TWI796622B - 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法、及程式 - Google Patents
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Abstract
[課題]可以順利地進行發出警報之後的故障排除,減少停機時間且有助於提升生產性。
[解決手段]提供一種包含裝置控制器的構成,該裝置控制器具有分別記憶著事先設定的警報分析表格的記憶部,該警報分析表格係由以下構成:裝置資料,其至少包含包含感測器資訊的監控資料、及用來表示各控制器依據感測器資訊檢測到的障害的警報;警報ID,其用來辨識警報;項目數,其表示對該警報ID所表示的警報之原因進行分析時的分析項目之數目;及分析項目No.,其用來確定該分析項目;
構成為,當檢測到前述障害之後前述裝置控制器輸出前述警報,
當接受到包含確定警報用的警報ID的警報之原因分析要求時,根據該警報ID來檢索警報分析表格,並獲取項目數和項目No.,
根據分析項目No.來確定分析警報之原因的分析項目,
從記憶部獲取與分析項目對應的監控資料,該分析項目係由項目數定義之數目的分析項目No.來確定者,
將顯示畫面予以顯示,該顯示畫面分別具有用來顯示警報之發生履歴的區域,和用來顯示與分析項目對應的監控資料之區域。
Description
本揭示關於基板處理裝置、半導體裝置的製造方法、及程式。
半導體製造領域中,為了提升裝置的利用率或生產效率,而進行裝置的故障之分析或裝置的狀態監控。基本的監控手段通常使用利用統計分析技術等從半導體製造裝置的資訊檢測出裝置的異常的手段。
例如針對基板處理裝置的生產管理,在專利文獻1記載管理資料健全性的手法,專利文獻2記載有關資料異常發生時之異常分析技術。彼等係由連接到基板處理裝置的管理裝置來管理基板處理裝置的運轉狀態者。但是,伴隨著設備之微細化導致資料量增加,因此需要比以往更詳細的資料管理,並且在管理多個基板處理裝置的管理裝置中變為難以充分地對應。
近年來,需要在不增加設備製造商之負擔之情況下,在裝置側進行自我監控的生產管理。因此,裝置製造商採取各種對策以便能夠快速確定異常之原因,並且提升裝置的利用率。
[專利文獻1]國際公開第2017/168676號
[專利文獻2]特開2012-186213號公報
本揭示之目的在於提供一種在發出警報之後可以順利地進行故障排除,減少停機時間且有助於提升生產性的構成。
依據本揭示之一態樣,提供一種包含裝置控制器的構成,該裝置控制器具有分別記憶著事先設定的警報分析表格的記憶部,該警報分析表格係由以下構成:裝置資料,其至少包含包含感測器資訊的監控資料、及用來表示各控制器依據前述感測器資訊檢測到的障害的警報;警報ID,其用來辨識前述警報;項目數,其表示對該分析警報ID所表示的警報之原因進行分析時的分析項目之數目;及分析項目No.,其用來確定該分析項目;前述裝置控制器構成為,當檢測到前述障害之後輸出前述警報,當接受到包含前述警報ID的前述警報之原因分析要求時,根據前述警報ID來檢索前述警報分析表格,並獲取前
述項目數和前述項目No.,根據前述分析項目No.來確定分析前述警報之原因的分析項目,從前述記憶部獲取與分析項目對應的監控資料,該分析項目係由前述項目數定義之數目的前述分析項目No.來確定者,將顯示畫面予以顯示,該顯示畫面分別具有用來顯示前述警報之發生履歷的區域,和用來顯示與前述分析項目對應的監控資料之區域。
依據本揭示,可以順利地進行發出警報之後的故障排除,減少停機時間且有助於提升生產性。
1:基板處理裝置
200:控制系統
201:裝置控制器
211:溫度控制用控制器
212:壓力控制用控制器
213:機器人控制用控制器
214:氣體流量控制用控制器
214:MFC控制器
215:泵控制器
220:裝置控制控制部
222:裝置控制記憶部
227:操作顯示部
[圖1]本揭示之一實施形態中優選使用的基板處理裝置的立體圖。
[圖2]本揭示之一實施形態中優選使用的基板處理裝置的側面剖視圖。
[圖3]表示本揭示之一實施形態中優選使用的控制系統之功能構成的圖。
[圖4]表示本揭示之一實施形態中優選使用的裝置控制器之功能構成的圖。
[圖5]表示本揭示之一實施形態之警報分析處理之邏輯的流程圖。
[圖6]表示本揭示之一實施形態之警報分析表格之例的圖。
[圖7]表示本揭示之一實施形態之警報原因分析及表格之例的圖。
[圖8]表示本揭示之一實施形態之每個分析項目之原因順位之例的圖。
[圖9]表示本揭示之實施例的FT因子圖之例的圖。
[圖10]表示本揭示之實施例的曲線之例的圖。
[圖11]表示本揭示之實施例的曲線之例的圖。
[圖12]表示本揭示之實施例的曲線之例的圖。
[圖13]表示本揭示之實施例的警報履歷及各曲線之顯示畫面之例的圖。
[圖14]表示本揭示之實施例的警報履歷及各曲線之顯示畫面之例的圖。
以下,參照圖面並說明本揭示之一實施形態。首先,在圖1、圖2中說明本揭示實施的基板處理裝置1。
基板處理裝置1具備框體2,在該框體2之正面壁3之下部以能夠維護的方式設置正面維護口4作為開口
部,該正面維護口4係藉由正面維護門5進行開啟/關閉。
在框體2之正面壁3設置有連通框體2之內外的收納盒(Pod)搬出入口6,收納盒搬出入口6由前擋板7進行開啟/關閉,在收納盒搬出入口6之正面前方側設置有裝載埠8,該裝載埠8以與載置的收納盒9成為對準位置的方式而構成。
該收納盒9,係密閉式之基板搬送容器,藉由未圖示的工程內搬送裝置被搬入裝載埠8上,或從該裝載埠8上被搬出。
在框體2內之前後方向之大致中央部中的上部,設置有旋轉式收納盒貨架11,該旋轉式收納盒貨架11係以收納多個收納盒9的方式而構成。
旋轉式收納盒貨架11具備垂直豎立並間歇旋轉的支柱12,及在該支柱12在上、中、下段之各位置處被支撐成放射狀的多段之貨架板13,該貨架板13係以載置有多個前述收納盒9的狀態下進行收納而構成。
在旋轉式收納盒貨架11的下方設置有收納盒開啟器14,該收納盒開啟器14具有載置收納盒9,且能夠開啟/關閉該收納盒9之蓋部的構成。
