CN108351789B

CN108351789B - 电子装置及其启动方法

Info

Publication number: CN108351789B
Application number: CN201680057162.6A
Authority: CN
Inventors: 李学凤; 权宰郁; 全南宰
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2015-09-30
Filing date: 2016-09-30
Publication date: 2021-12-24
Anticipated expiration: 2036-09-30
Also published as: WO2017057934A1; US20170090947A1; KR20170038282A; KR102379202B1; CN108351789A; US10146553B2

Abstract

提供了一种电子装置。该电子装置包括：存储装置，被划分为第一区域和关于来自第一区域的数据具有与第一区域的存储方法不同的存储方法的第二区域；以及处理器，被配置为响应于预定事件发生来将被存储在第一区域中的启动数据存储在第二区域中，并且如果在启动数据被存储在第二区域中时预定事件再次发生，则使用被存储在第二区域中的启动数据来启动电子装置。

Description

电子装置及其启动方法

技术领域

示例实施例的方面一般地涉及电子装置及其启动方法，并且例如，涉及使用被存储在盘中的启动数据来执行启动的电子装置及其启动方法。

背景技术

随着电子技术的发展，已经开发了各种类型的显示装置。具体地，诸如TV、PC、膝上型计算机、平板式PC、移动电话、MP3播放器等的电子装置正被用于几乎每个家庭，展现出了高渗透率。

近来，为了满足用户针对更多的最新式且多样化功能的需求，已经对于开发更加先进形式的电子装置做出了努力。

同时，这样的电子装置通过将被存储在盘中的并且被用于启动的数据加载到存储器上来执行启动，以便使得电子装置在运行各种应用之前可用。

然而，针对启动所需要的时间对于期望电子装置的迅速运行的用户造成不便。

因此，需要用于通过最小化和/或减少电子装置的启动时间来改进用户便利性的方法。

发明内容

技术问题

示例实施例的方面涉及具有提高的启动速度的电子装置及其启动方法。

技术方案

根据示例实施例，提供了一种电子装置，该电子装置包括：存储装置，被划分为第一区域和关于来自第一区域的数据具有与第一区域不同的存储方法的第二区域；以及处理器，被配置为响应于预定事件发生来将被存储在第一区域中的启动数据存储在第二区域中，并且如果在启动数据被存储在第二区域中时预定事件再次发生，则被配置为使用被存储在第二区域中的启动数据来启动电子装置。

第一区域的每单元所存储的比特数量高于第二区域的每单元所存储的比特数量。

第一区域可以被提供为多层单元(MLC)类型，而第二区域可以被提供为单层单元(SLC)类型。

响应于预定事件发生，处理器可以将被随机地存储在构成第一区域的多个块中的启动数据顺序地存储在构成第二区域的多个块中。

处理器可以生成用于将第一区域中存储有启动数据的多个块中的每个与第二区域中存储有启动数据的多个块中的每个进行映射的元数据；并且响应于预定事件再次发生，使用元数据、利用被存储在第二区域中的启动数据来启动电子装置。

第二区域可以具有用于存储在第一区域中所存储的启动数据的最小化的和/或减少的存储区域。

在基于被存储在第二区域中的启动数据完成电子装置的启动之后，处理器可以使用被存储在第一区域中的数据来操作电子装置。

预定事件可以是电子装置的开机操作。

根据示例实施例，提供了一种电子装置的启动方法，该电子装置包括存储装置，该存储装置被划分为第一区域和关于来自第一区域的数据具有与第一区域不同的存储方法的第二区域，该方法包括：响应于预定事件发生来将被存储在第一区域中的启动数据存储在第二区域中；并且响应于在启动数据被存储在第二区域中时预定事件再次发生，使用被存储在第二区域中的启动数据来启动电子装置。

该方法可以进一步包括：响应于预定事件发生，将被随机地存储在构成第一区域的多个块中的启动数据顺序地存储在构成第二区域的多个块中。

该方法可以进一步包括：生成用于将第一区域中存储有启动数据的多个块中的每个与第二区域中存储有启动数据的多个块中的每个进行映射的元数据；并且响应于预定事件再次发生，使用元数据、利用被存储在第二区域中的启动数据来启动电子装置。

