JP2015064758A5 - - Google Patents
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Description
本発明に係るメモリ制御装置は、データの書き込みと読み出しが可能な半導体メモリが不揮発性メモリであるか揮発性メモリであるかを検出する検出手段と、所定のデータが、前記検出手段が不揮発性メモリと検出した半導体メモリの中へ格納されるよう前記半導体メモリの設定を行う設定手段とを備えることを特徴とする。
なお、ＭＦＰ１００が省電力モードから通常の動作モードに復帰するときには、ＣＰＵ１１２は、電源ＯＦＦのメモリデバイスの電源スイッチに対して、電源をＯＮにする設定を行う。よって、図１１の電源制御メモリリストの場合、不揮発性メモリ（ＤＤＲ３ ＭＲＡＭ）である第２のＲＡＭ１２１の第２の電源スイッチ９０２の電源がＯＮされる。また、ＭＦＰ１００が省電力モードから通常の動作モードに復帰するときには、ＣＰＵ１１２は、メモリコントローラ１１４を介して、セルフリフレッシュのメモリデバイス（図１１の電源制御メモリリストではなし）を通常動作に復帰させる。
Claims (8)
- データの書き込みと読み出しが可能な半導体メモリが不揮発性メモリであるか揮発性メモリであるかを検出する検出手段と、
所定のデータが、前記検出手段が不揮発性メモリと検出した半導体メモリの中へ格納されるよう前記半導体メモリの設定を行う設定手段とを備えることを特徴とするメモリ制御装置。 - 前記設定手段は、前記検出手段が検出した不揮発性メモリに対して、所定のデータを格納するアドレスをマッピングするマッピング手段を有することを特徴とする請求項１記載のメモリ制御装置。
- 前記設定手段は、前記不揮発性メモリを通常の動作モードから省電力モードに移行する際に前記不揮発性メモリの電源をＯＦＦとし、前記省電力モードから前記通常の動作モードへ復帰させる際に前記不揮発性メモリの電源をＯＮとする電源制御手段を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のメモリ制御装置。
- 前記検出手段は、前記半導体メモリの所定のアドレスに対して所定のデータの書き込みを行った後、前記アドレスに対して、一定時間以上、リフレッシュコマンドを発行しなかったときに、前記アドレスのデータが変化していない場合に前記半導体メモリは不揮発性メモリであると判断することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のメモリ制御装置。
- 前記検出手段は、前記半導体メモリの所定のアドレスに対して所定のデータの書き込みを行った後、前記半導体メモリの電源を遮断し、再度、前記半導体メモリに通電を行ったときに前記アドレスのデータが変化していない場合に前記半導体メモリは不揮発性メモリであると判断することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のメモリ制御装置。
- 前記設定手段は、ファームウェア、ファクシミリ画像データ、ページカウントデータ、トナー残量等のデータの中の少なくとも一つのデータについては、前記検出手段が不揮発性メモリと検出した半導体メモリに記憶させるよう設定を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のメモリ制御装置。
- コンピュータによって実行されるメモリ制御方法であって、
データの書き込みと読み出しが可能な半導体メモリが不揮発性メモリであるか揮発性メモリであるかを検出する検出ステップと、
所定のデータが、前記検出ステップで不揮発性メモリと検出された半導体メモリの中へ格納されるよう前記半導体メモリの設定を行う設定ステップとを有することを特徴とするメモリ制御方法。 - コンピュータを、
データの書き込みと読み出しが可能な半導体メモリが不揮発性メモリであるか揮発性メモリであるかを検出する検出手段と、
所定のデータが、前記検出手段が不揮発性メモリと検出した半導体メモリの中へ格納されるよう前記半導体メモリの設定を行う設定手段と、して機能させることを特徴とするプログラム。
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