JPWO2015033791A1 - 圧電薄膜素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
スパッタリング法により形成され,柱状構造を有する圧電薄膜(3)と,前記圧電薄膜に接するように設けられた電極(2,4)とを備え,前記圧電薄膜が,一般式(K1−xNax)NbO3(ただし,0<x<1)で表されるニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し,Nbと置換することができ,かつ酸化物にしたときに2価以上,5価より小さい酸化数を有する元素を3.3モル以下の割合で含む組成としたリーク電流不良を抑制することができる圧電薄膜素子(10)を提供する。
Description
本発明は、ニオブ酸カリウムナトリウム系圧電薄膜を用いた圧電薄膜素子及び圧電薄膜素子の製造方法に関し、より詳細には、スパッタリング法により上記圧電薄膜が形成されている圧電薄膜素子及びその製造方法に関する。
従来、非鉛系の圧電体磁気組成物として、KNN系材料が注目されている。KNN系材料は、ニオブ酸カリウムナトリウム(KNN)を主成分とする圧電材料である。
下記の特許文献1には、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる薄膜を有する圧電薄膜素子が開示されている。特許文献1では、KNN薄膜は、スパッタリング法により形成されている。
他方、下記の非特許文献1には、化学溶液法(chemical solution deposition:CSD)により形成されたKNN系圧電薄膜を有する圧電薄膜素子が開示されている。非特許文献1では、2モル%のMnが100モル%のKNNに添加されている。
さらに、下記の特許文献2には、特定の組成のKNNを主体とする圧電磁気組成物が開示されている。特許文献2では、圧電磁気組成物を構成する原料粉末において、KNN100モルに対しMnを0.1〜10モル含有する組成の原料粉末を焼成することにより、KNN系圧電体が形成されている。Mnを0.1〜10モルの割合で添加することにより、焼成に際しての焼成温度の幅を広くすることができるとされている。
Applied Physics Letters97,072902,2010
特許文献1に記載のように、スパッタリング法により形成されたKNN薄膜では、KやNaが化学量論組成よりも少なくなることがあった。これは、スパッタリング法による形成に際し、KNN薄膜において結晶欠陥が生じることによると考えられる。そのため、結晶欠陥に起因するキャリアが生成され、電流リークが生じるという問題があった。
非特許文献1に記載のような化学溶液法により形成されたKNN膜においても、同様に、形成条件によってはKやNaが再蒸発し、結晶欠陥が生じるおそれがあった。そのため、やはり、電流リークが生じるという問題があった。
なお、特許文献2には、Mnを上記特定の割合で添加することにより、圧電薄膜ではなく、圧電体の焼成に際しての焼成温度を拡げ得ることは記載されている。しかしながら、スパッタリング法や化学溶液法などによりKNN薄膜を形成した場合に上記結晶欠陥によるリーク電流が生じることについては特許文献2には記載されていない。
本発明の目的は、ニオブ酸カリウムナトリウム系の圧電薄膜を有し、リーク電流が生じ難い、圧電薄膜素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明に係る圧電薄膜素子は、スパッタリング法により形成され、柱状構造を有する圧電薄膜と、上記圧電薄膜に接するように設けられた電極とを備え、上記圧電薄膜が、一般式(K1−xNax)NbO3(ただし、0<x<1)で表されるニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素を3.3モル以下の割合で含む組成を有する。
本発明に係る圧電薄膜素子のある特定の局面では、上記Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素の割合が、上記ニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、1.0モル以下である。この場合には、KNN系圧電薄膜の抗電界を高めることができる。
本発明に係る圧電薄膜素子の別の特定の局面では、上記Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素が、Mn、Cr、Cu、Fe、Pd、Ti及びVからなる群から選択された少なくとも1種である。
本発明に係る圧電薄膜素子の他の特定の局面では、基板がさらに備えられており、上記基板上において、上記圧電薄膜及び上記電極が積層されている。
本発明に係る圧電薄膜素子のさらに他の特定の局面では、ドライエッチングによりパターニングされている。
本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法は、一般式(K1−xNax)NbO3(ただし、0<x<1)で表されるニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素を3.3モル以下の割合で含む組成のターゲットを用い、スパッタリング法により上記組成の圧電薄膜を形成する工程と、上記圧電薄膜の形成の前または形成後に、上記圧電薄膜に接するように配置されている電極を形成する工程とを備える。