在裝載埠8與旋轉式收納盒貨架11、收納盒開啟器14之間設置有收納盒搬送機構(容器搬送機構)15,該收納盒搬送機構15保持收納盒9且能夠升降,可以在水平方向進退,以在裝載埠8、旋轉式收納盒貨架11、收納盒開啟器14之間搬送收納盒9的方式而構成。
在框體2內之前後方向之大致中央部中的下部遍及後端而設置有子框體16。在該子框體16之正面壁17,將一對基板搬出入口19在垂直方向並列為上下2段設置以便將晶圓(以下稱為基板)18搬出入子框體16內,與上下段之基板搬出入口19對應地分別設置有收納盒開啟器14。
該收納盒開啟器14具備載置收納盒9的載置台21,及開啟/關閉收納盒9之蓋部的開啟/關閉機構22。構成為,收納盒開啟器14係藉由開啟/關閉機構22來開啟/關閉載置台21上載置的收納盒9之蓋部,從而開啟/關閉收納盒9之基板出入口。
子框體16收納盒構成移送室23,該移送室23從配設有搬送機構15或旋轉式收納盒貨架11的空間(收納盒搬送空間)氣密。在該移送室23之前側區域設置有基板移送機構24,該基板移送機構24具備載置基板18的所需片數(圖示中為5片)之基板載置板25,該基板載置板25可以在水平方向直接移動,可以在水平方向旋轉,或可以升降。構成為,基板移送機構24相對於晶舟26裝載及卸載基板18。
移送室23之後側區域構成為收容晶舟26並待機的待機部27,在該待機部27之上方設置有縱型之處理爐28。該處理爐28的內部形成處理室29,且該處理室29之下端部成為爐口部,該爐口部由爐口開閉器31進行開啟/關閉。
在框體2之右側端部與子框體16之待機部27之右側端部之間設置有使晶舟26升降的晶舟升降器32。在與該晶舟升降器32之升降台連結的手臂33以水平方式安裝有作為蓋體之密封蓋34,該密封蓋34垂直地支撐晶舟26,在該晶舟26被載入處理室29的狀態下可以將爐口部氣密地閉塞。
晶舟26構成為將多片基板18對齊其中心並以水平姿勢多段進行保持。
在與晶舟升降器32側對向的位置處配置有潔淨單元35,該潔淨單元35係由風扇及防塵過濾器構成,可以供給清淨化的氛圍或作為惰性氣體的潔淨空氣36。在基板移送機構24與潔淨單元35之間設置有整合基板18之圓周方向之位置的作為基板校準裝置之缺口對準裝置(未圖示)。
構成為,從潔淨單元35吹出的潔淨空氣36流過缺口對準裝置(未圖示)及基板移送機構24、晶舟26之後,藉由未圖示的管路吸入並排放到框體2之外部,或者藉由潔淨單元35吹入移送室23內。
接著,對前述基板處理裝置1的作動進行說明。
當收納盒9被供給至裝載埠8時,藉由前擋板7開啟收納盒搬出入口6。藉由收納盒搬送機構15使裝載埠8上之收納盒9通過收納盒搬出入口6搬入框體2之內部,並載置於旋轉式收納盒貨架11的指定的貨架板13。收納盒9
被旋轉式收納盒貨架11暫時性保管之後,藉由收納盒搬送機構15從貨架板13搬送到任一方之收納盒開啟器14並移送到載置台21,或者從裝載埠8直接移送到載置台21。
此時,藉由開啟/關閉機構22關閉基板搬出入口19,潔淨空氣36流通並充滿移送室23。例如藉由將作為潔淨空氣36的氮氣體充滿移送室23,而將氧濃度設為遠低於框體2之內部(大氣氛圍)之氧濃度的20ppm以下。
載置於載置台21的收納盒9其開口側端面被壓在子框體16之正面壁17中的基板搬出入口19之開口緣邊部之同時,其蓋部藉由開啟/關閉機構22被移除,晶圓出入口被開啟。
收納盒9藉由前述收納盒開啟器14開啟後,藉由基板移送機構24從收納盒9取出基板18並移送至缺口對準裝置(未圖示),在該缺口對準裝置進行基板18之校準之後,基板移送機構24將基板18搬入位於移送室23之後方的待機部27,裝載(Charging)到晶舟26。
將基板18傳遞到該晶舟26之後,基板移送機構24返回至收納盒9並將次一基板18裝載到晶舟26。
在藉由一方(上段或下段)之收納盒開啟器14中的基板移送機構24將基板18裝載到晶舟26的作業中,藉由收納盒搬送機構15從旋轉式收納盒貨架11將另一收納盒9移送至另一方(下段或上段)之收納盒開啟器14,同時進行基於另一方之收納盒開啟器14的收納盒9之開啟作業。
多片基板18裝載到晶舟26之後,被爐口開閉
器31關閉的處理爐28之爐口部藉由爐口開閉器31被開啟。接著,藉由晶舟升降器32上升晶舟26,並搬入(Loading(載入))處理室29。
載入處理室29之後藉由密封蓋34氣密地閉塞爐口部。另外,本實施形態中具有,在該時刻中(Loading後)將處理室29替換為惰性氣體的淨化工程(預淨化工程)。
以處理室29成為需要之壓力(真空度)的方式藉由氣體排氣機構(未圖示)實施真空排氣。又,以處理室29成為需要之溫度分布的方式藉由加熱器驅動部(未圖示)加熱至預定溫度。
又,藉由氣體供給機構(未圖示)供給控制為預定流量的處理氣體,處理氣體流通在處理室29的過程中與基板18的表面接觸,在基板18的表面上實施預定的處理。此外,反應後之處理氣體藉由氣體排氣機構從處理室29排出。
經過事先設定的處理時間之後,藉由氣體供給機構從惰性氣體供給源(未圖示)供給惰性氣體,將處理室29替換為惰性氣體的同時,使處理室29之壓力回復常壓(後淨化工程)。接著,藉由晶舟升降器32並透過密封蓋34使晶舟26下降。
處理後之基板18之搬出,係藉由和上述說明相反之順序,將基板18及收納盒9輸送至前述框體2之外部。未處理之基板18進一步被裝載到前述晶舟26,重複進行基板18之批次處理。
接著,參照圖3針對以作為操作部之裝置控制器201為中心的控制系統200的功能構成進行說明。如圖3所示,控制系統200具備:裝置控制器201;溫度控制用控制器211;壓力控制用控制器212;機器人控制用控制器213;MFC控制器214;及泵控制器215。此外,裝置控制器201作為資料收集控制器而發揮功能。裝置控制器201收集在基板處理裝置1中生成的裝置資料,並監控該裝置資料之健全性。
