JP2016181537A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 半導体装置は、
   第１のインバータと、
   前記第１のインバータと直列接続される第２のインバータと、
   を備え、
   前記第１のインバータは、
   第１のｐチャネル型トランジスタと、
   第１のｎチャネル型トランジスタと、
   を備え、
   前記第２のインバータは、
   第２のｐチャネル型トランジスタと、
   第２のｎチャネル型トランジスタと、
   を備え、
   前記第１のｐチャネル型トランジスタは、
   突起半導体層で構成され、第１の方向に沿って伸びる第１の活性領域と、
   第２の方向に沿って伸びる第１のゲート電極と、
   前記第２の方向に沿って伸び、前記第１の活性領域のソース側と接続される第１の局所接続配線と、
   前記第２の方向に沿って伸び、前記第１の活性領域のドレイン側と接続される第２の局所接続配線と、
   を備え、
   前記第１のｎチャネル型トランジスタは、
   突起半導体層で構成され、第１の方向に沿って伸びる第２の活性領域と、
   第２の方向に沿って伸びる前記第１のゲート電極と、
   前記第２の方向に沿って伸び、前記第２の活性領域のソース側と接続される第３の局所接続配線と、
   前記第２の方向に沿って伸び、前記第２の活性領域のドレイン側と接続される第４の局所接続配線と、
   を備え、
   前記第２のｐチャネル型トランジスタは、
   突起半導体層で構成され、第１の方向に沿って伸びる第３の活性領域と、
   第２の方向に沿って伸びる第２のゲート電極と、
   前記第２の方向に沿って伸び、前記第３の活性領域のソース側と接続される第５の局所接続配線と、
   前記第２の方向に沿って伸び、前記第３の活性領域のドレイン側と接続される第６の局所接続配線と、
   を備え、
   前記第２のｎチャネル型トランジスタは、
   突起半導体層で構成され、第１の方向に沿って伸びる第４の活性領域と、
   第２の方向に沿って伸びる前記第２のゲート電極と、
   前記第２の方向に沿って伸び、前記第４の活性領域のソース側と接続される第７の局所接続配線と、
   前記第２の方向に沿って伸び、前記第４の活性領域のドレイン側と接続される第８の局所接続配線と、
   を備え、
   前記第３の活性領域の数は前記第１の活性領域の数よりも少なく、
   前記第４の活性領域の数は前記第２の活性領域の数よりも少ない。
2. 請求項１の半導体装置において、
   平面視で、互いに隣接する前記第２のｐチャネル型トランジスタの第３の活性領域と前記第２のｎチャネル型トランジスタの第４の活性領域との間に位置する第５の局所接続配線の部分の長さ（ｄ８）は、互いに隣接する前記第１のｐチャネル型トランジスタの第１の活性領域と前記第１のｎチャネル型トランジスタの第２の活性領域との間に位置する第１の局所接続配線の部分の長さ（ｄ３）よりも長い。
3. 請求項２の半導体装置において、
   平面視で、互いに隣接する前記第２のｐチャネル型トランジスタの第３の活性領域と前記第２のｎチャネル型トランジスタの第４の活性領域との間に位置する第７の局所接続配線の部分の長さ（ｄ８）は、互いに隣接する前記第１のｐチャネル型トランジスタの第１の活性領域と前記第１のｎチャネル型トランジスタの第２の活性領域との間に位置する第３の局所接続配線の部分の長さ（ｄ３）よりも長い。
4. 請求項２の半導体装置において、
   平面視で、互いに隣接する前記第２のｐチャネル型トランジスタの第３の活性領域と前記第２のｎチャネル型トランジスタの第４の活性領域との間に位置する第６の局所接続配線の部分の長さ（ｄ６）は、互いに隣接する前記第１のｐチャネル型トランジスタの第１の活性領域と前記第１のｎチャネル型トランジスタの第２の活性領域との間に位置する第２の局所接続配線の部分の長さ（ｄ３）よりも長い。
5. 請求項４の半導体装置において、
   平面視で、互いに隣接する前記第２のｐチャネル型トランジスタの第３の活性領域と前記第２のｎチャネル型トランジスタの第４の活性領域との間に位置する第８の局所接続配線の部分の長さ（ｄ６）は、互いに隣接する前記第１のｐチャネル型トランジスタの第１の活性領域と前記第１のｎチャネル型トランジスタの第２の活性領域との間に位置する第４の局所接続配線の部分の長さ（ｄ３）よりも長い。
6. 請求項２の半導体装置において、
   さらに、前記第１の方向に沿って伸びる第１および第２の電源配線を備え、
   前記第１の電源配線は前記第１の局所接続配線と前記第５の局所接続配線とに接続され、
   前記第２の電源配線は前記第３の局所接続配線と前記第７の局所接続配線とに接続される。
7. 請求項６の半導体装置において、さらに、
   前記第１の電源配線から前記第２のｎチャネル型トランジスタ側に前記第２の方向に沿って延びる第１の金属配線と、
   前記第２の電源配線から前記第２のｐチャネル型トランジスタ側に前記第２の方向に沿って延びる第２の金属配線と、
   を備え、
   前記第１の金属配線は前記第５の局所接続配線の上に平面視で重なるように配置され、ビアを介して前記第５の局所接続配線に接続され、
   前記第２の金属配線は前記第７の局所接続配線の上に平面視で重なるように配置され、ビアを介して前記第７の局所接続配線に接続される。
8. 請求項７の半導体装置において、さらに、
