KR20140093505A - 단말기의 메모리 확장 장치 및 방법 - Google Patents

단말기의 메모리 확장 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 단말기의 메모리 확장 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 선택적으로 메모리를 확장할 수 있는 단말기의 메모리 확장 장치 및 방법에 관한 것이다.
이를 달성하기 위해 단말기의 메모리 확장장치가, 램이 내장된 외부메모리가 삽입되는 소켓부와; 상기 소켓부에 상기 램이 내장된 외부메모리가 삽입될 때, 단말기의 램에 저장된 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동하여, 상기 단말기의 램에 대한 가용공간을 확보하도록 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

단말기의 메모리 확장 장치 및 방법{METHOD AND APPARATUS FOR EXTENDING MEMORY IN TERMINAL}
본 발명은 단말기의 메모리 확장 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 선택적으로 메모리를 확장할 수 있는 단말기의 메모리 확장 장치 및 방법에 관한 것이다.
단말기에 구비된 휘발성 메모리 예를 들어, DRAM 메모리의 용량은 한정되어 있다. 따라서 한정된 메모리 용량을 가지는 DRAM에서 가용공간이 부족할 때 시스템이 느려지거나 실행 중인 어플리케이션이 종료 되거나 또는 새로운 OS의 업데이트가 불가능하게 된다.
일반적인 DRAM에서는 데이터 또는 코드가 저장된다. 따라서 새로운 데이터 또는 코드의 기록이 요청될 때, DRAM의 가용공간이 부족하게 되면 사용빈도가 가장 낮은 데이터 또는 코드가 검출된다. 이때 단말기의 비휘발성 메모리에 이미 저장되어 있는 코드가 검출될 경우, 코드를 삭제하여 DRAM의 가용공간을 확보한다.
그러나 데이터가 검출될 경우 사용빈도의 우선순위가 가장 높은 데이터로 기록하고, 다음으로 사용빈도가 낮은 데이터 또는 코드를 검출하게 된다.
상기와 같은 동작을 통해 코드는 다 삭제되고 데이터만이 DRAM에 저장되어 있을 때 새로운 데이터 또는 코드의 기록이 요청되면, DRAM은 더 이상 새로운 데이터 또는 코드를 저장할 수 없게 되어, 실행 중인 어플리케이션이 종료 되는 문제점이 발생하게 된다.
또한 단말기에서 비휘발성 메모리 예를 들어, 낸드(NAND) 메모리를 내장하고 있는 외부메모리 장치가 삽입될 수 있으며, 상기 외부메모리 장치의 낸드메모리에 DRAM의 데이터를 이동할 경우, 데이터의 속도가 저하되고 단말기의 수명 저하를 발생시킨다
따라서 본 발명의 목적은, 선택적으로 메모리를 확장할 수 있는 단말기의 메모리 확장 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 리눅스 스왑(swap)기술을 이용하여 램이 내장된 외부메모리를 시스템 메모리로 확장하여 사용할 수 있는 단말기의 메모리 확장 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 단말기의 메모리 확장장치는, 램이 내장된 외부메모리가 삽입되는 소켓부와; 상기 소켓부에 상기 램이 내장된 외부메모리가 삽입될 때, 단말기의 램에 저장된 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동하여, 상기 단말기의 램에 대한 가용공간을 확보하도록 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 단말기의 메모리 확장방법은, 단말기의 소켓부에 삽입된 외부메모리의 종류를 판단하는 과정과; 상기 단말기의 소켓부에 삽입된 외부메모리가 램이 내장된 외부메모리이면, 상기 단말기의 램에 저장된 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동하여, 상기 단말기의 램에 대한 가용공간을 확보하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 단말기의 메모리 확장 장치 및 방법을 제공함으로써, 외부메모리의 램을 선택적으로 시스템 메모리로 확장하여 사용할 수 있는 효과가 있다. 또한 비휘발성 메모리가 내장된 외부메모리와 비교할 때 데이터 이동속도가 빠르고, 단말기의 수명기간이 길다는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 단말기의 구성도.
도 2는 램이 내장된 외부메모리를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 단말기에서 메모리를 확장하여 사용하는 과정을 도시한 흐름도.
도 4a - 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 단말기에서 단말기의 램에 저장된 데이터를 외부메모리의 램으로 이동(swap out)하는 과정을 도시한 흐름도.