此處,裝置資料包含:基板處理裝置1處理基板18時之處理溫度、處理壓力、處理氣體之流量等與基板處理相關的資料(例如實測值等),或與製品基板之品質相關的資料(例如成膜的膜厚、及該膜厚之累計值等),或與基板處理裝置1的構成元件(例如石英反應管、加熱器、閥、MFC等)相關的資料(例如設定值、實測值、使用次數、使用時間等)這樣地在基板處理裝置1處理基板18時藉由使各構成元件動作而產生的監控資料,此外,包含在基板處理裝置1中產生的各種各樣的與裝置事件相關的事件資料。例如事件資料中包含產生各種各樣的警報的警報資訊。
此外,預定間隔之實測值資料例如配方開始至結束為止之作為預定間隔(1秒等)資料之原始波形資料,或在配方內之各步驟中對預定間隔之實測值資料進行
加工而作成的統計量資料,有時作為配方執行中收集的資料並將其稱為製程資料(process data)。該製程資料包含於裝置資料中。此外,統計量資料中包含最大值、最小值、平均值等。此外,未執行配方時例如基板未投入到裝置的閒置時生成的各種各樣的裝置事件之表示用的事件資料亦包含於裝置資料中。作為事件資料例如包含有用來表示維護履歷的資料。
裝置控制器201例如藉由100BASE-T等之LAN(Local Area Network(區域網路))電連接到溫度控制用控制器211、壓力控制用控制器212、機器人控制用控制器213、MFC控制器214、及泵控制器215,因此構成為能夠進行各裝置資料之發送/接收或各檔案之下載及上傳等。
在裝置控制器201設置有可以插入和移除外部記憶裝置之記錄媒體(例如USB記憶體等)的作為安裝部之埠。在裝置控制器201安裝有與該埠對應的OS(Operation System(操作系統))。此外,裝置控制器201例如經由通訊網路連接到主機電腦或管理裝置。因此即使基板處理裝置1設置在無塵室內之情況下,主機電腦亦可以配置在無塵室外之事務所等。此外,構成為,管理裝置經由LAN線路連接到基板處理裝置1,具有從裝置控制器201收集裝置資料的功能亦可。
裝置控制器201構成為收集裝置資料,將裝置的運轉狀態量化並顯示於畫面。此外,裝置控制器201構成為執行各功能。裝置控制器201的詳細的說明如後
述。
溫度控制用控制器211連接到主要由加熱器及溫度感測器等構成的加熱機構。溫度控制用控制器211構成為,藉由控制處理爐28之加熱器之溫度來來調節處理爐28內之溫度。另外,溫度控制用控制器211構成為,控制閘流體之開/關(on/off),並控制供給至加熱絲的電力。
壓力控制用控制器212連接到主要由壓力感測器、作為壓力閥之APC閥及真空泵之構成。壓力控制用控制器212構成為,根據壓力感測器檢測到的壓力值,使處理室29內之壓力在期待之時刻成為期待之壓力的方式,來控制APC閥之開度及真空泵之開/關(on/off)。
機器人控制用控制器213連接到主要由遮光感測器及機器人構成的機器人機構。機器人控制用控制器213構成為,根據遮光感測器檢測到的感測器資訊來控制機器人。
MFC控制器214係由MFC(MASS Flow Controller(質量流量控制器))構成。
溫度控制用控制器211、壓力控制用控制器212、機器人控制用控制器213、及MFC控制器214之各個構成為,除了各自的控制以外,可以將狀態、表示基於感測器資訊檢測到的障害的警報、或以連接的各感測器之值作為監控資料並即時報告給裝置控制器201。
泵控制器215連接到泵機構。泵控制器215構成為控制泵機構,並且可以將表示基於感測器資訊檢測到
的障害的警報、泵狀態、電流值、旋轉數、背壓等之監控資料即時報告給裝置控制器201。
另外,本實施形態的裝置控制器201、溫度控制用控制器211、壓力控制用控制器212、機器人控制用控制器213、MFC控制器214、及泵控制器215可以使用一般之電腦系統來實現,不必使用專用之系統。例如藉由從儲存有執行上述處理的程式的記錄媒體(軟碟、CDROM、USB記憶體等)將該程式安裝到泛用電腦,可以構成執行預定處理的各控制器。
供給彼等程式的手段可以是任意。除了上述這樣地可以透過預定的記錄媒體供給以外,例如經由通訊線路、通訊網路、通訊系統等進行供給亦可。該情況下,例如將該程式發佈到通訊網路之布告欄,經由網路將該程式疊加到載波來提供亦可。接著,在OS之控制下啟動以這種方式提供的程式,和其他應用程式同樣地執行,由此可以執行預定的處理。
接著,參照圖4說明裝置控制器201的構成。
裝置控制器201構成為包含:裝置控制控制部220;作為硬碟的裝置控制記憶部222;操作顯示部227,其包含顯示各種資訊的顯示部及接受來自操作者之各種指示的輸入部;及與基板處理裝置1的內部和外部通訊的裝置控制通訊部228。此處,操作者除了裝置操作員
以外,亦包含裝置管理者、裝置工程師、維修人員、作業人員。裝置控制控制部220係包含作為處理部之CPU(中央處理裝置)224或作為暫時記憶部之記憶體(RAM、ROM等)226,且作為具備時鐘功能(未圖示)的電腦而構成。
在裝置控制記憶部222儲存著以下檔案:針對基板之處理條件及處理順序進行定義的配方等之各配方檔案、用來執行彼等各配方檔案的控制程式檔案、針對用來執行配方的參數進行定義的參數檔案、誤差處理程式檔案及誤差處理之參數檔案,另外還儲存著:包含用來輸入製程參數的輸入畫面的各種畫面檔案、各種圖標檔案等(都未圖示)。
此外,在裝置控制記憶部222分別記憶有:包含從各控制器輸出的感測器資訊的監控資料,及用來表示各控制器根據感測器資訊檢測到的障害的警報之警報履歷。此外,在裝置控制記憶部222分別記憶有後述之警報分析表格及警報原因調查表格。
此外,在操作顯示部227之操作畫面可以設置作為輸入部之各操作按鈕,供作為輸入對基板搬送系統或基板處理系統的動作指示。
操作顯示部227構成為將供作為操作基板處理裝置1的操作畫面予以顯示。操作顯示部227將基於經由操作畫面而在基板處理裝置1內生成的裝置資料的資訊顯示於操作畫面。操作顯示部227之操作畫面例如為使用液晶的觸控面板。操作顯示部227接受作業人員從操作畫面
輸入的資料(輸入指示),並將輸入資料傳送至裝置控制器201。此外,操作顯示部227構成為,接受指示(控制指示)以便執行在記憶體(RAM)226等被展開的配方、或儲存在裝置控制記憶部222的多個配方之中任意之基板處理配方(製程配方(process recipe)),並將其傳送至裝置控制控制部220。