本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法のある特定の局面では、上記Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素の割合が、上記ニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、1.0モル以下である。この場合には、圧電薄膜の抗電界を高めることができる。
本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法の別の特定の局面では、上記Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素が、Mn、Cr、Cu、Fe、Pd、Ti及びVからなる群から選択された少なくとも1種である。
本発明に係る圧電薄膜素子の製造方法の他の特定の局面では、ドライエッチングによりパターニングする工程をさらに備える。
本発明に係る圧電薄膜素子及びその製造方法によれば、ニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素が3.3モル以下の割合で含まれているため、スパッタリング法により圧電薄膜を形成したとしても、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。従って、圧電特性などの良好な圧電薄膜素子を提供することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1は、本発明の一実施形態に係る圧電薄膜素子の模式的正面断面図である。
圧電薄膜素子10は、基板1を有する。基板1上に、第1の電極2が積層されている。第1の電極2上に、KNN系圧電材料からなる圧電薄膜3が積層されている。この圧電薄膜3上に、第2の電極4が積層されている。
圧電薄膜3は、スパッタリング法により形成されている。圧電薄膜3は、柱状構造を有する。圧電薄膜3は、一般式(K1−xNax)NbO3(ただし、0<x<1)で表されるニオブ酸カリウムナトリウム100モル%に対し、Mnを3.3モル%以下の割合で含む組成を有する。一般式(K1−xNax)NbO3(ただし、0<x<1)で表されるニオブ酸カリウムナトリウムのNbサイトは、Mnにより置換されている。
もっとも、本実施形態においては、上記のようにニオブ酸カリウムナトリウムのNbサイトがMnにより置換されているが、本発明においては、Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素であれば、Nbサイトが他の元素により置換されていてもよい
すなわち、本発明に係る圧電薄膜素子においては、圧電薄膜が、一般式(K1−xNax)NbO3(ただし、0<x<1)で表されるニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素を3.3モル以下の割合で含む組成を有している。従って、本発明に係る圧電薄膜素子においては、リーク不良が抑制されている。
Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素の量が、上記上限より大きい場合、結晶内に置換しきれなかった余剰分の元素が粒界へ析出する。
このように余剰分の元素が粒界へ析出すると、特に圧電薄膜がスパッタリングにより成膜され、柱状構造を有する薄膜の場合、リーク不良が生じることとなる。より詳細には、図9を参照して、以下のように説明される。
図9は、スパッタリングにより成膜された柱状構造を有する圧電薄膜を説明するための部分切欠模式的断面図である。図9に示すように、柱状構造を有する圧電薄膜3においては、粒界5が厚み方向に延びており、他の粒界5と交差していない。このような構造においては、余剰分の析出元素6が粒界5内において自由に存在でき、その結果リーク電流が生じることとなる。
他方、非特許文献1(Applied Physics Letters97,072902,2010)に記載されている化学溶液堆積法により成膜された粒状構造を有する圧電薄膜においては、図10に示すように、粒界5は、厚み方向だけでなく、厚み方向に直交する方向にも延びており、他の粒界5と交差する部分を数多く有している。このような構造においては、余剰分の析出元素6は、この交差している部分に安定的に存在することとなる。すなわち、このような構造においては余剰分の析出元素6が、粒界5内において自由に存在することができないため、リーク電流が流れにくくなる。
このように本願発明者らは、スパッタリング法により柱状構造の圧電薄膜を形成した場合においてリーク電流が生じることを見出し、この問題点に種々検討した結果、Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素を上記特定の割合で含有した組成を用いれば、リーク不良を効果的に抑制し得ることを見出し、本発明をなすに至ったものである。この点については、後程詳述する。