该方法可以进一步包括：在基于被存储在第二区域中的启动数据完成电子装置的启动之后，使用被存储在第一区域中的数据来操作电子装置。

预定事件可以是电子装置的开机操作。

发明的有利效果

如上所述，根据各种示例实施例，可以提高电子装置的启动速度，从而进一步改进用户便利性。

附图说明

根据以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和/或其他方面将变得更加明显，在附图中相同的附图标记指代相同的元件，并且其中：

图1是示出根据示例实施例的电子装置的示例启动的图；

图2是示出根据示例实施例的电子装置的示例配置的框图；

图3是示出根据示例实施例的eMMC系统的示例结构的图；

图4是示出根据示例实施例的闪速存储器的示例配置的框图；

图5是示出根据示例实施例的处理器的示例操作的框图；

图6是示出根据示例实施例由处理器所生成的示例元数据的表；

图7是示出根据示例实施例的存储装置、处理器和RAM的示例操作的流程图；

图8是示出根据示例实施例的电子装置的示例配置的框图；以及

图9是示出根据示例实施例的电子装置的示例启动方法的流程图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图更加详细地描述本公开。

图1是示出根据示例实施例的电子装置(未示出)的示例启动的图。

例如，启动可以指代开启或重启电子装置(未示出)的操作，并且如图1所示，启动包括将被存储在辅助存储设备(例如，存储器)10中的启动数据加载到主存储设备(例如，存储器)20的处理。

这里，启动数据可以是系统软件。系统软件的示例包括计算机、编译器、实用器等的操作系统。

例如，辅助存储设备10可以指代用于记录可以被记录在主存储设备中的大规模数据的设备。例如，辅助存储设备10可以包括硬盘、闪存盘等。具体地，辅助存储设备10可以存储驱动系统的启动加载器、操作系统、应用、用户内容等。

例如，主存储设备20可以指代用于存储当前被运行的程序和针对程序临时地需要的数据的设备。被存储在辅助存储设备10中的程序文件可以仅当其被加载到主存储设备20时被CPU使用。在示例实施例中，例如，主存储设备20通常指代RAM，但是不限于此。RAM可以被划分为动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。

例如，以作为操作系统的Linux内核为例，被存储在辅助存储设备10中的Linux内核被启动加载器加载到主存储设备20上，该启动加载器初始化设备并且将设备设置为可操作。随后，Linux内核使用与内核一起提供的存储器管理来将被存储在辅助存储设备10中的特定程序文件加载到主存储设备20上，以运行特定程序。在这里所使用的方法之一是缺页(page fault)。缺页是按照页单元(例如，4KB)对被存储在辅助存储设备10中的数据进行划分并且按照页单元将操作程序所需要的每个数据加载到主存储设备20上的方法。

同时，电子装置可以被实施为个人计算机(PC)、膝上型计算机、移动电话、智能电话、平板式PC、个人数字助理(PDA)、企业数字助理(EDA)、数字静态相机、数字视频相机、音频设备、便携式多媒体播放器(PMP)、个人导航设备或便携式导航设备(PND)、MP3播放器、手持游戏终端、或电子书等，但是不限于此。

同时，电子装置(未示出)可以使用包括其中存储数据的方法彼此不同的多个区域的辅助存储设备10来提高电子设备(未示出)的启动速度，这将在以下参考附图更加详细地描述。

图2是示出根据示例实施例的电子装置100的示例配置的框图。

参考图2，电子设备100包括存储装置110和处理器120。

存储装置110将各种数据存储在例如存储器中。

存储装置110的主要示例包括闪速存储器。闪速存储器是将数据存储在由浮栅晶体管构成的每个单元中的非易失性存储器。闪速存储器的单元可以通过使用电子填充或清空浮栅来记录或删除数据。闪速存储器可以被划分为NOR、NAND、DINOR和AND形式的存储器。

在下文中，嵌入式多媒体卡(eMMC)将被描述为存储装置110的示例。然而，根据示例实施例，作为存储装置110，还可以使用各种类型的其他存储装置，诸如，同时包括单层单元(SLC)和多层单元(MLC)类型两者的混合型闪速存储器。另外，根据示例实施例的存储装置110可以使用随着技术的发展在将来将被开发的各种存储装置来实施，并且不限于在这里所描述的示例。以下将参考图4更加详细地描述SLC和MLC。

