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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018180772A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 Tdk株式会社 圧電組成物および圧電素子
JP6872966B2 (ja) * 2017-05-10 2021-05-19 住友化学株式会社 圧電膜を有する積層基板、圧電膜を有するデバイスおよび圧電膜を有するデバイスの製造方法
JP6904101B2 (ja) * 2017-06-26 2021-07-14 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッド、液体噴射装置および圧電デバイス
JP2019021994A (ja) * 2017-07-12 2019-02-07 株式会社サイオクス 圧電膜を有する積層基板、圧電膜を有する素子および圧電膜を有する積層基板の製造方法
JP7044600B2 (ja) 2018-03-14 2022-03-30 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電積層体の製造方法および圧電デバイス
JP7074512B2 (ja) * 2018-03-14 2022-05-24 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電積層体の製造方法、圧電素子、およびスパッタリングターゲット材
JP7320098B2 (ja) * 2018-03-14 2023-08-02 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電積層体の製造方法および圧電デバイス
JP7352347B2 (ja) * 2018-12-07 2023-09-28 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電素子および圧電積層体の製造方法
JP6756886B1 (ja) * 2019-04-26 2020-09-16 Jx金属株式会社 ニオブ酸カリウムナトリウムスパッタリングターゲット
JP7464360B2 (ja) * 2019-07-04 2024-04-09 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電素子および圧電積層体の製造方法
JP7701778B2 (ja) * 2019-08-02 2025-07-02 住友化学株式会社 圧電積層体、および圧電素子
JP7626383B2 (ja) * 2019-08-02 2025-02-07 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電素子および圧電積層体の製造方法
JP7362339B2 (ja) * 2019-08-02 2023-10-17 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電素子、および圧電積層体の製造方法
US20230166981A1 (en) * 2020-04-24 2023-06-01 National University Of Singapore Piezoelectric thin film and methods of fabrication thereof
US20230270013A1 (en) * 2020-06-30 2023-08-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Piezoelectric stack, piezoelectric element, and method of manufacturing piezoelectric stack
JP7320091B2 (ja) * 2021-02-10 2023-08-02 住友化学株式会社 圧電薄膜付き積層基板、圧電薄膜付き積層基板の製造方法、圧電薄膜素子、スパッタリングターゲット材、およびスパッタリングターゲット材の製造方法
JP7733503B2 (ja) 2021-08-23 2025-09-03 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電積層体の製造方法、スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット材の製造方法
JP2024141259A (ja) * 2023-03-29 2024-10-10 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電積層体の製造方法、及び圧電素子
JP2024141260A (ja) 2023-03-29 2024-10-10 住友化学株式会社 圧電積層体、圧電積層体の製造方法、及び圧電素子

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0294142B1 (en) * 1987-06-01 1992-03-25 Japan Pionics., Ltd. Method of cleaning exhaust gases
JP3531803B2 (ja) 1999-02-24 2004-05-31 株式会社豊田中央研究所 アルカリ金属含有ニオブ酸化物系圧電材料組成物
DE60224748T2 (de) 2001-04-23 2009-02-05 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Kornorientierte Keramik und Verfahren zu ihrer Herstellung, sowie anisotrop geformtes Pulver und Verfahren zu seiner Herstellung
US6903491B2 (en) * 2001-04-26 2005-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric element, actuator, and inkjet head
JP4398635B2 (ja) 2002-09-24 2010-01-13 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 圧電セラミックス
JP4735840B2 (ja) 2005-12-06 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 圧電体積層体、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータ
JPWO2007119433A1 (ja) * 2006-03-20 2009-08-27 財団法人神奈川科学技術アカデミー Iii−v族窒化物層およびその製造方法
JP2008159807A (ja) 2006-12-22 2008-07-10 Hitachi Cable Ltd 圧電薄膜素子及び圧電薄膜素子を用いて製造したアクチュエータとセンサ
JP5181538B2 (ja) 2007-06-06 2013-04-10 日立電線株式会社 圧電体及び圧電素子
JP5525143B2 (ja) 2008-06-05 2014-06-18 日立金属株式会社 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス
JP5314963B2 (ja) * 2008-08-12 2013-10-16 富士フイルム株式会社 積層体、圧電素子、および液体吐出装置
JP5515675B2 (ja) 2009-11-20 2014-06-11 日立金属株式会社 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス
JP5531635B2 (ja) 2010-01-18 2014-06-25 日立金属株式会社 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス
JP5071503B2 (ja) 2010-03-25 2012-11-14 日立電線株式会社 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス
JP2011233817A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Hitachi Cable Ltd 圧電体素子、その製造方法、及び圧電体デバイス
JP5056914B2 (ja) * 2010-07-07 2012-10-24 日立電線株式会社 圧電薄膜素子および圧電薄膜デバイス
SG185767A1 (en) * 2010-07-29 2013-01-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target for magnetic recording film and process for producing same
JP5380756B2 (ja) * 2011-08-10 2014-01-08 日立金属株式会社 圧電体膜素子の製造方法
JP2013251355A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Hitachi Cable Ltd 圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子、及び圧電体デバイス
JP5858385B2 (ja) * 2012-08-07 2016-02-10 住友化学株式会社 圧電体素子、圧電体デバイス及びその製造方法
US20140084754A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Tdk Corporation Thin film piezoelectric device
JP6266987B2 (ja) * 2013-03-19 2018-01-24 住友化学株式会社 圧電薄膜素子、圧電センサ及び振動発電機
JP2014187094A (ja) 2013-03-22 2014-10-02 Hitachi Metals Ltd 圧電体薄膜積層基板、圧電体薄膜素子、およびそれらの製造方法
US9331262B2 (en) 2013-05-20 2016-05-03 Tdk Corporation Thin film piezoelectric element, thin film piezoelectric actuator, thin film piezoelectric sensor, hard drive disk, and inkjet printer device
JP6044719B2 (ja) * 2013-09-09 2016-12-14 株式会社村田製作所 圧電薄膜素子及びその製造方法
JP2015153850A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 株式会社サイオクス 圧電体薄膜素子、その製造方法、および該圧電体薄膜素子を用いた電子デバイス
JP6521241B2 (ja) * 2015-05-28 2019-05-29 セイコーエプソン株式会社 圧電素子及び圧電素子応用デバイス

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