JP2016201540A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、主面が、ａ面、ｍ面またはｒ面であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。
- 結晶性酸化物半導体が、ガリウムまたはインジウムを少なくとも含む請求項１記載の結晶性酸化物半導体膜。
- 結晶性酸化物半導体が、ガリウムを少なくとも含む請求項１または２に記載の結晶性酸化物半導体膜。
- ドーパントを含む請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
- ドーパントがスズまたはゲルマニウムである請求項４記載の結晶性酸化物半導体膜。
- 主面がａ面またはｍ面である請求項１〜５のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
- 主面がａ面である請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜と電極とを少なくとも含む半導体装置。
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