JP2008107667A - 光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置 - Google Patents
光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008107667A JP2008107667A JP2006291938A JP2006291938A JP2008107667A JP 2008107667 A JP2008107667 A JP 2008107667A JP 2006291938 A JP2006291938 A JP 2006291938A JP 2006291938 A JP2006291938 A JP 2006291938A JP 2008107667 A JP2008107667 A JP 2008107667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- optical element
- axis
- mirror
- detection sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 195
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 82
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 204
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 63
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 18
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 276
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 23
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 20
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 12
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/003—Alignment of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/02—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses
- G02B7/04—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses with mechanism for focusing or varying magnification
- G02B7/08—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses with mechanism for focusing or varying magnification adapted to co-operate with a remote control mechanism
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lens Barrels (AREA)
Abstract
【課題】非駆動方向に変位が生じても正確に補正することができる光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置を提供する。
【解決手段】レンズLEを駆動させる駆動機構71と、レンズLEの位置を計測するレンズ位置検出手段72と、を有する光学要素の保持装置であって、レンズ位置検出手段72の位置検出パラメータ数は、駆動機構71の駆動方向パラメータ数より多いことを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】レンズLEを駆動させる駆動機構71と、レンズLEの位置を計測するレンズ位置検出手段72と、を有する光学要素の保持装置であって、レンズ位置検出手段72の位置検出パラメータ数は、駆動機構71の駆動方向パラメータ数より多いことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、ピエゾアクチュエータ等によりレンズ等の光学要素を駆動させる駆動部と、光学要素の位置を計測する位置計測部と、を有する光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置に関する。
特に、非駆動方向に変位が生じても正確に補正することができる光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置。
従来、光学要素を駆動させる駆動部と、光学要素の位置を計測する位置計測部と、を有する光学要素の保持装置として、位置計測部に2種類の位置調整装置を用いた技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1には、投影光学系の光学要素を3軸方向に駆動することによって像歪みを補正することが開示されている。ここで3軸方向とは、光軸をZ軸と規定したXYZ直交座標系における、Z軸方向と、X軸周り方向と、Y軸周り方向である。また上記文献には、光学要素の位置を制御するために、この3軸方向における光学要素の位置をエンコーダによって検出することが開示されている。
しかしながら、特許文献1に記載の光学要素の保持装置では、光学要素をZ軸方向に沿って駆動させたにも関わらずXY方向に変位が生じた場合、その変位を検出することができないため結像位置がずれるという問題があった。
この問題を解決することができる手段は特許文献2に開示されている。詳しくは、光学要素をZ軸方向に駆動させたり傾斜させたりする際に生じる、結像位置の横ずれ量を予めアライメント計測によって求めて、これをテーブル化して、そのテーブルを用いてステージの駆動を補正するというものである。
特開2003−337272号公報
特開平10−12515号公報 (段落0027)
しかしながら、上述した特許文献2に記載の光学要素の保持装置では、予め算出したテーブルを用いるため、X軸方向又はY軸方向への変位の再現性が低い場合には、結像位置を正確に補正することができないという問題があった。
そこで、本発明は、非駆動方向に変位が生じても正確に補正することができる光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての光学要素の保持装置は、光学要素を駆動させる駆動部と、前記光学要素の位置を計測する位置計測部と、を有する光学要素の保持装置であって、前記位置計測部の位置検出パラメータ数は、前記駆動部の駆動方向パラメータ数より多いことを特徴とする。
かかる光学要素の保持装置を備えた露光装置も本発明の一側面を構成する。
また、本発明の一側面としての光学要素の保持装置の調整方法は、光学要素を光軸方向及び光軸に対する傾斜方向に駆動可能な駆動部と、前記光学要素の光軸に直交する方向における前記光学要素の位置を計測するために周期信号を発生する位置計測部と、を有する光学要素の保持装置の調整方法であって、前記光学要素を光軸に対する傾斜方向に駆動させる工程と、前記光学要素を光軸に対する傾斜方向に駆動させたときの前記位置計測部の出力信号に基づいて、前記位置計測部が発生する周期信号の波形整形を行い、前記光学要素の駆動方向を光軸方向に一致させる工程と、を有することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、位置計測部の位置検出パラメータ数が駆動部の駆動方向パラメータ数より多いので、非駆動方向に変位が生じても正確に補正することができる。
また、本発明によれば、光学要素を光軸に対する傾斜方向に駆動させる工程と、光学要素を光軸に対する傾斜方向に駆動させたときの位置計測部の出力信号に基づいて、位置計測部が発生する周期信号の波形整形を行い、光学要素の駆動方向を光軸方向に一致させる工程と、を有する。そのため、変位検出センサの計測基準点の規定を高精度に行うことができ、ひいては、非駆動方向に変位が生じても正確に補正することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面について説明する。なお、各図において、同一の構成要素については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図1は、本発明の光学要素の保持装置の実施例1を備えた露光装置を示している。この露光装置1は、スリット照明下でレチクルRをスキャン駆動し、これに同期してウェハWFをスキャン駆動しながら露光動作を行う、いわゆるスキャナ式露光装置である。
この露光装置1において、XYZ直交座標系を図中、上部側に示すように定義する。すなわち、投影光学系2の光軸方向をZ軸、レチクルR及びウェハWFのスキャン方向をX軸、装置平面におけるX軸に直交する方向をY軸、装置上下方向をZ軸と規定する。
露光装置基台3は、有底筒状の本体部31と、投影光学系2の一部を本体部31に収容して固定するための鏡筒マウント32と、を有している。本体部31と鏡筒マウント32との間には、露光装置設置面の震動が投影光学系2に伝達されるのを防止するために、ダンパ手段33が設けられている。
また、本体部31の底部には、ウェハWFの光軸方向の位置調整、すなわちフォーカス調整を行うためのウェハステージWF1が設けられている。このウェハステージWF1は、レチクルステージR1のスキャン動作に同期してウェハWFをX軸方向に移動させる。また、ウェハステージWF1は、レチクル像の重ね合せ精度向上のため、Y軸方向にも位置調整可能にされている。ウェハステージWF1には、投影光学系2の光学収差を計測する際に用いられる球面ミラーWF2が設けられている。なお、ウェハWFには感光剤が塗布される。
半導体回路パターンの原版となるレチクルRを載置するレチクルステージR1は、投影光学系2の上部側を覆うレチクル架台R2上に載置されている。このレチクル架台R2は、レチクルステージR1を鏡筒マウント32に固定するためのものである。
鏡筒マウント32上には、照明ユニット4が設けられている。この照明ユニット4は、レーザ光源ユニット41と、レチクルRを照明する際に用いられる露光用照明手段42と、収差計測工程の際に用いられる収差計測用照明手段43と、光路切換ミラー44と、を備えている。また、鏡筒マウント32上にはレーザ光源ユニット41に隣接して、露光装置全体の動作を制御する本体制御手段8が設けられている。