多媒体卡(MMC)是闪速存储卡的存储卡标准。eMMC是由JEDEC设置为标准的内置MMC标准。具体地，eMMC通信基于11路信号总线。eMMC可以被插入诸如智能电话的移动通信设备并且在其中使用。

将参考图3和图4来详细地描述eMMC。

图3是示出根据示例实施例的示例eMMC系统110-1的框图。

参考图3，eMMC 110-1包括系统主机310、设备控制器111和闪速存储器112。

主机310可以控制eMMC 110-1的数据处理操作，诸如，数据读取操作、数据写入操作等。这里，可以按照单数据速率(SDR)或双数据速率(DDR)来执行数据处理操作。

主机310可以指代能够处理数据的数据处理设备，诸如，中央处理单元(CPU)、处理器、微处理器、应用处理器等，并且数据处理设备可以被嵌入或被实施在电子装置100中。

在这种情况下，eMMC 110-1和主机310可以通过连接装置(例如，焊盘、引脚、总线或通信线)彼此电连接以用于数据通信。

设备控制器111控制主机310与存储器112之间的数据通信。

具体地，设备控制器111从主机310接收时钟信号(CLK)和命令(CMD)，分析所接收的命令(CMD)，根据分析结果生成响应(RES)，以及向主机310传送所生成的响应(RES)和基于所生成的响应(RES)而生成的数据。

设备控制器111包括固件。设备控制器111可以操作FTL(闪存转换层)、耗损均衡以及坏块管理(BBM)，并且将NAND阵列划分为通道和路以与纯NAND相比带来更好的性能。

闪速存储器112存储数据。具体地，闪速存储器112(这里，闪速存储器112为eMMC110-1的一部分)可以被划分为第一区域112-1和第二区域112-2，第二区域112-1具有用于来自第一区域112-1的数据的不同的存储方法。具体地，第一区域112-1的每个单元中所存储的比特多于第二存储区域112-2的每个单元中所存储的比特，这将参考图4详细地描述。

图4是示出根据示例实施例的闪速存储器112的示例配置的框图。

参考图4，闪速存储器112可以被划分为第一区域112-1和第二区域112-2。例如，第一区域112-1可以被提供为MLC类型，而第二区域112-2可以被提供为SLC类型。

具体地，闪速存储器112的NAND类型被设置为MLC类型。然而，闪速存储器12可以基于块单元来将MLC类型部分地或整体地改变为SLC类型。例如，一个MLC块可以被一个SLC块替代。块指代闪速存储器112的物理存储装置中存储有数据的单元。

这里，SLC代表单层单元，并且可以表示每单元1个比特。MLC代表多层单元，并且可以表示每单元2个比特。通常，如果MLC类型被改变为SLC类型，则与MLC类型相比，SLC类型可以具有两倍的读取/写入速度以及十倍的稳定性。

同时，为了确保可以比SLC存储更多数据的最大化的和/或增加的MLC容量，要被改变为SLC以用于存储在第一区域112-1中所存储的启动数据的第二区域112-2的MLC的量可以是最小化和/减少的存储区域。

同时，当制造eMMC时、制造电子装置100时或操作电子装置100时，可以设置将闪速存储器112划分为SLC类型的区域112-1和MLC类型的区域112-2的分区。

同时，处理器120控制电子装置100的整体操作。

当预定事件发生时，处理器120可以将被存储在第一区域112-1中的启动数据存储在第二区域112-2中。这里，预定事件可以是对电子装置100开机的事件。

具体地，当预定事件发生时，处理器120可以将被随机地存储在构成第一区域112-1的多个块中的启动数据顺序地存储在构成第二区域112-2的多个块中，这将参考图5详细地描述。

图5是示出根据示例实施例的处理器120的示例操作的框图。

参考图5，当预定事件(例如，启动输入)发生时，处理器120使用设备控制器111来读出被存储在第一区域112-1中的启动数据(块1至6)。在这种情况下，处理器120将所读出的启动数据顺序地存储在第二区域112-2的块中。

随着上述操作，处理器120将所读出的被存储在第一区域112-1中的启动数据存储在RAM 130的页(页1至6)中。这里，页指代在块中所存储的、解压缩的启动数据，并且是由RAM 130所处理的文件的束单元(bundle unit)。与多个页相对应的文件可以以压缩的形式被存储在块中，但是在此示例实施例中，假定被存储在页1至6以及块1至6中的文件按顺序一对一匹配。

