JP2015109432A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 第１の絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の半導体層と、
   前記半導体層上の第２の絶縁層と、を有し、
   前記半導体層は、チャネル幅方向の断面において、第１の領域乃至第３の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記半導体層の一方の下端部に位置し、
   前記第１の領域は、凹型の形状を有し、
   前記第２の領域は、前記半導体層の上側に位置し、
   前記第２の領域は、凸型の形状を有し、
   前記第３の領域は、前記半導体層の他方の下端部に位置し、
   前記第３の領域は、凹型の形状を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、チャネル幅方向の断面において、第１の領域乃至第３の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体層の一方の下端部に位置し、
   前記第１の領域は、凹型の形状を有し、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体層の上側に位置し、
   前記第２の領域は、凸型の形状を有し、
   前記第３の領域は、前記酸化物半導体層の他方の下端部に位置し、
   前記第３の領域は、凹型の形状を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層側から第１の酸化物半導体層、第２の酸化物半導体層、第３の酸化物半導体層の順で形成された積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
4. 第１の絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の第３の酸化物半導体層と、
   前記第３の酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、を有し、
   前記第３の酸化物半導体層は、チャネル幅方向の断面において、第１の領域乃至第３の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記第３の酸化物半導体層の一方の下端部に位置し、
   前記第１の領域は、凹型の形状を有し、
   前記第２の領域は、前記第３の酸化物半導体層の上側に位置し、
   前記第２の領域は、凸型の形状を有し、
   前記第３の領域は、前記第３の酸化物半導体層の他方の下端部に位置し、
   前記第３の領域は、凹型の形状を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３又は請求項４において、前記第１の酸化物半導体層乃至前記第３の酸化物半導体層はそれぞれ、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、ＮｄまたはＨｆ）を有し、前記第１の酸化物半導体層および前記第３の酸化物半導体層におけるＩｎに対するＭの原子数比はともに、前記第２の酸化物半導体層におけるＩｎに対するＭの原子数比よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項２乃至請求項５のいずれか一項において、前記酸化物半導体層はｃ軸に配向する結晶を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第２の領域は、凸型の形状の曲率半径がＲ１である領域と、凸型の形状の曲率半径がＲ２である領域と、凸型の形状の曲率半径がＲ３である領域と、を有し、
   前記第１の領域の凹型の形状は、曲率半径がＲ４であり、
   前記第３の領域の凹型の形状は、曲率半径がＲ５であり、
   前記凸型の形状の曲率半径がＲ１である領域は、前記凸型の形状の曲率半径がＲ２である領域と、順につながり、
   前記凸型の形状の曲率半径がＲ２である領域は、前記凸型の形状の曲率半径がＲ３である領域と、順につながり、
   前記Ｒ２は、前記Ｒ１および前記Ｒ３よりも大きく、
   前記Ｒ１および前記Ｒ３は、前記Ｒ４および前記Ｒ５よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記第１の絶縁層は、第４の領域および第５の領域を有し、
   前記第４の領域は、前記酸化物半導体層と接する領域であり、
   前記第５の領域は、前記酸化物半導体層と接しない領域であり、
   前記第５の領域の膜厚は、前記第４の領域の膜厚より小さいことを特徴とする半導体装置。
9. 請求項８において、
   前記第１の領域は、前記第４の領域および前記第５の領域に接し、
   前記第３の領域は、前記第４の領域および前記第５の領域に接することを特徴とする半導体装置。