此外,操作顯示部227將基板處理裝置1內生成的事件資料之中包含警報ID的警報資訊顯示於操作畫面,該警報ID供作為確定表示控制器檢測到的障害的警報之種類。此外,藉由來自操作畫面的作業人員之輸入資料(輸入指示),操作顯示部227接受包含警報ID的警報之原因分析要求。
另外,本實施形態中構成為,當裝置控制器201起動時,藉由執行各種程式等而將,儲存的各畫面檔案及資料表格展開,藉由讀取裝置資料而將表示裝置的運轉狀態之各畫面顯示於操作顯示部227。
裝置控制通訊部228連接到交換集線器等。裝置控制器201構成為,經由網路可以與外部之電腦或基板處理裝置1內之其他控制器(溫度控制用控制器211、壓力控制用控制器212、機器人控制用控制器213、MFC控制器214、及泵控制器215)進行各種資料之發送/接收。
當從操作顯示部227接受到警報之原因分析要求時,裝置控制控制部220確定用來分析該警報之原因的分析項目之候選者,並從裝置控制記憶部222根據候選
者列出的候選者之數量來獲取與已確定的分析項目對應的監控資料,並將用於顯示與已確定的分析項目對應的監控資料之顯示畫面輸出至操作顯示部227。
此外,裝置控制器201經由未圖示的網路對外部之上位電腦傳送基板處理裝置1的狀態等的裝置資料。另外,基板處理裝置1的基板處理,係由控制系統200根據記憶在裝置控制記憶部222的各配方檔案、各參數檔案等進行控制。
接著,對使用本實施形態的基板處理裝置1實施的具有預定的處理工程的基板處理方法進行說明。此處,預定的處理工程係舉出實施半導體零組件之製造工程之一工程的基板處理工程(此處為成膜工程)之例。
基板處理工程之實施時,與應實施的基板處理對應的基板處理配方(製程配方)例如被展開到機器人控制用控制器213內之RAM等之記憶體。接著,必要時,從裝置控制器201對機器人控制用控制器213給予動作指示。以這種方式實施的基板處理工程至少具有搬入工程、成膜工程、搬出工程、回收工程。
從裝置控制器201對機器人控制用控制器213發送基板移送機構24之驅動指示。接著,根據機器人控制用控制器
213之指示,基板移送機構24開始從載置台21上之收納盒9將基板18移送至晶舟26的處理。該移送處理進行直至預定的全部基板18裝載到晶舟26而結束。
基板18裝載到晶舟26時,藉由根據來自機器人控制用控制器213之指示而動作的晶舟升降器32使晶舟26上升,並將其載入處理爐28內處理室29(晶舟載入)。晶舟26完全載入後,晶舟升降器32之密封蓋34將處理爐28之歧管之下端氣密地閉塞。
之後,處理室29內依據來自壓力控制用控制器212之指示,而且以成為預定的成膜壓力(真空度)的方式藉由真空排氣裝置實施真空排氣。此外,處理室29內依據來自溫度控制用控制器211之指示,而且以成為預定的溫度的方式藉由加熱器進行加熱。接著,依據來自機器人控制用控制器213之指示,開始基於旋轉機構的晶舟26及基板18之旋轉。接著,維持在預定的壓力、預定的溫度的狀態下對晶舟26所保持的多片基板18供給預定的氣體(處理氣體),對基板18進行預定的處理(例如成膜處理)。
當結束晶舟26內載置的基板18的成膜工程後,依據來
自機器人控制用控制器213之指示,並且在之後停止基於旋轉機構的晶舟26及基板18之旋轉,藉由晶舟升降器32下降密封蓋34開啟歧管之下端,並且將保持有處理完畢之基板18的晶舟26搬出到處理爐28之外部(晶舟載出)。
接著,藉由潔淨單元35吹出的潔淨空氣36非常有效地冷卻保持有處理完畢之基板18的晶舟26。接著,例如冷卻至150℃以下時,從晶舟26搬出處理完畢之基板18並移送至收納盒9之後,進行將新的未處理基板18移送到晶舟26。
接著,主要參照圖5說明裝置控制器201執行的警報分析處理之處理流程。警報分析處理,係在構成基板處理裝置1的元件中產生故障等之障害,基板處理裝置1成為運轉停止時,各控制器根據感測器資訊檢測到該故障等之障害,將表示該障害的警報輸出,並接受到包含該警報之警報ID的警報之原因分析要求時被執行。
首先,裝置控制器201從接受到的分析對象之警報之原因分析要求中獲取警報ID,並且從裝置控制記憶部222中所儲存且以時序列顯示有產生了警報之產生時刻、警報
ID、警報種類的警報履歷一覧表格(參照圖13)獲取與已獲取的警報ID對應的警報之產生時刻。圖13中示出警報履歷資訊,其中記錄有警報產生的日期和時間、警報ID、及訊息(警報種類)之各項目。
接著,裝置控制器201從裝置控制記憶部222中儲存的警報分析表格,檢索與已獲取的警報ID相關的資料之有無。
例如如圖6所示警報分析表格被儲存在裝置控制記憶部222中。圖6中示出的警報分析表格之例中記錄有:對警報進行辨識的警報ID;項目數,其表示在對該警報ID所表示的警報之原因進行分析時使用的分析項目之數目;及用來確定該分析項目的分析項目No.(分析項目號碼)。
當與已獲取的警報ID相關的資料存在於裝置控制記憶部222中儲存的警報分析表格內時,裝置控制器201移行至步驟S104。另一方面,當與已獲取的警報ID相關的資料不存在於裝置控制記憶部222中儲存的警報分析表格內時,裝置控制器201結束警報分析處理。
接著,裝置控制器201將表示分析完畢之分析項目之數目的計數器之值清除,重置為0。
接著,裝置控制器201判斷計數器之值與上述步驟S102中檢索到的資料中包含的「項目數」是否一致。當計數器之值與該「項目數」一致之情況下,移行至步驟S114。另一方面,若計數器之值與該「項目數」不一致之情況下,移行至步驟S108。
接著,裝置控制器201一個個地獲取在上述步驟S102中檢索到的資料中包含的「分析項目No.」。
接著,裝置控制器201參照裝置控制記憶部222中儲存的如圖7所示警報原因調查表格,進行與上述步驟S108中獲取的「分析項目No.」對應的原因分析處理,並從裝置控制記憶部222中獲取在上述步驟S100中獲取的警報產生時刻前後與該「分析項目No.」對應的監控資料。
圖7中示出之例為,在警報原因調查表格中按照每一個分析項目No.儲存有與原因分析處理相關的資料,該原因分析處理係用來確定獲取與該分析項目No.對應的監控資料的處理者。
