JP2015037217A5 - - Google Patents
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Description
本発明の光電変換装置は、半導体基板に形成された光電変換装置であって、第１導電型で形成された第１の光電変換部と、前記半導体基板の深さ方向に対して前記第１の光電変換部より深い位置に形成され、第２導電型で形成された第２の光電変換部と、前記半導体基板の深さ方向に対して前記第２の光電変換部より深い位置に形成され、第１導電型で形成された第３の光電変換部と、前記第１の光電変換部及び前記第３の光電変換部の電荷蓄積期間中に、前記第２の光電変換部の信号をモニタリングするモニタ部とを有することを特徴とする。
Claims (10)
- 半導体基板に形成された光電変換装置であって、
第１導電型で形成された第１の光電変換部と、
前記半導体基板の深さ方向に対して前記第１の光電変換部より深い位置に形成され、第２導電型で形成された第２の光電変換部と、
前記半導体基板の深さ方向に対して前記第２の光電変換部より深い位置に形成され、第１導電型で形成された第３の光電変換部と、
前記第１の光電変換部及び前記第３の光電変換部の電荷蓄積期間中に、前記第２の光電変換部の信号をモニタリングするモニタ部と
を有することを特徴とする光電変換装置。 - 前記第２の光電変換部の面積は、前記第１の光電変換部の面積以上であることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
- さらに、前記第１の光電変換部及び前記第３の光電変換部のいずれか１つの信号を出力する切り替え部を有することを特徴とする請求項１又は２記載の光電変換装置。
- さらに、前記第１の光電変換部及び前記第３の光電変換部の信号を加算するための加算部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
- さらに、前記第２の光電変換部の出力信号に基づき、前記第１の光電変換部及び前記第３の光電変換部の出力信号の増幅率を制御するアンプ制御部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
- さらに、前記第２の光電変換部の出力信号に基づき、前記第１の光電変換部及び前記第３の光電変換部の電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御部を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
- さらに、前記第２の光電変換部の電位を固定し、前記第２の光電変換部から出力される電流を時間積分した信号を出力するアンプを有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
- 請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置を複数有することを特徴とする焦点検出装置。
- 請求項８記載の焦点検出装置と、
光学像を結像するレンズとを有し、
前記レンズは、前記焦点検出装置の出力信号に応じて駆動されることを特徴とする撮像システム。 - 半導体基板の第１導電型で形成された第１の光電変換部と、
前記半導体基板の深さ方向に対して前記第１の光電変換部より深い位置に形成され、第２導電型で形成された第２の光電変換部とを有する光電変換装置の駆動方法であって、
前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部のうちの一方に基づく信号に応じて、他方の電荷蓄積時間を制御することを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
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