TWI758430B - 基板處理裝置之控制裝置及基板處理顯示方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的係於按照系統製程程序執行基板之處理之前容易地掌握處理室內之處理之順序。 本發明提供一種基板處理裝置，其係基於系統製程程序執行基板之處理者，且具有：作成部，其係當受理基板處理製程程序與複數個調整處理製程程序之輸入時，作成表示受理之上述基板處理製程程序與複數個調整處理製程程序之執行順序之系統製程程序；及顯示部，其係於按照作成之上述系統製程程序執行基板之處理之前，按時間序列顯示對基板進行處理之每個處理室之基板處理與複數個調整處理之執行順序。

Description

基板處理裝置之控制裝置及基板處理顯示方法
本發明係關於一種基板處理裝置之控制裝置及基板處理顯示方法。
表示基板向設置於基板處理裝置之處理室之搬送路徑之晶圓搬送順序係由預先設定的參數、用戶作成及編輯之系統製程程序、執行對象之晶圓片數、其他條件決定。用戶只要能視覺上確認決定之搬送順序，則可容易地掌握搬送路徑。因此，揭示有將決定之搬送順序可視化而提供至用戶之技術(例如參照專利文獻1、2)。 例如於專利文獻1中，揭示有於基板處理系統中操作員指定搬送順序時能夠可視地顯示搬送路徑，且能夠動畫顯示所指定之路徑。又，於專利文獻2中，揭示有作成運轉製程程序時，可視覺上掌握被處理體相對於複數個腔室之移動，準確無誤且容易地作成運轉製程程序。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2005-260108號公報 [專利文獻1]日本專利特開2009-164633號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，專利文獻1、2係關於對設定之製程程序視覺上掌握各個基板之搬送路徑進行揭示，並非視覺上顯示於處理室內執行之基板處理或清潔處理等之處理順序。 另一方面，若可於系統製程程序設定之項目、或能以參數設定之條件變得複雜，則難以瞭解於處理室內執行之處理之順序。進而，若可於複數個處理室進行同步處理，或於複數個調整處理之各者之處理時間上存在差異，則更難以瞭解按處理室而執行之基板處理與複數個調整處理之順序。 對此，用戶欲於進行實際之處理之前掌握基板處理或調整處理係以哪種順序進行處理而能夠作成意圖之系統製程程序。 針對上述課題，於一態樣中，本發明之目的在於：在按照系統製程程序執行基板之處理之前容易地掌握處理室內之處理之順序。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述課題，根據一態樣，提供一種基板處理裝置，其係基於系統製程程序執行基板之處理者，且具有：作成部，其係當受理基板處理製程程序與複數個調整處理製程程序之輸入時，作成表示受理之上述基板處理製程程序與複數個調整處理製程程序之執行順序之系統製程程序；及顯示部，其係於按照作成之上述系統製程程序執行基板之處理之前，按時間序列顯示對基板進行處理之每個處理室之基板處理與複數個調整處理之執行順序。 [發明之效果] 根據一態樣，能夠於按照系統製程程序執行基板之處理之前容易地掌握處理室內之處理之順序。
以下，參照圖式，對用以實施本發明之形態進行說明。再者，於本說明書及圖式中，針對實質上相同之構成，藉由標註相同之符號而省略重複之說明。 [基板處理裝置之整體構成] 首先，一面參照圖1，一面對本發明之一實施形態之基板處理裝置Sys及控制裝置10之硬體構成的一例進行說明。圖1表示一實施形態之基板處理裝置Sys及控制裝置10之硬體構成之一例。基板處理裝置Sys係具有群集構造(多腔室型)之基板處理系統之一例。 基板處理裝置Sys具有6個處理室PM(Process Module)1～6、搬送室VTM(Vacuum Transfer Module)、2個加載互鎖真空室LLM(Load Lock Module)、加載模組LM(Loader Module)、3個裝載埠LP(Load Port)。3個裝載埠LP自左起依序記為裝載埠LPA、裝載埠LPB、裝載埠LPC。基板處理裝置Sys係由控制裝置10控制。 6個處理室PM1～6配置於搬送室VTM之周圍，對晶圓實施特定之處理。各處理室PM與搬送室VTM可開閉地連接於閘閥。處理室PM1～6之內部減壓為特定之真空氣體氛圍，並藉由電漿或非電漿對晶圓實施蝕刻處理、成膜處理、清潔處理、灰化處理等處理。亦將處理室PM1～6統稱為處理室PM。 於搬送室VTM之內部配置有搬送晶圓之搬送裝置VA。搬送裝置VA具有伸縮自如且旋轉自如之2個機械臂AC、AD。於各機械臂AC、AD之前端部分別安裝有拾取器C、D。搬送裝置VA可由拾取器C、D之各者保持晶圓，並進行晶圓向6個處理室PM1～6之搬入與搬出、及晶圓向2個加載互鎖真空室LLM之搬入與搬出。 加載互鎖真空室LLM設置於搬送室VTM與加載模組LM之間。加載互鎖真空室LLM切換大氣氣體氛圍與真空氣體氛圍而將晶圓自大氣側之加載模組LM搬送至真空側之搬送室VTM，或自真空側之搬送室VTM搬送至大氣側之加載模組LM。