接著,裝置控制器201將表示分析完畢之分析項目之數目的計數器之值加1並更新計數器。
接著,裝置控制器201將顯示畫面顯示於操作顯示部227,在該顯示畫面具有的顯示區域至少顯示:包含上述步驟S100中獲取的警報履歷的警報資訊;和曲線,其用來表示上述步驟S110中獲取的每一個「分析項目No.」之監控資料。
在曲線之顯示時,係將與監控資料相關的異常判斷用的臨界值及警報產生時點進行顯示。另外,臨界值存在與監控資料相關的臨界值、和與監控資料之標準值之間的乖離相關的臨界值。
此外,針對每一個「分析項目No.」決定原因順位(參照圖8),並將決定的原因順位和曲線同時進行顯示。在原因順位之決定處理中,係將警報產生時刻之監控資料與臨界值進行比較,或將警報產生時刻之監控資料中與標準值之間之偏離與臨界值進行比較。此時,若存在超出臨界值者則將該分析項目之原因順位決定為1位。若存在未超出臨界值但接接近臨界值的分析項目,則將該分析項目之原因順位決定為2位。針對不接近臨界值的分析項目,則將該分析項目之原因順位決定為3位以後。此外,任一分析項目都不接近臨界值之情況下,針對每個分析項目將其設為無順位。
圖8中示出之例,係將「分析項目No.」為「15」之分析項目的原因順位決定為1位,將「分析項目No.」為「4」之分析項目的原因順位決定為2位,將「分析項目No.」為「39」之分析項目的原因順位決定為3位,將「分析項目No.」為「10」之分析項目的原因順位決定為4位。
接著,說明根據如圖9所示FT(Fault Tree(故障樹))因子圖來製作警報分析表格之例。具體言之為,圖9中示出警報種類(相當於(警報代碼(Alarm Code)分類)為基於MFC(質量流量控制器)之氣體流量偏差誤差的警報(以下稱為MFC偏差警報。)時之FT因子圖。
圖9中,針對警報種類為MFC偏差警報時之因子分析定義有「MFC故障」、「供給氣體壓不足」、「零點偏移」、「閥模式(Valve Pattern)設定錯誤」。針對作為該MFC偏差警報之因子分析用的個別提供資訊則定義有,對「MFC故障」進行分析的「元件使用次數」、對「供給氣體壓不足」進行分析的「AUX(每日檢查)」、對「零點偏移」進行分析的「該MFC跟蹤日誌」、對「閥模式設定錯誤」進行分析的「該配方和步驟」。此外,作為共通提供資訊則定義有「該警報履歷」、「該跟蹤日誌」,此處,「共通提供資訊」表示與警報種類無關共通使用在因子分析的資料,「個別提供資訊」表示使用在確
定之警報種類之因子分析的資料。
此處,「元件使用次數」係表示該MFC之使用次數。「AUX(每日檢查)」表示與基板處理裝置1的製程無直接關係的供給氣體之壓力或冷卻水之流量等裝置附帶機器之感測器值。
「該MFC跟蹤日誌」係表示該MFC之流量值。「該配方和步驟」係表示,構成為了實施成膜而作成的製程配方的多個步驟之各個步驟中的氣體、壓力、溫度、閥等進行成膜時必要的設定值。另外,於畫面顯示中顯示彼等設定值亦可。藉此,在產生警報的該步驟中可以確認有無設定錯誤。
此外,「該警報履歷」表示在一定期間內將基板處理裝置1中產生的全部警報記錄作為履歷。此外,「該跟蹤日誌」表示在一定期間內將氣體(MFC流量監控值)、壓力(壓力計監控值)、溫度等之與成膜有直接關係的資料按照時序列記錄。
本實施例中,裝置控制記憶部222還具有與前述每一警報ID對應而事先作成的多個FT因子圖,當接受到原因分析要求時,裝置控制器201從裝置控制記憶部222檢索與包含於原因分析要求的警報ID對應的前述FT因子圖。裝置控制器201構成為根據檢索到的FT因子圖來作成警報分析表格、警報原因調查表格。
藉由以上,針對MFC偏差警報的分析項目,例如設為有該MFC之元件使用次數、該MFC之供給氣體之
壓力值、及該MFC之流量值。
當接受到包含MFC偏差警報之警報ID的警報之原因分析要求時,以下的3個資料被顯示於畫面。
第一,顯示如圖10所示的表示該MFC之使用次數之監控資料的曲線。圖10中示出將警報之產生時點至預定期間前之每日的該MFC之使用次數之累計值之變化、警報之產生時點、異常判斷時之臨界值、以及與該臨界值之間之乖離數同時進行顯示之例。另外,將MFC極限使用次數設定為臨界值,該臨界值之乖離數被顯示為至極限使用次數為止之剩餘次數。此外,可以不根據每日而根據處理批次單位來顯示該MFC之使用次數之累計值之變化。藉由該曲線可以顯示在到達臨界值前MFC變為異常的可能性。
第二,顯示如圖11所示的表示該MFC之供給氣體之壓力值之監控資料的曲線。圖11中示出之例係將警報之產生時點至預定期間前的每日的該MFC之供給氣體之最低壓力值、和警報之產生時點、和異常判斷時的臨界值、和與該臨界值之間的乖離值同時進行顯示。另外,與該MFC之供給氣體之壓力值相關的臨界值被設定為臨界值。此外,可以不根據每日而根據處理批次單位來顯示該MFC之供給氣體之最低壓力值。此外,針對接近臨界值的供給氣體之壓力值的個數進行檢索,並在曲線上強調顯示該部位亦可。藉由該曲線可以顯示出由於客戶設備之情況而暫時性降低了供給氣體之壓力值的可能性存在。
第三,顯示如圖12所示的表示該MFC之氣體流量值之監控資料的曲線。圖12中示出之例係將警報之產生時點至預定批次數前的每一處理批次之該MFC之氣體流量值、和警報之產生時點、設定值、和與設定值對應的異常判斷時的臨界值同時進行顯示。另外,將控制該MFC的步驟之氣體流量值顯示為氣體流量值。從該曲線可以顯示出實測值與設定值乖離的程度。此外,亦可以顯示出隨著重複進行批次處理的每一次零點偏移逐漸累計,作為基準的氣體流量值會上升或下降,最終成為偏差誤差。
如上所述,根據指定的警報和其產生時刻來選擇對於該警報的分析項目之監控資料(氣體、壓力、溫度等之中之任一),自警報產生時點至預定期間前以曲線進行顯示。藉此,例如在MFC偏差警報時,可以判別是屬於氣體流量值逐漸變化或是突發性變化。
另外,如上所述,針對每個分析項目預先設定警報的發出臨界值,在超過臨界值的情況下,在上述MFC偏差警報之前發出該分析項目的警報,操作員能夠明確地判斷其原因。另一方面,如果還沒有發出與該分析項目有關的警報,則程式分析在臨界值附近是否存在實測值,並按照出現異常的可能性從高到低的順序決定並顯示分析項目的順位。
