JP2012072493A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 酸化物半導体膜を形成するスパッタリングターゲットであって、
   酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、または酸化スズから選ばれた少なくとも一の酸化物の焼結体を含み、
   ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有アルカリ金属濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2. 酸化物半導体膜を形成するスパッタリングターゲットであって、
   酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、または酸化スズから選ばれた少なくとも一の酸化物の焼結体を含み、
   ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有アルカリ金属濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であり、且つ、ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有水素濃度は、１×１０^１９ｃｍ^−３以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
3. 請求項１または請求項２において、
   ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有ナトリウム濃度は、１×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
4. 請求項１または請求項２において、
   ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有ナトリウム濃度は、１×１０^１５ｃｍ^−３以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有リチウム濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
6. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有リチウム濃度は、１×１０^１５ｃｍ^−３以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有カリウム濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
8. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   ＳＩＭＳにおける前記焼結体の含有カリウム濃度は、１×１０^１５ｃｍ^−３以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。