CN114946011A - 处理装置、显示装置、半导体器件的制造方法及程序 - Google Patents

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Abstract

提供一种包含装置控制器的结构，该装置控制器具有存储部，该存储部至少存储装置数据和警报分析表格，其中，该装置数据至少包括包含传感信息的监控数据及表示各控制器基于上述传感信息检测到的障碍的警报，该警报分析表格至少包括用于分析警报的原因的分析项目，上述装置控制器构成为若检测到上述障碍则输出上述警报，能够确定与上述分析项目相对应的监控数据，显示上述警报的发生历史和包含警报发生时的与上述分析项目相对应的监控数据的收集历史。

Description

处理装置、显示装置、半导体器件的制造方法及程序
技术领域
本发明涉及处理装置、显示装置、半导体器件的制造方法及程序。
背景技术
在半导体制造领域中，为了实现装置的运转率和生产效率的提高，进行装置的事故(trouble)的分析和装置的状态监视。作为基本的监视手段，一般使用从半导体制造装置的信息以统计分析技术等检测出装置异常的手段。
例如，关于基板处理装置的生产管理，在专利文献1中，记载了一种对数据的健全性进行管理的方法，在专利文献2中，记载了一种与产生数据异常时的异常分析有关的技术。这些技术是与基板处理装置连接的管理装置对基板处理装置的运转状态进行管理的技术。但是，随着数据量伴随着器件微细化而增加，要求比以往更细致的数据管理，在管理多个基板处理装置的管理装置中，难以进行充分应对。
近年来，谋求不增加器件厂商的负担地在装置侧进行自我监视的生产管理。于是，对于装置厂商，为了紧急确定异常原因、提高装置的运转率而下了各种工夫。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/168676号
专利文献2：日本特开2012-186213号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种顺利地推进发出警报后的故障排除(troubleshooting)、有助于减少停机时间(down-time)而提高生产性的结构。
根据本发明的一个方案，为一种处理装置，包括具有存储部的装置控制器，该存储部至少存储装置数据和警报分析表格，其中，该装置数据至少包括包含传感信息的监控数据及表示各控制器基于上述传感信息检测到的障碍的警报，该警报分析表格至少包括用于分析警报的原因的分析项目，
上述装置控制器构成为，
若检测到上述障碍则输出上述警报，
能够确定与上述分析项目相对应的监控数据，并显示上述警报的发生历史和包含警报发生时的与上述分析项目相对应的监控数据的收集历史。
发明效果
根据本发明，能够顺利地推进发出警报后的故障排除，有助于降低停机时间而提高生产性。
附图说明
图1是表示优选用于本发明的一个实施方式的基板处理装置的立体图。
图2是表示优选用于本发明的一个实施方式的基板处理装置的侧剖视图。
图3是表示优选用于本发明的一个实施方式的控制系统的功能结构的图。
图4是表示优选用于本发明的一个实施方式的装置控制器的功能结构的图。
图5是表示本发明的一个实施方式的警报分析处理的逻辑的流程图。
图6是表示本发明的一个实施方式的警报分析表格的例子的图。
图7是表示本发明的一个实施方式的警报原因追究表格的例子的图。
图8是表示本发明的一个实施方式的每个分析项目的原因序位的例子的图。
图9是表示本发明的实施例的FT主要原因图的例子的图。
图10是表示本发明的实施例的图表的例子的图。
图11是表示本发明的实施例的图表的例子的图。
图12是表示本发明的实施例的图表的例子的图。
图13是表示本发明的实施例的警报历史及各图表的显示画面的例子的图。
图14是表示本发明的实施例的警报历史及各图表的显示画面的例子的图。
具体实施方式
(基板处理装置的概要)
以下，参照附图说明本发明的一个实施方式。首先，在图1、图2中，对实施本发明的作为一种处理装置的基板处理装置1进行说明。此外，以下说明中使用的附图均为示意性的，附图中所示的各要素的尺寸关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图彼此之间也是，各要素的尺寸关系、各要素的比率等也未必一致。
基板处理装置1具备壳体2，在该壳体2的正面壁3的下部开设有以能够实施维护的方式设置的作为开口部的正面维护口4，该正面维护口4由正面维护门5进行开闭。
在壳体2的正面壁3，以将壳体2的内外连通的方式开设有晶片盒搬入搬出口6。晶片盒搬入搬出口6由前闸门7进行开闭。在晶片盒搬入搬出口6的正面前方侧设置有装载埠8。该装载埠8构成为能够将所载置的晶片盒9对位。
该晶片盒9为密闭式的基板搬送容器，通过未图示的工序内搬送装置搬入到装载埠8上，另外从该装载埠8上搬出。
在壳体2内的前后方向的大致中央部处的上部，设置有旋转式晶片盒架11，该旋转式晶片盒架11构成为能够收纳多个晶片盒9。
旋转式晶片盒架11具备垂直地立起设置且间歇旋转的支柱12、和在该支柱12中在上中下层的各位置呈放射状被支承的多层架板13，该架板13构成为能够在载置多个上述晶片盒9的状态下收纳上述晶片盒9。