また、本発明においては、Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素の割合が、ニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、1.0モル以下であることが好ましい。その場合においては、リーク不良をより一層確実に抑制することができる。
なお、ペロブスカイト構造を維持するかどうかを知る指標として許容因子(Tolerance Factor)が知られている。許容因子:tは、Aサイトイオン、Bサイトイオン、酸素イオンの各原子半径によって、下記式(1)を用いて計算され、これが0.75<t<1.10であればペロブスカイト構造を維持できることが経験的に知られている。
t=(rA+r0)/(√2×(rB+r0))…式(1)
(式(1)中、rA、rB、r0はそれぞれ、rA:Aサイトイオン半径(KまたはNaのイオン半径)、rB:Bサイトイオン半径(添加する元素のイオン半径)、r0:酸素イオン半径である。)
(式(1)中、rA、rB、r0はそれぞれ、rA:Aサイトイオン半径(KまたはNaのイオン半径)、rB:Bサイトイオン半径(添加する元素のイオン半径)、r0:酸素イオン半径である。)
Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素は、これを満たすBサイトイオン半径を持つことが好ましい。
Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素としては、例えば、Mn、Cr、Cu、Fe、Pd、Ti及びVからなる群から選択された少なくとも1種の元素が挙げられる。
なお、一般式(K1−xNax)NbO3(ただし、0<x<1)で表されるニオブ酸カリウムナトリウムにおけるKサイト及びNaサイトは、異なる元素で置換されていないことが好ましい。あるいは、異なる元素で置換されていても、Kサイト及びNaサイトがn価の酸化数を有する元素により量aだけ置換されており、Nbサイトがm価の酸化数を有する元素により量bだけ置換されているとしたときに、下記式(1)満たすことが好ましい。
(5−m)×b>(n−1)×a ・・・式(1)
Kサイト及びNaサイトが、異なる元素で置換されていない場合、若しくは異なる元素で置換されていても上記式(1)を満たしている場合、より一層確実にリーク不良を抑制することができる。
本実施形態では、圧電薄膜3が上記特定の組成を有し、かつスパッタリング法により形成されているため、上記のように、リーク不良を効果的に抑制することができる。なお、圧電薄膜3の厚みについては、特に限定されるわけではないが、スパッタリング法により形成される薄膜であるため、通常、5μm以下である。
本実施形態では基板1上に、第1の電極2、圧電薄膜3及び第2の電極4がこの順序で形成されている。基板1を構成する材料は特に限定されない。例えば、Si基板や、様々なセラミックスやガラスなどを用いることができる。また、基板1の材料としては、半導体材料を用いてもよい。さらに、単結晶材料を用いてもよい。
加えて、基板1は、上記のような材料の表面に、SiO2膜などの誘電体膜に絶縁膜が積層されている構造を有していてもよい。
第1の電極2は、適宜の金属を用いて形成することができる。第1の電極2の材料としては、高温酸素雰囲気下でも安定な材料が好ましい。このような材料としては、Pt、Au、Irなどの貴金属材料や、導電性酸化物材料などが挙げられる。
第1の電極2は、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により構成されていてもよい。また、第1の電極2は、スパッタリング法、蒸着等の適宜の薄膜形成法により形成することができる。
第1の電極2を形成した後に、スパッタリング法により上記圧電薄膜3を形成することにより、圧電薄膜3が形成される。そして、この圧電薄膜3上に第2の電極4を形成する。この第2の電極4は、第1の電極2と同様に、適宜の金属材料により形成することができる。
上記第1の電極2及び第2の電極4を、基板1や圧電薄膜3に強固に密着させるために密着層を設けてもよい。すなわち、第1の電極2及び第2の電極4の基板1や圧電薄膜3に接する側に、第1の電極2及び第2の電極4よりも基板1や圧電薄膜3に対する密着性の高い材料からなる密着層を設けることが望ましい。このような密着層を構成する材料としては、Ti膜を好適に用いることができる。Ti膜に代えて、Ti酸化物からなる密着層を設けてもよい。なお、密着層を構成する材料はTiやTi酸化物以外の材料であってもよい。
図1では示されていないが、第1の電極2と圧電薄膜3との間に、バッファー層を設けてもよい。このようなバッファー層を設けることにより、圧電薄膜3における配向や応力、表面モルフォロジーを調整することができる。このようなバッファー層を構成する材料としては、LaNiO3などのペロブスカイト構造を持つ酸化物や結晶化しない程度の低温で形成されたKNN膜などを挙げることができる。
次に、上記圧電薄膜素子10の製造方法を説明する。
まず、上記材料からなる基板1を用意する。しかる後、基板1上に、薄膜形成法により第1の電極2を形成する。第1の電極2の形成は、前述したように、スパッタリング法または蒸着等の適宜の薄膜形成法により行い得る。
