JP2015230513A - 電源回路及びこれを備えるフラッシュメモリシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外部から第1の電圧V1が供給される電源端子11と、入力ノードがダイオードD1を介して電源端子11に接続され、出力ノードから第2の電圧V2aを出力する降圧回路21aと、第2の電圧V2aを昇圧することによって第3の電圧V3を生成する昇圧回路24と、第3の電圧V3によって充電されるキャパシタCと、第1の電圧V1が所定値未満に低下したことに応答して、キャパシタCと降圧回路21aの入力ノードとを接続するスイッチ回路SWとを備える。本発明によれば、キャパシタの充電電圧を任意となることから、バックアップ時における電源電圧の低下を防止することができるとともに、キャパシタにより多くの電荷を蓄積することが可能となる。
【選択図】図1
Description
V2a≧V2d≧V2b≧V2c
である。このうち、電圧V2a,V2bはフラッシュメモリ40に電源電圧として供給され、電圧V2a〜V2dはメモリコントローラ30に電源電圧として供給される。降圧回路21a〜21dの出力ノードは、それぞれ抵抗Ra〜Rdを介して接地されている。抵抗Ra〜Rdを設けることは必須でないが、電源遮断後の電源配線を安定化するために設けることが好ましい。
11 電源端子
12 データ端子
20A,20B,20C,20D 電源回路
21a〜21d 降圧回路
22,25,27,28 電圧検出回路
23 放電回路
24 昇圧回路
26 レベルシフト回路
30 メモリコントローラ
40 フラッシュメモリ
CA コマンドアドレス信号
CTLPOR パワーオンリセット信号
D1,D2 ダイオード
DATA データ
DIS 放電信号
EN イネーブル信号
FBSY ビジー信号
FWP ライトプロテクト信号
G1 AND回路
G2 NAND回路
PG 状態信号
POR 検出信号
Ra〜Rd 抵抗
SW スイッチ回路
V1 第1の電圧
V2a〜V2d 第2の電圧
V3 第3の電圧
VL 内部電源配線
Claims (13)
- 外部から第1の電圧が供給される電源端子と、
入力ノードが整流素子を介して前記電源端子に接続され、出力ノードから第2の電圧を出力する降圧回路と、
前記第2の電圧よりも高い第3の電圧を生成する昇圧回路と、
前記第3の電圧によって充電されるキャパシタと、
前記第1の電圧が第1の所定値未満に低下したことに応答して、前記キャパシタと前記降圧回路の前記入力ノードとを接続するスイッチ回路と、を備えることを特徴とする電源回路。 - 前記昇圧回路は、前記第1の電圧が前記第1の所定値未満に低下したことに応答して昇圧動作を停止することを特徴とする請求項1に記載の電源回路。
- 前記昇圧回路は、前記第2の電圧を昇圧することによって前記第3の電圧を生成することを特徴とする請求項1又は2に記載の電源回路。
- 前記キャパシタの充電電圧が第2の所定値未満に低下したことに応答して、前記キャパシタを放電する放電回路をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電源回路。
- 前記第2の所定値は、前記第1の所定値よりも低いことを特徴とする請求項4に記載の源回路。
- 前記第1の電圧が前記第1の所定値以上であることに応答して検出信号を活性化させる電圧検出回路と、
前記検出信号の振幅を前記第2の電圧にレベルシフトするレベルシフト回路と、をさらに備え、
前記スイッチ回路は、レベルシフトされた前記検出信号によって制御されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電源回路。 - 前記第2の電圧は、メモリコントローラに電源電圧として供給され、
前記メモリコントローラは、前記検出信号に基づいてリセットされることを特徴とする請求項6に記載の電源回路。 - 前記昇圧回路は、前記第3の電圧が第3の所定値以上であることに応答して状態信号を活性化させ、
前記メモリコントローラは、前記検出信号及び前記状態信号の少なくとも一方が非活性化されている場合にリセットされることを特徴とする請求項7に記載の電源回路。 - 前記第2の電圧は、前記メモリコントローラによって制御されるフラッシュメモリに電源電圧として供給され、
前記検出信号が非活性化し、且つ、前記フラッシュメモリがレディ状態であることに応答して、前記キャパシタを放電する放電回路をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の電源回路。 - メモリコントローラと、
前記メモリコントローラによって制御されるフラッシュメモリと、
前記メモリコントローラ及び前記フラッシュメモリに動作電圧を供給する電源回路と、を備え、
前記電源回路は、
外部から第1の電圧が供給される電源端子と、
入力ノードが整流素子を介して前記電源端子に接続され、出力ノードから前記第2の電圧を出力する降圧回路と、
前記第2の電圧よりも高い第3の電圧を生成する昇圧回路と、
前記第3の電圧によって充電されるキャパシタと、
前記第1の電圧が第1の所定値未満に低下したことに応答して、前記キャパシタと前記降圧回路の前記入力ノードとを接続するスイッチ回路と、を含み、
前記第2の電圧が前記動作電圧として前記メモリコントローラ及び前記フラッシュメモリに供給されることを特徴とするフラッシュメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、前記第1の電圧が前記第1の所定値未満に低下したことに応答してリセットされることを特徴とする請求項10に記載のフラッシュメモリシステム。
- 前記昇圧回路は、前記第2の電圧を昇圧することによって前記第3の電圧を生成することを特徴とする請求項10又は11に記載のフラッシュメモリシステム。
- 前記電源回路は、前記第1の電圧が前記第1の所定値未満に低下し、且つ、前記フラッシュメモリがレディ状態であることに応答して、前記キャパシタを放電する放電回路をさらに含むことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか一項に記載のフラッシュメモリシステム。
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