在旋转式晶片盒架11的下方，设有晶片盒开启器14，该晶片盒开启器14具有载置晶片盒9、另外能够将该晶片盒9的盖开闭的结构。
在装载埠8与旋转式晶片盒架11、晶片盒开启器14之间，设置有晶片盒搬送机构(容器搬送机构)15，该晶片盒搬送机构15能够在保持晶片盒9的状态下进行升降、沿水平方向进退，构成为能够在与装载埠8、旋转式晶片盒架11、晶片盒开启器14之间搬送晶片盒9。
在壳体2内的前后方向的大致中央部处的下部，跨至后端地设有副壳体16。在该副壳体16的正面壁17上开设有一对用于将晶片(以后称为基板)18相对于副壳体16内搬入搬出的基板搬入搬出口19，该一对基板搬入搬出口19在垂直方向上以上下两层排列，针对上下层的基板搬入搬出口19分别设有晶片盒开启器14。
该晶片盒开启器14具备载置晶片盒9的载置台21、和将晶片盒9的盖开闭的开闭机构22。晶片盒开启器14构成为，利用开闭机构22将载置于载置台21的晶片盒9的盖开闭，由此能够将晶片盒9的基板出入口开闭。
副壳体16构成为相对于配置有晶片盒搬送机构15和旋转式晶片盒架11的空间(晶片盒搬送空间)气密的移载室23。在该移载室23的前侧区域设置有基板移载机构24，该基板移载机构24具备载置基板18的所需片数(图示中为5片)的基板载置板25，该基板载置板25能够在水平方向上直线移动，能够在水平方向上旋转，另外能够升降。基板移载机构24构成为能够相对于舟皿26装填及取出基板18。
在移载室23的后侧区域，构成有收容舟皿26并使其待机的待机部27，在该待机部27的上方设有纵型的处理炉28。该处理炉28在内部形成处理室29，该处理室29的下端部成为炉口部，该炉口部构成为由炉口闸门31进行开闭。
在壳体2的右侧端部与副壳体16的待机部27的右侧端部之间设置有用于使舟皿26升降的舟皿升降机32。在该舟皿升降机32的与升降台连结的臂部33，水平地安装有作为盖体的密封盖34，该密封盖34垂直地支承舟皿26，在将该舟皿26装入处理室29的状态下能够将炉口部气密地封堵。
舟皿26构成为能够将多片基板18以其中心对齐的方式且以水平姿势保持为多层。
在与舟皿升降机32侧相对的位置配置有清洁单元35，该清洁单元35由供给风扇及防尘过滤器构成，以供给清洁的环境气体或作为非活性气体的清洁气体36。在基板移载机构24与清洁单元35之间，设置有使基板18的圆周方向上的位置匹配的作为基板匹配装置的缺口对准装置(未图示)。
构成为从清洁单元35吹出的清洁气体36能够在流通过缺口对准装置(未图示)及基板移载机构24、舟皿26后，被未图示的管道吸入，并排出到壳体2的外部，或者由清洁单元35吹出到移载室23内。
接下来，说明上述基板处理装置1的动作。
若晶片盒9被供给到装载埠8，则晶片盒搬入搬出口6通过前闸门7而打开。装载埠8上的晶片盒9由晶片盒搬送机构15通过晶片盒搬入搬出口6搬入到壳体2的内部，并向旋转式晶片盒架11的被指定的架板13载置。在晶片盒9被旋转式晶片盒架11暂时保管后，利用晶片盒搬送机构15从架板13向某一方的晶片盒开启器14搬送并移载到载置台21，或者从装载埠8直接移载到载置台21。
此时，基板搬入搬出口19通过开闭机构22而关闭，使清洁气体36在移载室23中流通并充满。例如，通过在移载室23中作为清洁气体36充满氮气，则氧浓度被设定为20ppm以下，远低于壳体2内部(大气氛围)的氧浓度。
载置于载置台21的晶片盒9的开口侧端面被按压于副壳体16的正面壁17中的基板搬入搬出口19的开口缘边部，并且晶片盒9的盖被开闭机构22拆下，晶片出入口打开。
若晶片盒9通过上述晶片盒开启器14而打开，则基板18可由基板移载机构24从晶片盒9取出，并移送到缺口对准装置(未图示)，在利用该缺口对准装置使基板18匹配后，基板移载机构24将基板18向处于移载室23的后方的待机部27搬入，并装填(装载)到舟皿26。
将基板18交付到该舟皿26后的基板移载机构24返回晶片盒9，将下一个基板18向舟皿26装填。
另一方面，在(上层或下层)的晶片盒开启器14中的利用基板移载机构24向舟皿26装填基板18的装填作业中，利用晶片盒搬送机构15从旋转式晶片盒架11搬送其他晶片盒9并移载到另一方(下层或上层)的晶片盒开启器14，同时进行基于另一方的晶片盒开启器14对晶片盒9的打开作业。
当多个基板18被装填到舟皿26后，由炉口闸门31关闭的处理炉28的炉口部通过炉口闸门31而打开。接着，舟皿26利用舟皿升降机32而上升，被向处理室29搬入(装入)。
在装入后，利用密封盖34将炉口部气密地封堵。此外，在本实施方式中，具有在该时刻(装入后)将处理室29置换成非活性气体的吹扫工序(前吹扫工序)。
以处理室29成为所期望的压力(真空度)的方式利用气体排出机构(未图示)进行真空排气。另外，以处理室29成为所期望的温度分布的方式利用加热器驱动部(未图示)加热至规定温度。
另外，利用气体供给机构(未图示)，供给被控制成规定流量的处理气体，处理气体在流通于处理室29的过程中，与基板18的表面接触，在基板18的表面上实施规定处理。而且，反应后的处理气体被气体排出机构从处理室29排出。
当经过预先设定的处理时间时，利用气体供给机构从非活性气体供给源(未图示)供给非活性气体，处理室29被置换成非活性气体，并且处理室29的压力回复成常压(后吹扫工序)。然后，舟皿26利用舟皿升降机32并经由密封盖34而下降。
