JPH0497513A - 光転写装置 - Google Patents

光転写装置

Info

Publication number
JPH0497513A
JPH0497513A JP2215479A JP21547990A JPH0497513A JP H0497513 A JPH0497513 A JP H0497513A JP 2215479 A JP2215479 A JP 2215479A JP 21547990 A JP21547990 A JP 21547990A JP H0497513 A JPH0497513 A JP H0497513A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
optical system
spacer
lens
projection lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2215479A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiro Murata
貴比呂 村田
Hideo Nagai
秀雄 永井
Yoriyuki Ishibashi
石橋 頼幸
Toshikazu Yoshino
芳野 寿和
Susumu Saito
晋 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Topcon Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Topcon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Topcon Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2215479A priority Critical patent/JPH0497513A/ja
Publication of JPH0497513A publication Critical patent/JPH0497513A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、レチクル(マスク)のパターンを投影レンズ
を介してウェハに転写する光転写装置に係わり、特に投
影レンズの光軸方向の合わせ手段の改良゛をはかった光
転写装置に関する。
(従来の技術) 従来、超LSIの回路パターンを形成するには、レチク
ルのパターンを投影レンズを介してウェハ上に転写する
光転写装置が用いられている。この装置では、レチクル
に形成された多数の回路パターンが投影レンズによりウ
ェハ上に多数回露光される。この露光に先立ち、レチク
ルとウェハとの平行を保持しながら、投影レンズのピン
ト面とウェハ上面とを一致させ、またレチクル面とウニ
凸面とを共役面にする必要がある。投影レンズとウェハ
との間隔の設定を行うには、オートフォーカス・アライ
メント光学系を使用するが、この光学系は検出範囲が±
25μmと狭いため、投影レンズとウェハとを予めその
検出範囲内に設定しておかなければならない。また、レ
チクルの位置合わせについては、レチクルを設計位置に
設定後、転写確認等により倍率、傾き調整を行う。
第6図は従来の光転写装置を示す概略構成図であり、1
は投影レンズ、3はレンズホルダー4は架台、5は防振
台、6は架台、7はウェハテーブル系、8はレチクルテ
ーブル系、9はレチクル、10はウェハ、11はオート
フォーカス・アライメント光学系、12はオフ・アキシ
ス(0FF−AX Is) ・アライメント光学系を示
し、また14.15,16.17はスペーサを示してい
る。
この装置では、スペーサ14.〜17により各部の光軸
方向の位置を変えることができる。
まず、オートフォーカス・アライメント光学系11のウ
ェハ面上での結像位置とウェハテーブル系7のZテーブ
ルの動作範囲の中間位置とが合うように、スペーサ15
を調整する。次いで、オフ・アキシス・アライメント光
学系12の対物レンズのウェハ面上での結像位置とウェ
ハテーブル系7のZテーブルの動作範囲の中間位置とが
合うように、スペーサ17を調整する。これにより、オ
ートフォーカス・アライメント光学系11とオフ・アキ
シス・アライメント光学系12の各々の結像位置を一致
させたことになる。
次いで、ウェハテーブル系7の2テーブルの位置をパラ
メータを振って順次転写を行い、投影レンズ1のピント
位置をZテーブルの値で確認する。そのZテーブルの値
を基にZテーブルの動作範囲の中間位置とが投影レンズ
1のピント位置になるように、レンズホルダー3の下の
スペーサ15を再調整する。また、転写を行った結果、
ウェハ上に形成されたパターンの形状から、投影レンズ
1とレチクル9との間隔調整による倍率調整とレチクル
9の傾き調整をスペーサ16を使用して行う。
しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。即ち、従来の調整方法では、投影レンズ1の
ピント位置の調整にレンズホルダー3の下のスペーサ1
5を再調整するために、投影レンズ1とレチクル9との
間隔は一定に保たれるが、オートフォーカス・アライメ
ント光学系11及びオフ・アキシス・アライメント光学
系12とウェハ10との間隔は変化する。このため、投
影レンズ1のピント調整を行う度に、各々のアライメン
ト光学系11.12を再調整しなければならない問題が
ある。そして、この再調整には非常に時間がかがり、こ
の調整期間は装置を使用できないことがら、結果として
装置の稼働率が低下することになる。
また、投影レンズ1をレンズホルダー3の嵌め合いによ
り基準位置に直接取り付けているため、ウェハに平行な
方向での位置ずれを生じる問題もある。さらに、i線や
