設備に設定
    し、該設定した設備の部位の動作を設備で行い、該設備
    の部位の動作の時間変化の情報と設備の運転状態の情報
    とを記憶し、両情報を時間を共通にしたデータとして扱
    い、設備の部位の動作と連動した設備の運転状態の変動
    の特徴量を算出し、該特徴量をその判断基準と比較し、
    該比較結果から設備で発生する状態を特定して設備の診
    断を行うことを特徴とする半導体製造設備診断方法。
  3. 【請求項3】 半導体製造設備診断方法において、半導
    体製造設備の診断対象の事象の判断に必要な設備の部位
    の動作と該動作に連動する設備の運転状態との情報の記
    憶項目と記憶間隔と記憶タイミングを予め登録し、該設
    備の部位の動作を設備に設定し、該設定した設備の部位
    の動作を設備で行い、該設備の部位の動作の時間変化の
    情報と設備の運転状態の情報とを記憶し、両情報を時間
    を共通にしたデータとして扱い、設備の部位の動作と連
    動した設備の運転状態の変動の特徴量を算出し、該特徴
    量をその判断基準と比較し、該比較結果から設備で発生
    する状態を特定して設備の診断を行うことを特徴とする
    半導体製造設備診断方法。
  4. 【請求項4】 半導体製造設備診断方法において、半導
    体製造設備の診断対象の事象の判断に必要な設備の部位
    の動作と該動作に連動する設備の運転状態との情報の記
    憶項目と記憶間隔と記憶タイミングを予め登録し、該設
    備の部位の動作を設備に設定し、該設定した設備の部位
    の動作を設備で行い、該設備の部位の動作の時間変化の
    情報と設備の運転状態の情報とを時系列に記憶しなが
    ら、両情報を時間を共通にしたデータとして扱い、設備
    の部位の動作と連動した設備の運転状態の変動の特徴量
    を算出し、該特徴量をその判断基準と逐次比較し、該比
    較結果から設備で発生する状態を特定して設備の診断を
    行い、該診断結果を逐次出力して設備を運転することに
    より、設備の診断制御を行うことを特徴とする半導体製
    造設備診断方法。
  5. 【請求項5】 半導体製造設備診断方法において、半導
    体製造設備の診断対象の事象の判断に必要な設備の部位
    の動作と該動作に連動する設備の運転状態との情報の記
    憶項目と記憶間隔と記憶タイミングを予め登録し、該設
    備の部位の動作を設備に設定し、該設定した設備の部位
    の動作を設備で行い、該設備の部位の動作の時間変化の
    情報と設備の運転状態の情報とを時系列に記憶しなが
    ら、両情報を時間を共通にしたデータとして扱い、設備
    の部位の動作と連動した設備の運転状態の変動の特徴量
    を算出し、該特徴量をその判断基準と逐次比較し、該比
    較結果から設備で発生する状態を特定して設備の診断を
    行い、該診断結果から逐次設備に対処方法を指示して設
    備を運転することにより、設備の診断制御を行うことを
    特徴とする半導体製造設備診断方法。
  6. 【請求項6】 半導体製造設備診断方法において、半導
    体製造設備の停止後に運転を開始した設備の運転状態に
    関わる情報と該設備の部位の動作の時間変化の情報とを
    記憶し、両情報を時間を共通にしたデータとして扱い、
    設備の部位の動作と連動した設備の運転状態の変動の特
    徴量を算出し、該特徴量をその判断基準と比較し、該比
    較結果から設備で発生する状態を特定して診断を行い、
    上記判断の基準による診断結果に診断後の設備の対処方
    法を加えて、設備に診断による対処方法を指示すること
    を特徴とする半導体製造設備診断方法。
  7. 【請求項7】 半導体製造設備診断システムにおいて、
    半導体製造設備の停止後の運転を開始した設備の運転状
    態に関わる情報と該設備の部位の動作の時間変化の情報
    とを記憶する手段と、該記憶した両情報を時間を共通に
    したデータとして扱い、設備の部位の動作と連動した設
    備の運転状態の変動の特徴量を算出し、該特徴量をその
    判断基準と比較し、該比較結果から設備で発生する状態
    を特定して設備の診断を行う手段とを有することを特徴
    とする半導体製造設備診断システム。
  8. 【請求項8】 半導体製造設備診断システムにおいて、
    半導体製造設備の診断対象の事象の判断に必要な設備の
    部位の動作を予め登録する手段と、該設備の部位の動作
    を設備に設定する手段と、該設定した設備の部位の動作
    を設備で行い、該設備の部位の動作の時間変化の情報と
    設備の運転状態とを記憶する手段と、該記憶した両情報
    を時間を共通にしたデータとして扱い、設備の部位の動
    作と連動した設備の運転状態の変動の特徴量を算出し、
    該特徴量をその判断基準と比較し、該比較結果から設備
    で発生する状態を特定して設備の診断を行う手段とを有
    することを特徴とする半導体製造設備診断システム。
  9. 【請求項9】 半導体製造設備診断システムにおいて、
    半導体製造設備の診断対象の事象の判断に必要な設備の
    部位の動作と該動作に連動する設備の運転状態との情報
    の記憶項目と記憶間隔と記憶タイミングを予め登録する
    手段と、該設備の部位の動作を設備に設定する手段と、
    該設定した設備の部位の動作を設備で行い、該設備の部
    位の動作の時間変化の情報と設備の運転状態との情報と
    を記憶する手段と、該記憶した両情報を時間を共通にし
    たデータとして扱い、設備の部位の動作と連動した設備
    の運転状態の変動の特徴量を算出し、該特徴量をその判
    断基準と比較し、該比較結果から設備で発生する状態を
    特定して設備の診断を行う手段とを有することを特徴と
    する半導体製造設備診断システム。
  10. 【請求項10】 半導体製造設備診断システムにおい
    て、半導体製造設備の診断対象の事象の判断に必要な設
    備の部位の動作と該動作に連動する設備の運転状態との
    情報の記憶項目と記憶間隔と記憶タイミングを予め登録
    する手段と、該設備の部位の動作を設備に設定する手段
    と、該設定した設備の部位の動作を設備で行い、該設備
    の部位の動作の時間変化の情報と設備の運転状態との情
    報とを時系列に逐次記憶する手段と、該記憶した両情報
    を時間を共通にしたデータとして扱い、設備の部位の動
    作と連動した設備の運転状態の変動の特徴量を算出し、
    該特徴量をその判断基準と逐次比較し、該比較結果から
    設備で発生する状態を特定して設備の診断を行い、該診
    断結果から逐次設備に対処方法を指示して設備を運転す
    ることにより、設備の診断制御を行う手段とを有するこ
    とを特徴とする半導体製造設備診断システム。
  11. 【請求項11】 半導体製造設備診断システムにおい
    て、設備の部位の動作の時間変化の来歴と設備の運転状
    態の時間変化の来歴とを記憶する手段と、両来歴の記憶
    データの一覧から任意に選択して該選択した記憶データ
    を計算機上で時間軸を共通にして表示する手段とを有す
    ることを特徴とする半導体製造設備診断システム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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