JP2015129091A5 - - Google Patents
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- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 2
Claims (4)
- 面方位（１００）の主面を有する直径７５ｍｍ以上の燐化インジウム基板であって、前記主面内の転位密度の平均値が５０００ｃｍ−２未満であり、ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下であり、Ｆｅ（鉄）、Ｓ（硫黄）、Ｓｎ（錫）、Ｚｎ（亜鉛）の少なくとも何れか１つのドーパントを含む燐化インジウム基板。
- 前記転位密度の平均値が２０００ｃｍ−２未満である、請求項１に記載の燐化インジウム基板。
- 成長方向が〈１００〉方位であり、直径が７５ｍｍ以上である燐化インジウム結晶であって、成長方向に垂直な（１００）面内の転位密度の平均値が５０００ｃｍ −２ 未満であり、該（１００）面内のドーパント濃度の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下の基板を切り出し可能である、Ｆｅ（鉄）、Ｓ（硫黄）、Ｓｎ（錫）、Ｚｎ（亜鉛）の少なくとも何れか１つのドーパントを含む燐化インジウム結晶。
- 前記転位密度の平均値が２０００ｃｍ −２ 未満である、請求項３に記載の燐化インジウム結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015076432A JP2015129091A (ja) | 2003-05-07 | 2015-04-03 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003128831 | 2003-05-07 | ||
| JP2003128831 | 2003-05-07 | ||
| JP2015076432A JP2015129091A (ja) | 2003-05-07 | 2015-04-03 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012190722A Division JP5768785B2 (ja) | 2003-05-07 | 2012-08-31 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015129091A JP2015129091A (ja) | 2015-07-16 |
| JP2015129091A5 true JP2015129091A5 (ja) | 2015-08-27 |
Family
ID=33487070
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005506459A Expired - Lifetime JP5233070B2 (ja) | 2003-05-07 | 2004-05-06 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム単結晶とその製造方法 |
| JP2012190722A Expired - Lifetime JP5768785B2 (ja) | 2003-05-07 | 2012-08-31 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
| JP2015076432A Pending JP2015129091A (ja) | 2003-05-07 | 2015-04-03 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005506459A Expired - Lifetime JP5233070B2 (ja) | 2003-05-07 | 2004-05-06 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム単結晶とその製造方法 |
| JP2012190722A Expired - Lifetime JP5768785B2 (ja) | 2003-05-07 | 2012-08-31 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7442355B2 (ja) |
| EP (1) | EP1634981B1 (ja) |
| JP (3) | JP5233070B2 (ja) |
| KR (1) | KR101030099B1 (ja) |
| CN (3) | CN101307500B (ja) |
| CA (1) | CA2519885A1 (ja) |
| WO (1) | WO2004106597A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090072205A1 (en) * | 2003-05-07 | 2009-03-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Indium phosphide substrate, indium phosphide single crystal and process for producing them |
| JP4784095B2 (ja) * | 2005-01-07 | 2011-09-28 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体単結晶とその製造方法および製造装置 |
| JP4830312B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2011-12-07 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体単結晶とその製造方法 |
| TWI402896B (zh) * | 2006-02-02 | 2013-07-21 | Nippon Mining Co | Substrate semiconductor growth substrate and epitaxial growth method |
| CN101405440B (zh) * | 2006-03-24 | 2012-05-30 | 日本碍子株式会社 | 氮化物单晶的制造方法及其装置 |
| CN100415953C (zh) * | 2006-12-07 | 2008-09-03 | 上海交通大学 | 单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法 |
| JP2008288284A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
| CN102363897A (zh) * | 2011-11-07 | 2012-02-29 | 上海应用技术学院 | 一种pbn坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法 |
| US9071907B2 (en) | 2012-04-02 | 2015-06-30 | Whirpool Corporation | Vacuum insulated structure tubular cabinet construction |
| CN102602902A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-07-25 | 南京金美镓业有限公司 | 一种用于磷化铟制备的高压炉 |
| CN104047055B (zh) * | 2013-03-12 | 2018-08-17 | 台山市华兴光电科技有限公司 | 一种n型磷化铟单晶生长制备配方 |
| EP2982783A4 (en) | 2013-03-26 | 2017-01-04 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Compound semiconductor wafer, photoelectric conversion element, and method for producing group iii-v compound semiconductor single crystals |
| JPWO2015079763A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2017-03-16 | 住友電気工業株式会社 | 受光素子 |
| CN104695013A (zh) * | 2013-12-04 | 2015-06-10 | 青岛润鑫伟业科贸有限公司 | 一种磷化铟多晶无液封合成装置 |
| JP6503642B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2019-04-24 | 住友電気工業株式会社 | 結晶成長用坩堝 |
| CN105779976B (zh) * | 2016-05-10 | 2018-03-16 | 中国环境科学研究院 | 实验室条件下燃烧反应器的氧化硼镀膜方法 |
| CN106400102B (zh) * | 2016-10-26 | 2019-06-28 | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 | 一种可实现单晶在线退火的生长设备及其方法 |
| EP3591102B1 (en) * | 2017-03-31 | 2024-05-22 | JX Metals Corporation | Compound semiconductor and method for producing single crystal of compound semiconductor |
