JP2011065386A5 - メモリコントローラおよびその制御方法 - Google Patents
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Description
本発明は、揮発性メモリから不揮発性メモリへのデータ退避動作に費やされる電力量を抑えて、データ退避動作に必要な供給電力を低減することを目的とする。
本発明にかかるメモリコントローラは、揮発性メモリと不揮発性メモリとの間におけるデータの転送を制御するメモリコントローラであって、リフレッシュ動作モードとセルフリフレッシュ動作モードとを含む複数の動作モードの何れかで動作する複数の揮発性メモリに保持されているデータを不揮発性メモリへ転送するデータ転送手段と、前記データ転送手段による前記複数の揮発性メモリの少なくとも一つからのデータ読出が終了すると、前記データ読出が終了した揮発性メモリを前記リフレッシュ動作モードから前記セルフリフレッシュ動作モードへ移行させる制御手段とを有し、前記制御手段は、データを読み出すためのイネーブル信号を前記複数の揮発性メモリに供給する第1モードと、前記イネーブル信号を前記複数の揮発性メモリの一部に供給するとともに当該イネーブル信号を供給しない揮発性メモリを前記セルフリフレッシュ動作モードに遷移させる第2モードとを切り替えることを特徴とする。
本発明によれば、揮発性メモリから不揮発性メモリへのデータ退避動作に費やされる電力量を抑えて、データ退避動作に必要な供給電力を低減することが可能となる。
Claims (13)
- 揮発性メモリと不揮発性メモリとの間におけるデータの転送を制御するメモリコントローラであって、
リフレッシュ動作モードとセルフリフレッシュ動作モードとを含む複数の動作モードの何れかで動作する複数の揮発性メモリに保持されているデータを不揮発性メモリへ転送するデータ転送手段と、
前記データ転送手段による前記複数の揮発性メモリの少なくとも一つからのデータ読出が終了すると、前記データ読出が終了した揮発性メモリを前記リフレッシュ動作モードから前記セルフリフレッシュ動作モードへ移行させる制御手段とを有し、
前記制御手段は、データを読み出すためのイネーブル信号を前記複数の揮発性メモリに供給する第1モードと、前記イネーブル信号を前記複数の揮発性メモリの一部に供給するとともに当該イネーブル信号を供給しない揮発性メモリを前記セルフリフレッシュ動作モードに遷移させる第2モードとを切り替えることを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記制御手段は、前記不揮発性メモリへのデータ書込の進行状況に応じて、当該不揮発性メモリを前記セルフリフレッシュ動作モードから前記リフレッシュ動作モードに復帰させる制御を行うことを特徴とする請求項1に記載されたメモリコントローラ。
- 主電源に代わって電源を供給するバックアップ電源から電源が供給される場合、前記データ転送手段と前記制御手段は、前記揮発性メモリに保持されているデータを前記不揮発性メモリへ転送することを特徴とする請求項1または請求項2に記載されたメモリコントローラ。
- 前記データ転送手段による前記揮発性メモリから前記不揮発性メモリへのデータ転送は、前記メモリコントローラの内部に備えられたデータ保持手段を介して行われることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載されたメモリコントローラ。
- 前記データ転送手段により前記揮発性メモリから読み出されたデータは前記データ保持手段に保持され、前記保持されたデータは所定のデータサイズに分割されて前記不揮発性メモリへ転送されることを特徴とする請求項4に記載されたメモリコントローラ。
- 前記不揮発性メモリへのデータ書込の進行状況は、前記不揮発性メモリへのデータ書込み数をカウントするか、前記不揮発性メモリへの書込みサイクルから計算される時間をタイマで計測するかにより判定することを特徴とする請求項2に記載されたメモリコントローラ。
- 第1バスを介して記憶装置と接続され、第2バスを介して複数の揮発性メモリと接続されるメモリコントローラであって、
リフレッシュ動作モードとセルフリフレッシュ動作モードとを含む複数の動作モードの何れかで動作する前記複数の揮発性メモリが保持するデータを前記記憶装置に転送する転送手段と、
前記転送手段による前記複数の揮発性メモリの少なくとも一つからのデータ読出が終了すると、前記データ読出が終了した揮発性メモリを前記リフレッシュ動作モードから前記セルフリフレッシュ動作モードへ移行させる制御手段とを有し、
前記制御手段は、データを読み出すためのイネーブル信号を前記複数の揮発性メモリに供給する第1モードと、前記イネーブル信号を前記複数の揮発性メモリの一部に供給するとともに当該イネーブル信号を供給しない揮発性メモリを前記セルフリフレッシュ動作モードに遷移させる第2モードとを切り替えることを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記第2バスは前記第1バスよりもスループットが大きいことを特徴とする請求項7に記載されたメモリコントローラ。
- 前記揮発性メモリはSDRAMであることを特徴とする請求項7または請求項8に記載されたメモリコントローラ。
- 揮発性メモリと不揮発性メモリとの間におけるデータの転送を制御するメモリコントローラの制御方法であって、
リフレッシュ動作モードとセルフリフレッシュ動作モードとを含む複数の動作モードの何れかで動作する複数の揮発性メモリに保持されているデータを不揮発性メモリへ転送するデータ転送工程と、
前記データ転送工程における前記複数の揮発性メモリの少なくとも一つからのデータ読出が終了すると、前記データ読出が終了した揮発性メモリを前記リフレッシュ動作モードから前記セルフリフレッシュ動作モードへ移行させる制御工程とを有し、