关于处理后的基板18的搬出，以与上述说明相反的顺序，将基板18及晶片盒9向上述壳体2的外部送出。进一步将未处理的基板18装填到上述舟皿26，反复进行基板18的批次处理。
(控制系统200的功能结构)
接下来，参照图3，说明以作为操作部的装置控制器201为中心的控制系统200的功能结构。如图3所示，控制系统200具备装置控制器201、温度操纵控制器211、压力操纵控制器212、机械手操纵控制器213、MFC控制器214和Pump控制器215。另外，装置控制器201作为数据收集控制器而发挥功能。装置控制器201收集在基板处理装置1生成的装置数据，并监视该装置数据的健全性。
在此，装置数据包含基板处理装置1处理基板18时的处理温度、处理压力，处理气体的流量等与基板处理有关的数据(例如，实际测量值等)、与制品基板的品质有关的数据(例如，成膜的膜厚及该膜厚的累计值等)、与基板处理装置1的构成部件(例如，石英反应管、加热器、阀、MFC等)有关的数据(例如，设定值、实际测量值、使用次数、使用时间等)那样基板处理装置1处理基板18时通过使各构成部件动作而产生的监控数据，另外，包含与基板处理装置1中产生的各种各样的装置事件有关的事件数据。例如，在事件数据中包含产生各种各样的警报的警报信息。
另外，特定间隔的实际测量值数据，例如，作为从配方(recipe)开始到结束为止的特定间隔(1秒等)数据的原始波形数据、配方内的各步骤中对特定间隔的实际测量值数据进行加工而生成的统计量数据存在作为在执行配方的过程中收集的数据而称为工艺数据的情况。该工艺数据包含于装置数据。此外，在统计量数据中包含最大值、最小值、平均值等。另外，在不执行配方时，例如，未将基板投入到装置的空闲(idle)时生成的表示各种各样的装置事件的事件数据也包含于装置数据。作为事件数据，例如，包含表示维护历史的数据。
装置控制器201通过例如100BASE-T等LAN(Local Area Network)，与温度操纵控制器211、压力操纵控制器212、机械手操纵控制器213、MFC控制器214及Pump控制器215电连接，因此成为能够实现各装置数据的收发和各文件的下载及上传等的结构。
在装置控制器201，设有供作为外部存储装置的记录介质(例如USB存储器等)插拔的作为安装部的端口。在装置控制器201，安装有与该端口对应的OS(Operation System)。另外，在装置控制器201，经由例如通信网络而连接有主机和管理装置。因此，即使在基板处理装置1设置于无尘室内的情况下，主机也能够配置在无尘室外的事务所等。另外，管理装置也可以构成为以LAN线路与基板处理装置1连接，并具有从装置控制器201收集装置数据的功能。
装置控制器201构成为能够收集装置数据并将装置的运转状态量化之后显示于画面。另外，装置控制器201构成为能够执行各功能。关于装置控制器201的详细说明将后述。
在温度操纵控制器211，连接有主要由加热器及温度传感器等构成的加热机构。温度操纵控制器211构成为能够通过控制处理炉28的加热器的温度来调节处理炉28内的温度。此外，温度操纵控制器211进行晶闸管的开关(导通截止)控制，从而能够控制向加热器导线供给的电力。
在压力操纵控制器212，连接有主要由压力传感器、作为压力阀的APC阀及真空泵构成的结构。压力操纵控制器212构成为能够基于由压力传感器检测到的压力值，以处理室29内的压力在所期望的时刻成为所期望的压力的方式，控制APC阀的开度及真空泵的开关(接通断开)。
在机械手操纵控制器213，连接有主要由遮光传感器及机械手构成的机械手机构。机械手操纵控制器213构成为能够基于由遮光传感器检测到的传感信息，来控制机械手。
MFC控制器214由MFC(MASS Flow Controller：质量流量控制器)构成。
温度操纵控制器211、压力操纵控制器212、机械手操纵控制器213及MFC控制器214分别构成为能够实现各自的控制。而且，温度操纵控制器211、压力操纵控制器212、机械手操纵控制器213及MFC控制器214分别构成为能够将状态(status)、表示基于传感信息检测到的障碍的警报、以及所连接的各传感器的值作为监控数据实时地向装置控制器201报告。
Pump控制器215连接有泵机构。Pump控制器215构成为能够控制泵机构，并且将表示基于传感信息检测到的障碍的警报、泵状态、电流值、转速、背压等监控数据实时地向装置控制器201报告。
此外，本实施方式的装置控制器201、温度操纵控制器211、压力操纵控制器212、机械手操纵控制器213、MFC控制器214及Pump控制器215不依赖于专用系统，能够使用通常的计算机系统实现。例如，能够通过从保存有用于执行上述处理的程序的记录介质(软盘、CDROM、USB存储器等)在通用计算机中安装该程序，来构成执行规定处理的各控制器。
并且，用于提供这些程序的手段是任意。除了如上述那样能够借助规定的记录介质提供以外，例如，也可以借助通信线路、通信网络、通信系统等提供。该情况下，例如，可以在通信网络的布告栏上布告该程序，将该程序借助网络叠加于载波而提供。然后，启动这样提供的程序，在OS的控制下，与其他应用程序同样地执行，由此能够执行规定的处理。