도 5는 단말기의 램에 저장된 데이터들을 사용빈도에 따라 나열한 리스트를 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 단말기에서 외부메모리의 램에 저장된 데이터를 단말기의 램으로 이동(swap in)하는 과정을 도시한 흐름도.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예들의 상세한 설명이 첨부된 도면들을 참조하여 설명될 것이다. 도면들 중 동일한 구성들은 가능한 한 어느 곳에서든지 동일한 부호들을 나타내고 있음을 유의하여야 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 단말기는 휴대 단말기와 고정 단말기를 포함한다. 여기서, 휴대 단말기는 휴대가 용이하게 이동 가능한 전자기기로서, 화상전화기, 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), WCDMA 단말기, UMTS(Universal Mobile Telecommunication Service) 단말기, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), DMB(Digital Multimedia Broadcasting) 단말기, E-Book, 휴대용 컴퓨터(Notebook, Tablet 등) 또는 디지털 카메라(Digital Camera) 등이 될 수 있다. 그리고 고정 단말기는 데스크탑(desktop) 개인용 컴퓨터 등이 될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 단말기의 구성도이고, 도 2는 램이 내장된 외부메모리를 도시한 도면이다.
상기 도 1을 참조하면, 메모리를 확장하여 사용하기 위한 단말기는 제어부(110), 소켓부(120) 및 DRAM(130)을 포함한다.
상기 제어부(110)는 단말기의 전반적인 동작을 제어하는 기능을 수행한다. 본 발명에서 상기 제어부(110)는CPU역할 뿐만 아니라 그래픽 프로세서(GPU), 설계에 따라서는 통신 칩 및 부가기능(Audio, USB등)등까지 모두 수행할 수 있는 AP(Application Processor)와 동일한 기능을 수행한다.
상기 제어부(110)는 본 발명의 실시예에 따라, 상기 소켓부(120)에 램이 내장된 외부메모리가 삽입될 때, 단말기의 DRAM(130)에 저장된 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동하여, 상기 단말기의 DRAM(130)에 대한 가용공간을 확보하도록 제어한다.
또한 상기 제어부(110)는 본 발명의 실 시예에 따라, 상기 소켓부(120)에 상기 램이 내장된 외부메모리가 삽입될 때, 상기 외부메모리의 램과 상기 단말기의 DRAM(130)간에 고속으로 데이터 이동을 수행할 수 있는 UFS 인터페이스(112b)를 포함한다.
또한 상기 제어부(110)는 본 발명의 실 시예에 따라, 스왑(swap)기술을 적용하여, 상기 단말기의 DRAM(130)과 상기 외부메모리의 램 간에 페이지단위로 데이터 이동(swap in/out)을 수행하도록 제어한다.
또한 상기 제어부(110)는 본 발명의 실 시예에 따라, 상기 단말기에서 시스템부팅 동작이 발생될 때, 상기 소켓부(120)에 삽입된 상기 램이 내장된 외부메모리로부터 특정정보를 수신하고, 상기 수신되는 특정정보를 통해 상기 외부메모리의 종류를 판단한다. 상기 제어부(110)는 상기 외부메모리에 램이 내장되어 있음이 판단되면, 상기 외부메모리의 램을 블록디바이스로 등록 한 후 상기 스왑(swap)기술을 적용하여 상기 단말기의 DRAM(130)과 상기 외부메모리의 램 간에 데이터이동(swap in/out)을 수행하도록 제어한다.
또한 상기 제어부(110)는 본 발명의 실시예에 따라, 새로운 데이터 또는 코드 기록이 요청될 때, 상기 단말기의 DRAM(130)에 가용공간이 부족하면, 상기 DRAM(130)에 저장된 데이터들 중 사용빈도가 가장 낮은 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동(swap out)시켜서, 상기 단말기의 DRAM(130)의 가용공간에 상기 새로운 데이터 또는 코드를 기록하도록 제어한다. 이때 상기 제어부(110)는 상기 단말기의 DRAM(130)에 저장된 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동(swap out)시킨 후, 페이지 관리 테이블에 상기 외부메모리의 램으로 이동된 상기 데이터의 저장위치를 변경하여 기록하도록 제어한다. 그리고, 상기 제어부(110)는 상기 단말기의 DRAM(130)에 새롭게 저장된 데이터를 사용빈도가 가장 높은 데이터로 기록하도록 제어한다.
