JP2013196494A - メモリシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリシステム1は、不揮発性半導体メモリ6と、データバッファ13と、ユーザーデータを不揮発性半導体メモリ6の物理記憶領域のアドレスと一意に対応付ける管理テーブルを格納する揮発性メモリ5と、データバッファ13に格納されたユーザーデータと、揮発性メモリ5に格納された管理テーブルとを不揮発性半導体メモリ6に書き込む強制終了処理を実行するコントローラ3と、蓄電池21とを含む。コントローラ3は、内部電源レギュレータ25の電源元を外部電源から蓄電池21に切り替える前に、強制終了処理を開始する。
【選択図】図5
Description
図1は、本実施形態に係るSSD1のブロック図である。SSD1は、ホストと着脱可能なように構成されたコネクタ2、SSDコントローラ3、電源回路4、揮発性メモリ5、及びNAND型フラッシュメモリ6を備えている。
次に、上記のように構成されたSSD1の動作について説明する。図5は、SSD1の動作を示すタイミング図である。
以上詳述したように本実施形態では、外部電源監視回路20の閾値電圧として、外部電源電圧Vextの異常を判断する電源電圧異常検出電圧Vdetに加えて、強制終了処理を開始するための強制終了開始電圧Vtstを設けている。強制終了開始電圧Vtstは、電源電圧異常検出電圧Vdetより高く、かつ外部電源変動許容最低電圧Vvarより低く設定される。そして、SSDコントローラ3は、内部電源レギュレータ25の電源元を外部電源電圧Vextから蓄電池21に切り替える前に、強制終了処理を開始するようにしている。
Claims (6)
- 不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリに書き込まれるユーザーデータを一時的に格納するデータバッファと、
ユーザーデータを前記不揮発性半導体メモリの物理記憶領域のアドレスと一意に対応付ける管理テーブルを格納する揮発性メモリと、
前記データバッファに格納されたユーザーデータと、前記揮発性メモリに格納された管理テーブルとを前記不揮発性半導体メモリに書き込む強制終了処理を実行するコントローラと、
前記強制終了処理のための電気エネルギーを蓄積する蓄電池と、
外部電源を監視し、前記強制終了処理を開始する第1の閾値電圧と、外部電源の異常を判断する第2の閾値電圧とを有する監視回路と、
外部電源が前記第2の閾値電圧以下になった場合に、前記内部電源レギュレータの電源元を外部電源から前記蓄電池に切り替える切替回路と、
をさらに具備し、
前記コントローラは、外部電源が前記第1の閾値電圧以下になった場合に、前記強制終了処理を開始し、
前記第1の閾値電圧は、前記第2の閾値電圧より高く、かつ、外部電源の変動を許容する最低電圧より低いことを特徴とするメモリシステム。 - 不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリに書き込まれるユーザーデータを一時的に格納するデータバッファと、
ユーザーデータを前記不揮発性半導体メモリの物理記憶領域のアドレスと一意に対応付ける管理テーブルを格納する揮発性メモリと、
前記データバッファに格納されたユーザーデータと、前記揮発性メモリに格納された管理テーブルとを前記不揮発性半導体メモリに書き込む強制終了処理を実行するコントローラと、
前記強制終了処理のための電気エネルギーを蓄積する蓄電池と、
を具備し、
前記コントローラは、内部電源レギュレータの電源元を外部電源から前記蓄電池に切り替える前に、前記強制終了処理を開始することを特徴とするメモリシステム。 - 外部電源を監視し、前記強制終了処理を開始する第1の閾値電圧と、外部電源の異常を判断する第2の閾値電圧とを有する監視回路と、
外部電源が前記第2の閾値電圧以下になった場合に、前記内部電源レギュレータの電源元を外部電源から前記蓄電池に切り替える切替回路と、
をさらに具備し、
前記コントローラは、外部電源が前記第1の閾値電圧以下になった場合に、前記強制終了処理を開始することを特徴とする請求項2に記載のメモリシステム。 - メモリシステムの制御方法であって、
前記メモリシステムは、
不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリに書き込まれるユーザーデータを一時的に格納するデータバッファと、
ユーザーデータを前記不揮発性半導体メモリの物理記憶領域のアドレスと一意に対応付ける管理テーブルを格納する揮発性メモリと、
を具備し、
前記制御方法は、
内部電源レギュレータの電源元を外部電源から蓄電池に切り替える前に、前記データバッファに格納されたユーザーデータと、前記揮発性メモリに格納された管理テーブルとを前記不揮発性半導体メモリに書き込む強制終了処理を開始する工程を具備することを特徴とするメモリシステムの制御方法。 - 外部電源を監視する工程と、
外部電源が第1の閾値電圧以下になった場合に、前記強制終了処理を開始する工程と、
外部電源が第2の閾値電圧以下になった場合に、前記内部電源レギュレータの電源元を外部電源から前記蓄電池に切り替える工程と、
をさらに具備することを特徴とする請求項4に記載のメモリシステムの制御方法。 - 前記第1の閾値電圧は、前記第2の閾値電圧より高く、かつ、外部電源の変動を許容する最低電圧より低いことを特徴とする請求項5に記載のメモリシステムの制御方法。
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