(装置控制器201的结构)
接下来，一边参照图4一边说明装置控制器201的结构。
装置控制器201构成为能够包括装置操纵控制部220、作为硬盘的装置操纵存储部222、包含显示各种信息的显示部及从操作者受理各种指示的输入部的操作显示部227、以及与基板处理装置1内外通信的装置操纵通信部228。在此，操作者除了装置操作员以外，还包括装置管理者、装置工程师、维护员、作业者。装置操纵控制部220构成为包括作为处理部的CPU(中央处理装置)224、作为暂时存储部的存储器(RAM、ROM等)226、并能够具有计时功能(未图示)的计算机。
在装置操纵存储部222中，保存有定义了基板的处理条件及处理顺序的配方等各配方文件、用于执行这些各配方文件的控制程序文件、定义了用于执行配方的参数的参数文件，另外，除了错误处理程序文件及错误处理的参数文件以外，还保存有包含输入工艺参数的输入画面的各种画面文件、各种图标文件等(均未图示)。
另外，在装置操纵存储部222中，分别存储有包含从各控制器输出的传感信息的监控数据、以及表示各控制器基于传感信息检测到的障碍的警报的警报历史。另外，装置操纵存储部222分别存储有后述的警报分析表格及警报原因追究表格。
另外，在操作显示部227的操作画面上，也能够设有输入向基板搬送系统和基板处理系统的动作指示的作为输入部的各操作按钮。
构成为能够在操作显示部227上显示用于操作基板处理装置1的操作画面。操作显示部227借助操作画面将基于基板处理装置1内生成的装置数据的信息显示于操作画面。操作显示部227的操作画面是例如使用液晶的触摸面板。操作显示部227从操作画面受理作业者的输入数据(输入指示)，将输入数据发送到装置控制器201。另外，操作显示部227构成为受理用于执行存储器(RAM)226等中展开的配方或装置操纵存储部222中保存的多个配方中的任意的基板处理配方(也称为工艺配方)的指示(控制指示)，并向装置操纵控制部220发送。
另外，操作显示部227将基板处理装置1内生成的事件数据中的、包含用于由控制器对表示所检测到的障碍的警报的种类进行确定的警报ID的警报信息显示到操作画面。另外，操作显示部227根据来自操作画面的作业者的输入数据(输入指示)，受理包含警报ID的警报的原因分析请求。
此外，在本实施方式中，装置控制器201构成为在启动时通过执行各种程序等而展开所保存的各画面文件及数据表格，并读入装置数据。并且，装置控制器201构成为能够在操作显示部227上显示示出装置的运转状态的各画面。
装置操纵通信部228与交换式集线器(Switching Hub)等连接。装置控制器201构成为能够经由网络相对于外部的计算机和基板处理装置1内的其他控制器(温度操纵控制器211、压力操纵控制器212、机械手操纵控制器213、MFC控制器214及Pump控制器215)收发各种数据。
装置操纵控制部220若通过操作显示部227受理警报的原因分析请求，则对分析该警报的原因的分析项目的候选进行确定。装置操纵控制部220从装置操纵存储部222与列为候选的候选数量相应地，获取与确定出的分析项目相对应的监控数据，并将显示与确定出的分析项目相对应的监控数据的显示画面输出到操作显示部227。
另外，装置控制器201经由未图示的网络对外部的上级计算机发送基板处理装置1的状态等装置数据。此外，基板处理装置1的基板处理基于装置操纵存储部222中存储的各配方文件、各参数文件等而由控制系统200控制。
(基板处理方法)
接下来，说明使用本实施方式的基板处理装置1实施的具有规定的处理工序的基板处理方法。在此，规定的处理工序列举实施作为半导体器件的制造工序的一个工序的基板处理工序(在此为成膜工序)的情况为例。
在实施基板处理工序时，例如，在机械手操纵控制器213内的RAM等的存储器中展开与应实施的基板处理相对应的基板处理配方(工艺配方)。并且，根据需要，从装置控制器201对机械手操纵控制器213发出动作指示。这样实施的基板处理工序至少具有移载工序、搬入工序、成膜工序、搬出工序和回收工序。
(移载工序)
从装置控制器201对机械手操纵控制器213发出基板移载机构24的驱动指示。然后，根据来自机械手操纵控制器213的指示，基板移载机构24开始基板18从载置台21上的晶片盒9向舟皿26的移载处理。该移载处理进行至预定的全部基板18向舟皿26的装填完成为止。
(搬入工序)
当基板18向舟皿26装填后，舟皿26通过根据来自机械手操纵控制器213的指示而动作的舟皿升降机32上升，并装入形成于处理炉28内的处理室29(舟皿装载)。当舟皿26完全装入后，舟皿升降机32的密封盖34将处理炉28的歧管的下端气密地封堵。
(成膜工序)
然后，根据来自压力操纵控制器212的指示，以处理室29内成为规定的成膜压力(真空度)的方式利用真空排气装置进行真空排气。另外，根据来自温度操纵控制器211的指示，以处理室29内成为规定的温度的方式利用加热器进行加热。接着，根据来自机械手操纵控制器213的指示，开始基于旋转机构实现的舟皿26及基板18的旋转。然后，在维持为规定的压力、规定的温度的状态下，向保持于舟皿26的多片基板18供给规定气体(处理气体)，在基板18上进行规定处理(例如成膜处理)。
(搬出工序)