レチクル架台R2上には、投影光学系2の光学収差を計測するための収差計測手段5が設けられている。収差計測手段5は、干渉計51、ハーフミラー52、反射ミラー53、及びコリメータレンズ54を備えている。この内、反射ミラー53及びコリメータレンズ54はレチクルステージR1上に載置され、投影光学系2の光束入射部に対して進退可能にされている。
鏡筒マウント32上にはレンズ制御手段6が設けられており、このレンズ制御手段6により、投影光学系2の各種光学要素は、所定の制御フローに従って制御される。この制御によりレンズの光学収差の最適化等の光学系の微調整を行うことができる。光学系の微調整は、例えば投影光学系2の組立時や露光装置1の納入先への納品時、に行われる。
投影光学系2は、光学要素の保持装置であるレンズユニット7が複数積層されて構成されており、該レンズユニット7は、レンズを駆動させる駆動部と、レンズの位置を計測する位置計測部と、を有している。
図2は、レンズユニット7の構造を平面的に示している。レンズを駆動させるための駆動部は、駆動機構71として輪環状の固定鏡筒73に、その中心軸周りに120度間隔で3箇所に設けられている。一方、レンズの位置を計測する位置計測部は、レンズ位置検出手段72として周方向に沿って駆動機構71同士の間に設けられている。このレンズ位置検出手段72は、レンズ枠74の光軸方向(Z軸方向)変位及び光軸と直交する半径方向変位を検出する。
レンズ位置検出手段72は、第2計測部であるアブソリュート式垂直変位検出センサ721、第1計測部であるインクリメンタル式垂直変位検出センサ722、及び第3計測部であるインクリメンタル式横変位検出センサ723によって構成されている。
アブソリュート式垂直変位検出センサ721は、光学要素であるレンズの基底位置(例えば、下限位置)からの距離である絶対位置を計測する装置で、レンズの光軸方向(Z軸方向)に検出用レーザ光を投射する。インクリメンタル式垂直変位検出センサ722は、レンズの光軸方向又は光軸に対する傾斜方向における、計測毎のレンズの位置変化である相対位置を計測する装置で、アブソリュート式垂直変位検出センサ721と同様に、レンズの光軸方向(Z軸方向)に検出用レーザ光を投射する。インクリメンタル式横変位検出センサ723は、光軸方向と直交する方向におけるレンズの相対位置を計測する装置で、レンズの半径方向に検出用レーザ光を投射する。
なお、このレンズユニット7の座標系は、図1で説明した露光装置1のXYZ直交座標系と同一である。すなわち、レンズの光軸と同一方向をZ軸、レンズの半径方向をXY平面としている。
図3は、図2のレンズユニット7にレンズ枠74を取り付けた形態を示している。図4は、図3のIV−IV線に沿う断面を示している。これらの図に示すように、レンズユニット7の固定鏡筒73は、平板の上面に逆L字状の立設部を形成した断面形状をしている。レンズLEはレンズ枠74によって保持されており、このレンズ枠74は螺子やボルト等により駆動機構71に固定される。
より具体的には、レンズLEを収納するレンズ枠74には上面にフランジ部74aが形成され、該フランジ部74aが前記3組の駆動機構71の変位出力部に締結される。このフランジ部74aには、レンズ枠変位検出用のターゲットミラー75が取り付けられている。
このようにターゲットミラー75を取り付けると、アブソリュート式垂直変位検出センサ721又はインクリメンタル式垂直変位検出センサ722から投射された検出用レーザ光は、ターゲットミラー75で反射する。この反射光の情報からターゲットミラー75の変位量を検出することができる。
以上の構成において、3組の駆動機構71を等量だけ駆動するとレンズLEを光軸C方向(Z軸方向)に並進駆動させることができる。また、3箇所に設けられた駆動機構71の駆動量に所定の差を設けることで、図3に示すθX及びθY方向へのレンズLEのチルト駆動が可能である。
この際、アブソリュート式垂直変位検出センサ721及びインクリメンタル式垂直変位検出センサ722の出力信号に所定の座標変換を施し、その結果をフィードバックすると、レンズLEのZ軸方向並進量及びチルト駆動量がクローズドループ制御される。
また、インクリメンタル式横変位検出センサ723の出力信号から、レンズLEのX軸方向及びY軸方向の平行偏心に伴うレチクル像のシフト量を計算することができる。そして、この計算結果の影響を、図2に示したウェハステージWF1の駆動量に加味することで、レンズLEの偏心に伴うレチクル像のアライメント誤差を解消することができる。
図5乃至図8は、駆動機構71の詳細構造を示している。図5は駆動機構71の平面図であり、図6は駆動機構71の側面図であり、図7は図5のVII−VII線に沿う断面図である。図8は、後述する変位取出し部材と方向変換部材とを示す斜視図である。なお、図8では、各種螺子の図示を省略する。
そして、駆動機構71の局所座標系UVWを次のように規定する。すなわち、U軸はレンズLEの半径方向に沿った軸、V軸はレンズLEの半径方向に沿った軸であり且つU軸に垂直な軸、W軸はレンズLEの光軸Cに平行な軸である。
これらの図に示すように、駆動機構71は、変位取出し部材711、方向変換部材712、積層型のピエゾアクチュエータ713、及びこれらの部材を連結する螺子等の締結部材から構成され、固定鏡筒73(図6に記載)上に取り付けられている。
ピエゾアクチュエータ713には、円板状の圧電素子と電極とを交互に積層させた棒体を密閉型円筒容器内に収納し、棒体の一端を容器外に突出させた形態のものを用いる。そして、U軸方向の全長の伸びが印加電圧に略比例して増加する。また、ピエゾアクチュエータ713は、ピエゾ調整螺子714を用いて変位取出し部材711に連結される。
そして、ピエゾアクチュエータ713のU軸方向への変位が変位取出し部材711を介して方向変換部材712に伝達され、レンズ枠74をW軸方向に沿って昇降させることになる。ピエゾ調整螺子714の変位取出し部材711に対する螺合深さを調整することで、ピエゾアクチュエータ713の寸法誤差を補正することができる。
変位取出し部材711の作製は、母材となる所定厚さの板状金属ブロックに対しワイヤ放電加工を施して行う。そして、穴あけ加工機を用いて、所定箇所に螺子穴を形成する。
方向変換部材712の作製も変位取出し部材711の作製と同様に、母材となる所定厚さの板状金属ブロックに対しワイヤ放電加工を施して行う。この際、方向変換リンク712a及びサポートリンク712b等を形成する。そして、穴あけ加工機を用いて、所定箇所に螺子穴を形成する。
次に、駆動機構71の組立手順について説明する。先ず、図8の斜視図において、方向変換部材712の左右2箇所の空所に変位取出し部材711の両側腕部を挿入し、螺子を用いて締結する。次に、図5に示すように、変位取出し部材711で囲まれる空間にピエゾアクチュエータ713を装着し、ピエゾ調整螺子714を用いてピエゾアクチュエータ713の出力端であるピエゾ受けリンク713aを左方向に押す。そして、変位取出し部材711をピエゾ受けリンク713aに圧接させる。これでピエゾアクチュエータ713の装着が完了する。最後に、駆動機構71を輪環状の固定鏡筒73(図6に記載)に設置して組立が完了する。
図9及び図10は、変位取出し部材711及び方向変換部材712のリンク機構を示している。図9は、変位取出し部材711を模式化して示しており、図10は、方向変換部材712を模式化して示している。ここで、図5乃至図8を参照しながら図9及び図10を用いて駆動機構71の動作原理について説明する。
ピエゾアクチュエータ713の2本の電極端子に所定電圧を印加すると、ピエゾアクチュエータ713の全長LはU軸方向にdL伸張する。すると、図9に示すように、一方のピエゾ受けリンク711b1はdU1=−dL/2、他方のピエゾ受けリンク711b2はdU2=dL/2変位する。すると、弾性ヒンジH11,H21を中心に回動可能に構成された変位取出しリンク711aは、W軸周りに微小回転する。これにより、連結リンク711c1はdU3=−(3/2)dL変位し、連結リンク711c2はdU4=(3/2)dL変位する。
上記連結リンク711c1,711c2のU軸方向の変位は、図10に示すように、方向変換部材712の水平リンク712c1,712c2をも変位させる。すると、U軸に対して45度程度の向きになるように配置された方向変換リンク712aが微小回転し、レンズ枠駆動リンク712dをW軸方向にdW上昇させる。
以上のように、ピエゾアクチュエータ713の伸張に伴ってレンズ枠駆動リンク712dがW軸方向に微小量変位するが、このレンズ枠駆動リンク712dはW軸方向にのみ変位し、U軸方向及びV軸方向には変位しない。それは、レンズ枠駆動リンク712dの左右両側にサポートリンク712eが連結されているからである。
このサポートリンク712eにより、レンズ枠駆動リンク712dのU軸方向への変位が拘束され、サポートリンク712fにより、レンズ枠駆動リンク712dのV軸方向への変位が拘束される。このサポートリンク712fは、水平リンク712c1,712c2の方向変換部材中央側端部に配置される。そして、水平リンク712c1,712c2のU軸方向の変位は拘束されず、V軸方向への変位は拘束される。そのため、V軸方向成分を有さない水平リンク712c1,712c2の運動が、方向変換リンク712aを介してレンズ枠駆動リンク712dに伝達される。
以上の構成により、レンズ枠駆動リンク712d上の螺子穴712g(図5に記載)付近の領域はW軸方向にのみ変位し、U軸方向及びV軸方向への変位は拘束される。そのため、レンズ枠74をW軸方向に正確に変位させることができる。また、弾性ヒンジH11,H12,H13,H21,H22,H23の間隔を適宜選択することで、ピエゾアクチュエータ713の変位拡大率を好適に設定することができる。
一方、図10に示すように、レンズ枠駆動リンク712dは両側をサポートリンク712eで支持されているが、レンズ枠駆動リンク712dはその一部が薄肉となっているため(図6参照)、この薄肉部712d1はU軸周りのねじれ方向に弾性変形可能である。また、レンズ枠駆動リンク712dの下側を拘束する方向変換リンク712aも、V軸方向に若干の弾性変形自由度を有している。
そのため、レンズ枠駆動リンク712dは、図7に示すように、サポートリンク712eの断面中央部の点Pを中心としたU軸周りにも僅かにねじることができる。すなわち、レンズ枠駆動リンク712dはW軸方向の並進運動と、U軸周りのねじれ運動が可能である。このねじれ運動によりレンズ枠74のチルト動作が発生する。
図11乃至図13は、図2に示したレンズ位置検出手段72に備え付けられた各種センサの詳細構造を示している。図11はアブソリュート式垂直変位検出センサ721を示している。アブソリュート式垂直変位検出センサ721としては、例えば、被検体であるターゲットミラー75に向けて投射したレーザ光、の戻り位置を観測し、ターゲットミラー75の位置を検出する三角測量式レーザ測長器を好適に用いることができる。更に、その一例として特開平10−267648号公報に開示されたものを用いることができる。以下に、アブソリュート式垂直変位検出センサ721の概略構成と位置検出原理について説明する。