しかる後、第1の電極2上に、圧電薄膜3をスパッタリング法により形成する。このスパッタリング法については、RFマグネトロンスパッタリング法などの適宜のスパッタリング法を用いることができる。前述したように、圧電薄膜3と第1の電極2との間に、配向や応力を制御するためのバッファー層を形成しておいてもよい。この場合には、バッファー層を形成した後に、圧電薄膜3を形成する。
圧電薄膜3の形成に際しては、KNNに、上記特定の割合のMnが添加されている組成のターゲットを用いればよい。もっとも、Mnの添加方法は、このようなターゲットを用いた方法以外の方法を用いてもよい。例えば、KNNからなる第1のターゲットと、Mnを主成分とする第2のターゲットとを同時に用いて形成してもよい。
また、上記各ターゲットにおけるKNNのNa/(K+Na)の原子比率を変化させることにより、圧電薄膜3におけるNa/(K+Na)の比率を変化させることができる。
上記圧電薄膜3を形成した後に、第2の電極4を第1の電極2と同様の方法により形成する。この第2の電極4の形成前あるいは形成後に、圧電薄膜3を形成する際の加熱温度以上の温度でポストアニールを行ってもよい。それによって、圧電薄膜3の膜質をより一層効果的に高めることができる。また、第2の電極4の形成前あるいは形成後に、さらにドライエッチングによりパターニングすることにより、圧電薄膜素子10を得てもよい。これにより、より一層微細で高精度な加工が可能となる。
図1に示した圧電薄膜素子10では、基板1上に、第1,第2の電極2,4に挟まれた圧電薄膜3が積層されていたが、本発明における圧電薄膜素子の構造はこれに限定されるものではない。すなわち、上記特性の組成の圧電薄膜に接するように電極が設けられている様々な構造の圧電薄膜素子に本発明を適用することができる。
上記実施形態の圧電薄膜素子10では、圧電薄膜3が上記特定の組成のKNN薄膜からなるため、前述したようにリーク電流による不良を抑制することができる。これを具体的な実験例に基づき説明する。
(実施例1)
Si基板上に、120nmの厚みのSiO2膜を熱酸化により形成した。このようにして基板1を用意した。この基板1上に、Ti膜及びPt膜をこの順序でDCスパッタリング法により形成し、第1の電極2を形成した。Ti膜の厚みは5nm、Pt膜の厚みは100nmとした。Ti膜は密着層として機能する。
Si基板上に、120nmの厚みのSiO2膜を熱酸化により形成した。このようにして基板1を用意した。この基板1上に、Ti膜及びPt膜をこの順序でDCスパッタリング法により形成し、第1の電極2を形成した。Ti膜の厚みは5nm、Pt膜の厚みは100nmとした。Ti膜は密着層として機能する。
次に、RFマグネトロンスパッタリング法により、圧電薄膜3を形成した。スパッタリング法の条件は以下の通りとした。
基板加熱設定温度:600℃
スパッタ圧:0.3Pa
雰囲気:Ar/O2を体積比で100/1で含む混合ガス
スパッタリング電力密度:2.6W/cm2
スパッタ圧:0.3Pa
雰囲気:Ar/O2を体積比で100/1で含む混合ガス
スパッタリング電力密度:2.6W/cm2
また、ターゲットとしては、100モル%のKNNに対し、0.3モル%のMnを添加した組成のターゲットを用いた。
またターゲット中のKNNにおけるNa/(K+Na)の原子比率は0.5とした。
上記のようにして厚み1.3μmの圧電薄膜3を形成した。
次に、Ti膜及びPt膜を順に蒸着法により形成し、第2の電極4を形成した。Ti膜の厚みは5nm、Pt膜の厚みは100nmとした。
このようにして、圧電薄膜素子10を得た。
(比較例1)
ターゲットにおいてMnを添加しなかったこと、及び圧電薄膜の膜厚を1.2μmとしたことを除いては、実施例1と同様にして圧電薄膜素子を作製した。
ターゲットにおいてMnを添加しなかったこと、及び圧電薄膜の膜厚を1.2μmとしたことを除いては、実施例1と同様にして圧電薄膜素子を作製した。
(実施例2〜5)
ターゲットにおけるMnの添加量を、0.5モル%、1.0モル%、1.7モル%または3.3モル%としたこと、Na/(K+Na)の比を下記の表1に示すように設定したこと、圧電薄膜の膜厚を下記の表1に示す値とされていることを除いては、実施例1と同様にして、実施例2〜5の圧電薄膜素子を作製した。
ターゲットにおけるMnの添加量を、0.5モル%、1.0モル%、1.7モル%または3.3モル%としたこと、Na/(K+Na)の比を下記の表1に示すように設定したこと、圧電薄膜の膜厚を下記の表1に示す値とされていることを除いては、実施例1と同様にして、実施例2〜5の圧電薄膜素子を作製した。
(比較例2)
Mnのターゲットへの添加割合を5.0モル%としたこと、Na/(K+Na)の比率を0.46、圧電薄膜3の膜厚を1.5μmとしたことを除いては、実施例1と同様にして、圧電薄膜素子を作製した。
Mnのターゲットへの添加割合を5.0モル%としたこと、Na/(K+Na)の比率を0.46、圧電薄膜3の膜厚を1.5μmとしたことを除いては、実施例1と同様にして、圧電薄膜素子を作製した。
(実施例1〜5及び比較例1,2の評価)