当对载置于舟皿26的基板18的成膜工序完成后，根据来自机械手操纵控制器213的指示，然后，使基于旋转机构实现的舟皿26及基板18的旋转停止，利用舟皿升降机32使密封盖34下降而使歧管的下端开口，并且将保持有处理完毕的基板18的舟皿26搬出到处理炉28的外部(舟皿卸载)。
(回收工序)
然后，将保持有处理完毕的基板18的舟皿26利用从清洁单元35吹出的清洁气体36极其有效地冷却。并且，若冷却到例如150℃以下，则从舟皿26卸下处理完毕的基板18并移载到晶片盒9，之后，进行新的未处理基板18向舟皿26的移载。
(警报分析处理)
接下来，主要使用图5说明装置控制器201所执行的警报分析处理的处理流程。在构成基板处理装置1的部件发生故障等障碍而基板处理装置1的运转停止时，各控制器基于传感信息，检测该故障等障碍，并输出表示该障碍的警报。并且，若装置控制器201受理包含该警报的警报ID在内的警报的原因分析请求，则执行警报分析处理。
(警报信息获取工序(S100))
首先，装置控制器201从所受理的分析对象的警报的原因分析请求获取警报ID，并且从装置操纵存储部222中保存的、以时序显示所发生的警报的发生时刻、警报ID、警报类别的警报历史一览表格(参照图13)获取与所获取到的警报ID相对应的警报的发生时刻。在图13中，例示了记录有发生警报的年日时刻、警报ID及消息(警报类别)的各项目的警报历史信息。
(警报分析表格检索工序(S102))
然后，装置控制器201从装置操纵存储部222中保存的警报分析表格，检索有无与所获取的警报ID有关的数据。
例如，图6所示那样的警报分析表格保存于装置操纵存储部222。在图6中，例示了记录有用于识别警报的警报ID、表示为了分析该警报ID所表示的警报的原因而使用的分析项目的数量的项目数、和用于确定该分析项目的分析项目No.(编号)的警报分析表格。
装置控制器201在装置操纵存储部222中保存的警报分析表格内存在与所获取的警报ID有关的数据的情况下，转移到步骤S104。另一方面，装置控制器201在装置操纵存储部222中保存的警报分析表格内不存在与所获取的警报ID有关的数据的情况下，结束警报分析处理。
(计数重置工序(S104))
然后，装置控制器201将表示分析完毕的分析项目的数量的计数值清零，重置为0。
(计数判断工序(S106))
然后，装置控制器201判断计数值是否与在上述步骤S102中检索出的数据所包含的“项目数”一致。在计数值与该“项目数”一致的情况下，转移到步骤S114。另一方面，在计数值与该“项目数”不一致的情况下，转移到步骤S108。
(分析项目编号获取工序(S108))
然后，装置控制器201一个个获取在上述步骤S102中检索出的数据所包含的“分析项目No.”。
(警报原因追究处理工序(S110))
然后，装置控制器201参照装置操纵存储部222中保存的图7所示那样的警报原因追究表格，进行与在上述步骤S108中获取到的“分析项目No.”相对应的原因分析处理。然后，装置控制器201从装置操纵存储部222，针对在上述步骤S100中获取到的警报发生时刻前后获取与该“分析项目No.”相对应的监控数据。
在图7中，例示了在警报原因追究表格中保存有与确定了按每个分析项目No.获取与该分析项目No.相对应的监控数据的处理的原因分析处理有关的数据的例子。
(计数更新工序(S112))
然后，装置控制器201对表示分析完毕的分析项目的数量的计数值加1，更新计数。
(分析结果显示处理工序(S114))
然后，装置控制器201在操作显示部227上显示显示画面，该显示画面具有至少显示包含在上述步骤S100中获取到的警报历史的警报信息、和表示在上述步骤S110中获取到的每个“分析项目No.”的监控数据的图表的区域。
在显示图表时，显示与监控数据有关的用于异常判断的阈值及警报发生时间点。此外，在阈值中，存在与监控数据有关的阈值和与相对于监控数据的标准值的偏离有关的阈值。
另外，按照每个“分析项目No.”，决定原因序位(参照图8)，并将决定出的原因序位与图表一起显示。在原因序位的决定处理中，将警报发生时刻的监控数据与阈值进行比较，将警报发生时刻的监控数据中的相对于标准值的偏离与阈值进行比较。此时，若存在超过阈值的分析项目，则将该分析项目的原因序位决定为第1位。若存在未超过阈值但接近阈值的分析项目，则将该分析项目的原因序位决定为第2位。关于不接近阈值的分析项目，将该分析项目的原因序位决定为第3位及其以后的序位。另外，在任意分析项目均不接近阈值的情况下，对于各分析项目不设序位。
在图8中，例示了对于“分析项目No.”为“15”的分析项目将原因序位决定为第1位、对于“分析项目No.”为“4”的分析项目将原因序位决定为第2位的例子。在图8中，示出了对于“分析项目No.”为“39”的分析项目将原因序位决定为第3位、对于“分析项目No.”为“10”的分析项目将原因序位决定为第4位的例子。
(实施例1)
接下来，说明警报分析表格基于图9所示的FT(Fault Tree：故障树)主要原因图而创建的例子。图9具体示出警报类别(相当于Alarm Code分类)为基于MFC(质量流量控制器)的气体流量偏差错误的警报(以下，称为MFC偏差警报)时的FT主要原因图。