エキシマレーザを使用した光転写装置の投影レンズは、
大口径化されてきており、重量が50kgにも及ぶため
、運搬1組み込み作業は非常に困難であった。また、投
影レンズに外力を与えると、投影レンズの内部が歪むた
めに解像度が上がらない等の精度が低下する問題もあっ
た。
(発明が解決しようとする課題) このように、従来の光転写装置では、投影レンズのピン
ト面とウェハ上面とが一致するようにスペーサ等を調整
すると、アライメント光学系とウェハとの間隔も変化す
るため、アライメント光学系を再調整しなければならな
い問題があった。しかも、アライメント光学系の調整に
は多大な時間が掛かることから、装置稼働率が低下する
問題があった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたちので、その目
的とするところは、アライメント光学系とウェハとの位
置関係を変えることなく、投影レンズのピント面とウェ
ハ上面とが一致するように調整することができ、装置稼
働率の向上等に寄与し得る光転写装置を提供することに
ある。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために本発明では、レチクルに形成
されたパターンを、レンズホルダーに取り付けた投影レ
ンズを介してウェハ上に転写する光転写装置において、
前記レンズホルダーに取り付けられ、前記ウェハの位置
を測定するアライメント光学系と、前記レンズホルダー
と前記ウェハを載置する基台との間に設けられ、アライ
メント光学系とウェハとの間隔を調整するためにレンズ
ホルダーの光軸方向の位置を変える手段と、前記レンズ
ホルダーと前記投影レンズとの間に設けられ、レンズの
ピント面とウェハ上面とを一致させるようにレンズの光
軸方向の位置を変える手段とを具備してなることを特徴
としている。
(作用) 本発明によれば、投影レンズとレンズホルダーとの間に
スペーサ等の調整手段を設けることにより、レンズホル
ダーに取り付けられているアライメント光学系とウェハ
上面との位置関係を変えることなく、投影レンズを光軸
方向に動かすことができる。このため、投影レンズのピ
ント面とウェハ上面とが一致するように調整しても、ア
ライメント光学系とウェハ上面との間隔の再調整を行う
必要はない。従って、アライメント光学系とウェハとの
位置関係を変えることなく、投影レンズのピント面とウ
ェハ上面とが一致するように調整することができ、これ
により装置稼働率の向上をはかることが可能となる。
また、レンズホルダーを所定の位置に固定したまま、ウ
ェハと投影レンズとの間隔の調整を行うため、投影レン
ズとアライメント光学系の光軸と転写光の光軸との位置
ずれがなくなる。
また、投影レンズは上述した調整方法を行うため、投影
レンズの上部に吊り下げ部を設けることにより、投影レ
ンズの外側に力が加わり投影レンズ内部が歪んで解像度
が上がらない等の精度が低下する問題がなくなり、安全
且つ容易に作業を行うことが可能となる。
(実施例) 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わる光転写装置を示す概
略構成図である。防振台5の上には、架台4及びウェハ
テーブル系7が取り付けられ、ウェハテーブル系7の上
にウェハ10が載置される。架台4はウェハテーブル系
7を囲むように設けられおり、この架台4の上にはスペ
ーサ15を介してレンズホルダー3が取り付けられてい
る。レンズホルダー3の下部には、オートフォーカス・
アライメント光学系11が取り付けられると共に、オフ
・アキシス・アライメント光学系12がスペーサ17を
介して取り付けられている。レンズホルダー3には、そ
の基準穴に合わせて合フランジ2が取り付けられ、レン
ズホルダー3と合フランジ2との間にはスペーサ13が
設けられている。そして、合フランジ2の基準穴に合わ
せて投影レンズ1が取り付けられている。
レンズホルダー3の上には、レンズ1を覆うようにスペ
ーサ14を介して架台6が取り付けられている。この架
台6の上には、スペーサ16を介してレチクルテーブル
系8が取り付けられ、このテーブル系8の上にレチクル
9が載置されるものとなっている。また、スペーサ13
.〜16により、レンズホルダー3の上面1合フランジ
2の上面9架台6の上面、及びレチクルテーブル系8の
上面は、架台4の上面に対して平行となっている。
次に、各々の部品の所定間隔の調整手順について説明す
る。
まず、第2図に示すように、レンズホルダー3の下に投
影レンズ1のピント位置とウニ/’10との間隔の設計
値でできた基準治具18を取り付ける。そして、この基
準治具18に従って、オートフォーカス・アライメント
光学系11のウェハ面上での結像位置を調整する。この
調整は、オートフォーカス・アライメント光学系11に
おける反射ミラー(光路を変えるためのミラー)の傾き
を変えることにより行う。
次いで、防振台5の上に架台4とウェハテーブル系7を
取り付ける。そして、先に調整したオートフォーカス・
アライメント光学系11のウェハ面上での結像位置とウ
ェハテーブル系7の2テーブルの動作範囲の中間位置と
が合うように、レンズホルダー3の下のスペーサ15を
調整する。ここで、スペーサ15の調整とは、スペーサ
の厚みを変えることであり、具体的には異なる厚みのス
ペーサに交換することを意味する。
次いで、第3図に示すように、オフ・アキシス・アライ
メント光学系12の対物レンズのウェハ面上での結像位
置とウェハテーブル系7のZテーブルの動作範囲の中間
位置とが合うように、レンズホルダー3とオフ・アキシ
ス・アライメント光学系12との間のスペーサ17を調
整する。
次いで、投影レンズ1を合フランジ2に取り付け、合フ
ランジ2の下のスペーサ13を介してレンズホルダー3
に取り付ける。次いで、ウェハテーブル系7の2テーブ