このアブソリュート式垂直変位検出センサ721は、計測用の半導体レーザを放射するレーザ光源72a、コリメータレンズ72b、及び受光光束の重心位置を検出可能な四分割受光手段72cを備えている。四分割受光手段72cは、光位置センサ(PSD:Position Sensitive Detector)であるが、その他、電荷結合素子イメージセンサを受光手段として好適に用いることができる。センサ制御回路72dは、レーザ光源72aの駆動、及び四分割受光手段72cから出力される信号の処理及び各種演算等を行う。
上記構成において、レーザ光源72aから放射されたレーザ光は、コリメータレンズ72bを介して略平行光束となってターゲットミラー75に入射し、該ターゲットミラー75で反射した後、四分割受光手段72cの受光面に入射する。四分割受光手段72cは、受光スポットの重心位置に応じた信号を出力するが、ターゲットミラー75がレンズ枠74と共にZ軸方向に移動すると、受光スポットの重心位置も変化する。そのため、該重心位置をセンサ制御回路72dで算出することにより、レンズLEのZ軸方向変位を検出することができる。
ここで、三角測量式レーザ測長器は被検体までの絶対距離を検出可能なため、アブソリュート式垂直変位検出センサ721への電源が一度遮断され、再び電源供給された際にもZ軸上の基準点に対するレンズLEのZ座標をサブμmの精度で検出することができる。
図12は、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722を示している。インクリメンタル式垂直変位検出センサ722としては、例えば、干渉式レーザ測長器を好適に用いることができる。干渉式レーザ測長器とは、被検体であるターゲットミラー75での反射光と、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722内の全反射ミラー72eでの反射光とを合波して干渉させ、干渉信号の波数をカウントすることで被検体の移動量を測定する装置である。干渉式レーザ測長器の一例として、特開平11−94514号公報に開示された位置検出装置を用いることができる。以下に、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722の概略構成と位置検出原理を説明する。
このインクリメンタル式垂直変位検出センサ722は、計測用の半導体レーザを放射するレーザ光源72a、コリメータレンズ72b、四分割受光手段72c、及びセンサ制御回路72dを備えている。また、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722は、全反射ミラー72e、非偏光ビームスプリッタ72f、偏光ビームスプリッタ72g、干渉用光学素子72h、及び吸光手段72jを備えている。
上記構成において、レーザ光源72aから放射したレーザ光は、コリメータレンズ72bを介して緩い集光光束(図12では平行光束として表記した)に整形され、非偏光ビームスプリッタ72fに入射する。そして、入射光束の50%は非偏光ビームスプリッタ72fを透過して吸光手段72jに到達し、ここで吸収される。また、入射光束の残りの50%は非偏光ビームスプリッタ72fで反射して左に向かい、偏光ビームスプリッタ72gに入射する。
そして、偏光ビームスプリッタ72gの表面で反射したS偏光の光束は、ターゲットミラー75に入射し、該ターゲットミラー75で反射した後、偏光ビームスプリッタ72gの表面で再反射し、元の光路を通って非偏光ビームスプリッタ72fに戻る。一方、偏光ビームスプリッタ72gを透過したP偏光の光束は、全反射ミラー72eに入射し、該全反射ミラー72eで反射した後、偏光ビームスプリッタ72gを再透過して元の光路を通って戻る。
以上の構造により、移動する被検体であるターゲットミラー75からのS偏光の反射光と、全反射ミラー72eからのP偏光の反射光と、が偏光ビームスプリッタ72gで合成する。そして、その合成された光の50%が非偏光ビームスプリッタ72fを透過し、干渉用光学素子72hに入射する。干渉用光学素子72hには、左の入射面側から順に、1/4波長板、アパーチャ、千鳥状格子構造を有する位相回折格子、及び偏光方位を互いに45度ずらして配置された四分割偏光板、が配置される。
ここで、合波された光は、相互に直交する直線偏光であるが、干渉用光学素子72h内の1/4波長板で相互に逆回りの円偏光に変換される。次いで、アパーチャによって光量の大きい中心光束のみが通過し、千鳥状格子構造の位相回析格子で4つの光束に振幅分割され、四分割偏光板を通過する。以上の過程で生成された四分割光束は、その明暗タイミングが位相換算で90度ずつずれた干渉光に変換されている。そして、この4光束をそれぞれ四分割受光手段72cの受光部に入射させ、この4つの出力信号を以下の方法で処理する。
先ず、互いに180度の位相差を有する2つの信号の差動を抽出することで、DC成分を除去し、その結果得られた信号をA相信号とする。同じく互いに180度の位相差を有する残りの2信号の差動を抽出することで、DC成分を除去し、その結果得られた信号をB相信号とする。このA相信号とB相信号とは、互いに90度の位相差を有するので、これをオシロスコープに表示すると、円形のリサージュ波形が得られる(図18参照)。
ここで、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722とターゲットミラー75との間を往復する計測光の光路長変化が光源波長に一致すると、干渉信号は1周期変化する。すなわち、被検体が光源波長の半分の距離移動すると干渉信号は1周期変化する。よって、計測用レーザ光の光源波長をλ=800nmとすると、ターゲットミラー75が400nm移動する毎に干渉信号も1周期変化し、リサージュ波形も円形軌跡に沿って1周する。そのため、周知の方法で干渉信号の波数を計測することで、被検体の移動量を400nm単位で測定することができる。また、電気的な位相分割装置を用いて前記干渉信号を分割(分周)すれば、被検体の移動量をサブnmの精度で検出することができる。
図13は、インクリメンタル式横変位検出センサ723を示している。前述のインクリメンタル式垂直変位検出センサ722は、ターゲットミラー75の垂直方向移動量を検出していた。これに対してインクリメンタル式横変位検出センサ723は、ターゲットミラー75の横方向移動量、すなわちレンズLEの径方向の移動量を検出するため、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722とは内部の光学素子の配置が異なる。しかし、両センサの検出原理は同一であるので、説明を省略する。
図14は、図1の半導体の露光装置1の露光動作やレンズ駆動動作を制御するための制御回路を示している。図に示すように、制御回路は露光装置全体の動作を制御する本体制御手段8と、レンズの位置を制御するレンズ制御手段6とから構成されている。本体制御手段8は、本体CPU81を有し、この本体CPU81にマウント制御手段82、照明制御手段83、レチクルステージ制御手段84、ウェハステージ制御手段85、及び干渉計制御手段86が接続されている。
マウント制御手段82は、鏡筒マウント32の除振動作を制御する。照明制御手段83は、照明ユニット4の照明モードや光量を制御する。レチクルステージ制御手段84は、レチクルステージR1の駆動制御を行う。ウェハステージ制御手段85は、ウェハステージWF1の駆動制御を行う。干渉計制御手段86は、干渉計51の計測制御を行う。
レンズ制御手段6は、3個のレンズCPU61を有し、このレンズCPU61は図1に示したレンズユニット7毎に設けられる。すなわち、投影光学系2に内蔵されたレンズユニット7の個数と同一個数のレンズCPU61が設けられる。そして、各レンズCPU61には、3個の駆動機構制御手段62が接続され、各駆動機構制御手段62は図5に示した駆動機構71を制御する。そして、駆動機構制御手段62には、ピエゾドライバ71a及びピエゾ素子71bが内蔵され、図5に示したピエゾアクチュエータ713を駆動する。
また、レンズCPU61には、3個のレンズ位置検出手段72が接続されている。レンズ位置検出手段72には、アブソリュート式垂直変位検出センサ721、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722、及びインクリメンタル式横変位検出センサ723が設けられている。
そして上記構成において、レンズCPU61は、本体CPU81と交信し、所定のプログラムに基づいて駆動機構71を駆動制御し、レンズを目標位置に向けて駆動させ、投影光学系2の種々の収差が最小となるように駆動機構71を制御する。
図15は、レンズユニット7の制御ブロックを示している。本体CPU81内に存するレンズ目標位置演算ブロックB81では、レンズ基準点L0のZ軸方向駆動目標値Z0、チルト駆動目標値θX0,θY0を算出し、その結果をレンズCPU61に送信する。すると、該目標値はレンズCPU61内の加算点P1に入力される。
この加算点P1では、前記目標値Z0,θX0,θY0から後述するフィードバック信号値Zm,θXm,θYmが減算され、その残差信号が補償回路ブロックB71に入力される。補償回路ブロックB71では、制御の安定性を向上させるためにPI補償器が用いられている。補償回路ブロックB71を経由した信号は、座標変換ブロックB72に入力される。
座標変換ブロックB72では、前記残差信号を、駆動機構71のZ軸方向駆動目標値Z0に対応したピエゾ駆動電圧指令値に変換する。ここで、レンズLEの駆動目標値をZ0,θX0,θY0とすると、駆動機構71の駆動変位W1,W2,W3は(図6参照)、所定の変換マトリクスを乗じることで算出可能である。すなわち、以下の式1で関係づけられる。
よって座標変換ブロックB72では、電圧値を出力するために、以下の式2による変換を行えば良い。
ここで、δZ0,δθX0,δθY0は制御残差、VP1,VP2,VP3はピエゾドライバ71aへの制御指令電圧信号、CVは変位量を制御電圧に換算するための変換係数である。
式2で算出された制御指令電圧信号VP1,VP2,VP3をピエゾドライバ71aに入力すると、ピエゾ素子71bが所定量伸張する。そして、駆動機構71の変位取出し部材711と方向変換部材712とからなる方向変換部71cを経由して、レンズ枠74に駆動変位W1,W2,W3を与え、レンズ枠74及びレンズを所望の位置に移動させる。