또한 상기 제어부(110)는 본 발명의 실시예에 따라, 상기 외부메모리의 램에 저장된 데이터의 독출이 요청되면, 상기 외부메모리의 램에 저장된 데이터를 상기 단말기의 DRAM(130)램으로 이동(swap in)시킨 후 상기 데이터의 독출을 수행하도록 제어한다. 이때 상기 제어부(110)는 상기 외부메모리의 램에서 저장된 데이터를 상기 단말기의 DRAM(130)으로 이동(swap in)시킨 후, 상기 페이지 관리 테이블에 상기 단말기의 DRAM(130)으로 이동된 상기 데이터의 저장위치를 변경하여 기록하도록 제어한다. 그리고 상기 제어부(110)는 상기 외부메모리의 램에서 상기 단말기의 DRAM(130)으로 이동된 상기 데이터를 사용빈도가 가장 높은 데이터로 기록하도록 제어한다.
상기와 같은 제어부(110)의 구성을 상세히 살펴보면, 코어 서브시스템(111), 고속저장 제어부(112) 및 DRAM 제어부(113)를 포함한다.
상기 고속저장 제어부(112)는 비휘발성 메모리 예를 들어, 낸드메모리가 내장된 외부메모리가 상기 소켓부(120)에 삽입될 때, 상기 소켓부(120)에 삽입된 상기 낸드메모리가 내장된 외부메모리와 특정정보 및 데이터를 송수신하기 위한 SD인터페이스(112a)를 구비하고 있다.
또한 상기 고속저장 제어부(112)는 휘발성 메모리로써 램이 내장된 외부메모리가 상기 소켓부(120)에 삽입될 때, 상기 소켓부(120)에 삽입된 상기 램이 내장된 외부메모리와 특정정보 및 데이터를 송수신하기 위한 고속인터페이스로서, UFS(Universal Flash Storage)인터페이스(112b)를 구비하고 있다.
상기 고속저장 제어부(112)는 상기 단말기에서 시스템 부팅동작이 발생될 때, 상기 코어 서브시스템 (111)로부터 상기 소켓부(120)에 외부메모리의 삽입되어 있는지 여부를 알기 위한 Inquiry command가 수신되면, 상기 Inquiry command를 상기 UFS 인터페이스(112b)를 통해 상기 소켓부(120)에 삽입된 상기 램이 내장된 외부메모리에게 전송한다.
그리고 상기 고속저장 제어부(112)는 상기 외부메모리로부터 상기 UFS인터페이스(112b)를 통해 상기 Inquiry command에 대한 응답신호가 수신되면, 상기 응답신호를 상기 코어 서브시스템 (111)에게 전송한다.
또한 상기 고속저장 제어부(112)는 상기 UFS인터페이스(112b)를 통해 상기 외부메모리로부터 상기 외부메모리의 종류를 알 수 있는 특정정보가 수신되면, 상기 외부메모리의 특정정보를 상기 코어 서브시스템 (111)에게 전송한다. 상기 외부메모리의 종류는 램이 내장된 외부메모리, 낸드메모리가 내장된 외부메모리 및 램과 낸드메모리가 모두 내장된 외부메모리를 포함된다.
또한 상기 고속저장 제어부(112)는 상기 코어 서브시스템 (111)의 제어 하에, 상기 DRAM 제어부(113)로부터 수신되는 데이터를 상기 UFS인터페이스(112b)를 통해, 상기 외부메모리의 램으로 전송한다.
또한 상기 고속저장 제어부(112)는 상기 코어 서브시스템 (111)의 제어 하에, 상기 외부메모리의 램으로부터 수신되는 데이터를 UFS인터페이스(112b)를 통해 상기 DRAM 제어부(113)로 전송한다.
상기 DRAM 제어부(113)는 상기 코어 서브시스템 (111)의 제어 하에, 상기 DRAM(130)에 저장된 데이터를 상기 고속저장 제어부(112)에게 전송하고, 상기 고속저장 제어부(112)로 부터 수신되는 데이터를 상기 DRAM(130)에 저장한다.
상기 코어 서브시스템 (111)는 단말기에서 시스템 부팅 동작이 발생되면, 상기 고속저장 제어부(112)의 UFS인터페이스(112b)를 통해, 상기 소켓부(120)에 외부메모리가 삽입되어있는지 알기 위한 Inquiry Command를 상기 소켓부(120)에게 전송한다.
