JP2015181223A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 記憶回路を有する半導体装置であって、
   前記記憶回路にスタートアップルーチンを格納させ、当該スタートアップルーチンを実行する機能と、
   前記スタートアップルーチンを実行した後、前記記憶回路を緩衝記憶装置として動作させる機能と、
   前記半導体装置の電源を遮断する前に外部から前記記憶回路に前記スタートアップルーチンをロードする機能と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   電源の供給が遮断されていた期間を計測する機能と、
   電源投入後、前記電源の供給が遮断されていた期間の長さを設定期間と比較し、前記設定期間より長い場合、外部からスタートアップルーチンを前記記憶回路にロードしてから当該スタートアップルーチンを実行し、前記設定期間より短い場合、前記記憶回路に格納された前記スタートアップルーチンを実行する機能と、を有することを特徴とする半導体装置。
3. 記憶回路と、プロセッサと、カウンタと、パワーマネージメントユニットと、レジスタと、比較回路と、を有する半導体装置であって、
   前記記憶回路は、第１の期間においてプログラムを格納する機能と、第２の期間において前記プロセッサのための緩衝記憶装置として動作する機能と、を有し、
   前記プロセッサは、前記第２の期間において前記プログラムを実行する機能を有し、
   前記第１の期間は、電力の供給が遮断される期間を有し、
   前記第２の期間は、前記電力の供給が行われる期間を有し、
   前記カウンタは、前記第１の期間の長さを計測する機能を有し、
   前記パワーマネージメントユニットは、前記第２の期間が開始されると、前記プロセッサへの前記電力の供給が開始されるように制御する機能を有し、
   前記レジスタは、前記カウンタによって計測された前記第１の期間の長さのデータを格納する機能を有し、
   前記比較回路は、前記記憶回路が前記緩衝記憶装置として動作する際に、前記プロセッサから要求されたデータが前記記憶回路に格納されているか否かを判断する機能を有し、
   前記記憶回路は、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。