すると、3組のレンズ位置検出手段72は、レンズ枠74に固設されたターゲットミラー75(図11乃至図13参照)の変位量を計測し、合計9種類の計測信号をセンサ出力原点規定ブロックB73に入力する。ここで、前記9種類の計測信号は、非インクリメンタル変位信号である絶対位置信号と、インクリメンタル変位信号とが混在している。そのため、図16に示すように、光軸C方向の絶対変位成分である垂直方向変位H1,H2,H3と、レンズ半径方向の絶対変位成分である水平方向変位S1,S2,S3とに分解される。
ここで、図16を用いてレンズ枠74の各箇所の移動量と座標定義について説明する。図に示すように、レンズLEを保持するレンズ枠74のフランジ部74aは、120度間隔に配置された3組の駆動機構71(図2に記載)の変位出力部に締結される。そして、3組の駆動機構71の垂直方向の駆動変位をW1,W2,W3とすると、フランジ部74aの3箇所が光軸C方向に沿ってそれぞれW1,W2,又はW3移動する。
また、フランジ部74aには、駆動機構71間に、レンズ位置検出手段72(図2に記載)が配置される。そして、3組のレンズ位置検出手段72の垂直方向変位をH1,H2,H3、水平方向変位をS1,S2,S3とすると、図に示すように、フランジ部74aの3箇所において、H1,H2,H3,S1,S2,S3の変位が検出される。
図17は、レンズLEの位置制御を行う際のレンズ座標を定義するもので、レンズLEが設計上の基準位置に置かれた場合の入射面中央(レンズ第1面の頂点)を座標原点と規定し、XYZ直交座標系を定義する。ここで、Z軸は光軸C、X軸は半径方向軸、Y軸はX軸と直交する半径方向軸である。また、レンズLEの入射面中央を、レンズ位置制御の際のレンズ位置代表点、すなわちレンズ基準点L0とする。
そして、3組の駆動機構71を同一の駆動変位(W1=W2=W3)駆動すると、レンズ基準点L0はZ軸方向に並進運動し、その変位量はZmで表される。また、3組の駆動機構71の変位量が異なるように駆動機構71を駆動すると、3組の駆動機構71の駆動量の相対的変化に応じてレンズLEはX軸周り又はY軸周りにチルト変位する。すなわち、駆動方向は、Z軸方向、θX方向、及びθY方向であり、駆動方向パラメータ数は3である。図中、そのチルト変位量はθXm及びθYmで表される。
また、一般的にレンズLEをチルト駆動する場合のチルト中心はレンズ基準点L0とは一致せず、X軸周りのチルトに伴ってY軸方向の並進(横シフト)変位が、Y軸周りのチルトに伴ってX軸方向の並進(横シフト)変位が、生じる。これらの横シフト変位をそれぞれYm,Xmと表す。
次いで、図15に戻り、座標変換ブロックB74は、上述の工程で算出された6種類の変位情報を、レンズLEの位置座標に変換する。ここで、レンズLEの変換前測情値H1,H2,H3,S1,S2,S3と、レンズ基準点L0の座標値(変換後計測値)Xm,Ym,Zm,θXm,θYm,Rmとは、所定の変換マトリクスを用いて相互に変換可能である。なお、位置検出パラメータ数はXm,Ym,Zm,θXm,θYm,Rmについての6つである。そして、以下の式3で関係づけられる。
ここで、Xm乃至θYmの計5つの変換後計測値は先に説明した通りである。Rmはレンズ枠74の直径寸法に関する値である。そして本実施例の場合、上記変換マトリクスが含む各係数の内、いくつかは実質上ゼロとなり、以下の式4のように表される。
すなわち、レンズのZ軸方向並進変位Zm、及びチルト変位θXm,θYmは、計測されたZ軸方向の絶対変位である垂直方向変位H1,H2,H3より算出され、レンズ半径方向の絶対変位である水平方向変位S1,S2,S3には依存しない。また、レンズLEのZ軸と直交する方向の変位Xm,Ym、及びレンズ枠74の直径寸法Rmは、レンズ半径方向の絶対変位である水平方向変位S1,S2,S3により算出され、Z軸方向の絶対変位である垂直方向変位H1,H2,H3には依存しない。言い換えれば、制御自由度を有した方向の変位成分はZ軸方向に検出感度を有したセンサで検出し、制御自由度を有さない方向の変位成分はZ軸と直交する方向に検出感度を有したセンサで検出している。
ここで、変換前の垂直方向変位H1,H2,H3及び変換後の各種変位Zm,θXm,θYmは、光学要素を能動的に駆動して得られる変位である。一方、変換前の水平方向変位S1,S2,S3及び変換後の各種変位Xm,Ym,Rmは、能動的に制御できない副次的な変位である。
上述の工程で得られた6つの変換後計測値の内、レンズLEの位置制御に必要な情報はZm,θXm,θYmの3つである。そのため、この値を加算点P1に反転入力することで、前記目標値Z0,θX0,θY0との差分である制御残差を補償回路ブロックB71に入力することができる。そして、制御残差を解消するようにピエゾアクチュエータ713を再駆動することで、レンズLEの高精度な位置決めが可能となる。
一方、計測された6つの変位情報Xm,Ym,Zm,θXm,θYm,Rmは、本体CPU81のウェハステージ位置補正ブロックB82に送信される。これら変位情報の内、例えばXm,Ymはレチクル像の重ね合せ誤差を低減するために用いられる。レチクル像の重ね合せ誤差は、レンズLEがチルト動作によって横シフト変位Xm,Ymを発生させることによって起こるからである。
また、横シフト変位Xm,Ymは、ウェハWF上に結像したレチクル像を移動させる他、投影光学系の収差をも変化させる。そこで、Xm,Ymに基づいて、ウェハステージWF1のスキャン変位量に修正を施すことで、ウェハWF上のレクチル像の位置決め精度が向上し、重ね合せ誤差を低減させることができる。
また、例えばRmは、レンズユニット7の故障や寸法の経時変化を検出するために用いられる。レンズ枠74の直径は本来不変量であるので、計測値Rmが大きく変化したか否かを判別すれば、レンズユニット7の故障の有無を判断することができる。また、Rmが微小量変化したか否かを判別すれば、寸法の経時変化の検出を行うことができる。Rmが微小量の変化した場合、レンズLE及びレンズ枠74の熱膨張、又は金属の時効による長期変形等を推測できる。
次に、レンズユニット7に備わったレンズ位置検出手段72を構成する各センサの調整方法について説明する。ここで調整とは、インクリメンタル式変位検出センサが出力する周期信号の波形整形、いわゆるリサージュ調整と、アブソリュート式検出変位センサの出力値に基づいてインクリメンタル式変位検出センサの計測基準点を規定する調整と、を指す。
先ず、リサージュ調整の原理について説明する。リサージュ調整とは、互いに位相の異なる複数の正弦波から変位信号を演算する場合の前工程として、各正弦波の波形整形を行うための調整である。図18に示すように、横軸はセンサ制御回路72dが算出した干渉信号のA相出力、縦軸は同じく干渉信号のB相出力である。そして、A相信号とB相信号とは、出力振幅が等しく位相差が90度異なる正弦波であるため、両相の軌跡を2次元平面で表すと理想的には円形になる。 しかしながら、センサ内の各光学部材の製造誤差や四分割受光部の感度相互差があると、AB両相の振幅が異なったり位相差が90度からずれたりし、例えば、図に示す破線のような楕円軌跡を描く。この楕円軌跡を電気的に分周すると、分周誤差が生じて正確な変位信号が得られない。その問題を回避するために、センサ制御回路72dが有する不図示のリサージュ調整手段で調整し、リサージュ波形が円形(図中、実線)になるように波形整形(リサージュ調整)するのである。
次に、垂直変位検出センサの基準点走査と基準点規定方法について説明する。図19(a)乃至図19(d)において、横軸はレンズLEのZ軸方向の位置、縦軸はターゲットミラー75のZ軸方向の変位計測値、すなわちセンサ出力値である。そして図19(a)は、駆動機構71の電源オフ時に、レンズLEのZ軸方向位置(下限位置)が設計上の基底位置Hbtm1に一致している場合を示している。
この状態で3組の駆動機構71が有するピエゾアクチュエータ713に電圧を印加して、レンズLEをZ軸のプラス方向に駆動すると、アブソリュート式垂直変位検出センサ721の出力値Habsは破線のように変化する。ここで、レンズLEが設計上の理想位置である光学原点に位置するよう、すなわち可動範囲の中央に到達した際に該センサ721が原点に相当する信号を出力するよう、予め機械的又は電気的に該センサ721が調整されているものとする。
このように、該センサ721は被検体の絶対位置を検出できるが、検出出力の直線性は光学式干渉計であるインクリメンタル式垂直変位検出センサ722に対して相対的に劣っている。すなわち、アブソリュート式垂直変位検出センサ721の出力波形(点線)はHabsのように原点0を通過するが図19(b)に比べて非線形である。
一方、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722は、検出分解能や検出出力の直線性はアブソリュート式垂直変位検出センサ721に比べて優れる。しかし、該センサ722への電源投入時からの変化分を出力するが、被検体の絶対位置を検出することはできないため、その出力値Hincは図19(b)に示す実線のようになる。
そこで、レンズLEが原点を通過した際のインクリメンタル式垂直変位検出センサ722の出力値Hinc0を、アブソリュート式垂直変位検出センサ721の出力値Habs0と一致させると、当該検出センサ722の基準点位置が規定される。前記操作により、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722の原点がアブソリュート式垂直変位検出センサ721の基準点Habs0によって規定され、実質的に被検体の絶対位置を検出可能となる。
図19(c)は、駆動機構71への電源オフ時に、レンズLEのZ軸方向位置(基底位置すなわち下限位置)が設計値Hbtm1から微小量ずれたHbtm2に位置している場合を示している。ここで、レンズの基底位置がずれる可能性として、ピエゾアクチュエータ713のクリープによる初期長変化、ピエゾアクチュエータ713の交換による初期長変化、又は予圧調整量変化等が想定される。
この状態でピエゾアクチュエータ713に電圧を印加して、レンズLEをZ軸のプラス方向に駆動する。すると、アブソリュート式垂直変位検出センサ721の出力値Habsは、その出力開始点は図19(a)とは異なるものの、その後の出力信号は図19(a)と一致し、破線のごとく変化する。
一方、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722は、電源投入時からの変化分を出力するが、その際にレンズLEの基底位置が前述の理由でずれていると、実線で示した出力値Hincは、細線(図19(a)の実線に相当)で示す出力値Hincとは異なる。