그리고, 상기 코어 서브시스템 (111)는 상기 고속저장 제어부(112)의 UFS인터페이스(112b)를 통해, Inquiry Command에 대응되는 응답신호가 수신되면, 상기 소켓부(120)에 외부메모리가 삽입되어 있음을 판단한다. 그러나 상기 코어 서브시스템 (111)는 상기 고속저장 제어부(112)의 UFS인터페이스(112b)를 통해, Inquiry Command에 대응되는 응답신호가 수신되지 않거나, 잘못된 데이터가 수신되면, 상기 소켓부(120)에 상기 외부메모리의 삽입이 되어있지 않거나, 오류로 판단한다.
상기 코어 서브시스템 (111)는 상기 고속저장 제어부(112)의 UFS인터페이스(112b)를 통해, 상기 외부메모리로부터 상기 외부메모리의 종류를 알 수 있는 특정정보가 수신되면, 상기 특정정보를 통해 상기 소켓부(120)에 삽입된 상기 외부메모리의 종류를 판단한다. 상기 외부메모로부터 수신되는 특정정보는 리눅스의 관리단위(블록디바이스 또는 캐릭터 디바이스)를 알 수 있는 Peripheral device type정보, 착탈 가능한 디바이스 여부를 알 수 있는 RMB정보, 외부메모리의 종류(램이 내장된 외부메모리, 낸드메모리가 내장된 외부메모리 및 램과 낸드메모리가 모두 내장된 외부메모리)를 알 수 있는 Product Identification/Vendor Specific정보를 포함한다.
상기 코어 서브시스템 (111)는 상기 DRAM(130)에 새로운 데이터 또는 코드에 대한 저장이 요청될 때, 상기 DRAM(130)에 가용공간이 부족하면 상기 DRAM(130)에 저장된 데이터들 중 사용빈도가 가장 낮은 데이터를 페이지 단위로 상기 고속저장 제어부(112)의 UFS인터페이스(112b)를 통해, 상기 외부메모리의 램으로 이동(swap out)하고, 상기 데이터의 이동(swap out)에 따른 상기 DRAM(130)의 가용공간에 새로운 데이터 또는 코드를 저장하도록 제어한다. 이때 상기 코어 서브시스템 (111)는 상기 DRAM(130)에 저장되는 데이터 또는 코드의 정보 및 저장위치를 관리하고 있는 페이지 관리 테이블에, 상기 외부메모리의 램으로 이동된 데이터의 저장위치를 변경하여 기록하도록 제어한다. 그리고 상기 코어 서브시스템 (111)는 상기 DRAM(130)에 새롭게 저장된 데이터를 사용빈도가 가장 높은 데이터로 기록하도록 제어한다.
또한 상기 코어 서브시스템 (111)는 상기 외부메모리의 램에 저장된 데이터에 대한 독출이 요청되면, 상기 고속저장 제어부(112)의 UFS인터페이스(112b)를 통해, 상기 외부메모리의 램에 저장된 데이터를 페이지 단위로 상기 DRAM(130)으로 이동(swap in)한 후 상기 데이터 독출을 수행하도록 제어한다. 이때 상기 코어 서브시스템 (111)는 상기 페이지 관리 테이블에 상기 DRAM(130)으로 이동된 데이터의 저장위치를 변경하여 기록하도록 제어한다. 그리고 상기 코어 서브시스템 (111)는 상기 외부메모리의 램에서 상기 단말기의 램으로 이동된(swap in) 상기 데이터를 사용빈도가 가장 높은 데이터로 기록하도록 제어한다.
상기 소켓부(120)는 낸드메모리를 구비하는 외부메모리와 연결되기 위한 제1 단자들(121)을 소정위치에 구비하고 있으며, 상기 제1 단자들(121)은 상기 고속저장 제어부(112)의 SD 인터페이스부(112a)와 연결되어 있다.
또한 상기 소켓부(120)는 램을 구비하는 외부메모리와 연결되기 위한 제2 단자들(122)을 제1 단자들(121)과는 다른 위치에 구비하고 있으며, 상기 제2 단자들(122)은 상기 고속저장 제어부(112)의 UFS 인터페이스부(112b)와 연결되어 있다.
상기 도 2에서는 상기 단말기의 소켓부(120)에 삽입될 수 있는 램이 내장된 외부메모리를 도시하고 있다.