ルの位置をパラメータを振って順次転写を行い、投影レ
ンズ1のピント位置をZテーブルの値で確認する。その
Zテーブルの値を基にZテーブルの中間位置が投影レン
ズ1のピント位置になるように、合フランジ2の下のス
ペーサ13を調整する。
従って、この操作では、オートフォーカス・アライメン
ト光学系11とオフ・アキシス・アライメント光学系1
2の各々の結像位置を一致させたことになる。また、転
写を行った結果、ウェハ上に形成されたパターンの形状
から、投影レンズ1とレチクル9との間隔調整による倍
率調整とレチクル9の傾き調整を、レチクルテーブル系
8の下のスペーサ16を使用して行う。
ここで、第5図に示すように、合フランジ2の下のスペ
ーサ13の代わりに、押しネジ19による間隔調整法を
用いてもよい。また、スペーサ13による間隔調整の代
わりに、直接会フランジ2を加工して間隔調整を行う方
法を採用してもよい。
このように、投影レンズ1とレンズホルダー3との間に
スペーサ等の間隔調整手段を段lすることにより、オー
トフォーカス・アライメント光学系11とオフ・アキシ
ス・アライメント光学系12の再調整を行うことなく、
ウェハ10と投影レンズ1の所定間隔の調整が行える。
なお、投影レンズ1の取り付けに際しては、第4図(a
)のように、投影レンズ1の上部に吊り下げ用のネジ穴
を設けることにより、投影レンズ1に外力を与えること
なく、安全且つ容易に運搬1組み込みが行える。また、
吊り下げ部は、第4図(a)以外に、同図(b)のよう
に投影レンズ1の外側にネジを切る形状や、同図(e)
のように溝を設けた形状であってもよい。
かくして本実施例によれば、ウェハ10と投影レンズ1
との所定間隔の調整を投影レンズ単体で独立して行うこ
とができる。このため、オートフォーカス・アライメン
ト光学系11とオフ・アキシス・アライメント光学系1
2の再調整を行う必要がなくなり、装置の立ち上げ時間
を大幅に短縮することができ、ひいては装置稼働率の向
上をはかることができる。また、投影レンズ1の上部に
吊り下げ部を設けているので、投影レンズ1が大口径化
しても、安全且つ容易に運搬1組み込みを行うことがで
きる利点がある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、投影レンズとレンズホルダー
との間に設けたスペーサの代わりには、投影レンズ単体
を光軸方向に移動する機構であれば用いることができる
他の部分に設けたスペーサについても同様である。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、レンズホルダーと
投影レンズとの間にスペーサ等の調整機構を設けている
ので、アライメント光学系とウェハとの位置関係を変え
ることなく、投影レンズのピント面とウェハ上面とが一
致するように調整することができる。従って、投影レン
ズのピント面とウェハ上面とが一致するように調整して
もアライメント光学系を再調整する必要がなくなり、装
置稼働率の向上をはかることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係わる光転写装置を示す概
略構成図、第2図はオートフォーカス・アライメント光
学系の調整方法を説明するための図、第3図はオフ・ア
キシス・アライメント光学系の調整方法を説明するため
の図、第4図は投影レンズ上部の吊り下げ部の例を示す
図、第5図は本発明の他の実施例の要部構成を示す図、
第6図は従来装置を示す概略構成図である。 1・・・投影レンズ、 2・・・合フランジ、 3・・・レンズホルダー 4・・・架台、 5・・・防振台、 6・・・架台、 7・・・ウェハテーブル系、 8・・・レチクルテーブル系、 9・・・レチクル、 10・・・ウェハ、 11・・・アライメント光学系(オートフォーカス)、
12・・・アライメント光学系(オフーア亭シス)、1
3、〜,17・・・スペーサ、 18・・・基準治具、 19・・・押しネジ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦1υ 第2図 3IlI 第1図 (a) (b) (C)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レチクルに形成されたパターンを、レンズホルダ
    ーに取り付けた投影レンズを介してウェハ上に転写する
    光転写装置において、 前記レンズホルダーに取り付けられ、前記ウェハの位置
    を測定するアライメント光学系と、前記レンズホルダー
    と前記ウェハを載置する基台との間に設けられ、アライ
    メント光学系とウェハとの間隔を調整するためにレンズ
    ホルダーの光軸方向の位置を変える手段と、前記レンズ
    ホルダーと前記投影レンズとの間に設けられ、レンズの
    ピント面とウェハ上面とを一致させるようにレンズの光
    軸方向の位置を変える手段とを具備してなることを特徴
    とする光転写装置。
  2. (2)前記アライメント光学系は、前記ウェハ面の高さ
    位置を合わせるオートフォーカス・アライメント光学系
    と、前記ウェハの水平位置を前記レンズの視野とは離れ
    た位置で合わせるオフ・アキシス・アライメント光学系
    とからなることを特徴とする請求項1記載の光転写装置
  3. (3)前記レンズの光軸方向の位置を変える手段として
    、前記レンズホルダーとレンズとの間にスペーサを設け
    、このスペーサの厚みを選択することを特徴とする請求
    項1記載の光転写装置。