しかしながら、上述したように、レンズLEが原点を通過した際のインクリメンタル式垂直変位検出センサ722の出力値Hinc0とアブソリュート式垂直変位検出センサ721の出力値Habs0を一致させると、該センサ722の基準点位置が規定される。その結果を図19(d)に示すが、以上の工程で、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722の原点は図19(b)の場合と一致する。
すなわち、以上の調整を行うことでインクリメンタル式垂直変位検出センサ722の基準点規定が実行され、該センサ722が高精度なアブソリュート式垂直変位検出センサ721としての機能を備えることになる。
次に、レンズLEをチルト駆動した際に副次的に発生する変位について説明する。図20は、レンズLEがX軸周りにチルト駆動する前の形態を示している。図21は、図20のインクリメンタル式横変位検出センサ723付近を拡大して示している。
ここで、レンズLEをX軸周りに反時計方向にチルト駆動するためには、図3の3組の駆動機構71において、上側の駆動機構71の出力部をZ軸方向マイナスに、右下及び左下の駆動機構71の出力部をZ軸のプラス方向に駆動制御する。これを図16を用いて説明すると、駆動変位W1に−δW、駆動変位W2,W3に+2δWを割り当て駆動機構71を制御すると、レンズ基準点L0にはZ軸方向の並進は発生せず、レンズLEにはX軸周りのチルトのみ発生する。
そして、このときのレンズLEのチルト中心軸を図20中、点Pcで示すと、チルト中心軸Pcは3組の駆動機構71が有するレンズ枠駆動リンク712dの上面(図8参照)を通る平面上にあり、且つ光軸Cと交差する軸に略一致する。その理由を以下に説明する。
図16において、3組の駆動機構71のZ軸方向駆動変位が互いに等しい場合、レンズ枠74はZ軸方向に並進する。一方、3組の駆動機構71のZ軸方向駆動変位が相互に異なる場合は、各駆動機構71のレンズ枠駆動リンク712d(図10記載)は異なる量Z軸方向に並進し、その結果レンズ枠74がチルトする。このチルト動作により、レンズ枠74が締結されているレンズ枠駆動リンク712dにも、前記チルト角と等しい角度だけ、強制的な傾きを生ずる。
この際、図10で説明したように、レンズ枠駆動リンク712dを拘束するサポートリンク712eは、U軸周りにねじれ変形可能な構造となっている。そのため、レンズLEをチルト動作させることができる。よって、図20におけるレンズLEのチルト中心軸Pcは、サポートリンク712eの薄肉部712e1(図6に記載)を含む面と光軸Cとの交点近傍となる。ここで、薄肉部712e1を含む面のZ軸方向高さは、レンズ枠駆動リンク712dとレンズ枠74との締結面の高さに略等しい。
すなわち、レンズユニット7内のレンズLEがチルト駆動する際、軸受けやピボット機構等で規定されるような固定的なチルト中心は存在しないが、駆動機構71の一部にねじれ剛性の低い部分を形成することにより、レンズLEのチルト中心軸Pcが規定される。
次に、レンズLEがチルトした際の横シフト量について説明する。図20及び図24において、RRは、チルト中心軸Pcと、ターゲットミラー75におけるインクリメンタル式横変位検出センサ723の変位計測点P11とを結ぶ線分である。また点P12は、チルト中心軸Pcを通る水平線と、前記変位計測点P11を通る垂直線との交点である。この3つの点Pc,P11,P12により直角三角形PcP11P12が想定される。
RSは線分RRのY軸方向成分、HSは線分RRのZ軸方向成分である。またαは、チルト中心軸Pcを通る水平線と線分RRとの相対角度である。図21では、該センサ723の計測ビームが投射されるターゲットミラー75の反射面と、前記チルト中心軸Pcと、のY軸方向の距離がRSと定義されている。
図22は、レンズLEが反時計方向に角度β、チルト駆動した際の断面を示しており、図23は、図22のインクリメンタル式横変位検出センサ723付近を拡大して示している。レンズLEのチルト変位に伴い、ターゲットミラー75はZ軸のプラス方向に変位するとともに、Y軸方向マイナス(図22及び図23では右方向)にも微小量変位する。よって、図24で定義された直角三角形PcP11P12は移動して直角三角形PcP21P22となる。従って、計測ビーム照射部P21とチルト中心軸PcとのY軸方向成分RSはδRS増加する。
次に、この横シフト量δRSについて説明する。図24において、実線で示した直角三角形PcP11P12はチルト駆動前、破線で示した直角三角形PcP21P22はチルト駆動後を表しているが、図24においてはδRSの説明の便宜上、角度αを拡大して示している。ここで、∠P11PcP12=αであり、以下の式5が成り立つ。
また、チルト前の頂点P11とチルト後の頂点P21を結ぶ線分をARCとすると、チルト角βが微小の場合は、以下の式6が成り立つ。
そして、点P11を通る水平線と点P21を通る垂直線の交点をP3とすると、点P11と点P3の距離δRSが、レンズLEのチルト駆動によって生じるターゲットミラー75のY軸方向の横シフト量で、以下の式7が成り立つ。
ただし、γ=∠P12P11P21=∠P3P21P11である。そしてチルト角βが、αを始めとする他の角度に対して無視し得る程度の微小角であるとの仮定を置き、図24の二等辺三角形PcP11P21の底角に着目すると、以下の式8、が成り立つ。
そこで、式8を式7に代入し、更に式5及び式6を用いて、以下の式9を得る。
すなわち、インクリメンタル式横変位検出センサ723の検出ビーム位置P11とレンズLEのチルト中心軸PcとのZ軸方向寸法をHS、チルト駆動角をβとし、レンズLEをチルト駆動すると、変位(δRS)検出信号が該センサ723に発生する。
一方、該センサ723の光源波長をλとすると、該センサ723とターゲットミラー75の距離がλ/2だけ変化すると、図18で説明したリサージュ波形1周期分の干渉信号が得られる。よって、レンズLEをチルト駆動してセンサ723に干渉信号を発生させ、これを用いてリサージュ調整を行うためには、以下の式10が成り立つ必要がある。
そして式9と式10より、以下の式11が導かれる。
具体的な数値の一例として式11に、λ=800(nm)=8×10−4(mm)、β=1×10−4(rad)を代入すると、HS>4(mm)が得られる。具体的には、光源波長がλ=800(nm)の干渉型レーザ測長器を用い、且つ駆動機構71における実用上の最大チルト角がβ=1×10−4(rad)という特性を有したレンズユニット7を用いる。そして、レンズLEのチルト中心軸Pcに対して、該測長器の計測ビーム位置をZ軸方向に4(mm)以上離間させることにより、レンズLEのチルト動作を利用して該測長器のリサージュ調整を行うことができる。
一方で、レンズLEをY軸と平行な軸周りに同一チルト角βだけチルト駆動した際、図2の右上及び左上のレンズ位置検出手段72が観測するX軸方向の横変位量は、式6で計算されるδRSの√3/2≒0.87倍になる。従って、式11で計算されるZ軸方向離間量HSはおよそ1.15倍、すなわち4.6(mm)以上離間させる必要がある。更に、図18で説明したリサージュ調整を正確に行うためには、干渉信号が2周期程度あることが望ましい。従って、これらの事情を勘案し、式11で計算される離間量HSに対して、2倍以上の離間量を確保するのが望ましい。
図25は、各種検出センサ721,722,723の調整工程を実行するための、センサ初期化ルーチンのフローチャートを示している。具体的には、レンズLEを光軸方向に駆動させる駆動機構71と、レンズLEの光軸に直交する方向における位置を計測するために周期信号を発生するレンズ位置検出手段72と、を有するレンズユニット7の調整方法である。
そして、レンズLEを光軸に対する傾斜方向に駆動させる工程と、レンズLEを光軸に対する傾斜方向に駆動させたときのレンズ位置検出手段72の出力信号に基づいて、該検出手段72が発生する周期信号の波形整形を行い、レンズLEの駆動方向を光軸方向に一致させる工程と、を有することを特徴としている。
先ず、ステップS101において、レンズ位置検出手段72が有する各種検出センサ721,722,723への電源供給を開始し、レンズ位置計測が可能な状態とする。なお、当ステップでは3組の駆動機構71はまだ作動していないため、レンズLEは基底位置、すなわちZ軸方の可動範囲の最低位置にある。
次いでステップS102において、3組の駆動機構71を等速駆動して、レンズLEをZ軸方向上方に所定量移動させる。ステップS103では、前記定速駆動中に、3個のインクリメンタル式垂直変位検出センサ722のリサージュ調整を、図18を用いて説明した原理に基づいて行う。ステップS104では、レンズLEをZ軸方向の最下点、すなわち基底位置に戻す。ステップS105では、3組の駆動機構71を等量駆動して、レンズLEをZ軸方向上方に駆動範囲上限位置まで移動させる。ステップS106では、ステップS105の実行中に、図19にて説明した方法に基づいてアブソリュート式垂直変位検出センサ721の基準点走査を行う。そしてステップS107において、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722の基準点規定を行う。
ステップS107を実行後、ステップS108にて、レンズLEを一度基底位置、すなわち最下点に復帰させる。次いでステップS109において、レンズLEを設計上の基準位置(光学原点)、すなわち図19で示した原点0の位置に移動させる。ステップS110では、レンズLEをX軸及びY軸周りに所定量チルトさせる。ステップS111では、ステップS110を実行しながら3個のインクリメンタル式横変位検出センサ723のリサージュ調整を順番に行う。
ステップS112では、レンズLEを設計上の基準位置(光学原点)、すなわち図19で示した原点0の位置に再度移動する。ステップS113では、3個のインクリメンタル式横変位検出センサ723の基準点を規定する。なお、本実施例では、アブソリュート式の横変位検出センサを備えていないが、その理由は次の通りである。3組の駆動機構71で拘束されたレンズ枠74は、Z軸と直交するX軸方向及びY軸方向に能動的に位置制御できないが、その代りに、X軸方向及びY軸方向の剛性と位置再現性が高いという利点を有する。
すなわち、アブソリュート式垂直変位検出センサ721及びインクリメンタル式垂直変位検出センサ722の出力信号に基づいてレンズLEが光学原点位置に復帰させる場合の、X軸方向及びY軸方向の位置再現性が良好である。そこで、レンズLEが光学原点位置に定位置制御された際の、インクリメンタル式横変位検出センサ723の出力値を原点と規定することで、アブソリュート式横変位検出センサを備えなくとも、横方向の絶対位置を高精度に規定することが可能である。そして、センサ初期化ルーチンが完了する。
以上のフローにて、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722及びインクリメンタル式横変位検出センサ723のリサージュ調整と、アブソリュート式垂直変位検出センサ721を用いたレンズLEの原点規定とが行われる。そして、レンズLEのZ軸方向の並進変位、及びX軸周りとY軸周りのチルト変位を正確に検出することが可能となる。