例如如圖13所示,將監控資料超出臨界值的分析項目「MFC氣體流量值」決定為1位,將未超出臨界值但接近臨界值的分析項目「MFC使用次數」、「MFC供
給壓力」決定為2位並進行顯示。
如上所述,即使未到達警報臨界值之情況下,但到達相對於臨界值事先決定的任意之值(例如臨界值之90%)的分析項目,或偏離設定值之乖離值超出事先決定的任意之值(例如設定值之80%)而被認定為異常的分析項目等存在多個分析項目之情況下,可以彼等分析項目設為同順位並進行顯示。
另外,若全部分析項目的警報產生因子都是高準確性時,可以將全部分析項目決定為1位並進行顯示。另一方面,全部分析項目的警報因子都是高準確性時,不附加順位而進行顯示。藉由顯示警報產生因子低的結果可以減少操作員浪費在調査的時間,可以將時間分配給未知之因子調査。
此外,在如圖13所示的警報履歷一覧表格包含第1號之MFC之偏差警報的產生。因此,在圖13中,在以曲線顯示與該MFC之偏差警報對應的裝置資料的區域中,將與該警報對應的分析項目「MFC使用次數」和分析項目「MFC供給壓力」設為警報產生因子之2位,並將與「MFC使用次數」和「MFC供給壓力」分別對應的監控資料的時序列以曲線進行顯示,將與該警報對應的分析項目「MFC氣體流量值」設為警報產生因子之1位,並將表示「MFC氣體流量值」的監控資料之時序列以曲線予以顯示。
接著,說明產生壓力偏差誤差時之例。
作為針對壓力偏差警報的分析項目,例如設定為處理室29內之壓力值、APC閥之使用次數、及泵異常(泵電流值、泵旋轉數、泵背壓)。
當接受到包含壓力偏差誤差引起的警報(以下稱為壓力偏差警報)之警報ID的警報之原因分析要求時,將以下的3個資料顯示於畫面。
第一,顯示如圖14所示的表示處理室29內之壓力值的曲線。圖14中示出的例係同時顯示警報之產生時點至預定期間前的每一批次處理之最低壓力值之變化、和警報之產生時點、和壓力值之設定值、和相對於該設定值的異常判斷時的臨界值。
第二,顯示表示泵電流值、泵旋轉數、泵背壓的曲線。圖14中示出的例係顯示警報之產生時點至預定期間前的每個時刻之值之變化。另外,泵電流值、泵旋轉數、及泵背壓各自連續5次超出3σ值或連續5次低於-3σ值時,發出警報。
第三,顯示表示APC閥之使用次數之監控資料的曲線。圖14中示出的例係同時顯示警報之產生時點至預定期間前的每日的APC閥之使用次數之累計值之變化、和警報之產生時點、和異常判斷時的臨界值、和偏離該臨界值之乖離數。
此外,圖14所示警報履歷一覧表格中包含壓
力偏差警報之產生。在圖14中示出之例,係在以曲線顯示與該壓力偏差警報對應的裝置資料的區域中,將相對於該警報的分析項目「壓力值」設為警報產生因子之1位,並顯示與「壓力值」對應的監控資料之時序列曲線,將相對於該警報的分析項目「泵異常」設為2位,並顯示與「泵異常」對應的監控資料之時序列曲線,將相對於該警報的分析項目「APC使用次數」設為3位,並顯示與「APC使用次數」對應的監控資料之時序列曲線。
該例中,除了顯示壓力偏差警報之資訊和泵之資訊以外,亦提供給操作員,藉此,可以將視場擴大到基板處理裝置1外部而有助於及早解決。
根據本實施形態可以達成以下所示效果。
在半導體製造裝置中,裝置控制器發出警報之後,操作員為了從該警報來確定原因,而需要依序對相關的事件、監控、警報等進行檢索、分析,這些需要大幅仰賴操作員之熟練度,且是依賴於操作員或警報之內容而非常花費時間之作業。此外,關於泵,最初半導體製造裝置製造商和泵製造商僅交換最小必要的通訊介面,因為係接受客戶個別之選擇並分別設置在客戶端。因此即使在半導體製造裝置側發生與排氣有關的故障時,在解決泵引起的故障或是確定原因候選之對象上也需要花時間。
此處,依據本揭示之實施形態的基板處理裝置,在基板處理裝置中,當發生警報、警告時,藉由從裝置控制器儲存的事件、監控、警報來確定成為警報之原因
的分析項目之候選者,並按照概率高低順序輸出該候選者,可以最大程度排除對操作員熟練度的依賴,可以在短時間排除故障,可以縮短裝置停機時間可以提升生產性。
此外,不必依賴操作員的熟練度且可以排除故障。藉此,可以減少裝置停機時間,有助於基板處理裝置的生產性之提升。此外,關於泵之故障亦可以在基板處理裝置側管理原因探索之範圍,而可以縮短故障排除時間。
另外,本揭示之實施形態中的基板處理裝置,不僅適用在半導體製造裝置,亦適用在LCD(Liquid Crystal Display)裝置這樣處理玻璃基板的裝置。此外,亦適用在曝光裝置、微影成像裝置、塗布裝置、和利用電漿的處理裝置等之各種基板處理裝置。
係與支援並分析裝置中產生的警報之原因的功能有關者,可以適用在各種基板處理裝置。
以下,添加本揭示之較佳態樣。
依據本揭示之一態樣,提供一種包含裝置控制器的基板處理裝置,該裝置控制器具有分別記憶著事先設定的警報分析表格的記憶部,且該警報分析表格係由以下構成:裝置資料,其至少包含包含感測器資訊的監控資料、和用
來表示各控制器依據前述感測器資訊檢測到的障害的警報;警報ID,其用來辨識前述警報;項目數,其表示對該分析警報ID所表示的警報之原因進行分析時的分析項目之數目;及分析項目No.,其用來確定該分析項目;前述裝置控制器構成為,當檢測到前述障害之後輸出前述警報,當接受到包含前述警報ID的前述警報之原因分析要求時,根據前述警報ID來檢索前述警報分析表格,並獲取前述項目數和前述項目No.,根據前述分析項目No.來確定分析前述警報之原因的分析項目,從前述記憶部獲取與分析項目對應的監控資料,該分析項目係由前述項目數定義之數目的前述分析項目No.來確定者,將顯示畫面予以顯示,該顯示畫面分別具有用來顯示前述警報之發生履歷的區域,和用來顯示與前述分析項目對應的監控資料之區域。
如添加1記載之基板處理裝置中,較好是構成為,當接受到前述警報之中表示自裝置的排氣控制不良引起的警報的前述原因分析要求時,作為分析前述警報之原因的分析項目,前述裝置控制器係獲取包含與排氣用的泵有關的感測器資訊的監控資料,並顯示包含前述感測器資
訊的監控資料。