上記のようにして得られた各圧電薄膜素子について、分極量−電界ヒステリシス特性を求めた。より具体的には、第1の電極2と第2の電極4との間に電位差を与え、圧電薄膜3に電界を印加した。この電界の大きさを変化させ、その際の分極特性の変化を求め、分極量−電界ヒステリシス特性を求めた。結果を図2〜図8に示す。図2が実施例1の結果を、図3が比較例1の結果を示す。また、図4〜図7が実施例2〜5の結果を示し、図8が比較例2の結果を示す。
上記のようにして得られた各圧電薄膜素子について、分極量−電界ヒステリシス特性を求めた。より具体的には、第1の電極2と第2の電極4との間に電位差を与え、圧電薄膜3に電界を印加した。この電界の大きさを変化させ、その際の分極特性の変化を求め、分極量−電界ヒステリシス特性を求めた。結果を図2〜図8に示す。図2が実施例1の結果を、図3が比較例1の結果を示す。また、図4〜図7が実施例2〜5の結果を示し、図8が比較例2の結果を示す。
図2と図3との比較から明らかなように、Mnが添加されていない比較例1に比べ、Mnが0.3モル%の割合で添加されている実施例1では、ヒステリシス特性が閉じたループの形となっていることがわかる。従って、リーク電流による影響が効果的に抑制されていることがわかる。
同様に、図4〜図7から明らかなように、実施例2〜5においても、リーク特性が改善していることがわかる。
もっとも、Mnの添加割合が5.0モル%と高い比較例2では、図8から明らかなように、ヒステリシス特性が劣化し、リーク電流による影響の大きいことがわかる。
従って、実施例1〜5の結果から、Mnの添加割合が3.3モル%以下であれば、リーク電流により不良を効果的に抑制し得ることがわかる。
他方、実施例1〜5の圧電薄膜素子の抗電界を求めたところ、下記の表1に示す結果が得られた。
表1から明らかなように、実施例1〜3によれば、実施例4,5に比べ抗電界を高め得ることがわかる。従って、好ましくは、Mnの添加割合を1.0モル%以下とすることにより、抗電界の高められたKNN薄膜を用いた圧電薄膜素子を提供し得ることがわかる。
表1における評価記号は以下の通りの意味を示す。
リークの評価記号:×はヒステリシス特性において閉じたループからかけ離れた形状となっていることを意味し、○は、閉じたループまたは閉じたループに近いヒステリシス特性であることを示す。
1…基板
2…第1の電極
3…圧電薄膜
4…第2の電極
5…粒界
6…析出元素
10…圧電薄膜素子
2…第1の電極
3…圧電薄膜
4…第2の電極
5…粒界
6…析出元素
10…圧電薄膜素子
Claims (9)
- スパッタリング法により形成され、柱状構造を有する圧電薄膜と、前記圧電薄膜に接するように設けられた電極とを備え、
前記圧電薄膜が、一般式(K1−xNax)NbO3(ただし、0<x<1)で表されるニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素を3.3モル以下の割合で含む組成を有する、圧電薄膜素子。 - 前記Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素の割合が、前記ニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、1.0モル以下である、請求項1に記載の圧電薄膜素子。
- 前記Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素が、Mn、Cr、Cu、Fe、Pd、Ti及びVからなる群から選択された少なくとも1種である、請求項1又は2に記載の圧電薄膜素子。
- 基板をさらに備え、前記基板上において、前記圧電薄膜及び前記電極が積層されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の圧電薄膜素子。
- ドライエッチングによりパターニングされている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の圧電薄膜素子。
- 一般式(K1−xNax)NbO3(ただし、0<x<1)で表されるニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素を3.3モル以下の割合で含む組成のターゲットを用い、スパッタリング法により前記組成の圧電薄膜を形成する工程と、
前記圧電薄膜の形成の前または形成後に、前記圧電薄膜に接するように配置されている電極を形成する工程とを備える、圧電薄膜素子の製造方法。 - 前記Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素の割合が、前記ニオブ酸カリウムナトリウム100モルに対し、1.0モル以下である、請求項6に記載の圧電薄膜素子の製造方法。
- 前記Nbと置換することができ、かつ酸化物にしたときに2価以上、5価より小さい酸化数を有する元素が、Mn、Cr、Cu、Fe、Pd、Ti及びVからなる群から選択された少なくとも1種である、請求項6又は7に記載の圧電薄膜素子の製造方法。
- ドライエッチングによりパターニングする工程をさらに備える、請求項6〜8のいずれか1項に記載の圧電薄膜素子の製造方法。
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