상기 도 2에서 (a)는 램이 내장된 외부메모리(200)로써, 상기 외부메모리(200)가 상기 단말기의 상기 소켓부(120)에 삽입될 때, 상기 소켓부(120)의 제2 단자들(122)과 접촉될 수 있는 위치에 소정의 단자들(210)을 구비하고 있다.
상기 도 2에서 (b)는 램과 낸드메모리가 모두 내장된 외부메모리(250)로서, 상기 외부메모리(250)가 상기 단말기의 상기 소켓부(120)에 삽입될 때, 램을 사용하기 위해 상기 소켓부(120)의 제2 단자들(122)과 접촉될 수 있는 위치에 소정의 단자들(252)을 구비하고, 동시에 낸드메모리를 사용하기 위해 상기 소켓부(120)의 제1 단자들(121)과 접촉될 수 있는 위치에 소정의 단자들(251)을 구비하고 있다.
상기와 같이 구성된 단말기를 통해 메모리를 확장하여 사용하는 동작을 하기 도 3 - 도 6에서 상세히 설명한다. 하기 실시 예에서는 단말기의 소켓부에 램이 내장된 외부메모리의 삽입을 예로 설명하고 있으나, 램과 낸드메모리가 모두 내장된 외부메모리가 단말기의 소켓부에 삽입될 때도 동일한 동작이 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 단말기에서 메모리를 확장하여 사용하는 과정을 도시한 흐름도이다.
이하 본 발명의 실시 예를 도 1을 참조하여 설명한다.
상기 도 3에서는, 단말기에서 시스템 부팅이 발생되면 상기 제어부(110)는 301단계에서 이를 감지하고, 상기 외부메모리의 삽입을 판단한다. 상기 제어부(110)는 UFS인터페이스(112b)를 통해 Inquiry Command를 상기 소켓부(120)에게 전송하고, 상기 UFS인터페이스(112b)를 통해 상기 소켓부(120)로부터 상기 Inquiry Command에 대응하는 응답신호가 수신되면, 302단계에서 상기 소켓부(120)에 외부메모리가 삽입되어 있음을 감지한다.
이후 상기 제어부(110)는 303단계에서 상기 UFS인터페이스(112b)를 통해 상기 외부메모리로부터 외부메모리의 종류를 알 수 있는 특정정보가 수신되면, 상기 외부메모리로부터 수신되면 특정정보를 통해 상기 소켓부(120)에 삽입된 상기 외부메모리의 종류를 판단한다.
상기 소켓부(120)에 삽입된 상기 외부메모리의 종류의 램이 내장된 외부메모리(200)로 판단되면, 상기 제어부(110)는 304단계에서 이를 감지하고, 상기 외부메모리(200)의 램을 블록디바이스로 등록하는 305단계를 진행한다.
일반적으로 리눅스관리단위는 섹터단위로 접근되는 블록디바이스와 바이트단위로 접근되는 캐릭터디바이스로 분류된다. 메모리의 경우 상기 블록디바이스로 관리됨으로, 블록디바이스로 등록되고, 블록디바이스로 등록되어야만 스왑(swap)를 적용할 수 있다.
상기 제어부(110)는 상기 외부메모리(200)의 램을 블록디바이스로 등록한 후, 두 개의 램들 간에 데이터 이동을 수행할 수 있는 스왑(swap)적용하여, 외부메모리의 램과 단말기의 DRAM(130)간에 데이터이동(swap in/out)을 수행함으로써, 상기 외부메모리의 램을 시스템 메모리로 확장하여 사용하는 306단계를 진행한다.
상기 306단계에서 상기 외부메모리의 램을 시스템 메모리로 확장하여 사용하는 동작을 하기 도 4- 도 6을 통해 상세히 설명한다.
도 4a - 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 단말기에서 단말기의 램에 저장된 데이터를 외부메모리의 램으로 이동(swap out)하는 과정을 도시한 흐름도이고, 도 5는 단말기의 램에 저장된 데이터들을 사용빈도에 따라 나열한 리스트를 도시한 도면이다. 상기 도 5에서는 단말기의 램에 저장된 데이터들을 사용빈도에 따라 나열한 리스트로서 Active List와 Inactive List를 도시하고 있다.
이하 본 발명의 실시 예를 도 1 - 도 2를 참조하여 설명한다.