JP2215479A 1990-08-15 1990-08-15 光転写装置 Pending JPH0497513A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2215479A JPH0497513A (ja) 1990-08-15 1990-08-15 光転写装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2215479A JPH0497513A (ja) 1990-08-15 1990-08-15 光転写装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0497513A true JPH0497513A (ja) 1992-03-30

Family

ID=16673063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2215479A Pending JPH0497513A (ja) 1990-08-15 1990-08-15 光転写装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0497513A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008219024A (ja) * 2008-03-24 2008-09-18 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JP2014514779A (ja) * 2011-05-13 2014-06-19 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム
US9395636B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
US9395635B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008219024A (ja) * 2008-03-24 2008-09-18 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
JP4586872B2 (ja) * 2008-03-24 2010-11-24 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
US9395636B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
US9395635B2 (en) 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
JP2014514779A (ja) * 2011-05-13 2014-06-19 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム
US9383662B2 (en) 2011-05-13 2016-07-05 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4326805A (en) Method and apparatus for aligning mask and wafer members
US8149423B2 (en) Position detection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device
KR20010031353A (ko) 사진석판 장치 및 방법
US9046787B2 (en) Microlithographic projection exposure apparatus
US6449106B1 (en) Catadioptric lens barrel structure having a support structure to maintain alignment of a plurality of sub-barrels
JPS59144127A (ja) 像調整された光学装置
JPH0497513A (ja) 光転写装置
JPS62122215A (ja) 投影露光装置
JP4999827B2 (ja) リソグラフィ装置
JP3379238B2 (ja) 走査型露光装置
KR20120020135A (ko) 리소그래피 장치 및 방법
JPS6021051A (ja) レンズ投影露光方法及び装置
JP3555233B2 (ja) 投影露光装置
JPS5817446A (ja) 投影露光方法および装置
TWI842962B (zh) 光學脈衝拉伸器、擴展光學脈衝拉伸器、雷射源、微影裝置及用於產生及導引雷射束之方法
US8102505B2 (en) Lithographic apparatus comprising a vibration isolation support device
JP2002169083A (ja) 対物光学系、収差測定装置、投影露光装置、対物光学系の製造方法、収差測定装置の製造方法、投影露光装置の製造方法及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007287885A (ja) 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP3064432B2 (ja) 投影露光装置、投影露光方法、及び回路製造方法
JPS62159425A (ja) 荷電ビ−ム描画方法
JPS60177625A (ja) 投影露光装置
JP2005236258A (ja) 光学装置およびデバイス製造方法
US3689133A (en) Optical system having lens and two movable mirrors
JPH0533370B2 (ja)
JPH10284369A (ja) 露光装置