| CN107313110B (zh) * | 2017-06-27 | 2020-06-09 | 台山市华兴光电科技有限公司 | 一种p型磷化铟单晶制备配方及制备方法 |
| WO2019008662A1 (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
| JP6512369B1 (ja) | 2017-09-21 | 2019-05-15 | 住友電気工業株式会社 | 半絶縁性化合物半導体基板および半絶縁性化合物半導体単結晶 |
| CN111263833B (zh) * | 2018-02-23 | 2020-10-16 | 住友电气工业株式会社 | 磷化铟晶体基板 |
| DE102019208389A1 (de) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Restspannungs- und versetzungsfreien AIII-BV-Substratwafern |
| JP2023516634A (ja) * | 2020-02-28 | 2023-04-20 | エイエックスティー，インコーポレーテッド | 低エッチピット密度、低すべり線密度、および低ひずみのリン化インジウム |
| JP7046242B1 (ja) | 2021-02-02 | 2022-04-01 | Ｊｘ金属株式会社 | リン化インジウム単結晶インゴットの製造方法及びリン化インジウム基板の製造方法 |
| CN113638048B (zh) * | 2021-07-15 | 2022-07-15 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 | 一种vgf法生长磷化铟单晶的方法 |
| WO2023209867A1 (ja) | 2022-04-27 | 2023-11-02 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体単結晶基板およびその製造方法 |
| CN114990697B (zh) * | 2022-05-10 | 2023-12-12 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 | 磷化铟单晶回料采用vgf或vb法再次生长单晶的装料方法 |
| DE102023200457A1 (de) | 2023-01-20 | 2024-07-25 | Freiberger Compound Materials Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von AIII-BV-Verbindungshalbleiter-Einkristallen sowie AIII-BV-Verbindungshalbleiter-Einkristall und -Wafer |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227398A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 二重るつぼ単結晶引上げ装置 |
| JPS6259598A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-16 | Showa Denko Kk | リン化インジウム単結晶およびその製造方法 |
| JPS62167286A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 加熱装置 |
| JPS62197387A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-09-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高品質種子結晶の製造装置 |
| JPS62275099A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-30 | Showa Denko Kk | 半絶縁性リン化インジウム単結晶 |
| JPH02229796A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｐ型低転位密度ＩｎＰ単結晶基板材料 |
| JPH0340987A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶育成方法 |
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| JP2719673B2 (ja) * | 1990-02-13 | 1998-02-25 | 株式会社ジャパンエナジー | 単結晶成長方法 |
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| JP3129112B2 (ja) | 1994-09-08 | 2001-01-29 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体エピタキシャル成長方法とそのためのＩｎＰ基板 |
| JP2855408B2 (ja) * | 1994-09-29 | 1999-02-10 | 株式会社ジャパンエナジー | 単結晶成長装置 |
| JPH09110575A (ja) * | 1995-10-19 | 1997-04-28 | Showa Denko Kk | 単結晶製造用ルツボ及び単結晶の製造方法 |
| JPH10218699A (ja) * | 1997-02-03 | 1998-08-18 | Japan Energy Corp | 化合物半導体単結晶の成長方法 |
| JP4147595B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2008-09-10 | 株式会社ニコン | 蛍石単結晶の製造方法 |
| JP4344021B2 (ja) | 1998-04-24 | 2009-10-14 | 日鉱金属株式会社 | ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
| JP2930081B1 (ja) * | 1998-08-07 | 1999-08-03 | 日本電気株式会社 | 半導体結晶育成装置及び結晶育成方法 |
| JP2950332B1 (ja) * | 1998-08-18 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 半導体結晶育成装置及び育成方法 |
| JP4154775B2 (ja) * | 1998-12-03 | 2008-09-24 | 住友電気工業株式会社 | 結晶の製造方法およびその方法に用いられる結晶成長用るつぼ |
| JP3040987B1 (ja) * | 1999-03-09 | 2000-05-15 | 酒井医療株式会社 | 身体障害者用入浴装置 |
| JP2000313699A (ja) | 1999-04-27 | 2000-11-14 | Japan Energy Corp | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
-
2004
- 2004-05-06 KR KR1020057021112A patent/KR101030099B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-05-06 WO PCT/JP2004/006427 patent/WO2004106597A1/ja active Application Filing
- 2004-05-06 CA CA002519885A patent/CA2519885A1/en not_active Abandoned
- 2004-05-06 CN CN2008100052265A patent/CN101307500B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-06 JP JP2005506459A patent/JP5233070B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-06 CN CN2007101634220A patent/CN101230488B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-06 CN CNB2004800122060A patent/CN100378257C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-06 US US10/551,923 patent/US7442355B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-06 EP EP04731476.0A patent/EP1634981B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-08-31 JP JP2012190722A patent/JP5768785B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2015
- 2015-04-03 JP JP2015076432A patent/JP2015129091A/ja active Pending
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