JP2017034258A5 - 半導体装置、半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (4)

1. 基板上の第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の第１酸化物絶縁層と、
   前記第１酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上に位置し、第２酸化物絶縁層及びゲート絶縁層を順に介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、を有し、
   チャネル長方向の断面において、
   前記ゲート電極層と前記ゲート絶縁層と前記第２酸化物絶縁層とは、同じ長さを有し、
   前記ゲート電極層の側面、前記ゲート絶縁層の側面及び前記第２酸化物絶縁層の側面に接する側壁絶縁層を有し、
   前記酸化物半導体層の上面及び側面、並びに前記第１酸化物絶縁層の側面に接する第１領域を有し、
   前記第１領域は、前記ゲート電極層及び前記側壁絶縁層と重ならない領域を有し、
   前記第１領域は、合金を有し、
   前記第１領域は、コバルト、ニッケル、バナジウム、パラジウムのいずれか一の元素と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタルのいずれか一の元素と、を有すること、
   を特徴とする半導体装置。
2. 基板上の第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の第１酸化物絶縁層と、
   前記第１酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上に位置し、第２酸化物絶縁層及びゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、を有し、
   チャネル長方向の断面において、
   前記ゲート電極層と前記ゲート絶縁層と前記第２酸化物絶縁層とは、同じ長さを有し、
   前記ゲート電極層の側面、前記ゲート絶縁層の側面及び前記第２酸化物絶縁層の側面に接する側壁絶縁層を有し、
   前記ゲート電極層及び前記側壁絶縁層は、前記酸化物半導体層の一部と重なり、
   前記酸化物半導体層上に接して第１導電層を成膜し、
   前記第１導電層上に接して第２導電層を成膜し、
   加熱処理を行うことにより、前記酸化物半導体層と前記第１導電層との間において、合金を形成すること、
   を特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項２において、
   前記第１導電層は、コバルト、ニッケル、白金、バナジウム、クロム、またはパラジウムを有し、
   前記第２導電層は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、ロジウム、イリジウム、またはコバルトを有すること、
   を特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項２または３において、
   前記加熱処理は、４５０℃以上６５０℃以下で行うこと、
   を特徴とする半導体装置の作製方法。