なお、図25に示したフローは、レンズユニット7の組立完了時に行われる他、図1に示した半導体の露光装置1として完成した際の最終調整、更に半導体ウェハの製造のために稼動している最中にも適宜実行される。
上述した実施例1によれば、検出センサ721,722,723を複数配置して、レンズLEの駆動方向パラメータ数よりも検出センサ721,722,723の位置検出パラメータ数を多くし、冗長性を持たせた。そのため、横シフト変位Xm,Ymの他、検出センサ721,722,723又はレンズ枠74その他の機構部材、の熱膨張・熱収縮や破損等の情報Rmを得ることができる。すなわち、投影光学系2の動作環境が適切か否かを正確に判別することができる。
また、上述した実施例1によれば、チルト時に発生する副次的な変位が、該変位を検出する検出センサ721,722,723の較正に必要な最小変位量より大きくなるように検出センサ721,722,723を配置した。そのため、較正のための特別な部材が不要であり且つ検出精度を高めることができる。従って、レンズユニット7の組立時のみならず、投影光学系2の完成状態、及び半導体露光装置の稼働状態でもセンサ較正が可能となり、センサの検出精度を常に高精度な状態に保つことができる。
更に、上述した実施例1によれば、インクリメンタル式横変位センサ723の存在により、レンズLEの並進方向と直交する方向の変位を正確に検出することができる。そのため、チルト中心軸Pcが一義的に規定できず、チルト角から副次的な変位が予測できない場合でも、真の並進変位を常時観察することで、レンズLEの空間上の位置を正確に把握することができる。
その結果、レンズLEの位置計測精度を向上させることができ、一のレンズLEに発生した副次的な変位による収差を、他のレンズLEのチルト駆動で相殺する等の制御により、投影光学系2の収差低減能力を高めることができる。また、副次的な変位によるレチクル像の変位を算出し、ウェハステージWF1をスキャン駆動させることでレチクル像の変位を相殺する等の制御により、レチクル像の重ね合せ誤差を低減することができる。
また、上述した実施例1によれば、レンズLEの光軸C方向におけるレンズLEの相対位置を計測するインクリメンタル式垂直変位検出センサ722と、このセンサ722の絶対位置を計測するアブソリュート式垂直変位検出センサ721と、を有する。そのため、レンズLEの絶対位置と相対位置との両方を測定することができ、電源再立上げ時でも高精度な位置決め精度を発揮することができる。
また、光軸C方向と直交する方向におけるレンズLEの相対位置を計測するインクリメンタル式横変位検出センサ723を有するので、レンズLEのチルト変位量を算出することができる。更に、3箇所に設けられた駆動機構71によってレンズLEをチルト駆動することにより、レチクル像のアライメント誤差を解消することができる。
(レンズ位置検出手段の第1変形例)
上述した実施例1では、インクリメンタル式の変位検出センサ722,723として、マイケルソン型干渉計を用いた例について説明したが、エンコーダを用いても良い。エンコーダは、回析格子と通過した回析光が形成する干渉縞を計数することで回析格子の移動量を計測する装置である。
(レンズ位置検出手段の第1変形例)
上述した実施例1では、インクリメンタル式の変位検出センサ722,723として、マイケルソン型干渉計を用いた例について説明したが、エンコーダを用いても良い。エンコーダは、回析格子と通過した回析光が形成する干渉縞を計数することで回析格子の移動量を計測する装置である。
図26はアブソリュート式垂直変位検出センサ721を、図27はインクリメンタル式垂直変位検出センサ722を、図28はインクリメンタル式横変位検出センサ723を示している。図29は、これらのセンサ721,722,723を斜視的に示している。
ターゲットミラー75には、その底面75aに全反射平面ミラーが形成されている。また、レンズ接線方向に沿った側面75bには、レンズ外周(レンズコバ)の接線方向に多数の溝が延伸した回析格子75b1が形成されている。また、レンズ外周(レンズコバ)の接線方向に垂直な側面75cには、レンズLEの光軸方向に溝が延伸した回析格子75c1が形成されている。
図26に示したアブソリュート式垂直変位検出センサ721は、実施例1と同一のセンサで、ターゲットミラー75の底面75aに計測用のレーザ光を照射し、ターゲットミラー75のZ軸方向の絶対変位を検出する。図27に示したインクリメンタル式垂直変位検出センサ722には、例えば特開平7−167679号(特許登録第2629606号)公報に開示されたエンコーダが用いられる。その検出原理を簡単に説明する。
インクリメンタル式垂直変位検出センサ722から放射されたレーザ光は回析格子75b1に入射し、その回析光が該センサ722に戻る。すると、該センサ722内において回析光が所定の方法で合成され、干渉縞が形成される。ここで、ターゲットミラー75がZ軸方向に変位すると、回析光の状態が変化して該センサ722内の干渉縞が移動するため、干渉縞を計測する光電センサからは干渉縞の明暗に対応した周期信号であるインクリメンタル信号が出力される。
なお、干渉計から出力されるインクリメンタル信号の周期は光源波長に依存するが、この変形例のリニアエンコーダから出力されるインクリメンタル信号の周期は、回析格子の格子ピッチに依存する。そこで、サブμmの格子ピッチを有する回析格子を用いることで、干渉計と同様の検出分解能が得られる。
従って、インクリメンタル信号の周期を測定することにより、ターゲットミラー75の移動量が格子ピッチオーダの分解能にて検出することができる。また、前記インクリメンタル信号を干渉計と同様に電気的に分周することで、検出分解能をサブnmオーダに高めることができる。
図28に示したインクリメンタル式横変位検出センサ723は、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722と同様のセンサである。しかしながら、内部の光学系の配置が異なり、ターゲットミラー75の横方向変位、すなわちレンズLEの光軸と交差する方向の移動量を検出する。
(レンズ位置検出手段の第2変形例)
図30は、位置検出手段の変形例を示している。アブソリュート式垂直変位検出センサ721と、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722は、(レンズ位置検出手段の第1変形例)で用いたものと同様である。しかし、インクリメンタル式横変位検出センサ723の構成が異なる。
(レンズ位置検出手段の第2変形例)
図30は、位置検出手段の変形例を示している。アブソリュート式垂直変位検出センサ721と、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722は、(レンズ位置検出手段の第1変形例)で用いたものと同様である。しかし、インクリメンタル式横変位検出センサ723の構成が異なる。
この第2変形例のインクリメンタル式横変位検出センサ723は、第1変形例の当該センサ723と同様のセンサであるが、内部の光学系の配置が異なる。この第2変形例のインクリメンタル式横変位検出センサ723は、回析格子75b2の横方向変位、より詳しくは、レンズの外周の接線方向の移動量を検出する。
上述した実施例2では、投影光学系を構成する光学要素は全てレンズLEであった。しかし、この実施例2は、投影光学系がレンズ群LE1〜LE4と第1〜第3ミラーM1〜M3とで構成されたカタディオプトリック系であり、移動可能に支持された被駆動対象をミラーとしている。また、実施例1のレンズLEはZ軸方向への並進と、X軸及びY軸周りのチルト変位とで、自由度が3であったが、この実施例2では、所定の軸周りのチルト駆動のみが許容されている。
図31は、本発明の光学要素の保持装置の実施例2を備えた露光装置の投影光学系を示している。この投影光学系は、レチクルR、第1〜第4レンズ群LE1〜LE4、第1〜第3ミラーM1〜M3、及び第3ミラーM3を含むミラーユニットMUを有している。第1〜第4レンズ群LE1〜LE4はいずれも複数のレンズから構成されている。投影光学系以外の構成要素は実施例1と同様であるため、説明を省略する。
図32乃至図34は、図31の投影光学系を構成する光学要素の内、第1ミラーM1を駆動するためのミラーユニットMUを示している。図32は、第1ミラーM1及び保持枠であるミラー枠74Aを取り除いた平面図である。図33は、第1ミラーM1及びミラー枠74Aを取り付けた場合の平面図である。図34は、図33のXXXIV−XXXIV線に沿う断面を示している。
図32において、第1ミラーM1を駆動する駆動機構71は、X軸を中心に対向して配置される。2組の駆動機構71を等量駆動すれば第1ミラーM1はZ軸方向に並進駆動する。また、2組の駆動機構71の駆動量を異ならせることで、第1ミラーM1をX軸周りにチルト駆動することができる。
一方、位置計測部であるミラー位置検出手段72Aは、同じく実施例1と同様のものが第1ミラーM1の周りに不等角ピッチで3組配置される。しかしながら、実施例1で示した(式3)又は(式4)に示したものと同様の変換マトリクス(ただし係数は異なる)を用いることで、第1ミラーM1の基準点の座標(変換後計測値)Xm,Ym,Zm,θXm,θYm,Rmを得ることができる。
そして、そのZ軸方向の配置は、実施例1の図20乃至図24と、(式4)〜(式10)で説明した条件と、を満たすように配置される。ここで注意すべき点は、第1ミラーM1は、X軸周りのチルトのみ許容され、Y軸周りのチルトはすることができない。よって、X軸周りのチルト駆動によって全てのインクリメンタル式横変位検出センサ723の較正を行う必要がある。
このとき、図32における3組のミラー位置検出手段72Aの内の2組は、チルト中心とターゲットミラー75の計測部との水平方向(Y軸方向)の実質的な距離が、実施例1の約半分になる。従って、ターゲットミラー75の計測部とチルト中心との間のZ方向の離間量HSを、実施例1の2倍とすることで実施例1と同様の作用を得ることができる。
図35は、実施例2の各センサの調整工程を実行するための、センサ初期化ルーチンのフローチャートである。実施例1では、光学要素はY軸周りのチルトが可能であったが、実施例2ではY軸周りのチルトが不可能な点で異なっている。その他の構成は実質的に同一である。よって、実施例1の図25のフローチャートでのステップS110が、実施例2では、ステップS210に置き換わった点のみ異なる。
すなわち、図25のステップS110では、レンズをθX方向及びθY方向にチルト駆動して検出センサ723のリサージュ調整を行うのに対して、図35のステップS210では、ミラーをθX方向にチルト駆動して検出センサ723のリサージュ調整を行う。これ以外のステップは実施例1と実質的に同一であるため、説明は省略する。