如添加1記載之基板處理裝置中,較好是構成為,前述裝置控制器,使用包含於前述原因分析要求的前述警報ID,來獲取與前述警報ID對應的前述分析項目No.,並確定成為前述警報之原因的項目之候選者。
如添加1記載之基板處理裝置中,較好是構成為,前述記憶部進一步記憶有警報原因調查表格,該警報原因調查表格係用來定義與前述分析項目No.建立了關聯的原因分析處理者,前述裝置控制器,係根據與前述警報ID對應的前述分析項目No.來獲取前述原因分析處理。
如添加4記載之基板處理裝置中,較好是構成為,前述裝置控制器,針對與前述警報ID對應的前述項目數重複獲取與前述分析項目No.建立了關聯的原因分析處理。
如添加3記載之基板處理裝置中,較好是構成為,
前述裝置控制器,係進一步獲取與前述已確定的分析項目之候選者對應的監控資料,針對前述已確定的分析項目之每一候選者將所獲取的監控資料與事先設定的臨界值進行比較,決定前述警報之原因的順位,並將同時顯示前述監控資料和前述順位的顯示畫面予以輸出。
如添加1記載之基板處理裝置中,較好是構成為,前述記憶部,進一步具有針對每個前述警報ID事先作成的多個FT因子圖,當接受到前述警報之原因分析要求時,前述裝置控制器從前述記憶部檢索與包含於前述原因分析要求的前述警報ID對應的前述FT因子圖,根據前述檢索到的前述FT因子圖,來作成前述警報分析表格,和警報原因調查表格,該警報原因調查表格係用來定義與前述分析項目No.建立了關聯的原因分析處理者。
如添加1記載之基板處理裝置中,較好是構成為,前述裝置資料為與對前述處理室之氛圍實施排氣的排氣裝置相關的裝置資料,且是從泵電流、泵旋轉數、泵背壓構成之群中適當選擇的一個以上之裝置資料。
如添加8記載之基板處理裝置中,較好是構成為,當前述泵電流、前述泵旋轉數、前述泵背壓構成之群中至少一個前述裝置資料之平均值連續預定次數偏離前述臨界值時,前述裝置控制器發出警報。
如添加1記載之基板處理裝置中,較好是構成為,進一步至少具備從前述處理室排出氣體的排氣裝置,前述處理室和前述排氣裝置係配置在同一樓層。
依據本揭示之一態樣,提供一種半導體裝置的製造方法,該製造方法具有獲取包含感測器資訊的監控資料並且對基板進行處理的工程,該製造方法包含以下工程:分別記憶事先設定的警報分析表格的工程,且該警報分析表格係由以下構成:裝置資料,其至少包含前述監控資料、和用來表示依據前述感測器資訊檢測到的障害的警報;警報ID,其用來辨識前述警報;項目數,其表示對該分析警報ID所表示的警報之原因進行分析時的分析項目之數目;及分析項目No.,其用來確定該分析項目;檢測前述障害並輸出前述警報的工程;當接受到包含前述警報ID的前述警報之原因分析要求
時,利用前述警報ID來檢索前述警報分析表格,並獲取前述項目數和前述分析項目No.的工程;利用前述分析項目No.來確定對前述警報之原因進行分析的分析項目的工程;獲取與由前述項目數定義之數目的前述分析項目No.所確定的分析項目對應的監控資料的工程;及將顯示畫面予以顯示的工程,該顯示畫面分別具有用來顯示前述警報之產生履歷的區域,和用來顯示與前述分析項目對應的監控資料的區域。
依據本揭示之一態樣,提供一種程式,該程式使具有記憶部的裝置控制器執行以下的順序,該記憶部中分別記憶著事先設定的警報分析表格,該警報分析表格係由以下構成:裝置資料,其至少包含包含感測器資訊的監控資料以及用來表示各控制器依據前述感測器資訊檢測到的障害的警報;警報ID,其用來辨識前述警報;項目數,其表示對該分析警報ID所表示的警報之原因進行分析時的分析項目之數目;分析項目No.,其用來確定該分析項目;將檢測到前述障害的前述警報輸出的順序;當接受到包含前述警報ID的前述警報之原因分析要求時,利用前述警報ID來檢索前述警報分析表格,並獲取前述項目數和前述分析項目No.的順序;利用前述分析項目No.來確定對前述警報之原因進行
分析的分析項目的順序;從前述記憶部獲取與由前述項目數定義之數目的前述分析項目No.所確定的分析項目對應的監控資料的順序;及將顯示畫面予以顯示的順序,該顯示畫面分別具有用來顯示前述警報之產生履歷的區域,和用來顯示與前述分析項目對應的監控資料的區域。
200:控制系統
201:裝置控制器
211:溫度控制用控制器
212:壓力控制用控制器
213:機器人控制用控制器
214:氣體流量控制用控制器
214:MFC控制器
215:泵控制器
Claims (15)
- 一種處理裝置,係包含具有記憶部的裝置控制器者,該記憶部至少記憶有警報分析表格,且該警報分析表格至少包含:裝置資料,其至少包含包含感測器資訊的監控資料、和用來表示依據前述感測器資訊檢測到的障害的警報;及分析項目,其用來對警報之原因進行分析;前述裝置控制器構成為,當檢測到前述障害之後輸出前述警報,前述警報包含:警報ID,其用來確定表示障害之警報的種類;及警報的產生時刻;根據前述警報ID來確定前述分析項目的候選者,並且獲取與已確定的候選者對應的多個監控資料,針對前述已獲取的監控資料與事先設定的臨界值進行比較,根據警報產生時刻的前述監控資料的值與前述臨界值之間的差來決定作為前述警報之原因的順位,並且將前述監控資料的值與前述臨界值之間的關係按時序列顯示在顯示畫面上,該顯示畫面分別具有:用來顯示前述警報之發生履歷的區域,及根據前述順位將前述已獲取的多個監控資料的收集履歷以及前述監控資料的值、前述順位、前述臨界值和前述警報產生時刻同時進行顯示的區域。
- 如請求項1之處理裝置,其中構成為,當前述警報產生時,若存在多個與前述警報有關的裝置資料時,前述裝置控制器係將超出事先設定的 臨界值的裝置資料確定為警報產生的因子。
- 如請求項1之處理裝置,其中構成為,當前述警報產生時,若不存在與超出事先設定的臨界值的前述警報有關的裝置資料時,前述裝置控制器係將接近前述臨界值的裝置資料確定為警報產生的因子。
- 如請求項1之處理裝置,其中構成為,當接受到表示前述警報之中排氣控制不良引起的警報的原因分析要求時,作為分析前述警報之原因的分析項目,前述裝置控制器係獲取包含與排氣用的泵有關的感測器資訊的監控資料,並顯示包含前述感測器資訊的監控資料。