   前記第６の局所接続配線と前記第８の局所接続配線とを接続し、前記第１のゲート電極に接続される第３の金属配線を備える。
9. 請求項８の半導体装置において、
   前記第３の金属配線は前記第６および第８の局所接続配線の上に平面視で重なるように配置され、ビアを介して前記第６および第８の局所接続配線に接続される。
10. 請求項２に半導体装置において、
    前記第１のｐチャネル型トランジスタは、前記第１の活性領域をＮ個有し、
    前記第２のｐチャネル型トランジスタは、前記第３の活性領域を１個有し、
    前記第１の活性領域の平面視の幅をｄ１、隣接する第１の活性領域間の距離をｄ２、とすると、
    ｄ８≦（Ｎ−１）（ｄ１＋ｄ２）＋ｄ３
    の関係にある。
11. 請求項４に半導体装置において、
    前記第１のｐチャネル型トランジスタは、前記第１の活性領域をＮ個有し、
    前記第２のｐチャネル型トランジスタは、前記第３の活性領域を１個有し、
    前記第１の活性領域の平面視の幅をｄ１、隣接する第１の活性領域間の距離をｄ２、とすると、
    ｄ６≦（Ｎ−１）（ｄ１＋ｄ２）＋ｄ３
    の関係にある。
12. 請求項１に半導体装置において、
    平面視で、前記第１の方向に沿って伸びる第１の電源配線と第２の電源配線との間に、前記第１のｐチャネル型トランジスタの第１の活性領域と前記第１のｎチャネル型トランジスタの第２の活性領域と前記第２のｐチャネル型トランジスタの第３の活性領域と前記第２のｎチャネル型トランジスタの第４の活性領域とが配置され、
    平面視で、前記第１の電源配線と隣接する前記第２のｐチャネル型トランジスタの第３の活性領域の端部から前記第１の電源配線の方向に延伸する前記第５の局所接続配線の長さ（ｄ９）は、前記第１の電源配線と隣接する前記第１のｐチャネル型トランジスタの第１の活性領域の端部から前記第１の電源配線の方向に延伸する前記第１の局所接続配線の長さ（ｄ５）よりも長い。
13. 請求項１２の半導体装置において、
    平面視で、前記第１の電源配線と隣接する前記第２のｐチャネル型トランジスタの第３の活性領域の端部から前記第１の電源配線の方向に延伸する前記第６の局所接続配線の長さ（ｄ７）は、前記第１の電源配線と隣接する前記第１のｐチャネル型トランジスタの第１の活性領域の端部から前記第１の電源配線の方向に延伸する前記第２の局所接続配線の長さ（ｄ４）よりも長い。
14. 請求項１２に半導体装置において、
    前記第１のｐチャネル型トランジスタは、前記第１の活性領域をＮ個有し、
    前記第２のｐチャネル型トランジスタは、前記第３の活性領域を１個有し、
    前記第１の活性領域の平面視の幅をｄ１、隣接する第１の活性領域間の距離をｄ２、とすると、
    ｄ９＝（Ｎ−１）（ｄ１＋ｄ２）＋ｄ５
    の関係にある。
15. 請求項１３に半導体装置において、
    前記第１のｐチャネル型トランジスタは、前記第１の活性領域をＮ個有し、
    前記第２のｐチャネル型トランジスタは、前記第３の活性領域を１個有し、
    前記第１の活性領域の平面視の幅をｄ１、隣接する第１の活性領域間の距離をｄ２、とすると、
    ｄ７＝（Ｎ−１）（ｄ１＋ｄ２）＋ｄ４
    の関係にある。
16. 請求項１に半導体装置において、
    前記第３の活性領域は前記第１の活性領域に接続され、
    前記第４の活性領域は前記第２の活性領域に接続され、
    前記第１の局所接続配線は前記第３の活性領域のソース側と接続され、
    前記第３の局所接続配線は前記第４の活性領域のソース側と接続され、
    前記第２のゲート電極は、平面視で前記第１の局所接続配線と前記第６の局所接続配線との間および前記第３の局所接続配線と前記第８の局所接続配線との間に配置され、
    平面視で、互いに隣接する前記第２のｐチャネル型トランジスタの第３の活性領域と前記第２のｎチャネル型トランジスタの第４の活性領域との間に位置する第６の局所接続配線の部分の長さ（ｄ６）は、互いに隣接する前記第１のｐチャネル型トランジスタの第１の活性領域と前記第１のｎチャネル型トランジスタの第２の活性領域との間に位置する第２の局所接続配線の部分の長さ（ｄ３）よりも長い。
17. 請求項１６の半導体装置において、
    平面視で、互いに隣接する前記第２のｐチャネル型トランジスタの第３の活性領域と前記第２のｎチャネル型トランジスタの第４の活性領域との間に位置する第８の局所接続配線の部分の長さ（ｄ６）は、互いに隣接する前記第１のｐチャネル型トランジスタの第１の活性領域と前記第１のｎチャネル型トランジスタの第２の活性領域との間に位置する第４の局所接続配線の部分の長さ（ｄ３）よりも長い。
18. 請求項１６の半導体装置において、
    さらに、前記第１の方向に沿って伸びる第１および第２の電源配線を備え、
    前記第１の電源配線は前記第１の局所接続配線に接続され、
    前記第２の電源配線は前記第３の局所接続配線に接続される。
19. 請求項１６に半導体装置において、
    前記第１のｐチャネル型トランジスタは、前記第１の活性領域をＮ個有し、
    前記第２のｐチャネル型トランジスタは、前記第１の活性領域を１個有し、
    前記第１の活性領域の平面視の幅をｄ１、隣接する第１の活性領域間の距離をｄ２、とすると、
    ｄ６≦（Ｎ−１）（ｄ１＋ｄ２）＋ｄ３
    の関係にある。