上述した実施例2では、第1ミラーM1にはZ軸方向の並進とX軸周りのチルトの合計2方向の移動自由度が与えられる。そして、主たる変位の検出として、Z軸方向並進変位とX軸周りのチルト変位とが検出される。更に、副次的な変位として、Y軸方向への並進変位と、Y軸周りのチルト変位とが検出される。 機構部材の製造誤差による意図しない変位として、X軸方向の並進変位とY軸周りのチルト変位とが検出される。すなわち、移動自由度は実施例1より少ない2であるが、変位検出のパラメータ数は実施例1と同様の5である。更に実施例1と同様に、付加情報としてミラー枠74Aの半径方向の寸法変化量を得ることができる。そして、第1ミラーM1のチルト駆動によりインクリメンタル式横変位検出センサ723の較正を行うことができる。そして、この実施例2も実施例1と同様の効果を奏する。
図36は、本発明の光学要素の保持装置の実施例3を備えた露光装置の投影光学系を示している。この実施例3では、第3ミラーM3がミラーユニットMUに設けられている点で、第1ミラーM1がミラーユニットMUに設けられている実施例2と異なる。
図37乃至図39は、図36の投影光学系を構成する光学要素の内、第3ミラーM3を駆動するためのミラーユニットMUを示している。図37は、第3ミラーM3及び保持枠であるミラー枠74Aを取り除いた平面図である。図38は、第3ミラーM3及びミラー枠74Aを取り付けた場合の平面図である。図39は、図38のXXXIX−XXXIX線に沿う断面を示している。
実施例1では、被駆動対象である光学要素は複数組の駆動機構71により支持及び駆動されるため、Z軸方向の並進と、Z軸と直交する軸周りのチルトの、複数自由度を有していた。これに対して実施例3では、被駆動対象である光学要素としての第3ミラーM3は、ミラー枠74Aに固定して保持され、該ミラー枠74Aは2個のピボット部材78により支持されている。
ここでピボット部材78は、Y軸を挟んで対向する位置に且つ固定鏡筒73の平面部に固設され、その最上面とミラー枠74Aのフランジ部74aは螺子にて結合される。そして、ピボット部材78の中間部には、断面積の小さなヒンジ部が設けられ、このヒンジ部の弾性変形により最上面は僅かな角度ではあるが搖動可能となっている。従って、2個のピボット部材78に締結されたミラー枠74Aは、θX方向にのみ移動が自由である。
また、2個のピボット部材78の中間部、すなわち図37のY軸上プラス側には、1組の駆動機構71が設置されている。よって、駆動機構71のピエゾアクチュエータ713に電圧を印加してミラー枠74Aとの締結部をZ軸方向に駆動することで、ミラー枠74AはθX方向にチルト駆動される。
一方、光軸Cを挟んで駆動機構71と対向する位置には、1個のミラー位置検出手段72Aが配置され、これと光軸C周りに120度隔たった2箇所には位置計測補助部であるミラー位置検出手段72Bが配置されている。そして、前者のミラー位置検出手段72Aは、実施例1と同様に、アブソリュート式垂直変位検出センサ721、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722、及びインクリメンタル式横変位検出センサ723を備えている。
後者のミラー位置検出手段72Bは、第1計測部であるインクリメンタル式垂直変位検出センサ722を有し且つ第2計測部であるアブソリュート式垂直変位検出センサ721を有していない。また、ミラー位置検出手段72Bは、第3計測部であるインクリメンタル式横変位検出センサ723は有している。
その理由は、ミラー枠74Aの駆動方向はθX方向のみで自由度が1のため、そのチルト角の基準位置からの絶対角度を認識するためには、1個の絶対位置検出手段があれば足りるからである。なお、インクリメンタル式横変位検出センサ723が実施例1と同様に3個備えられているのは次の理由による。すなわち、第3ミラーM3はX軸及びY軸方向の自由度は有さないものの、ミラー枠74Aがチルト駆動した際のピボット部材78の微小な撓みにより、X軸及びY軸方向に若干ではあるが変位を生じるので、これを検出するためである。
そして、ミラー枠74Aのチルト中心、及び3個のインクリメンタル式横変位検出センサ723の配置関係は、図20乃至図24で説明した関係を満足するよう配置されている。ここで注意すべき点は、第3ミラーM3はX軸周りのチルトのみ許容され、Y軸周りにはチルト駆動することができない。よって、X軸周りのチルト駆動によって全てのインクリメンタル式横変位検出センサ723の較正を行う必要がある。
このとき、図37における2個のミラー位置検出手段72Bにおいて、チルト中心とターゲットミラー75の計測部との水平方向(Y軸方向)の距離が、実施例1の約半分になる。従って、ターゲットミラー75の計測部とチルト中心とのZ軸方向の離間量HSを、実施例1の2倍程度にすることで、実施例1と同様の作用を得ることができる。
図40は、実施例3に用いる各センサの調整工程を実行するための、センサ初期化ルーチンのフローチャートを示している。先ず、ステップS301において、ミラー位置検出手段72A,72Bが有する各センサへの電源供給を開始し、計測可能状態とする。なお、ステップS301では駆動機構71はまだ動作していないため、第3ミラーM3は基底位置、すなわちX軸周りのチルト可動範囲の一方端にある。
ステップS302では、駆動機構71を等速駆動して、第3ミラーM3をX軸周りに、所定量だけ定速駆動する。ステップS303では、前記定速駆動工程の最中に、3個のインクリメンタル式垂直変位検出センサ722と3個のインクリメンタル式横変位検出センサ723のリサージュ調整を、図18を用いて説明した原理に基づいて行う。
ステップS304では、第3ミラーM3をチルト方向の最下点、すなわち基底位置に戻す。ステップS305では、駆動機構71を再び等速駆動して、第3ミラーM3をθX方向上方に駆動範囲上限まで定速駆動する。
ステップS306では、ステップS305を実行しながら、図19にて説明した方法に基づいて、ミラー位置検出手段72Aが有するアブソリュート式垂直変位検出センサ721の基準点走査を行う。ただし、実施例3においては、第3ミラーM3はZ軸方向の並進駆動はできないため、図19の横軸に表記されたレンズ位置は、ミラーのチルト位置と置き換えて解釈する。次いでステップS307において、3個のインクリメンタル式垂直変位検出センサ722の基準点規定を行う。
ステップS307を実行後はステップS308において、第3ミラーM3を一度基底位置、すなわちチルト駆動範囲の最下点に復帰させる。次いでステップS309において、第3ミラーM3を設計上の基準位置(光学原点)、すなわち図19で示した原点0の位置まで駆動する。ステップS310では、3個のインクリメンタル式横変位検出センサ723の基準点を規定する。ステップS310を実行した後、センサ初期化ルーチンが完了する。
上述した実施例3では、実施例1と同様の効果を奏する。更に、この実施例3では、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722とアブソリュート式垂直変位検出センサ721とを有するミラー位置検出手段72Aの他にミラー位置検出手段72Bを設ける構成にした。このミラー位置検出手段72Bは、インクリメンタル式垂直変位検出センサ722を有し且つアブソリュート式垂直変位検出センサ721を有さない構成であるので、アブソリュート式垂直変位検出センサ721の設置個数を低減することができる。
図41乃至図43は、本発明の光学要素の保持装置の実施例4であるレンズユニット7を示している。図41は、レンズLE及びレンズ枠74を取り除いた状態の平面図であり、図41はレンズLE及びレンズ枠74を取り付けた状態の平面図である。また、図42は図41のXXXXII−XXXXII線に沿う断面図である。そして、この実施例4のレンズユニット7では、実施例1と同一の座標系が規定されている。
この実施例4は、センサの検出感度方向が、光学要素の接線方向への検出感度を有しており、位置検出手段に用いられるインクリメンタル式横変位検出センサ723の構成のみ異なる。
図44及び図45は、駆動機構71とレンズ位置検出手段72をレンズLEの近傍に配置した際の、各箇所の移動量と座標定義について示している。レンズLEを保持するレンズ枠74のフランジ部74aは、120度間隔に配置された3組の駆動機構71の変位出力部に締結される。そして、3組の駆動機構71の垂直方向の駆動変位をW1,W2,W3とすると、フランジ部74aの3箇所が光軸C方向に沿ってそれぞれW1,W2,又はW3移動する。また、フランジ部74aには、駆動機構71間に、レンズ位置検出手段72が配置される。
そして、3組のレンズ位置検出手段72の垂直方向変位をH1,H2,H3、水平方向変位をT1,T2,T3とすると、図に示すように、フランジ部74aの3箇所においてH1,H2,H3,T1,T2,T3の変位が検出される。
実施例1では、レンズLEの横方向位置を検出するためのセンサ感度方向が、図16のS1〜S3で示したように、レンズ光軸方向に略直交する方向に向いていた。しかし、実施例4では、レンズLEの横方向位置の検出をするためのセンサ感度方向が、図44のT1,T2,T3で示すように、レンズ外周の接線方向を向いている。
図45は、レンズLEの位置制御を行う際のレンズ座標を定義しており、実施例1で用いた図17と類似する。相違点は、レンズLEのZ軸周りの回転変位θZが追加された点である。
次に、レンズLEの駆動制御について説明する。レンズユニット7の制御ブロックは、実施例1で用いた図15に示した制御ブロックと同様である。ピエゾアクチュエータ713によるレンズ駆動は、実施例1の(式1)及び(式2)の変換マトリクスが用いられる。
そして、レンズ駆動後のレンズ位置を計測して該計測値に基づいてフィードバック制御するための、変換マトリクスは、実施例1で示した(式3)の代りに、式12が用いられる。
ここで、H1,H2,H3,T1,T2,T3は変換前計測値、G11乃至G66は変換マトリクスの係数、Xm,Ym,Zm,θXm,θYm,θZmは変換後計測値である。そして本実施例の場合、上記変換マトリクスが含む各係数の内、いくつかは実質上ゼロとなり、以下の式13のように表される。
すなわち、レンズのZ軸方向並進変位Zm及びチルト変位θXm,θYmは、計測されたZ軸方向の絶対変位H1,H2,H3より算出され、レンズ外周接線方向の絶対変位T1,T2,T3には依存しない。また、レンズLEのZ軸と直交する方向の変位Xm,Ym、及びZ軸周りの回転変位θZmは、レンズ外周接線方向の絶対変位T1,T2,T3より算出され、Z軸方向の絶対変位H1,H2,H3には依存しない。