於本實施形態中，具備兩個加載互鎖真空室LLM。以下，有時將一加載互鎖真空室LLM記為加載互鎖真空室LLM1，將另一加載互鎖真空室LLM記為加載互鎖真空室LLM2而進行區別。 加載模組LM之內部利用ULPA過濾器(Ultra Low Penetration Air Filter，超高效空氣過濾器)藉由降流而保持清潔，且調壓為相較於大氣壓稍偏正壓。於加載模組LM之長邊之側壁具備三個裝載埠LPA、LPB、LPC。於各裝載埠LPA、LPB、LPC安裝有例如收容有25片晶圓之FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓傳送盒)或空的FOUP。裝載埠LPA、LPB、LPC成為將晶圓W朝向處理室PM搬出，又，將於處理室PM處理後之晶圓W搬入之晶圓W之出入口。 於加載模組LM之內部配置有搬送晶圓之搬送裝置LA。搬送裝置LA具有伸縮自如且旋轉自如之2個機械臂AA、AB。於各機械臂AA、AB之前端部分別安裝有拾取器A、B。搬送裝置LA可由拾取器A、B之各者保持晶圓，並進行晶圓向FOUP之搬入與搬出、及晶圓向2個加載互鎖真空室LLM之搬入與搬出。 於加載模組LM設置有將晶圓之位置對準之對準器ORT。對準器ORT配置於加載模組LM之長度方向上之一端。對準器ORT對晶圓之中心位置、偏心量及凹口位置進行檢測。晶圓之基於檢測結果之修正係藉由加載模組LM之機械臂AA、AB進行。 具體而言，各機械臂AA、AB自載置於裝載埠LP之FOUP將未處理晶圓取出，並將取出之晶圓向對準器ORT搬送。在基於對準器ORT之檢測結果藉由加載模組LM修正晶圓之位置之後，各機械臂AA、AB將晶圓搬送至加載互鎖真空室LLM。又，將於處理室PM進行處理之處理完畢之晶圓自加載互鎖真空室LLM取出，並載置於特定之FOUP。 再者，處理室PM、加載互鎖真空室LLM、加載模組LM及裝載埠LP之個數並不限於本實施形態中示出之個數，亦可為若干個。 控制裝置10具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)21、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)22、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)23、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)24、輸入輸出介面(I/F)25及顯示器26。再者，控制裝置10不限於具有HDD24，亦可具有SSD(Solid State Drive，固態驅動器)等其他記憶區域。 CPU21係按照儲存於HDD24之晶圓處理製程程序群或調整處理製程程序群中之由所指定之製程程序作成之系統製程程序，而對各處理室PM中之晶圓之處理及各種調整處理進行控制。 系統製程程序表示設定有晶圓處理之順序或條件之晶圓處理製程程序、及用以整頓處理室PM之狀態之調整處理製程程序之執行順序。於晶圓處理製程程序中所使用之基板之類別為製品晶圓，於調整處理製程程序中所使用之基板之類別為虛設晶圓或無晶圓(waferless)。 於複數個調整處理製程程序中包含進行乾洗處理、無晶圓乾洗處理、調節處理及NPPC(Non Plasma Particle Cleaning，非電漿顆粒清潔)、批次穩定化處理之至少任一種處理之製程程序。 乾洗處理係將製品晶圓搬出將虛設晶圓搬入，並利用電漿將處理室內之無用堆積物去除。無晶圓乾洗(WLDC：Wafer less dry cleaning)處理係將製品晶圓搬出，於不搬入虛設晶圓之狀態下施加電漿，且以載置晶圓之載台之靜電去除等為目的而執行。調節處理係於實施乾洗處理之後用以整頓處理室內之氣體氛圍之虛設處理。 NPPC係進行處理室PM與加載互鎖真空模組LLM之微粒去除。NPPC係根據高頻放電時間及PM使用次數之累計值而執行，但根據當必須以設定為固定值之極限值為週期執行NPPC時，生產性(產能)會相應地下降等理由，而具有可於系統製程程序中指定NPPC之實施之有無之功能，使得可於某特定之批次結束時執行NPPC。再者，若於製品晶圓之處理之後，且於清潔處理之前執行NPPC，則可能產生大量之微粒，因此基於在清潔處理之後執行NPPC之條件而作成系統製程程序。此外，系統製程程序係基於晶圓處理與各調整之執行時序、處理之優先順序或各種條件而作成。批次穩定虛設處理係於執行包含電漿製程之製品處理之前預先對虛設晶圓進行。再者，批次穩定虛設處理係為了於開始最初之晶圓之處理之前，使處理室PM內之狀態穩定而執行之調整處理。 CPU21亦可為用以執行製程程序之程式儲存於HDD24或RAM23等記憶區域或記憶媒體而提供。又，該等製程程序及程式亦可經由網路自外部裝置提供。 輸入輸出介面(I/F)25係作為用以自操作員為了管理基板處理裝置Sys進行之指令操作獲得輸入輸出資訊之介面而發揮功能。顯示器26係於按照系統製程程序執行晶圓之處理之前，按時間序列顯示對晶圓進行處理之每個處理室PM之晶圓處理與複數個調整處理之執行順序。顯示器26除此以外還顯示所需之資訊。 [基板處理裝置之控制裝置之功能構成] 其次，一面參照圖2，一面對基板處理裝置Sys之控制裝置10之功能構成之一例進行說明。控制裝置10係按照製程程序對基板處理裝置Sys之晶圓搬送步驟及晶圓處理步驟進行控制。又，控制裝置10將按處理室PM之處理順序可視化而顯示。 控制裝置10具有記憶部11、受理部12、系統製程程序作成部13、處理順序決定部14及顯示部15。 受理部12受理晶圓處理製程程序及複數個調整處理製程程序之輸入。受理部12可受理晶圓之處理片數、其他參數。 系統製程程序作成部13係自儲存於HDD24之晶圓處理製程程序群或調整處理製程程序群選擇受理之晶圓處理製程程序及複數個調整處理製程程序，而作成系統製程程序。作成之系統製程程序記憶於記憶部11。 處理順序決定部14決定基於系統製程程序執行之處理、及基於該處理之執行時序於各處理室PM執行之基板處理與複數個調整處理之執行順序。處理順序決定部14於存在各種參數之設定之情形時，係基於根據系統製程程序執行之處理與執行時序、及所設定之參數，決定基板處理與複數個調整處理之執行順序。 顯示部15係按時間序列顯示晶圓處理與複數個調整處理之執行順序。顯示部15係按類別以不同之顏色顯示晶圓處理與複數個調整處理。藉此，可更容易地掌握於處理室PM內執行之處理順序與執行時序。顯示部15亦可將於顯示之晶圓處理與複數個調整處理之各者中所使用之晶圓的片數與類別顯示。又，顯示部15亦可顯示至系統製程程序中所設定之晶圓處理結束為止所需之時間。 [基於系統製程程序執行之處理與時序] 其次，對基於系統製程程序執行之處理與執行時序之一例進行說明。處理順序決定部14係根據以哪種時序執行各種處理之條件，決定處理之執行順序。當受理製程程序之輸入時，設定於製程程序中設定之「處理」及「處理之執行時序」。於在輸入製程程序時可進行處理之片數指定等之情形時，該等指定資訊亦同樣地進行設定。此外，存在能以參數進行設定之項目。 例如，當受理晶圓處理製程程序之輸入時，對所執行之處理設定「晶圓處理」。當輸入晶圓處理之片數時，設定製品晶圓之「片數」。 當受理清潔處理中之處理前清潔之輸入時，對所執行之處理設定「處理前清潔」。當輸入處理之片數時，設定「片數(0或1片)」。處理之執行時序係批次開始時，且剛進行處理室調整後。作為無法僅藉由製程程序設定而判別之執行條件，能以參數指定是否抑制連續批次執行中之處理。 當受理清潔處理中之片數指定清潔之輸入時，對所執行之處理設定「片數指定清潔」。又，設定表示「按多少片晶圓處理實施本清潔處理」之片數。處理之執行時序係所指定之製品或虛設處理片數執行後。此外，剛進行批次之最後之製品處理後，能以參數執行如無實施之設定。是否以處理片數之形式累計虛設晶圓能以參數進行指定。於連續批次執行中，是否按批次重置處理片數之累計設定，或繼續累計能以參數進行指定。再者，參數可自與製程程序不同之設定畫面輸入。 當受理清潔處理中之處理後清潔之輸入時，對所執行之處理設定「處理後清潔」。當輸入處理之片數時，設定「片數(0或1片)」。處理之執行時序係於批次中所指定之製品處理結束後。 當受理無晶圓乾洗處理之輸入時，對所執行之處理設定「WLDC」。可按所處理之晶圓類別指定本清潔處理之有無。於所處理之晶圓為製品晶圓之情形時，亦可進行片數指定。執行時序為各晶圓處理之後，但於存在片數指定之情形時，於每當處理指定片數之製品晶圓時執行。 當受理NPPC之輸入時，對所執行之處理設定「NPPC」。於NPPC之設定之情形時，可指定實施之有無及次數。執行時序為批次結束後。執行次數亦可為以參數而非製程程序設為固定值之方法。 當受理批次穩定化處理之輸入時，對所執行之處理設定「批次穩定化處理」。能以系統製程程序指定實施之有無、次數及處理製程程序。執行時序為批次開始時，且處理前清潔之後。是否抑制連續批次執行中之處理能以參數進行指定。 當受理調節處理(腔室調整處理)之輸入時，對所執行之處理設定「調節處理(腔室調整處理)」。亦可為以系統製程程序指定處理製程程序，或以參數固定處理製程程序之方法。執行時序為剛開始批次前且最初之晶圓之搬入前。 作為受理使用「智能調整功能」之輸入之情形，有「穩態調整動作(Steady State Conditioning Action)(以下記為「SSC」」及「微調整(Mini Conditioning)(以下記為「Mini」)」。當受理「SSC」之輸入時，對所執行之處理設定以「SSC」標明之乾洗、NPPC及調節處理之至少任一種處理。於「SSC」中，可指定按多少片製品處理實施，又，可指定執行哪種。於「SSC」中，無法指定執行之順序，執行時序係按所指定之製程處理片數執行。作為無法僅藉由製程程序設定而判別之執行條件，於連續批次結束時，即便指定調節處理，亦不執行調節整處理。 當受理「Mini」之輸入時，對所執行之處理設定以「SSC」標明之乾洗或調節處理。於「Mini」中，可指定按多少片製品處理實施，執行時序可按所指定之製程處理片數實施。作為無法僅藉由製程程序設定而判別之執行條件，於SSC與時序一致之情形時，有表示優先執行SSC，且不執行Mini之優先順序之條件。但是，於SSC與Mini之時序一致之情形時，亦可採用以Mini→SSC之順序執行之方法。