JP2014517505A5 - - Google Patents

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  1. 基板(313;513)を有するターゲットを処理するためのリソグラフィシステムであって、
    前記基板には、少なくとも部分的な反射位置マークが設けられ、前記反射位置マークは、複数の構造のアレイを有し、前記アレイは、前記マークの長手方向に沿って延び、
    前記複数の構造は、前記長手方向に沿って前記マークの反射率を変化させるように構成され、
    前記反射率は、所定の波長に対して決定され、
    前記システムは、
    前記所定の波長の偏光アライメントビーム(311;511)を与えるように構成されたアライメントビーム源(331)と、
    反射されたアライメントビーム(318)の強度を決定するように構成されたアライメントビーム強度検出器(319;519)とを具備し、前記反射されたアライメントビームは、前記位置マーク上での前記ビームの反射によって発生され、
    前記位置マーク上に前記アライメントビームを集束させて、前記反射されたアライメントビームを前記アライメントビーム強度検出器上に導くように構成された光学系(333)を具備し、前記光学系は、
    偏光ビームスプリッタ(336)と、
    前記基板(313)上に前記アライメントビームを集束させるように配置されたフォーカスレンズ(312)と、
    前記偏光ビームスプリッタと前記フォーカスレンズ(312)との間に位置された4分の1波長板(339)とを有し、
    前記偏光ビームスプリッタ(336)は、前記アライメントビーム強度検出器に向かって前記反射されたアライメントビームを向けるように配置され、
    前記アライメントビーム強度検出器(319;519)は、前記反射されたアライメントビームのゼロ次反射のみのアライメントビーム強度を検出するように構成されているリソグラフィシステム。
  2. 前記偏光ビームスプリッタ(336)は、前記基板に向かって前記偏光アライメントビーム(311;511)を向けるように配置されている請求項1のリソグラフィシステム。
  3. 前記アライメントビーム源は、非偏光ビームを前記偏光アライメントビーム(311)に変換するように構成された偏光子を有する請求項1又は2のリソグラフィシステム。
  4. 前記偏光アライメントビーム(311)は、S偏光の光ビームであり、
    前記アライメントビーム(311)は、前記4分の1波長板(339)を通って進行し、その偏光がS偏光から右円偏光に変わり、
    前記S偏光のアライメントビームが前記表面によって反射されたとき、前記反射されたアライメントビームは左円偏光を有する請求項1ないし3のいずれか1のリソグラフィシステム。
  5. 前記長手方向に沿って前記光学系に対して前記ターゲット(12)を移動させるように構成されたターゲットキャリア(13)をさらに具備し、前記基板は、前記ターゲットキャリアと前記ターゲットとの少なくとも一方に設けられ、
    前記反射されたアライメントビームの前記検出された強度に基づいて前記光学系に対する前記基板のアライメントと位置との少なくとも一方を決定するように構成されたプロセスユニットをさらに具備する請求項1ないし4のいずれか1のリソグラフィシステム。
  6. 前記基板は、前記ターゲットキャリア上前記ビームスポットの位置を決定するかアライメントするかの少なくとも一方をするために、前記ターゲットキャリアの縁部に設けられている請求項5のリソグラフィシステム。
  7. 前記アレイの第1の構造と前記第1の構造に隣接している前記アレイの第2の構造との間のピッチは、前記第2の構造と前記第2の構造に隣接している前記アレイの第3の構造との間のピッチとは異なる請求項1ないし6のいずれか1のリソグラフィシステム。
  8. 前記長手方向に沿った隣接している構造間のピッチは、前記長手方向に沿った前記構造の位置の正弦関数に従う請求項1ないしのいずれか1のリソグラフィシステム。
  9. 前記ターゲット上に少なくとも1つの露光ビームを投影するように構成された鏡筒(14)をさらに具備し、前記光学系は、前記鏡筒に取り付けられている請求項1ないしのいずれか1のリソグラフィシステム。
  10. 前記複数の構造の各々は、前記長手方向に沿った幅を有し、
    前記幅は、前記所定の波長未満であり、
    前記長手方向に沿った隣接している構造間の距離は、前記所定の波長未満である請求項1ないしのいずれか1のリソグラフィシステム。
  11. 前記アライメントビーム源は、非偏光ビームを前記偏光アライメントビーム(311)に変換するように構成された偏光子(338)を有する請求項1ないし10のいずれか1のリソグラフィシステム。
  12. 前記波長に対する前記位置マークの領域の最大反射率は、に等しい請求項1ないし11のいずれか1のリソグラフィシステム。
  13. 前記複数の構造は、サブ波長構造を有する請求項1ないし12のいずれか1のリソグラフィシステム。
  14. 請求項1ないし13のいずれか1のリソグラフィシステムで前記基板の前記位置マークに前記アライメントビームの位置を決定するように構成された位置決め装置であって、
    前記所定の波長の前記偏光アライメントビームを与えるように構成された前記アライメントビーム源と、
    前記反射されたアライメントビームの強度を決定するように構成された前記アライメントビーム強度検出器とを具備し、前記反射されたアライメントビームは、前記位置マーク上に前記アライメントビームの反射によって発生され、
    前記位置マークに前記アライメントビームを集束し、前記アライメントビーム強度検出器に前記反射されたアライメントビームを導くように構成された光学系を具備し、前記光学系は、
    偏光ビームスプリッタ(336)と、
    前記基板(313)上に前記アライメントビームを集束させるように配置されたフォーカスレンズ(312)と、
    前記偏光ビームスプリッタと前記フォーカスレンズ(312)との間に位置された4分の1波長板(339)とを有し、
    前記偏光ビームスプリッタ(336)は、前記アライメントビーム強度検出器に向かって前記反射されたアライメントビームを向けるように配置され、
    前記アライメントビーム強度検出器は、前記反射されたアライメントビームのゼロ次反射のみに対するビーム強度を検出するように構成され、また、前記検出されたアライメントビーム強度を示す信号を与えるように構成されている位置決め装置。
  15. 前記偏光ビームスプリッタは、前記基板の表面に向かって前記ビームを向けるように配置されている請求項14の位置決め装置。
  16. 前記アライメントビーム源は、偏光子である請求項14又は15の位置決め装置。
  17. この位置決め装置は、リソグラフィシステムの投影系に装着されるように構成されている請求項14ないし16のいずれか1の位置決め装置。
  18. 部分的な反射面をさらに具備し、
    前記反射面は、一定の反射率を有し、前記反射面には、前記長手方向に沿った前記マークの反射率を変化させるように、アライメントビーム吸収構造が設けられ、
    前記アライメントビーム吸収構造は、複数のサブ波長構造を有する請求項1ないし13のいずれか1のリソグラフィシステムで使用するための基板。
  19. 請求項1ないし13のいずれか1のリソグラフィシステムで基板上でのビームスポットのアライメントと位置との少なくとも一方を決定するための方法であって、
    前記基板上に前記ビームスポットを発生させるために、アライメントビームで前記基板を照射することと、
    前記アライメントビームのゼロ次反射のみの強度を検出することと、
    前記検出された強度に基づいて、前記ビームスポットに対する基板の位置とアライメントとの少なくとも一方を決定することとを具備する方法。
  20. さらなる測定システムを使用して前記基板の位置を測定する工程をさらに具備し、
    前記基板の位置とアライメントとの少なくとも一方は、さらに、前記さらなる測定システムによる測定に基づいて決定される請求項19の方法。
  21. 前記ビームスポットの直径は、前記長手方向に沿った隣接している構造間の最大距離以上である請求項19又は20の方法。
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