前記制御工程において、データを読み出すためのイネーブル信号を前記複数の揮発性メモリに供給する第1モードと、前記イネーブル信号を前記複数の揮発性メモリの一部に供給するとともに当該イネーブル信号を供給しない揮発性メモリを前記セルフリフレッシュ動作モードに遷移させる第2モードとを切り替えることを特徴とするメモリコントローラの制御方法。 - 第1バスを介して記憶装置と接続され、前記第1バスよりスループットが大きい第2バスを介して複数の揮発性メモリと接続されるメモリコントローラの制御方法であって、
リフレッシュ動作モードとセルフリフレッシュ動作モードとを含む複数の動作モードの何れかで動作する前記複数の揮発性メモリが保持するデータを前記記憶装置に転送する転送工程と、
前記転送工程における前記複数の揮発性メモリの少なくとも一つからのデータ読み出が終了すると、前記データ読出が終了した揮発性メモリを前記リフレッシュ動作モードから前記セルフリフレッシュ動作モードへ移行させる制御工程とを有し、
前記制御工程において、データを読み出すためのイネーブル信号を前記複数の揮発性メモリに供給する第1モードと、前記イネーブル信号を前記複数の揮発性メモリの一部に供給するとともに当該イネーブル信号を供給しない揮発性メモリを前記セルフリフレッシュ動作モードに遷移させる第2モードとを切り替えることを特徴とするメモリコントローラの制御方法。 - コンピュータを、
揮発性メモリと不揮発性メモリとの間におけるデータの転送を制御するメモリコントローラであって、
リフレッシュ動作モードとセルフリフレッシュ動作モードとを含む複数の動作モードの何れかで動作する複数の揮発性メモリに保持されているデータを不揮発性メモリへ転送するデータ転送手段と、
前記データ転送手段による前記複数の揮発性メモリの少なくとも一つからのデータ読出が終了すると、前記データ読出が終了した揮発性メモリを前記リフレッシュ動作モードから前記セルフリフレッシュ動作モードへ移行させる制御手段とを有し、
前記制御手段は、データを読み出すためのイネーブル信号を前記複数の揮発性メモリに供給する第1モードと、前記イネーブル信号を前記複数の揮発性メモリの一部に供給するとともに当該イネーブル信号を供給しない揮発性メモリを前記セルフリフレッシュ動作モードに遷移させる第2モードとを切り替えることを特徴とするメモリコントローラとして機能させるためのプログラム。 - コンピュータを、
第1バスを介して記憶装置と接続され、第2バスを介して複数の揮発性メモリと接続されるメモリコントローラであって、
リフレッシュ動作モードとセルフリフレッシュ動作モードとを含む複数の動作モードの何れかで動作する前記複数の揮発性メモリが保持するデータを前記記憶装置に転送する転送手段と、
前記転送手段による前記複数の揮発性メモリの少なくとも一つからのデータ読出が終了すると、前記データ読出が終了した揮発性メモリを前記リフレッシュ動作モードから前記セルフリフレッシュ動作モードへ移行させる制御手段とを有し、
前記制御手段は、データを読み出すためのイネーブル信号を前記複数の揮発性メモリに供給する第1モードと、前記イネーブル信号を前記複数の揮発性メモリの一部に供給するとともに当該イネーブル信号を供給しない揮発性メモリを前記セルフリフレッシュ動作モードに遷移させる第2モードとを切り替えることを特徴とするメモリコントローラメモリコントローラとして機能させるためのプログラム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009214980A JP5524551B2 (ja) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | メモリコントローラおよびその制御方法 |
US12/870,537 US8190788B2 (en) | 2009-09-16 | 2010-08-27 | Shifting volatile memories to self-refresh mode |
US13/450,277 US8375149B2 (en) | 2009-09-16 | 2012-04-18 | Memory controller connected to plural volatile memories and data saving control method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009214980A JP5524551B2 (ja) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | メモリコントローラおよびその制御方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011065386A JP2011065386A (ja) | 2011-03-31 |
JP2011065386A5 true JP2011065386A5 (ja) | 2012-10-18 |
JP5524551B2 JP5524551B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=43731581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009214980A Active JP5524551B2 (ja) | 2009-09-16 | 2009-09-16 | メモリコントローラおよびその制御方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8190788B2 (ja) |
JP (1) | JP5524551B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101784322B1 (ko) * | 2010-11-25 | 2017-10-12 | 에스프린팅솔루션 주식회사 | 무선 네트워크를 형성하는 화상형성장치 및 그 동작 방법 |