於本實施形態中，於SSC與Mini之時序一致之情形時，優先執行SSC，且不執行Mini。 再者，記憶部11亦可記憶表示作成之系統製程程序、所設定之參數、至系統製程程序中設定之基板處理結束為止所需之時間的預測處理時間。 [處理順序顯示處理] 其次，一面參照圖3，一面對本實施形態之處理順序顯示處理進行說明。圖3係表示本實施形態之處理順序顯示處理之一例之流程圖。當開始本處理時，受理部12受理晶圓處理製程程序之輸入(步驟S10)。其次，受理部12受理複數個調整處理製程程序之輸入(步驟S12)。其次，受理部12受理參數之設定(步驟S14)。 其次。系統製程程序作成部13作成表示受理之晶圓處理製程程序與複數個調整處理製程程序之執行順序之系統製程程序(步驟S16)。其次，處理順序決定部14基於再生之系統製程程序及所設定之參數按處理室PM決定晶圓處理與複數個調整處理之執行順序(步驟S18)。於用以決定處理順序之條件中，不僅包含製程程序之設定事項，還包含受理製程程序之輸入時輸入之資訊(按多少片製品處理實施清潔處理等)及各種參數。 其次，顯示部15按處理室PM將晶圓處理與複數個調整處理之執行順序可視化顯示(步驟S20)。其次，系統製程程序作成部13判定是否對系統製程程序進行修正(步驟S22)。 當受理部12按照來自用戶之操作受理系統製程程序之修正要求時，系統製程程序作成部13判定為對系統製程程序進行修正。於該情形時，對系統製程程序及參數之至少任一者進行修正，並再作成系統製程程序(步驟S24)。於再作成後，藉由執行步驟S18及步驟S20之處理，可即時將根據再作成之系統製程程序及參數之執行條件之按處理室PM之各處理的執行順序可視化顯示。另一方面，於步驟S22中，於系統製程程序作成部13判定為不對系統製程程序進行修正之情形時，結束本處理。 圖4係一實施形態之系統製程程序之設定畫面A1之一例。系統製程程序之設定畫面A1之模組(Module)之項目係設定成為晶圓之路徑之模組。於圖4中，設定於處理室PM1執行之處理及處理之執行時序。例如，清潔時間(Cleaning Timing)之項目係設定處理之執行時序。「前處理＆後處理 5片晶圓(Pre＆Pro-Process 5 wafers)」係設定於批次之開頭、批次之最後、且每當執行5片晶圓處理時進行清潔。 個體設定(Individual Setting)之項目之「製程程序個體(Recipe Individual)」表示對每個製程程序獨立設定各項目。對前處理清潔製程程序(Pre-Process Cleaning Recipe)之項目係設定處理前清潔。計數標識清潔製程程序(Count Designation Cleaning Recipe)之項目係設定片數指定清潔處理。後處理清潔製程程序(Post-Process Cleaning Recipe)之項目係設定處理後清潔處理。 於本實施形態中，成為個別地指定清潔之執行時序之模式。圖5係一實施形態之清潔之執行時序之設定畫面A2的一例。再者，於設定為自動指定之模式之情形時，無需圖5所示之手動之執行時序之輸入。 此處，選擇「前處理(Pre-Process)」、「後處理(Post-Process)」及「晶圓(wafers)」之各按鈕，於對晶圓片數輸入「5」之狀態下按壓「確定(OK)」按鈕。藉此，設定於批次之開頭、批次之最後、且每當執行5片晶圓處理時進行清潔。 圖4之系統製程程序之設定內容係以表形式顯示。由此，難以瞭解以哪種時序實施各處理。由此，於本實施形態中，基於系統製程程序之設定及參數之資訊，按時間序列顯示每個處理室之晶圓處理及複數個調整處理之執行順序。 圖6係控制裝置10基於自圖4及圖5所示之各種設定畫面輸入之設定值及參數值執行圖3之處理順序顯示處理的結果，且係按時間序列顯示所獲得之晶圓處理與複數個調整處理之執行順序之畫面A3的一例。此處，將執行處理之處理室PM1示於欄101。即為於處理室PM1對在1個批次中所包含之25片晶圓之全部進行處理之例。 於圖6之例中，於進行靜電去除處理102之後，於批次之最初執行處理前清潔(PRE-CLEAN)處理103，並執行5片晶圓處理104之後，進行片數指定清潔(CLEAN-AFTER-PROC)處理105。執行下一5片晶圓處理106→片數指定清潔處理107→下一5片晶圓處理108→片數指定清潔處理109→下一5片晶圓處理110→片數指定清潔處理111→下一5片晶圓處理112→片數指定清潔處理113。於批次之最後，執行處理後清潔(POST-CLEAN)處理114。 圖7係一實施形態之系統製程程序之路徑設定畫面A4之一例。於圖7中，例如1個批次中之25片晶圓於裝載埠LPC搬出，經由加載互鎖真空模組LLM1或LLM2，於處理室PM1及處理室PM2執行晶圓之處理。於執行晶圓之處理之後，設定經由加載互鎖真空模組LLM1或LLM2並返回至裝載埠LPC之路徑。於處理室PM1及處理室PM2中，可同時並行地進行晶圓處理。 於該情形時，於本實施形態中，根據設定條件之變更而即時更新系統製程程序之路徑設定畫面。即，當系統製程程序之設定條件及各種參數之設定條件發生變更時，據此開始圖3之本實施形態之處理順序顯示處理，決定基於新的設定條件之處理順序，以按時間序列顯示新的處理順序之方式更新畫面。 