另外，如果在启动数据被存储在第二区域112-2中时预定事件再次发生，则处理器120可以使用被存储在第二区域112-2中的启动数据来启动电子装置100。

具体地，处理器120可以生成用于将第一区域112-1中存储有启动数据的多个块中的每个与第二区域112-2中存储有启动数据的多个块中的每个进行映射的元数据(未示出)，并且当预定事件再次发生时，基于元数据(未示出)、使用被存储在第二区域112-2中的启动数据来启动电子装置100，这将参考图6进行描述。

图6是示出根据示例实施例由处理器所生成的示例元数据的表。

参考图6，处理器120可以生成元数据600，元数据600将存储有启动数据的第一区域112-1的块与存储有启动数据的第二区域112-2的块进行匹配。这里，为了说明的方便，元数据600以表600的形式表现。

例如，如果事件发生并且执行启动，则处理器120可以生成图6中的参考标记610的一部分。

具体地，如果第一区域112-1的块1被存储在第二区域112-2中，则处理器120将存储有块1的第一区域112-1的相对应的块的地址(x10)与存储有块1的第二区域112-2的相对应的块的地址(y1)进行匹配和存储。关于块2至6，处理器120重复上述处理并且存储地址。

随后，如果预定事件再次发生，处理器120参考元数据600，通过从第二区域112-2读取块1至6来推进启动处理，以及通过从第二区域112-2的块地址y1中搜索块1并且将块1存储在RAM 130的页1等的处理来将块1至6加载到页1至6。

一旦完成启动处理，则处理器120可以在基于被存储在第二区域112-2中的启动数据完成电子装置100的启动之后，使用被存储在第一区域112-1中的数据来操作电子装置100。

同时，预定事件可以是开机操作，并且处理器120可以确认开机操作是第一操作、第二操作还是更多。这里，脚本指代由主应用转译或执行的一系列程序或命令。另外，处理器120可以确定用于将被存储在第一区域112-1中的块存储在第二区域112-2中的起始点和结束点，以及用于基于I/O控制命令来参考所生成的元数据600的起始点和结束点。

图7是示出根据示例实施例的存储装置110、处理器120和RAM 130的示例操作的流程图。

首先，当预定事件发生时(S610)，处理器120发送用于将被存储在第一区域112-1中的启动数据移动并且存储到第二区域112-2中的请求，以及用于向存储装置110发送相对应的启动数据的请求(S611)。接收到请求的存储装置110将被存储在第一区域112-1中的启动数据移动到第二区域112-2中(S620)。另外，存储装置110向处理器120传送相对应的启动数据以及与存储有相对应的启动数据的第二区域112-2的块相对应的地址(S621)。同时，接收启动数据的处理器120将启动数据加载到RAM 130上(S612)。另外，处理器120生成将与存储有所传送的启动数据的第二区域112-2的块相对应的地址和与存储有启动数据的第一区域112-1的块相对应的地址进行映射的元数据600。

当预定事件再次发生时(S614)，处理器120参考所生成的元数据600请求被存储在第二区域112-2中的启动数据的传输(S615)。响应于请求，存储装置110向处理器120传送被存储在第一区域112-1中的启动数据(S622)。处理器120通过将所传送的启动数据上传到RAM 130的处理来完成启动(S616)。

同时，完成启动处理的处理器120根据来自各种应用的请求来请求被存储在第一区域112-1中的文件(S617)。当传送文件时(S623)，处理器120将相对应的文件加载到RAM130上(S618)。

这样，与使用被存储在第一区域(例如，MLC)中的启动数据来执行启动相比，当使用被存储在第二区域(例如，SLC)中的启动数据来执行启动时，可以以更快的启动速度来执行启动。

另外，当启动数据被存储在第二区域的连续的块中时，可以顺序地加载启动数据，从而显著地提高启动速度。

图8是示出根据示例实施例的电子装置100的示例配置的框图。

参考图8，电子装置100包括存储装置110、处理器120、RAM 130、通信器(例如，包括通信电路)140和显示器150。将不详细地解释与以上描述的元件重复的图8的元件。

