JP2017194680A - 半導体装置、電子部品、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体装置について、図1から図3までを参照して説明する。
図1(A)で説明した半導体装置10をアプリケーションプロセッサに適用した場合の例について、図4から図7までを参照して説明する。
図8(A)、(B)および図9では、上述したレジスタ32に適用可能な構成例について説明する。
図10(A)〜(F)では、上述したフレームメモリ25に適用可能な構成例について説明する。
図11(A)は、電子部品の作製方法例を示すフローチャートである。電子部品は、半導体パッケージ、またはIC用パッケージともいう。この電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。
本明細書等において、「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。
10A 半導体装置
10B 半導体装置
10C アプリケーションプロセッサ
10D 半導体装置
10E アプリケーションプロセッサ
20 MPU
30 I/F
30A I/F
30B I/F
30C ディスプレイI/F
30D メモリI/F
32 レジスタ
33 フリップフロップ
34 記憶回路
35 フリップフロップ
36 記憶回路
37 バックアップ回路
38 スイッチ
40 機能デバイス
40A 機能デバイス
40B 機能デバイス
41 ディスプレイデバイス
42 ディスプレイコントローラ
43 表示部
44 画素
45 DRAM
50 システムバス
63 スイッチ
64 スイッチ
65 インバータ回路
66 インバータ回路
67 インバータ回路
68 インバータ回路
69 トランジスタ
70 トランジスタ
71 トランジスタ
72 容量素子
73 トランジスタ
74 トランジスタ
75 トランジスタ
76 容量素子
77 スイッチ
78 スイッチ
79 インバータ回路
85 インバータ回路
86 インバータ回路
90 メモリセルアレイ
91 ワード線駆動回路
92 ビット線駆動回路
MC メモリセル
MC_A メモリセル
MC_B メモリセル
MC_C メモリセル
MC_D メモリセル
MC_E メモリセル
WL ワード線
BL ビット線
SL ソース線
WWL 書き込みワード線
RWL 読み出しワード線
OS1 トランジスタ
93 容量素子
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
SN 電荷保持ノード
S11 ステップ
S12 ステップ
S13 ステップ
S14 ステップ
S15 ステップ
S16 ステップ
21 パワーコントローラ
22 SRAM
23 GPU
24 FPGA
25 フレームメモリ
7000 電子部品
7001 リード
7002 プリント基板
7004 回路基板
7100 半導体ウエハ
7102 回路領域
7104 分離領域
7106 分離線
7110 チップ
801 筐体
802 筐体
803a 表示部
803b 表示部
804 選択ボタン
805 キーボード
810 電子書籍端末
811 筐体
812 筐体
813 表示部
814 表示部
815 軸部
816 電源
817 操作キー
818 スピーカー
820 テレビジョン装置
821 筐体
822 表示部
823 スタンド
824 リモコン操作機
830 本体
831 表示部
832 スピーカー
833 マイク
834 操作ボタン
841 本体
842 表示部
843 操作スイッチ
Claims (7)
- プロセッサと、設定情報を記憶するレジスタを有するインターフェース回路と、を有する半導体装置であって、
前記インターフェース回路は、前記プロセッサと機能デバイスとの間で入出力される信号を伝える機能を有し、
前記レジスタは、電源電圧が供給される状態で前記設定情報を記憶可能な第1の記憶回路と、前記電源電圧の供給が遮断される状態で前記設定情報を記憶可能な第2の記憶回路と、を有し、
前記インターフェース回路は、前記第1の記憶回路に前記設定情報を記憶させる第1の状態と、前記第1の記憶回路に記憶した前記設定情報に基づいて動作を行う第2の状態と、前記第1の記憶回路に記憶した前記設定情報を前記第2の記憶回路に記憶させて前記電源電圧の供給が遮断される第3の状態と、前記電源電圧の供給を再開して前記第2の記憶回路に記憶した前記設定情報を前記第1の記憶回路に記憶させる第4の状態と、を切り替えて動作する機能を有し、
前記インターフェース回路は、前記機能デバイスの状態に応じて前記第2の状態乃至前記第4の状態が切り替わる機能を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第2の記憶回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域となる半導体層に酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第1のトランジスタを非導通状態とすることで前記第2のトランジスタのゲートの電荷を保持する機能を有することを特徴とする半導体装置。 - プロセッサと、設定情報を記憶するレジスタを有するインターフェース回路と、フレームメモリと、を有する半導体装置であって、
前記インターフェース回路は、前記プロセッサと表示パネルとの間で入出力される信号を伝える機能を有し、
前記レジスタは、電源電圧が供給される状態で前記設定情報を記憶可能な第1の記憶回路と、前記電源電圧の供給が遮断される状態で前記設定情報を記憶可能な第2の記憶回路と、を有し、
前記インターフェース回路は、前記第1の記憶回路に前記設定情報に記憶させる第1の状態と、前記第1の記憶回路に記憶した前記設定情報に基づいて動作を行う第2の状態と、前記第1の記憶回路に記憶した前記設定情報を前記第2の記憶回路に記憶させて前記電源電圧の供給が遮断される第3の状態と、前記電源電圧の供給を再開して前記第2の記憶回路に記憶した前記設定情報を前記第1の記憶回路に記憶させる第4の状態と、が切り替わる機能を有し、
前記表示パネルは、画素に書き込まれた映像信号を書き換える動画表示状態と、前記画素に書き込まれた映像信号を書き換えない静止画表示状態と、を切り替えて動作する機能を有し、
前記インターフェース回路は、前記表示パネルが前記動画表示状態時に前記第2の状態に切り替え、前記表示パネルが前記動画表示状態から前記静止画表示状態に移行時に前記第3の状態に切り替え、前記表示パネルが前記静止画表示状態から前記動画表示状態に移行時に前記第4の状態を経て前記第2の状態が切り替わる機能を有する、ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記第2の記憶回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、チャネル形成領域となる半導体層に酸化物半導体を有し、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第1のトランジスタを非導通状態とすることで前記第2のトランジスタのゲートの電荷を保持する機能を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項3または4において、
前記フレームメモリは、第3のトランジスタを有し、
前記第3のトランジスタは、チャネル形成領域となる半導体層に酸化物半導体を有し、
前記第3のトランジスタは、前記第3のトランジスタを非導通状態とすることで前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方の電荷を保持することができる機能を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置と、
当該半導体装置と電気的に接続されたリードと、
を有することを特徴とする電子部品。 - 請求項6に記載の電子部品と、
表示装置、タッチパネル、マイクロホン、スピーカー、操作キー、および筐体の少なくとも1つと、
を有する電子機器。
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