在图9中，作为MFC偏差警报时的主要原因分析，警报类别定义了“MFC故障”、“供给气体压不足”、“零点偏离”、“Valve Pattern(阀模式)设定错误”。作为用于该MFC偏差警报的主要原因分析的单独提供信息，定义了用于分析“MFC故障”的“部件使用次数”、用于分析“供给气体压不足”的“AUX(日常检查)”、用于分析“零点偏离”的“有关MFC追踪日志”、用于分析“Valve Pattern设定错误”的“有关配方&步骤”。另外，作为共同提供信息，定义了“有关Alarm历史”、“有关追踪日志”，在此，“共同提供信息”表示不论警报类别而共同在主要原因分析中使用的数据，“单独提供信息”表示在特定的警报类别的主要原因分析中使用的数据。
在此，“部件使用次数”示出有关MFC的使用次数。“AUX(日常检查)”示出与基板处理装置1的工艺无直接关系的供给气体的压力、冷却水的流量等装置附带设备的传感值。
“有关MFC追踪日志”示出有关MFC的流量值。“有关配方&步骤”示出构成为了实施成膜而创建的工艺配方的多个步骤各自中的气体、压力、温度、阀等进行成膜所需的设定值。此外，在画面显示中，也可以显示这些设定值。由此，能够确认在发生了警报的有关步骤中是否没有设定错误。
另外，“有关Alarm历史”示出将在基板处理装置1中发生的全部警报在一定期间内记录为历史这一情况。另外，“有关追踪日志”示出将气体(MFC流量监控值)、压力(压力计监控值)、温度等与成膜直接相关的数据在一定期间以时序记录这一情况。
在本实施例中，装置操纵存储部222还具有按照每个上述警报ID预先创建的多个FT主要原因图。装置控制器201受理原因分析请求，从装置操纵存储部222检索与原因分析请求中包含的警报ID相对应的上述FT主要原因图。装置控制器201构成为能够基于检索到的FT主要原因图，创建警报分析表格和警报原因追究表格。
通过以上，作为针对MFC偏差警报的分析项目，例如，确定有关MFC的部件使用次数、有关MFC的供给气体的压力值、以及有关MFC的流量值。
并且，若受理包含MFC偏差警报的警报ID的警报的原因分析请求，则以画面显示以下三个数据。
第一，显示图10所示那样的、表示有关MFC的使用次数的监控数据的图表。在图10中，例示了将从警报的发生时间点的规定期间之前开始的、每日的有关MFC的使用次数的累计值的变化与警报的发生时间点、用于异常判断的阈值、以及相对于该阈值的偏离数一起显示的例子。此外，作为阈值，设定了MFC极限使用次数，相对于该阈值的偏离数显示为至极限使用次数为止的剩余次数。另外，也可以不是每日而是以处理批次为单位显示有关MFC的使用次数的累计值的变化。通过该图表，能够显示在到达阈值前MFC变为异常的可能性。
第二，显示图11所示那样的、表示有关MFC的供给气体的压力值的监控数据的图表。在图11中，示出了将从警报的发生时间点的规定期间之前开始的、每日的有关MFC的供给气体的最低压力值与警报的发生时间点、用于异常判断的阈值、以及相对于该阈值的偏离值一起显示的例子。此外，作为阈值，设定了与有关MFC的供给气体的压力值相关的阈值。另外，也可以不是每日而是以处理批次为单位显示有关MFC的供给气体的最低压力值。另外，也可以检索存在几个处于阈值附近的供给气体的压力值，并在图表上将其部位强调显示。通过该图表，能够出于顾客设备的方便，显示供给气体的压力值也有暂时降低的可能性这一情况。
第三，显示图12所示那样的、表示有关MFC的气体流量值的监控数据的图表。在图12中，示出了将从警报的发生时间点的规定批次数之前开始的、每处理批次的有关MFC的气体流量值与警报的发生时间点、设定值以及与设定值相应的用于异常判断的阈值一起显示的例子。此外，作为气体流量值，显示控制有关MFC的步骤下的气体流量值。通过该图表，能够显示实际测量值相对于设定偏离怎样的程度。另外，能够显示每当重复进行批次处理则零点偏离逐渐累积，成为基础的气体流量值上升或下降，结果成为偏差错误这一情况。
如上述那样，将所指定的警报和其发生时刻作为关键(key)，选择针对该警报的分析项目的监控数据(气体、压力、温度等中的某一个)，从警报发生时间点的规定期间之前开始以图表显示。由此，例如，若为MFC偏差警报，则能够判别气体流量值逐渐变化还是突发性变化。
另外，如上述那样，针对各分析项目，预先设定发出警报的阈值，在超过阈值的情况下，在上述MFC偏差警报之前，发出该分析项目的警报，操作员能够明确判断为主要原因。另一方面，在没有发出与该分析项目相关联的警报的情况下，以程序分析是否不存在阈值附近的实际测量值，按照异常的准确性高的顺序，决定分析项目的序位并显示。
例如，如图13所示，将监控数据超过了阈值的分析项目“MFC气体流量值”决定为第1位，将未超过阈值但接近阈值的分析项目“MFC使用次数”、“MFC供给压力”决定为第2位并显示。
像这样，存在即使未达到警报阈值但至少达到了对阈值预先决定的任意值(例如，阈值的90％)的分析项目、相对于设定值的偏离值超过预先决定的任意值(例如，设定值的80％)而被认为异常的分析项目等多个分析项目的情况下，将这些分析项目设为同序位并显示。
此外，在全部分析项目为警报发生主要原因的准确性高的情况下，也可以对于全部分析项目决定为第1位并显示。另一方面，在全部分析项目为警报主要原因的准确性高的情况下，不排序而显示。通过显示警报发生主要原因低这一结果，能够削减操作员的无用调查时间并将时间匀出给未知的主要原因调查。