- 如請求項1之處理裝置,其中構成為,前述警報分析表格還包含:警報ID,其用來辨識前述警報;項目數,其表示對該警報ID所表示的警報之原因進行分析時的分析項目之數目;及分析項目No.,其用來確定該分析項目;當接受到包含前述警報ID的前述警報之原因分析要求時,前述裝置控制器係根據前述警報ID來檢索前述警報分析表格,並獲取前述項目數和前述項目No.,並確定成為前述警報之原因的項目的候選者。
- 如請求項5之處理裝置,其中構成為,前述裝置控制器獲取與由前述項目數定義之數目的前述分析項目No.所確定的分析項目對應的監控資 料。
- 如請求項5之處理裝置,其中構成為,還具有:警報原因調查表格,該警報原因調查表格係用來定義與前述分析項目No.建立了關聯的原因分析處理者,前述裝置控制器,係根據與前述警報ID對應的前述分析項目No.來獲取前述原因分析處理。
- 如請求項7之處理裝置,其中構成為,前述裝置控制器係針對與前述警報ID對應的前述項目數重複獲取與前述分析項目No.建立了關聯的原因分析處理。
- 如請求項1之處理裝置,其中前述警報分析表格還包含:警報ID,其用來辨識前述警報;及分析項目No.,其用來確定分析項目,該分析項目用來分析該警報ID所表示的警報之原因;構成為,前述記憶部還具有針對每個前述警報ID事先作成的多個FT因子圖,當接受到前述警報之原因分析要求時,前述裝置控制器係從前述記憶部檢索與包含於前述原因分析要求的前述警報ID對應的前述FT因子圖,根據檢索到的前述FT因子圖來作成前述警報分析表格,和警報原因調查表格,該警報原因調查表格係用來定義與前述分析項目No.建立了關聯的原因分析處理者。
- 如請求項1之處理裝置,其中 前述裝置資料為與對基板進行處理的處理室之氛圍實施排氣的排氣裝置相關的裝置資料,且是從泵電流、泵旋轉數、泵背壓構成之群中適當選擇的一個以上之裝置資料。
- 如請求項10之處理裝置,其中構成為,當前述泵電流、前述泵旋轉數、前述泵背壓構成之群中至少一個前述裝置資料之平均值連續預定次數偏離事先設定的臨界值時,前述裝置控制器發出警報。
- 如請求項10之處理裝置,其中構成為至少還具備:前述處理室,和前述排氣裝置,前述處理室和前述排氣裝置係配置在同一樓層。
- 一種顯示方法,包含以下工程:至少記憶警報分析表格的工程,該警報分析表格至少包含:裝置資料,其至少包含包含感測器資訊的監控資料、和用來表示依據前述感測器資訊檢測到的障害的警報;及分析項目,其用來分析警報之原因;當檢測到前述障害之後輸出前述警報的工程,前述警報包含:警報ID,其用來確定表示障害之警報的種類;及警報的產生時刻;根據前述警報ID來確定前述分析項目的候選者,並且獲取與已確定的候選者對應的多個監控資料,針對前述已獲取的監控資料與事先設定的臨界值進行比較,根據警報產生時刻的前述監控資料的值與前述臨界值之間的差來決定作為前述警報之原因的順位,並且將前述監控資料的值 與前述臨界值之間的關係按時序列顯示在顯示畫面上的工程,該顯示畫面分別具有:用來顯示前述警報之發生履歷的區域,及根據前述順位將前述已獲取的多個監控資料的收集履歷以及前述監控資料的值、前述順位、前述臨界值和前述警報產生時刻同時進行顯示的區域。
- 一種半導體裝置的製造方法,該製造方法包含以下工程:至少記憶警報分析表格的工程,該警報分析表格至少包含:裝置資料,其至少包含包含感測器資訊的監控資料,和用來表示依據前述感測器資訊檢測到的障害的警報;及分析項目,其用來分析警報之原因;當檢測到前述障害之後輸出前述警報的工程,前述警報包含:警報ID,其用來確定表示障害之警報的種類;及警報的產生時刻;根據前述警報ID來確定前述分析項目的候選者,並且獲取與已確定的候選者對應的多個監控資料,針對前述已獲取的監控資料與事先設定的臨界值進行比較,根據警報產生時刻的前述監控資料的值與前述臨界值之間的差來決定作為前述警報之原因的順位,並且將前述監控資料的值與前述臨界值之間的關係按時序列顯示在顯示畫面上的工程,該顯示畫面分別具有:用來顯示前述警報之發生履歷的區域,及根據前述順位將前述已獲取的多個監控資料的收集履歷以及前述監控資料的值、前述順位、前述臨界值和前述警報產生時刻同時進行顯示的區域。
- 一種能夠被執行的用於製造半導體裝置的程式,且該程式係使具有記憶部的裝置控制器執行以下順序者,該記憶部中至少記憶著警報分析表格,該警報分析表格至少包含:裝置資料,其至少包含包含感測器資訊的監控資料,和用來表示依據前述感測器資訊檢測到的障害的警報;及分析項目,其用來分析警報之原因;當檢測到前述障害之後輸出前述警報的順序,前述警報包含:警報ID,其用來確定表示障害之警報的種類;及警報的產生時刻;根據前述警報ID來確定前述分析項目的候選者,並且獲取與已確定的候選者對應的多個監控資料,針對前述已獲取的監控資料與事先設定的臨界值進行比較,根據警報產生時刻的前述監控資料的值與前述臨界值之間的差來決定作為前述警報之原因的順位,並且將前述監控資料的值與前述臨界值之間的關係按時序列顯示在顯示畫面上的順序,該顯示畫面分別具有:用來顯示前述警報之發生履歷的區域,及根據前述順位將前述已獲取的多個監控資料的收集履歷以及前述監控資料的值、前述順位、前述臨界值和前述警報產生時刻同時進行顯示的區域。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011082246A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
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---|---|---|---|---|
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JP2011192931A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造システム |
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