圖8係根據本實施形態之同步搬送之有無更新處理順序顯示畫面A3，且自左之顯示畫面A3向右之顯示畫面A3'更新畫面之例。左之顯示畫面A3係按時間序列顯示不進行向複數個處理室同步搬送之情形時(僅於處理室PM1進行處理)之晶圓處理與複數個調整處理之執行順序。右之顯示畫面A3'係按時間序列顯示進行向處理室PM1及處理室PM2之兩個處理室同步搬送之情形時之晶圓處理與複數個調整處理的執行順序。 進而，設為使用圖7之系統製程程序之路徑設定畫面A4將處理室之設定自PM1或(or)PM2變更為PM1或(or)PM2或(or)PM3。圖9係畫面根據自向本實施形態之2個處理室同步搬送變更為向3個處理室同步搬送而轉換至顯示畫面A3"之一例。圖9之顯示畫面A3"係按時間序列顯示進行向處理室PM1、處理室PM2及處理室PM3之3個處理室同步搬送之情形時之晶圓處理與複數個調整處理的執行順序。 據此，於本實施形態中，按時間序列顯示每個處理室PM之處理順序。藉此，用戶能夠按處理室視覺上掌握晶圓處理與複數個調整處理之執行順序。藉此，用戶可容易地確認是否能夠作成自己意圖之系統製程程序。 又，可藉由顏色識別處理之種類，由於以文字顯示執行哪種處理製程程序，故而可防止忘記執行任一種設定項目。 尤其是根據本實施形態之控制裝置10，即便於向複數個處理室PM同步搬送之情形時，亦可即時掌握於各處理室PM中以哪種處理順序進行處理。藉此，可於執行實際之晶圓處理之前之系統製程程序的作成階段中，視需要進行系統製程程序之再作成，從而進行能以最佳化之處理順序執行各處理之製程程序之作成。 [變化例1] 其次，一面參照圖10及圖11，一面對本實施形態之變化例1之設定畫面例及處理順序顯示畫面例進行說明。圖10係一實施形態之變化例1之系統製程程序之設定畫面A5與清潔之執行時序之設定畫面A6的一例。 變化例1之系統製程程序之設定畫面A5與利用圖4進行說明之系統製程程序之設定畫面A1的不同點在於：在設定畫面A1中，對模組之項目僅設定處理室PM1，與此相對，於設定畫面A5中，對模組之項目設定處理室PM1～PM5。執行時序之設定畫面A6與圖5之執行時序之設定畫面A2相同，於批次之開頭、批次之最後、且每當執行5片晶圓處理時進行清潔。 圖11係控制裝置10基於自圖10所示之各種設定畫面輸入之設定值及參數值執行圖3之處理順序顯示處理的結果，且係按時間序列顯示所獲得之晶圓處理與複數個調整處理之執行順序之畫面A7的一例。 於圖10中成為表形式，因此不按時間序列表示於每個處理室以哪種順序進行哪種處理，無法容易地掌握於處理室PM1～PM5之各者中之處理之順序。 另一方面，圖11之處理順序顯示畫面A7係控制裝置10基於自圖10所示之設定畫面輸入之各設定條件執行圖3之處理順序顯示處理的結果，且按時間序列將所獲得之晶圓處理與複數個調整處理之處理順序可視化顯示。圖11之畫面A7係針對處理室PM1～PM5之各者，分別按時間序列顯示晶圓處理與複數個調整處理之執行順序。其結果為，於進行靜電去除處理122之後，於處理室PM1～PM5之各者中，於具有25片晶圓之批次之最初執行處理前清潔(PRE-CLEAN)處理123。並且，顯示如下處理順序：於進行5片晶圓處理124之後，執行片數指定清潔處理(CLEAN-AFTER-PROC)處理125，於批次之最後執行處理後清潔(POST-CLEAN)處理126。 於各處理室中，重複以上之處理，顯示於各處理室中執行靜電去除處理127→處理前清潔處理128→5片晶圓處理129→片數指定清潔處理130→處理後清潔131之處理順序。 如以上說明般，根據本實施形態及變化例1所示之基板處理顯示方法，可對進行同步搬送之所有處理室於同一畫面顯示每個處理室之處理之執行順序。又，若對本實施形態與變化例1進行比較，則可知，即便系統製程程序之設定之方法相同，亦因同步搬送之處理室之數量，而導致對每個處理室顯示之處理之執行順序完全不同。 [變化例2] 其次，一面參照圖12及圖13，一面對本實施形態之變化例2之設定畫面例及處理順序顯示畫面例進行說明。圖12係一實施形態之變化例2之系統製程程序之設定畫面A5、清潔之執行時序之設定畫面A6及參數(裝置參數)之設定畫面A8之一例。 圖12之系統製程程序之設定畫面A5及清潔之執行時序之設定畫面A6與圖10之變化例1的畫面相同。於變化例2中，在參數之設定畫面A8中，變化例1中設定為無效之「PM使用次數清潔功能」之參數成為有效。若將「PM使用次數清潔功能」設為有效，則於片數指定清潔處理與處理後清潔處理之時序一致之情形時，以不執行處理後清潔之方式發揮功能。如此，於變化例2中，系統製程程序之設定與清潔之執行時序之設定相同，但參數之設定不同。 圖13係控制裝置10基於自圖12所示之各種設定畫面輸入之設定值及參數值執行圖3之處理順序顯示處理的結果，且係按時間序列顯示所獲得之晶圓處理與複數個調整處理之執行順序之畫面A10的一例。 根據變化例2所示之基板處理顯示方法，可一目了然地理解圖13所示之處理順序顯示畫面A10與於變化例1中說明之圖11所示之處理順序顯示畫面A7不同。 