JP2011095916A5 - 電子機器および電子機器の制御方法 - Google Patents
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Description
上記課題を解決するため、本発明に係る電子機器は、揮発性の主記憶部と、不揮発性の磁気式補助記憶部と、不揮発性の半導体式補助記憶部と、前記磁気式補助記憶部に電力が供給される第１電力状態のときに、前記磁気式補助記憶部のメモリ領域の一部が前記主記憶部の仮想記憶領域として使用され、前記磁気式補助記憶部への電力供給が停止され且つ前記半導体式補助記憶部に電力が供給される第２電力状態のときに、前記半導体式補助記憶部のメモリ領域の一部が前記主記憶部の仮想記憶領域として使用されるように、前記仮想記憶領域の使用を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
本発明は、複数段階の消費電力状態で動作可能な電子機器および電子機器の制御方法に関する。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、磁気式補助記憶装置への電源供給を停止することにより消費電力の低減を可能としながら、休止状態の磁気式補助記憶装置を起動することなく、仮想記憶領域にアクセス可能である電子機器および電子機器の制御方法を提供するものである。
Claims (5)
- 揮発性の主記憶部と、
不揮発性の磁気式補助記憶部と、
不揮発性の半導体式補助記憶部と、
前記磁気式補助記憶部に電力が供給される第１電力状態のときに、前記磁気式補助記憶部のメモリ領域の一部が前記主記憶部の仮想記憶領域として使用され、前記磁気式補助記憶部への電力供給が停止され且つ前記半導体式補助記憶部に電力が供給される第２電力状態のときに、前記半導体式補助記憶部のメモリ領域の一部が前記主記憶部の仮想記憶領域として使用されるように、前記仮想記憶領域の使用を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする電子機器。 - 前記制御手段は、前記電子機器が前記第１電力状態から前記第２電力状態になったときに、前記磁気式補助記憶部に記憶されるデータの少なくとも一部を前記主記憶部に記憶させることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
- 前記制御手段は、前記磁気式補助記憶部および前記半導体式補助記憶部に電力が供給される前記第１電力状態のときに、前記磁気式補助記憶部の仮想記憶領域が前記半導体式補助記憶部に対して優先的に使用されるように、前記仮想記憶領域の使用を制御する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
- 前記半導体式補助記憶部の仮想記憶領域を除く領域には、前記電子機器を使用するユーザを認証するための認証データが記憶されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
- 揮発性の主記憶部と、データを記憶する不揮発性の磁気式補助記憶部と、データを記憶する不揮発性の半導体式補助記憶部と、を備える電子機器の制御方法であって、
前記電子機器が、
前記磁気式補助記憶部に電力が供給される第１電力状態のときに前記磁気式補助記憶部のメモリ領域の一部を前記主記憶部の仮想記憶領域として使用する第１使用ステップと、
前記磁気式補助記憶部への電力供給が停止され且つ前記半導体式補助記憶部に電力が供給される第２電力状態のときに前記半導体式補助記憶部のメモリ領域の一部を前記主記憶部の仮想記憶領域として使用する第２使用ステップと、
を実行することを特徴とする電子機器の制御方法。
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