JP2015227279A5 - - Google Patents
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| US7265483B2 (en) | 2004-03-29 | 2007-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Dielectric member, piezoelectric member, ink jet head, ink jet recording apparatus and producing method for ink jet recording apparatus |
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| KR101932576B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
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| US20140217471A1 (en) | 2011-09-08 | 2014-08-07 | National Institute of Information and Communicatio ns Technology | Ga2O3 SEMICONDUCTOR ELEMENT |
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