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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6214978B2 (ja) * 2013-09-17 2017-10-18 株式会社東芝 半導体装置
JP6534791B2 (ja) 2013-12-16 2019-06-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6229501B2 (ja) * 2014-01-08 2017-11-15 富士通株式会社 半導体装置
JP6341679B2 (ja) * 2014-02-06 2018-06-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6561559B2 (ja) * 2015-04-21 2019-08-21 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9666683B2 (en) * 2015-10-09 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors
ITUB20155862A1 (it) * 2015-11-24 2017-05-24 St Microelectronics Srl Transistore di tipo normalmente spento con ridotta resistenza in stato acceso e relativo metodo di fabbricazione
KR102402771B1 (ko) 2015-12-11 2022-05-26 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
FR3047608B1 (fr) * 2016-02-04 2018-04-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Transistor a heterojonction a haute mobilite electronique de type normalement bloque ameliore
FR3047607B1 (fr) * 2016-02-04 2018-04-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Transistor a heterojonction a confinement de gaz d’electrons ameliore
WO2018004660A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Intel Corporation Gate stack design for gan e-mode transistor performance
JP7009952B2 (ja) * 2017-11-22 2022-01-26 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US10541313B2 (en) 2018-03-06 2020-01-21 Infineon Technologies Austria Ag High Electron Mobility Transistor with dual thickness barrier layer
US10516023B2 (en) * 2018-03-06 2019-12-24 Infineon Technologies Austria Ag High electron mobility transistor with deep charge carrier gas contact structure
JP7170433B2 (ja) * 2018-06-19 2022-11-14 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
CN110620143A (zh) * 2018-06-20 2019-12-27 夏令 一种混合沟道化合物半导体器件
JP7071893B2 (ja) * 2018-07-23 2022-05-19 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP7021034B2 (ja) * 2018-09-18 2022-02-16 株式会社東芝 半導体装置
US20220020870A1 (en) * 2019-02-05 2022-01-20 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP7175804B2 (ja) 2019-03-14 2022-11-21 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
CN110112216B (zh) * 2019-05-30 2023-03-14 深圳芯能半导体技术有限公司 一种晶体管及其制作方法
JP7484785B2 (ja) * 2021-03-29 2024-05-16 富士通株式会社 窒化物半導体装置及び窒化物半導体装置の製造方法
CN113644128A (zh) * 2021-06-29 2021-11-12 西安电子科技大学 一种槽栅多沟道结构GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法
US12218202B2 (en) * 2021-09-16 2025-02-04 Wolfspeed, Inc. Semiconductor device incorporating a substrate recess
CN114335175A (zh) * 2021-11-18 2022-04-12 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） 半导体结构及半导体结构的制备方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04282708A (ja) 1991-03-12 1992-10-07 Osaka Gas Co Ltd 移動機械の軌道生成装置
US7365369B2 (en) * 1997-06-11 2008-04-29 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
JP4631103B2 (ja) * 1999-05-19 2011-02-16 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3393602B2 (ja) 2000-01-13 2003-04-07 松下電器産業株式会社 半導体装置
JP4663156B2 (ja) * 2001-05-31 2011-03-30 富士通株式会社 化合物半導体装置
JP4038814B2 (ja) * 2002-06-17 2008-01-30 日本電気株式会社 半導体装置および電界効果トランジスタ
US7439555B2 (en) * 2003-12-05 2008-10-21 International Rectifier Corporation III-nitride semiconductor device with trench structure
JP2006261642A (ja) * 2005-02-17 2006-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP4751150B2 (ja) * 2005-08-31 2011-08-17 株式会社東芝 窒化物系半導体装置
US7462884B2 (en) * 2005-10-31 2008-12-09 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
EP2677544B1 (en) * 2006-03-16 2015-04-22 Fujitsu Limited Compound Semiconductor Device and Manufacturing Method of the Same
JP5179023B2 (ja) * 2006-05-31 2013-04-10 パナソニック株式会社 電界効果トランジスタ
JP5334149B2 (ja) * 2006-06-02 2013-11-06 独立行政法人産業技術総合研究所 窒化物半導体電界効果トランジスタ
JP5289687B2 (ja) 2006-06-22 2013-09-11 株式会社アドマテックス 研磨材用砥粒及びその製造方法、並びに研磨材
US8421119B2 (en) * 2006-09-13 2013-04-16 Rohm Co., Ltd. GaN related compound semiconductor element and process for producing the same and device having the same
JP4282708B2 (ja) 2006-10-20 2009-06-24 株式会社東芝 窒化物系半導体装置
JP2008153350A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Toshiba Corp 半導体装置
JP2008211172A (ja) * 2007-01-31 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4761319B2 (ja) 2008-02-19 2011-08-31 シャープ株式会社 窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置
JP5442229B2 (ja) * 2008-09-04 2014-03-12 ローム株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JP2010118556A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5697456B2 (ja) 2009-02-16 2015-04-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電界効果トランジスタ及び電力制御装置
KR101358633B1 (ko) * 2009-11-04 2014-02-04 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 Ⅲ족 질화물 에피택셜 적층 기판
JP5143171B2 (ja) * 2010-03-17 2013-02-13 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
WO2011118098A1 (ja) * 2010-03-26 2011-09-29 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法、および電子装置
JP2012114320A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 窒化物半導体電界効果トランジスタ
TWI508281B (zh) * 2011-08-01 2015-11-11 Murata Manufacturing Co Field effect transistor
JP6017125B2 (ja) 2011-09-16 2016-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6214978B2 (ja) * 2013-09-17 2017-10-18 株式会社東芝 半導体装置

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