即，於變化例1之圖11之處理順序顯示畫面A7中，可知於各處理室中按照靜電去除處理122→處理前清潔處理123→5片晶圓處理124→片數指定清潔處理125→處理後清潔126之順序執行處理。 另一方面，於變化例2之圖13之處理順序顯示畫面A11中，可知於各處理室中按照靜電去除處理142→處理前清潔處理143→5片晶圓處理144→片數指定清潔處理145之順序執行處理。即，於變化例2之設定中，儘管進行處理後清潔126之設定，但由於片數指定清潔處理與處理後清潔處理之時序一致，故而能夠容易地掌握完全不執行處理後清潔。 再者，藉由將圖11之處理順序顯示畫面A7之資訊記憶於記憶部11，可將參數或製程程序之設定條件不同之複數個處理順序顯示畫面A7、A10切換為同一畫面或不同之畫面而顯示。藉此，可提高用戶作成系統製程程序時之便利性。 如以上說明般，根據變化例2所示之基板處理顯示方法，可將藉由製程程序或參數之設定之組合而受到抑制之處理或追加的處理可視化。藉此，可於編輯系統製程程序時再現先前基板處理裝置Sys於執行系統製程程序時判斷之晶圓處理之邏輯。由此，可於執行製程程序之前重新編輯成最佳之製程程序。藉此，即便不實際執行基於系統製程程序之處理，亦可於之前作成恰當之製程程序，從而能夠提高製程程序作成之作業效率。此外，實際進行製品晶圓之處理時，以最佳化之處理順序進行處理，因此，可提高處理效率，提高產能。 [變化例3] 其次，一面參照圖14及圖15，一面對本實施形態之變化例3之設定畫面例及處理順序顯示畫面例進行說明。圖14係一實施形態之變化例3之系統製程程序之設定畫面A11與清潔之執行時序之設定畫面A12的一例。 於變化例3中，設為「智能調整功能」成為有效。若將「智能調整功能」設為有效，則於連續批次執行中儘可能地抑制無用之處理，於連續批次結束時自動追加後處理。 於將「智能調整功能」設定為有效之情形時，可於圖14之參數設定畫面A12中自乾洗、NPPC及調節處理之中指定藉由「穩態調整動作(SSC)」之設定而執行之處理。於圖14之設定畫面A12中，選擇乾洗、NPPC及調節處理，並按壓確定按鈕。由此，於變化例3中，藉由「SSC」之設定而執行之處理為乾洗、NPPC及調節處理。由此，於設定畫面A11之「SSC」之項目中，將「智能調整功能」設定為有效，進行對每10片執行乾洗、NPPC及調節處理之設定。再者，預先於批次之最後進行NPPC成為條件。 於圖14之系統製程程序之設定畫面A11之「虛設製程程序(Dummy Recipe)」、「處理調整(Process Condition)」的項目中，設定於批次處理前使藉由虛設製程程序進行處理之虛設晶圓傳出1片。 圖15係控制裝置10基於自圖14所示之各種設定畫面輸入之設定值及參數值執行圖3之處理順序顯示處理的結果，且係按時間序列顯示所獲得之晶圓處理與複數個調整處理之執行順序之畫面A13的一例。 於對圖14之製程程序設定及參數設定顯示之圖15之處理順序顯示畫面A13中，於在處理室PM1中對1個批次25片晶圓進行處理之情形時，最初執行靜電去除處理152，並執行「SSC」之調節處理153。其次，執行10片晶圓處理154，其後，執行「SSC」之乾洗處理155及NPPC156，之後執行「SSC」之調節處理157。其後，再次執行10片晶圓處理158，之後執行「SSC」之乾洗處理159、NPPC160及調節處理161。於最後之5片晶圓處理162之後，執行「SSC」之乾洗處理163及NPPC164。 將於在處理室PM1中對3個批次75片晶圓進行處理之情形時對圖14之製程程序設定及參數設定顯示之處理順序顯示畫面A14示於圖16及圖17。 如圖16及圖17所示，每當1個批次結束時，執行靜電去除處理172、179、185。又，於靜電去除處理172後，執行調節處理173，於10片晶圓處理174、176、178、181、183、186、188之後，執行「SSC」175、177、180、182、184、187、189。於最後之5片晶圓處理190之後，執行「SSC」之乾洗處理191及NPPC192。 如以上說明般，根據本實施形態及各變化例所示之基板處理顯示方法，可容易地按處理室掌握進行基板之處理之處理室內之處理的順序。又，可將藉由製程程序或參數之設定之組合而受到抑制之處理或追加的處理可視化。又，可利用「智能調整功能」設定參數之設定之組合，並且於該情形時，亦可將藉由參數之設定之組合而受到抑制之處理或追加的處理可視化。藉此，可於編輯製程程序時再現先前基板處理裝置Sys於執行製程程序時判斷之晶圓處理之邏輯，可於執行製程程序之前重新編輯成最佳之製程程序。藉此，可提高製程程序作成之作業效率。此外，實際進行製品晶圓之處理時，以最佳化之處理順序進行處理，因此，可提高處理效率，提高產能。 再者，亦可如圖15所示般，顯示晶圓處理與複數個調整處理之各者中之晶圓之片數A與晶圓的類別D。於晶圓之類別D顯示製品晶圓、虛設晶圓。又，於不使用晶圓之情形時，明示無晶圓C之項目。例如，NPPC為無晶圓之處理。 又，能夠自對應於各處理B之時間資訊算出表示至系統製程程序中所設定之晶圓處理結束為止所需之時間的預測處理時間E，並將其顯示。算出之過去之預測處理時間亦可作為運轉實績值而記憶於記憶部11。