另外，在图13所示的警报历史一览表格中，包含发生了第一个的MFC的偏差警报这一情况。并且，在图13中，在以图表显示与该MFC的偏差警报相对应的装置数据的区域中，针对该警报的分析项目“MFC使用次数”和分析项目“MFC供给压力”为警报发生主要原因的第2位，显示有与“MFC使用次数”和“MFC供给压力”分别对应的监控数据的时序图表。在图13中，针对该警报的分析项目“MFC气体流量值”为警报发生主要原因的第1位，显示有表示“MFC气体流量值”的监控数据的时序图表。
(实施例2)
接下来，以发生压力偏差错误的情况为例进行说明。
作为针对压力偏差警报的分析项目，例如，决定了处理室29内的压力值、APC阀的使用次数及泵异常(泵电流值、泵转速、泵背压)。
当受理包含基于压力偏差错误的警报(以下称为压力偏差警报)的警报ID在内的警报的原因分析请求，则以画面显示以下三个数据。
第一，显示图14所示那样的、表示处理室29内的压力值的图表。在图14中，示出了将从警报的发生时间点的规定期间之前开始的、每批次处理的最低压力值的变化与警报的发生时间点、压力值的设定值、以及针对该设定值的用于异常判断的阈值一起显示的例子。
第二，显示表示泵电流值、泵转速、泵背压的图表。在图14中，示出了显示从警报的发生时间点的规定时间之前开始的、各时刻下的值的变化的例子。此外，在泵电流值、泵转速及泵背压分别五次连续超过3σ值的情况或连续五次低于-3σ值的情况下，发出警报。
第三，显示表示APC阀的使用次数的监控数据的图表。在图14中，示出了将从警报的发生时间点的规定期间之前开始的、每日的APC阀的使用次数的累计值的变化与警报的发生时间点、用于异常判断的阈值、以及相对于该阈值的偏离数一起显示的例子。
另外，在图14所示的警报历史一览表格中，包含发生了压力偏差警报这一情况。并且，在图14中，示出了在以图表显示与该压力偏差警报相对应的装置数据的区域中，针对该警报的分析项目“压力值”作为警报发生主要原因的第1位，显示与“压力值”相对应的监控数据的时序图表的例子。在图14中，针对该警报的分析项目“泵异常”作为第2位，显示与“泵异常”相对应的监控数据的时序图表。在图14中，针对该警报的分析项目“APC使用次数”作为第3位，显示与“APC使用次数”相对应的监控数据的时序图表。
在该例中，通过与压力偏差警报的信息一起，也将泵的信息显示并提供给操作员，对于基板处理装置1之外，也会开阔视野并成为早期解决的一种帮助。
根据本实施方式，起到以下所示的效果。
在半导体制造装置中，在装置控制器发出警报后，操作员为了根据该警报确定原因，需要按顺序检索并分析相关联的事件、监控、警报等。这很大程度依赖于操作员的熟练度，根据操作员或警报的内容的不同，是非常耗费时间的作业。而且就泵而言，本来就是，半导体制造装置厂商和泵厂商分别单独接受顾客的选择，为在顾客处分别设置而只交换了必要最低限度的通信接口。因此，即使在半导体制造装置侧发送与排气有关的事故，对于由泵引起的事故也要解决，或者对于设为原因候选的对象而花费时间。
于是，根据本发明的实施方式的基板处理装置，在基板处理装置中，在发生了警报、预报(warning)时，从装置控制器所蓄存的事件、监控、警报确定成为警报原因的分析项目的候选，并将该候选按照准确性高的顺序输出。由此，不依赖于操作员的熟练度而极力排除，能够以短时间实施故障排除，因此能够缩短装置停机时间而提高生产性。
另外，能够不依赖于作业员的熟练度地实施故障排除。由此能够削减装置停机时间，有助于基板处理装置的生产性提高。另外，对于泵的事故，也设为原因探索的范围并在基板处理装置侧进行管理，从而缩短故障排除的时间。
此外，本发明的实施方式中的基板处理装置不仅适用于半导体制造装置，也能够在处理LCD(Liquid Crystal Display)装置的各种各样的玻璃基板的装置中适用。另外，也能够适用于曝光装置、光刻装置、涂布装置、利用了等离子体的处理装置等各种基板处理装置。
日本申请2020-050145的公开内容通过参照而其整体组入本说明书中。
本说明书中记载的全部文献、专利申请及技术标准通过参照引入本说明书中，并与各个文献、专利申请及技术标准通过参照引入且具体、单独记载的情况为相同程度。
工业实用性
本发明涉及对装置中发生的警报的原因的分析进行支援的功能，能够适用于各种基板处理装置。

Claims (16)

1.一种处理装置，包括具有存储部的装置控制器，该存储部至少存储装置数据和警报分析表格，其中，该装置数据至少包括包含传感信息的监控数据及表示各控制器基于所述传感信息检测到的障碍的警报，该警报分析表格至少包括用于分析警报的原因的分析项目，所述处理装置的特征在于，
所述装置控制器构成为，
若检测到所述障碍则输出所述警报，
能够确定与所述分析项目相对应的监控数据，并显示所述警报的发生历史和包含警报发生时的与所述分析项目相对应的监控数据的收集历史。
2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述装置控制器构成为能够在所述警报发生时存在多个与所述警报相关联的装置数据的情况下，将超过了预先设定的阈值的装置数据确定为警报发生的主要原因。