存储装置110可以存储各种数据，诸如用于操作电子装置100的操作系统(O/S)、软件模块、各种多媒体内容等。

具体地，存储装置110可以将启动数据存储在第一区域112-1中，并且根据来自处理器120的命令，将启动数据移动并且存储到第二区域112-2中。另外，存储装置110可以根据来自处理120的命令向处理器120传送相对应的启动数据。

同时，在图8中，假定RAM 130被提供在处理器120外部以便于解释元件之间的关系，但是RAM 130也可以被提供在处理器120内部。这里，将与处理器120一起描述RAM 130。

可以通过被存储在存储装置110中的程序来执行处理器120的操作。

具体地，处理器20可以包括RAM 130、ROM 121、主CPU 122、图形处理器123、第一接口124-1至第n接口124-n以及总线125。

在此示例中，RAM 130、ROM 121、主CPU 122、图形处理器123以及第一接口124-1至第n接口124-n可以经由总线125彼此连接或彼此通信。

第一接口124-1至第n接口124-n连接到前述各种特征。接口之一可以是经由网络连接到外部装置的网络接口。

ROM 121存储用于启动系统的命令集。当输入用于上电的命令并且供给电力时，主CPU 122根据被存储在ROM 121上的命令字来复制被存储在存储装置110上的操作系统(O/S)，并且运行O/S以启动系统。当完成启动时，主CPU 122复制被存储在存储装置110上的各种应用程序，以及运行被复制到RAM 130上的应用程序并且执行各种操作。

主CPU 122可以访问存储装置110，并且通过使用被存储在存储装置110中的操作系统(OS)来执行启动。然后，主CPU 122使用被存储在存储装置110上的各种程序、内容、数据等来执行各种操作。

图形处理器123使用计算单元(未示出)和渲染单元(未示出)来生成包括各种对象——诸如图标、图像、文本等——的屏幕。计算单元使用从输入单元260所接收到的控制命令、根据屏幕布局来计算属性值，诸如显示每个对象的坐标值、形式、大小、颜色等。渲染单元和计算单元基于所计算出的属性值来生成包括对象的各种布局的屏幕。

通信器140可以利用各种通信电路来执行与外部装置的通信。这里，通信器140可以通过各种通信方法和各种通信电路来执行与外部装置的通信，诸如，例如但不限于，BT(蓝牙)、WI-FI(无线保真)、Zigbee(紫峰)、IR(红外)、串行接口、USB(通用串行总线)、NFC(近场通信)等。

显示器150输出各种图像。例如，显示器150可以显示由图形处理器123所生成的各种屏幕。

为了这样，显示器150可以被实施为液晶显示器(LCD)、有机发光二极管显示器(OLED)等。

同时，依赖于实施例方法，显示器150可以进一步包括另外的元件。例如，如果显示器150是LCD，则显示器150可以包括LCD显示面板、向LCD显示面板提供光的背光单元、面板驱动基板等。

另外，电子装置100可以进一步包括处理音频数据的音频处理器(未示出)、处理视频数据的视频处理器(未示出)、不仅输出由音频处理器(未示出)处理的各种音频数据并且还输出各种通知声音、语音消息等的扬声器(未示出)、接收用户语音或其他声音并且将其转换为音频数据的麦克风(未示出)等。

图9是示出根据示例实施例的电子装置100的示例启动方法的流程图。

首先，关于启动方法，当预定事件发生时，将被存储在第一区域112-1中的启动数据存储在第二区域112-2中(S910)，并且如果在启动数据被存储在第二区域112-2中时预定事件再次发生，则使用被存储在第二区域112-2中的启动数据来启动电子装置110(S910)。在这种情况下，电子装置100包括存储装置110，存储装置110被划分为第一区域112-1以及对于来自第一区域112-1的数据具有不同的存储方法的第二区域112-2。

这里，第一区域112-1的每个单元中所存储的比特多于第二区域112-2的每个单元中所存储的比特。

另外，第一区域112-1可以是MLC类型，而第二区域112-2可以是SLC类型。

这里，启动方法可以进一步包括：当预定事件发生时，将被随机地存储在构成第一区域112-1的多个块中的启动数据顺序地存储在构成第二区域112-2的多个块中。

另外，启动方法可以进一步包括：生成用于将第一区域112-1中存储有启动数据的多个块中的每个与第二区域112-2中存储有启动数据的多个块中的每个进行映射的元数据，并且如果预定事件再次发生，则基于元数据使用被存储在第二区域112-2中的启动数据来启动电子装置100(S920)。