상기 도 4a - 도 4b를 참조하면, 상기 DRAM(130)에 새로운 데이터기록이 요청되면, 상기 제어부(110)는 401단계에서 이를 감지하고, 상기 DRAM의 메모리 용량을 체크한다. 상기 DRAM(130)에 새로운 데이터를 기록할 수 있는 가용공간이 존재하면, 상기 제어부(110)는 402단계에서 이를 감지하고 상기 DRAM(130)에 새로운 데이터를 기록하는 403단계를 진행한다.
그러나, 상기 DRAM(130)에 새로운 데이터를 기록할 수 있는 가용공간이 부족하면, 상기 제어부(110)는 상기 402단계에서 이를 감지하고, 먼저 Active List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(an)의 사용빈도와 제1 기준 값을 비교하는 404단계를 진행한다.
상기 Active List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(an)의 사용빈도가 상기 제1 기준 값 이상이면, 상기 제어부(110)는 405단계에서 이를 감지하고 Active List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(an)를 상기 Active List에서 가장 우선순위가 높은 데이터(a1)로 기록하는 409단계를 진행한다.
그러나 상기 Active List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(an)의 사용빈도가 상기 제1 기준 값 이하면, 상기 제어부(110)는 상기 405단계에서 이를 감지하고, 상기 Active List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(an)를 Inactive List에서 우선순위가 가장 높은 데이터(b1)로 기록하는 406단계를 진행한다.
그리고 상기 제어부(110)는 상기 Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(bn)의 사용빈도와 제2 기준 값을 비교하는 407단계를 진행한다.
상기 Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(bn)의 사용빈도가 상기 제2 기준 값 이상이면, 상기 제어부(110)는 408단계에서 이를 감지하고 Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(bn)를 상기 Active List에서 가장 우선순위가 높은 데이터(a1)로 기록하는 상기 409단계를 진행한다.
그러나 상기 Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(bn)의 사용빈도가 상기 제2 기준 값 이하면, 상기 제어부(110)는 상기 408단계에서 이를 감지하고, 상기 Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드(bn)에 대한 삭제 또는 이동(swap out)을 수행한다.
상기 Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 것이 코드이면, 상기 제어부(110)는 410단계에서 이를 감지하고, 411단계에서 상기 코드를 삭제한 후, 상기 코드의 삭제에 따라 발생된 DRAM의 가용공간에 새로운 데이터 또는 코드를 저장하는 412단계를 진행한다. 이때 상기 제어부(110)는 Active List에 상기 DRAM(130)에 새롭게 저장된 데이터를 가장 우선순위가 높은 데이터로 기록하도록 제어한다.
그러나, 상기 Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 것이 데이터이면, 상기 제어부(110)는 413단계에서 이를 감지하고, 상기 데이터를 페이지 단위로 상기 외부메모리(200)의 램으로 이동(swap out)하는 414단계를 진행한다. 상기 데이터의 이동(swap out)에 따라 발생된 DRAM의 가용공간에 새로운 데이터 또는 코드를 저장하는 상기 412단계를 진행한다.
상기 제어부(110)는 상기 DRAM(130)에서 저장된 데이터를 상기 외부메모리(200)의 램으로 이동(swap out)시킨 후, 페이지 관리 테이블에 상기 데이터의 저장위치를 상기 외부메모리의 램의 소정 주소 값으로 변경하여 기록한다.
또는 상기 DRAM(130)에 새로운 코드기록이 요청되면, 상기 제어부(110)는 415단계에서 이를 감지하고, 상기 DRAM의 메모리 용량을 체크한다. 상기 DRAM(130)에 새로운 코드를 기록할 수 있는 가용공간이 존재하면, 상기 제어부(110)는 416단계에서 이를 감지하고 상기 DRAM(130)에 새로운 코드를 기록하는 상기 403단계를 진행한다.
그러나, 상기 DRAM(130)에 새로운 코드를 기록할 수 있는 가용공간이 부족하면, 상기 제어부(110)는 상기 416단계에서 이를 감지하고, Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 데이터 또는 코드의 사용빈도와 제2 기준 값을 비교하는 상기 상기 407단계를 진행한다. 이후 상기 408 단계 - 상기 414단계를 진행한다.
종래에는 상기 Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 것이 코드일 때만 삭제하고, 데이터일 때는 Active List에 가장 높은 우선순위에 기록함에 따라, DRAM에 코드가 모두 삭제되고 데이터만이 저장되어 있을 때, 더 이상 새로운 데이터 또는 코드를 기록할 수 있는 가용공간이 발생하지 않게 된다.