3.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述装置控制器构成为能够在所述警报发生时在与所述警报相关联的装置数据中没有超过预先设定的阈值的装置数据的情况下，将接近所述阈值的装置数据确定为警报发生的主要原因。
4.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述装置控制器构成为能够受理表示所述警报中的由排气控制不良引起的警报的原因分析请求，作为对所述警报的原因进行分析的分析项目，获取包含与用于排气的泵有关的传感信息的监控数据，并显示包含所述传感信息的监控数据。
5.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述警报分析表格还包括用于识别所述警报的警报ID、表示用于对该警报ID所示的警报的原因进行分析的分析项目的数量的项目数、和用于确定该分析项目的分析项目编号，
所述装置控制器构成为能够受理包含所述警报ID的所述警报的原因分析请求，以所述警报ID对所述警报分析表格进行检索，获取所述项目数及所述分析项目编号，并确定成为所述警报的原因的项目的候选。
6.根据权利要求5所述的处理装置，其特征在于，
所述装置控制器构成为能够获取以所述项目数定义的数量的与以所述分析项目编号确定出的分析项目相对应的监控数据。
7.根据权利要求5所述的处理装置，其特征在于，
所述存储部还存储对与所述分析项目编号建立了关联的原因分析处理进行定义的警报原因追究表格，
所述装置控制器构成为能够基于与所述警报ID相对应的所述分析项目编号获取所述原因分析处理。
8.根据权利要求7所述的处理装置，其特征在于，
所述装置控制器构成为能够以与所述警报ID相对应的所述项目数，反复获取与所述分析项目编号建立了关联的原因分析处理。
9.根据权利要求6所述的处理装置，其特征在于，
所述装置控制器构成为还能够获取与确定出的所述分析项目的候选相对应的监控数据，按每个确定出的所述分析项目的候选，将所获取的监控数据与预先决定的阈值进行比较，在所述警报的原因中决定某个序位，并将所述监控数据与所述序位一起显示于显示画面。
10.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述警报分析表格还包括用于识别所述警报的警报ID、和用于确定对该警报ID所示的警报的原因进行分析的分析项目的分析项目编号，
所述存储部还存储按每个所述警报ID预先创建的多个故障树主要原因图，
所述装置控制器构成为，受理所述警报的原因分析请求，从所述存储部对与所述原因分析请求中包含的所述警报ID相对应的所述故障树主要原因图进行检索，
能够基于检索出的所述故障树主要原因图，创建所述警报分析表格和对与所述分析项目编号建立了关联的原因分析处理进行定义的警报原因追究表格。
11.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
所述装置数据是与排出对基板进行处理的处理室的环境气体的排气装置相关联的装置数据，是从由泵电流、泵转速及泵背压构成的组中选择的一个以上的装置数据。
12.根据权利要求11所述的处理装置，其特征在于，
所述装置控制器构成为能够在由所述泵电流、所述泵转速及所述泵背压构成的组中的至少一个所述装置数据的平均值以规定次数连续偏离预先决定的阈值时产生警报。
13.根据权利要求11所述的处理装置，其特征在于，
所述处理装置至少还具备所述处理室和所述排气装置，
构成为所述处理室和所述排气装置能够配置在同一楼层。
14.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
至少存储装置数据和警报分析表格的工序，其中，该装置数据至少包括包含传感信息的监控数据及表示基于所述传感信息检测到的障碍的警报，该警报分析表格至少包括用于分析警报的原因的分析项目；
检测所述障碍并输出所述警报的工序；以及
确定与所述分析项目相对应的监控数据，并显示所述警报的发生历史和包含警报发生时的与所述分析项目相对应的监控数据的收集历史的工序。
15.一种半导体器件的制造方法，具有一边获取包括传感信息的监控数据一边处理基板的工序，其特征在于，包括：
至少存储装置数据和警报分析表格的工序，其中，该装置数据至少包括包含所述监控数据及表示基于所述传感信息检测到的障碍的警报，该警报分析表格至少包括用于分析警报的原因的分析项目；
检测所述障碍并输出所述警报的工序；以及
确定与所述分析项目相对应的监控数据，并显示所述警报的发生历史和包含警报发生时的与所述分析项目相对应的监控数据的收集历史的工序。
16.一种程序，用于使具有存储部的装置控制器执行步骤，其中，该存储部至少存储装置数据和警报分析表格，其中，该装置数据至少包括包含传感信息的监控数据及表示基于所述传感信息检测到的障碍的警报，该警报分析表格至少包括用于分析警报的原因的分析项目，所述步骤包括：
若检测到所述障碍则输出所述警报的步骤；以及
确定与所述分析项目相对应的监控数据，并显示所述警报的发生历史和包含警报发生时的与所述分析项目相对应的监控数据的收集历史的步骤。
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