於該情形時，控制裝置0可藉由基於運轉實績值或根據於處理製程程序中所設定之值算出之時間，計算結束1個批次之晶圓處理之前所需之時間並將其顯示，而向用戶提供判定作成之系統製程程序之優劣之材料。 以上，藉由上述實施形態對基板處理裝置之控制裝置及基板處理顯示方法進行了說明，但本發明之基板處理裝置之控制裝置及基板處理顯示方法並不限定於上述實施形態，可於本發明之範圍內進行各種變化及改良。於上述複數個實施形態中所記載之事項可於不矛盾之範圍內進行組合。 例如，本發明之基板處理裝置亦可為電容耦合型電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)裝置、感應耦合型電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)處理裝置、使用放射狀線槽孔天線之電漿處理裝置、大喇叭波激發型電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)裝置、電子回旋共振電漿(ECR：Electron Cyclotron Resonance Plasma)裝置、表面波電漿處理裝置等。又，基板處理裝置亦可為不使用電漿而藉由熱處理等對基板進行處理之裝置。 又，於本說明書中，作為基板之一例而列舉晶圓進行了說明，但基板並不限於此，亦可為用於LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)、FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)之各種基板、或光罩、CD(Compact Disc，光碟)基板、印刷基板等。
10‧‧‧控制裝置11‧‧‧記憶部12‧‧‧受理部13‧‧‧系統製程程序作成部14‧‧‧處理順序決定部15‧‧‧顯示部21‧‧‧CPU22‧‧‧ROM23‧‧‧RAM24‧‧‧HDD25‧‧‧輸入輸出介面(I/F)26‧‧‧顯示器101‧‧‧欄102‧‧‧靜電去除處理103‧‧‧處理前清潔(PRE-CLEAN)處理104‧‧‧5片晶圓處理105‧‧‧片數指定清潔(CLEAN-AFTER-PROC)處理106‧‧‧下一5片晶圓處理107‧‧‧片數指定清潔處理108‧‧‧下一5片晶圓處理109‧‧‧片數指定清潔處理110‧‧‧下一5片晶圓處理111‧‧‧片數指定清潔處理112‧‧‧下一5片晶圓處理113‧‧‧片數指定清潔處理114‧‧‧處理後清潔(POST-CLEAN)處理122‧‧‧靜電去除處理123‧‧‧處理前清潔處理124‧‧‧5片晶圓處理125‧‧‧片數指定清潔處理126‧‧‧處理後清潔處理127‧‧‧靜電去除處理128‧‧‧處理前清潔處理129‧‧‧5片晶圓處理130‧‧‧片數指定清潔處理131‧‧‧處理後清潔142‧‧‧靜電去除處理143‧‧‧處理前清潔處理144‧‧‧5片晶圓處理145‧‧‧片數指定清潔處理152‧‧‧靜電去除處理153‧‧‧「SSC」之調節處理154‧‧‧10片晶圓處理155‧‧‧「SSC」之乾洗處理156‧‧‧NPPC157‧‧‧「SSC」之調節處理158‧‧‧10片晶圓處理159‧‧‧「SSC」之乾洗處理160‧‧‧NPPC161‧‧‧調節處理162‧‧‧5片晶圓處理163‧‧‧「SSC」之乾洗處理164‧‧‧NPPC172‧‧‧靜電去除處理173‧‧‧調節處理174‧‧‧10片晶圓處理175‧‧‧「SSC」176‧‧‧10片晶圓處理177‧‧‧「SSC」178‧‧‧10片晶圓處理179‧‧‧靜電去除處理180‧‧‧「SSC」181‧‧‧10片晶圓處理182‧‧‧「SSC」183‧‧‧10片晶圓處理184‧‧‧「SSC」185‧‧‧靜電去除處理186‧‧‧10片晶圓處理187‧‧‧「SSC」188‧‧‧10片晶圓處理189‧‧‧「SSC」190‧‧‧5片晶圓處理191‧‧‧「SSC」之乾洗處理192‧‧‧NPPCA‧‧‧片數A‧‧‧拾取器A1‧‧‧設定畫面A2‧‧‧設定畫面A3‧‧‧畫面A3'‧‧‧顯示畫面A3"‧‧‧顯示畫面A4‧‧‧路徑設定畫面A5‧‧‧設定畫面A6‧‧‧設定畫面A7‧‧‧畫面A8‧‧‧設定畫面A10‧‧‧畫面A11‧‧‧設定畫面A12‧‧‧設定畫面A13‧‧‧畫面A14‧‧‧處理順序顯示畫面AA‧‧‧機械臂AB‧‧‧機械臂AC‧‧‧機械臂AD‧‧‧機械臂B‧‧‧處理B‧‧‧拾取器C‧‧‧無晶圓D‧‧‧類別E‧‧‧預測處理時間LA‧‧‧搬送裝置LLM‧‧‧加載互鎖真空室LM‧‧‧加載模組LPA‧‧‧裝載埠LPB‧‧‧裝載埠LPC‧‧‧裝載埠ORT‧‧‧對準器PM1‧‧‧處理室PM2‧‧‧處理室PM3‧‧‧處理室PM4‧‧‧處理室PM5‧‧‧處理室PM6‧‧‧處理室S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22、S24‧‧‧步驟Sys‧‧‧基板處理裝置VA‧‧‧搬送裝置VTM‧‧‧搬送室W‧‧‧晶圓