그러나, 상기 도 4a - 도 4b에서와 같이, 상기 Inactive List에서 가장 우선순위가 낮게 기록된 것이 코드일 때는 삭제하고, 데이터일 때는 외부메모리의 램으로 이동(swap)시킴으로써, DRAM(130)에 새로운 데이터 또는 코드를 기록할 수 있는 가용공간을 확보할 수 있다. 또한 상기 외부메모리의 램은 DMA 제어부와 물리적으로 연결되어 있지는 않지만, 고속저장 제어부(112)와 연결되어, 확장된 가상 시스템 메모리고 사용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 단말기에서 외부메모리의 램에 저장된 데이터를 단말기의 램으로 이동(swap in)하는 과정을 도시한 흐름도이다.
이하 본 발명의 실시 예를 도 1을 참조하여 설명한다.
상기 도 6을 참조하면, 데이터가 요청될 때, 페이지 관리 테이블을 통해 상기 요청된 데이터의 저장위치가 상기 소켓부(120)에 삽입된 상기 외부메모리(200)의 램이면, 상기 제어부(110)는 601단계에서 이를 감지하고, 상기 외부메모리(200)의 램에 저장된 상기 데이터를 상기 단말기의 DRAM(130)의 빈 영역으로 이동(swap in)하는 602단계를 진행한다.
상기 602단계에서 상기 데이터가 이동되면(swap in), 상기 제어부(110)는 상기 페이지 관리 테이블에서의 상기 데이터의 저장위치를 상기 DRAM(130)에서 상기 데이터가 저장된 빈 영역에 대응되는 주소 값으로 변경하여 기록한다.
또한 상기 제어부(110)는 상기 외부메모리(200)의 램에서 상기 DRAM(130) 이동된(swap in) 상기 데이터를 Active List에서 사용빈도가 가장 높은 데이터로 기록한다.
그리고 상기 제어부(110)는 상기 외부메모리(200)의 램으로부터 상기 DRAM(130)으로 이동된(swap in) 상기 데이터에 대한 독출을 수행하는 603단계를 진행한다.
본 발명의 단말기의 메모리 확장 장치 및 방법은 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 기록매체의 예로는 ROM, RAM, 광학 디스크, 자기 테이프, 플로피 디스크, 하드 디스크, 비휘발성 메모리 등이 있으며, 또한 캐리어 웨이브(예를 들어 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함한다. 또한 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (23)

  1. 단말기의 메모리 확장장치에 있어서,
    램이 내장된 외부메모리가 삽입되는 소켓부와,
    상기 소켓부에 상기 램이 내장된 외부메모리가 삽입될 때, 단말기의 램에 저장된 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동하여, 상기 단말기의 램에 대한 가용공간을 확보하도록 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 소켓부는,
    상기 램이 내장된 외부메모리를 인식할 수 있는 단자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 소켓부에 상기 램이 내장된 외부메모리가 삽입될 때, 상기 외부메모리의 램과 상기 단말기의 램 간에 고속으로 데이터 이동을 수행할 수 있는 UFS 인터페이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 제어부는,
    스왑(swap)를 적용하여, 상기 단말기의 램과 상기 외부메모리의 램 간에 페이지단위로 데이터 이동(swap in/out)을 수행하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 단말기에서 시스템부팅 동작이 발생될 때, 상기 소켓부에 삽입된 상기 외부메모리로부터 특정정보를 수신하고, 상기 수신되는 특정정보를 통해 상기 외부메모리에 램이 내장되어 있음이 판단되면, 상기 외부메모리의 램을 블록디바이스로 등록 한 후 상기 스왑(swap)를 적용하여 상기 단말기의 램과 상기 외부메모리의 램 간에 데이터이동(swap in/out)을 수행하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 제어부는,
    새로운 데이터 또는 코드 기록이 요청될 때, 상기 단말기의 램에 가용공간이 부족하면, 상기 단말기의 램에 저장된 데이터들 중 사용빈도가 가장 낮은 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동(swap out)시키고,
    상기 사용빈도가 가장 낮은 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동(swap out)함에 따라 발생된 상기 단말기의 램의 가용공간에, 상기 새로운 데이터 또는 코드를 기록하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 단말기의 램에 저장된 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동(swap out)시킨 후, 페이지 관리 테이블에 상기 외부메모리의 램으로 이동된 상기 데이터의 저장위치를 변경하여 기록하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  8. 제6 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 단말기의 램에 새롭게 저장된 데이터 또는 코드를 사용빈도가 가장 높은 데이터로 기록하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 외부메모리의 램에 저장된 데이터의 독출이 요청되면, 상기 외부메모리의 램에 저장된 데이터를 상기 단말기의 램으로 이동(swap in)시킨 후 상기 데이터의 독출을 수행하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 외부메모리의 램에서 저장된 데이터를 상기 단말기의 램으로 이동(swap in)시킨 후, 페이지 관리 테이블에 상기 단말기의 램으로 이동된 상기 데이터의 저장위치를 변경하여 기록하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  11. 제9 항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 외부메모리의 램에서 상기 단말기의 램으로 이동된 상기 데이터를 사용빈도가 가장 높은 데이터로 기록하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장장치.