JP5728370B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2015-06-03 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置およびその駆動方法 |
JP2013196494A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | メモリシステム |
US10684664B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-06-16 | Hewlett Packard Enterprise Develepment Lp | Removable test and diagnostics circuit |
US11190400B2 (en) | 2014-08-06 | 2021-11-30 | Belkin International, Inc. | Identifying and automating a device type using image data |
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WO2016182579A1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-11-17 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Data transfers based on state transition detections |
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DE102018104226A1 (de) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | Insta Gmbh | Kommunikationsmodul sowie Verfahren zum Betreiben eines solchen Kommunikationsmoduls |
WO2019203782A1 (en) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage device power provisions |
US11073855B2 (en) * | 2019-07-29 | 2021-07-27 | Micron Technology, Inc. | Capacitor-based power converter with buck converter |
US12027196B2 (en) | 2021-07-08 | 2024-07-02 | Kioxia Corporation | Memory system, control method, and power control circuit |
US11520661B1 (en) * | 2021-07-12 | 2022-12-06 | Apple Inc. | Scheduling of data refresh in a memory based on decoding latencies |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299616A (ja) | 1992-04-16 | 1993-11-12 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP3133492B2 (ja) | 1992-07-10 | 2001-02-05 | 株式会社東芝 | 情報処理装置 |
JPH06231053A (ja) | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Toshiba Corp | データ退避方式 |
JP3350198B2 (ja) * | 1994-01-12 | 2002-11-25 | 株式会社日立製作所 | バックアップ機能付き記憶システム |
JPH08161236A (ja) | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Nec Corp | フラッシュメモリによるデータバックアップ方式 |
JP3728468B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2005-12-21 | 株式会社東芝 | メモリ制御装置 |
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JP4499982B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2010-07-14 | 株式会社日立製作所 | メモリシステム |
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-
2009
- 2009-09-16 JP JP2009214980A patent/JP5524551B2/ja active Active
-
2010
- 2010-08-27 US US12/870,537 patent/US8190788B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-18 US US13/450,277 patent/US8375149B2/en not_active Expired - Fee Related
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