圖1係表示一實施形態之基板處理裝置及控制裝置之硬體構成之一例的圖。 圖2係表示一實施形態之基板處理裝置之控制裝置之功能構成之一例的圖。 圖3係表示一實施形態之處理順序顯示處理之一例之流程圖。 圖4係一實施形態之系統製程程序之設定畫面例。 圖5係一實施形態之清潔之時序之設定畫面例。 圖6係圖4及圖5之設定條件下之處理順序顯示畫面例。 圖7係一實施形態之系統製程程序之路徑設定畫面例。 圖8係一實施形態之根據同步搬送之有無之處理順序顯示畫面的轉換圖。 圖9係一實施形態之同步搬送時之處理順序顯示畫面例。 圖10係一實施形態之變化例1之系統製程程序與執行時序之設定畫面例。 圖11係圖10之設定條件下之處理順序顯示畫面例。 圖12係一實施形態之變化例2之系統製程程序、執行時序及參數之設定畫面例。 圖13係圖12之設定條件下之處理順序顯示畫面例。 圖14係一實施形態之變化例3之系統製程程序與執行時序之設定畫面例。 圖15係圖14之設定條件下之處理順序顯示畫面例。 圖16係一實施形態之另一處理順序顯示畫面例。 圖17係一實施形態之繼圖16後之處理順序顯示畫面例。
A3‧‧‧畫面
PM1‧‧‧處理室
101‧‧‧欄
102‧‧‧靜電去除處理
103‧‧‧處理前清潔(PRE-CLEAN)處理
104‧‧‧5片晶圓處理
105‧‧‧片數指定清潔(CLEAN-AFTER-PROC)處理
106‧‧‧下一5片晶圓處理
107‧‧‧片數指定清潔處理
108‧‧‧下一5片晶圓處理
109‧‧‧片數指定清潔處理
110‧‧‧下一5片晶圓處理
111‧‧‧片數指定清潔處理
112‧‧‧下一5片晶圓處理
113‧‧‧片數指定清潔處理
114‧‧‧處理後清潔(POST-CLEAN)處理

Claims (9)

  1. 一種控制裝置，其係基於系統製程程序執行基板之處理之基板處理裝置之控制裝置，且具有：記憶部，其儲存程式；且執行上述記憶部中所儲存之程式，以進行以下處理：受理基板處理製程程序與複數個調整處理製程程序之輸入，上述調整處理製程包含：在批次開始時進行之包含指定片數之基板之處理的處理前清潔、每當在上述批次之上述處理期間處理於設定畫面所指定片數之基板時進行的片數指定清潔及在上述批次結束時進行的處理後清潔；自上述設定畫面受理包含上述指定片數之參數；作成表示受理之上述基板處理製程程序與複數個調整處理製程程序之執行順序之系統製程程序；基於上述系統製程程序及上述參數，決定上述每個處理室之上述基板處理製程與上述調整處理製程之執行順序；於按照作成之上述系統製程程序執行基板之處理之前，按時間序列顯示對基板進行處理之每個處理室之基板處理與複數個調整處理之執行順序；及控制上述基板處理裝置按照上述系統製程程序及上述執行順序處理上述基板。
  2. 如請求項1之控制裝置，其中上述顯示部將於顯示之上述基板處理與複數個調整處理之各者中所 處理之基板之片數與基板的類別顯示。
  3. 如請求項2之控制裝置，其中上述基板之類別為製品基板、虛設基板或無基板之任一種。
  4. 如請求項1至3中任一項之控制裝置，其中上述顯示部顯示至上述系統製程程序中所設定之基板處理結束為止所需之時間。
  5. 如請求項1至3中任一項之控制裝置，其中上述複數個調整處理製程程序包含乾洗處理、無晶圓乾洗處理、調節處理及NPPC(Non Plasma Particle Cleaning)、批次穩定化處理之至少任一種。
  6. 如請求項1至3中任一項之控制裝置，其中上述顯示部於上述處理室為複數個之情形時，對每個處理室並行顯示該複數個處理室中之基板處理與複數個調整處理之執行順序。
  7. 如請求項1至3中任一項之控制裝置，其中上述顯示部基於表示受理之上述基板處理製程程序與複數個調整處理製程程序之優先順序之資訊，決定對基板進行處理之每個處理室之基板處理與複數個調整處理之執行順序。
  8. 一種基板處理顯示方法，其係基於系統製程程序執行基板之處理之基板處理顯示方法，且包括以下步驟：受理基板處理製程程序與複數個調整處理製程程序之輸入上述調整處理製程包含：在批次開始時進行之包含指定片數之基板之處理的處理前清潔、每當在上述批次之上述處理期間處理於設定畫面所指定片數之基板時進行的片數指定清潔及在上述批次結束時進行的處理後清潔；自上述設定畫面受理包含上述指定片數之參數；作成表示受理之上述基板處理製程程序與複數個調整處理製程程序之執行順序之系統製程程序；基於上述系統製程程序及上述參數，決定上述每個處理室之上述基板處理製程與上述調整處理製程之執行順序；於按照作成之上述系統製程程序執行基板之處理之前，按時間序列顯示對基板進行處理之每個處理室之基板處理與複數個調整處理之執行順序；及控制上述基板處理裝置按照上述系統製程程序及上述執行順序處理上述基板。
  9. 如請求項8之基板處理顯示方法，其包括以下步驟：參照上述顯示之基板處理與複數個調整處理之執行順序，受理上述作成之系統製程程序之修正；基於修正後之上述系統製程程序及上述參數，重新決定每個上述處理室之基板處理與複數個調整處理製程之執行順序；及於按照修正後之上述系統製程程序執行基板之處理之前，按時間序 列顯示每個上述處理室之基板處理與複數個調整處理的重新決定後之執行順序。
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