  12. 단말기의 메모리 확장방법에 있어서,
    단말기의 소켓부에 삽입된 외부메모리의 종류를 판단하는 과정과,
    상기 단말기의 소켓부에 삽입된 외부메모리가 램이 내장된 외부메모리이면, 상기 단말기의 램에 저장된 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동하여, 상기 단말기의 램에 대한 가용공간을 확보하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 소켓부에 상기 램이 내장된 외부메모리가 삽입될 때, UFS 인터페이스를 통해 상기 외부메모리의 램과 상기 단말기의 램에 간에 고속으로 데이터 이동을 수행하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  14. 제12 항에 있어서,
    스와(swap)를 적용하여, 상기 단말기의 램과 상기 외부메모리의 램 간에 페이지단위로 데이터 이동(swap in/out)을 수행하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  15. 제12 항에 있어서, 상기 외부메모리의 종류를 판단하는 과정은,
    상기 단말기에서 시스템부팅 동작이 발생되면, 상기 소켓부에 포함된 상기 램이 내장된 외부메모리를 인식할 수 있는 단자들을 통해, 상기 외부메모리로부터 특정정보를 수신하는 과정과,
    상기 외부메모리로부터 수신된 특정정보를 통해 상기 소켓부에 삽입된 외부메모리가 상기 램이 내장된 외부메모리임을 판단하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  16. 제12 항에 있어서, 상기 가용공간을 확보하는 과정은,
    상기 외부메모리에 램이 내장되어 있음이 판단되면, 상기 외부메모리의 램을 블록디바이스로 등록 한 후 스왑(swap)를 적용하여 상기 단말기의 램과 상기 외부메모리의 램 간에 데이터이동(swap in/out)을 수행하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  17. 제12 항에 있어서, 상기 가용공간을 확보하는 과정은,
    새로운 데이터 또는 코드 기록이 요청될 때, 상기 단말기의 램에 가용공간이 부족하면, 상기 단말기의 램에 저장된 데이터들 중 사용빈도가 가장 낮은 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동(swap out)시키는 과정과,
    상기 사용빈도가 가장 낮은 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동(swap out)함에 따라 발생된 상기 단말기의 램의 가용공간에, 상기 새로운 데이터 또는 코드를 기록하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 단말기의 램에서 저장된 데이터를 상기 외부메모리의 램으로 이동(swap out)시킨 후, 페이지 관리 테이블에 상기 외부메모리의 램으로 이동된 상기 데이터의 저장위치를 변경하여 기록하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 단말기의 램에 새롭게 저장된 데이터 또는 코드를 사용빈도가 가장 높은 데이터로 기록하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  20. 제12 항에 있어서,
    상기 외부메모리의 램에 저장된 데이터의 독출이 요청되면, 상기 외부메모리의 램에 저장된 데이터를 상기 단말기의 램으로 이동(swap in)시킨 후 상기 데이터의 독출을 수행하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 외부메모리의 램에서 저장된 데이터를 상기 단말기의 램으로 이동(swap in)시킨 후, 페이지 관리 테이블에 상기 단말기의 램으로 이동된 상기 데이터의 저장위치를 변경하여 기록하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  22. 제20 항에 있어서,
    상기 외부메모리의 램에서 상기 단말기의 램으로 이동된 상기 데이터를 사용빈도가 가장 높은 데이터로 기록하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단말기의 메모리 확장방법.
  23. 제12 항 내지 제22 항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하기 위 한 프로그램이 기록된 프로세서가 판독 가능한 기록매체.
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