另外，第二区域112-2可以具有用于存储被存储在第一区域112-1中的启动数据的最小化的和/或减少的存储区域。

另外，启动方法可以进一步包括：在基于被存储在第二区域112-2中的启动数据完成电子装置100的启动之后，使用被存储在第一区域112-1中的数据来操作电子装置100。

预定事件可以是电子装置100的开机操作。

同时，根据各种示例实施例的电子装置100的设置方法可以被实施为由计算机所运行的并且被提供在每个服务器或设备中的程序代码，以使得当其被存储在各种非暂态计算机可读介质中时该方法可以由处理器120运行。

例如，可以提供存储执行下述步骤的程序的非暂态计算机可读介质：如果预定事件发生，则将被存储在第一区域112-1中的启动数据存储在第二区域112-2中(S910)，并且如果在启动数据被存储在第二区域112-2中时，预定事件再次发生，则使用被存储在第二区域112-2中的启动数据来启动电子装置100(S920)。

非暂态计算机可读介质指代由装置可读的介质。具体地，上述各种应用或程序可以被存储在非暂态计算机可读介质中，诸如压缩盘(CD)、数字通用盘(DVD)、硬盘、蓝光盘、通用串行总线(USB)、存储卡、ROM等。

虽然已经参考本公开的各种实施例示出并且描述了本公开，但是本领域技术人员将理解其中可以进行各种形式上和细节上的改变，而不背离由所附权利要求及其等价形式所限定的本公开的精神和范围。

Claims

1.一种电子装置，包括：

存储装置，包括第一区域和第二区域，所述第二区域的数据存储方法与所述第一区域的数据存储方法不同；以及

处理器，被配置为：

响应于预定事件发生，从存储在第一区域中的多个数据获得启动数据，并将所述启动数据存储在第二区域中，以及

响应于在启动数据被存储在第二区域中时预定事件再次发生，使用被存储在第二区域中的启动数据来启动电子装置，

其中，所述存储装置包括存储器单元，并且所述第一区域的每单元所存储的比特数量高于第二区域的每单元所存储的比特数量，以及其中，所述第一区域被提供为多层单元MLC类型，而第二区域被提供为单层单元SLC类型。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，响应于预定事件发生，所述处理器被配置为将被随机地存储在第一区域的多个块中的启动数据顺序地存储在第二区域的多个块中。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述处理器被配置为生成用于将第一区域中存储有启动数据的多个块中的每个与第二区域中存储有启动数据的多个块中的每个进行映射的元数据，并且响应于预定事件再次发生，使用元数据、利用被存储在第二区域中的启动数据来启动电子装置。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，用于存储启动数据的第二区域的存储区域具有比用于存储被存储在第一区域中的启动数据的存储区域小的存储容量。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述处理器被配置为在基于被存储在第二区域中的启动数据完成电子装置的启动之后，使用被存储在第一区域中的数据来操作电子装置。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述预定事件包括电子装置的开机操作。

7.一种启动电子装置的方法，所述电子装置包括存储装置，所述存储装置包括第一区域和第二区域，所述第二区域的数据存储方法与所述第一区域的数据存储方法不同，所述方法包括：

响应于预定事件发生，从被存储在第一区域中的多个数据获得启动数据；

将所述启动数据存储在第二区域中；以及

响应于当启动数据被存储在第二区域中时预定事件再次发生，使用被存储在第二区域中的启动数据来启动电子装置，

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

响应于预定事件发生，将被随机地存储在第一区域中的多个块中的启动数据顺序地存储在第二区域的多个块中。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

生成用于将第一区域中存储有启动数据的多个块中的每个与第二区域中存储有启动数据的多个块中的每个进行映射的元数据；并且

响应于预定事件再次发生，使用元数据、利用被存储在第二区域中的启动数据来启动电子装置。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，用于存储启动数据的第二区域的存储区域具有比用于存储被存储在第一区域中的启动数据的第一区域的存储区域小的存储容量。

11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在基于被存储在第二区域中的启动数据完成电子装置的启动之后，使用被存储在第一区域中的数据来操作电子装置。