そして、式12又は式13で得られた6個の変換後計測値の内、レンズLEの位置制御に必要な情報はZm,θXm,θYmの3個であり、これらはレンズLEのフィードバック制御に用いられる。また、Xm,YmはウェハステージWF1のスキャン制御に用いられ、レチクル像の重ね合せ誤差低減に利用される。
一方で、レンズ枠74はZ軸周りには回転しない構造のため、θZmは実質的には不変量である。そこで、θZmに大きな値が観測された場合は、駆動機構系の異常(例えば各種部材の取付け螺子緩み)、又は横シフト検出センサの故障の可能性がある。すなわち、θZmはレンズユニット7の異常検知情報として利用することができる。
図46及び図47は、レンズLEをチルト駆動した際に、インクリメンタル式横変位検出センサ723の変位計測部に生じる副次的なシフト量を説明するためのものである。図42の矢視D方向から見た形態を図46に、副次的シフト量の模式図を図47に示す。
図46において、レンズ枠74に保持されたレンズLEは、不図示の3組の駆動機構71によって、X軸周り及びY軸周りにチルト駆動可能となっている。そして、Y軸周りにチルト駆動する際のチルト中心軸をPcで示している。レンズ枠74のフランジ部の下面には、ターゲットミラー75が固設されている。また、固定鏡筒73の平坦部には、インクリメンタル式横変位検出センサ723が固設されている。
該センサ723は実施例1で用いたものと同一構造のレーザ干渉計であるが、その計測ビームはターゲットミラー75の左側面に投射される。その投射点をP51とする。すなわち当センサの検出感度はレンズLEの外周接線方向に設定されている。そして、チルト中心軸Pcと、計測ビーム投射点(計測点)P51のZ軸方向の離間量をHS、X軸方向の離間量をTSと定義する。また、チルト中心軸Pcを通る垂直線と、計測点P51を通る水平線との交点をP52とし、直角三角形PcP51P52が定義される。
図46は、直角三角形PcP51P52を拡大したもので、実線で表記された三角形PcP51P52はレンズLEのチルト前の状態を表す。そして、レンズLEがチルト角βだけ反時計方向にチルト駆動されると、前記三角形は破線で表記された三角形PcP53P54に移動する。このとき、インクリメンタル式横変位検出センサ723が観測する変位量は図中のδTSであり、チルト角βと変位量δTSとの関係は、算出のための途中式は省略するが、実施例1の式8と同一の式である式14となる。
そして、該変位量δTSを利用してインクリメンタル式横変位検出センサ723に1周期以上の干渉信号を発生させるためには、実施例1の式10と同一の式である式15となる。
よって、式14と式15より、以下の式16が成り立つ。
ここで、レンズLEの最大チルト角がβ、検出センサ723の光源波長がλの場合、計測点P51とチルト中心軸PcとのZ軸方向離間量HSを式16を満たす数値に設定すると、実施例1と同様の手法で検出センサ723のリサージュ調整を行うことができる。
上述した実施例4によれば、実施例1と同様の効果を奏する。ただし、Rmを測定しないため被検物の膨張収縮情報を得ることはできない。
なお、この実施例4において、レンズLEのチルト駆動で発生する副次的な横変位を説明する際、Y軸に平行な軸周りにチルト駆動させた例で説明したが、X軸と平行な軸周りにチルト駆動させても同様の説明を行うことができる。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されることはなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
例えば、上述した実施例1及び実施例2では、駆動部である駆動機構71を光軸方向又は光軸に対する傾斜方向に駆動させた例について説明したが、チルト駆動のみの系についても、請求項1に係る発明を適用することができる。
また、上述した実施例1及び実施例2では、光学要素を光軸方向に駆動させた例について説明したが、光軸に対する傾斜方向に駆動させても良い。
なお、上述した実施例2及び実施例3では、被駆動対象がミラーの場合、光軸は反射面の中心を通る法線に一致するとは限らない。すなわち図31及び図36から明らかなように、第1ミラーM1、第2ミラーM2、及び第3ミラーM3は、いずれも入射光束と射出光束の中心軸がミラー中央に立てた法線とは一致していないため、光軸の定義如何で光軸の方向が異なる。
一方で、これらミラーに必要とされる駆動方向は、投影光学系の設計仕様に合わせて、入射光束方向、射出光束方向、あるいは反射面中央を通る法線方向のいずれか最適の方向が選択される。よって、最適駆動方向が反射面中央の法線と異なる場合は、駆動機構71の出力軸方向が該最適駆動方向と一致するように、固定鏡筒73上で駆動機構71を所定角度傾けて設置すれば良い。
1 露光装置
7 レンズユニット
71 駆動機構
72 レンズ位置検出手段
72A,72B ミラー位置検出手段
C 光軸
LE レンズ
7 レンズユニット
71 駆動機構
72 レンズ位置検出手段
72A,72B ミラー位置検出手段
C 光軸
LE レンズ
Claims (5)
- 光学要素を駆動させる駆動部と、前記光学要素の位置を計測する位置計測部と、を有する光学要素の保持装置であって、
前記位置計測部の位置検出パラメータ数は、前記駆動部の駆動方向パラメータ数より多いことを特徴とする光学要素の保持装置。 - 前記位置計測部は、前記光学要素の光軸方向又は光軸に対する傾斜方向における、計測毎の前記光学要素の位置変化である相対位置を計測する第1計測部と、前記光学要素の基底位置からの距離である絶対位置を計測する第2計測部と、を有することを特徴とする請求項1に記載の光学要素の保持装置。
- 前記駆動部には複数箇所に駆動機構が設けられ、前記光学要素は前記駆動機構によりチルト駆動可能にされ、
前記位置計測部は、前記光軸方向と直交する方向における前記光学要素の相対位置を計測する第3計測部を有することを特徴とする請求項2に記載の光学要素の保持装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光学要素の保持装置を備えた露光装置。
- 光学要素を光軸方向及び光軸に対する傾斜方向に駆動可能な駆動部と、前記光学要素の光軸に直交する方向における前記光学要素の位置を計測するために周期信号を発生する位置計測部と、を有する光学要素の保持装置の調整方法であって、
前記光学要素を光軸に対する傾斜方向に駆動させる工程と、
前記光学要素を光軸に対する傾斜方向に駆動させたときの前記位置計測部の出力信号に基づいて、前記位置計測部が発生する周期信号の波形整形を行い、前記光学要素の駆動方向を光軸方向に一致させる工程と、
を有することを特徴とする光学要素の保持装置の調整方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006291938A JP2008107667A (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置 |
KR1020070108121A KR20080038050A (ko) | 2006-10-27 | 2007-10-26 | 광학 요소 유지장치 및 노광 장치 |
US11/925,373 US7573659B2 (en) | 2006-10-27 | 2007-10-26 | Optical element holding apparatus and exposure apparatus |
TW096140727A TW200827803A (en) | 2006-10-27 | 2007-10-26 | Optical element holding apparatus and exposure apparatus |
US11/925,271 US7573658B2 (en) | 2006-10-27 | 2007-10-26 | Optical element holding apparatus and exposure apparatus |
KR1020070108138A KR20080038051A (ko) | 2006-10-27 | 2007-10-26 | 광학요소의 유지장치 및 노광장치 |
TW096140589A TW200832076A (en) | 2006-10-27 | 2007-10-29 | Optical element holding apparatus and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006291938A JP2008107667A (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008107667A true JP2008107667A (ja) | 2008-05-08 |
Family
ID=39441054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006291938A Pending JP2008107667A (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7573658B2 (ja) |
JP (1) | JP2008107667A (ja) |
KR (1) | KR20080038051A (ja) |
TW (1) | TW200827803A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010041047A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-18 | Asml Holding Nv | 多数の圧電アクチュエータを使用するアクチュエータシステム |
JP2011528181A (ja) * | 2008-07-14 | 2011-11-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 変形可能な光学素子を有する光学装置 |
JP2012127842A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Mitsubishi Motors Corp | 内燃機関の変位計測装置 |
CN109443278A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-08 | 松林光电科技(湖北)有限公司 | 一种透镜外径误差非旋转式检测装置 |
JP2021051181A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 株式会社ニコン | レンズ鏡筒及びレンズ鏡筒の調芯方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2699967B1 (en) | 2011-04-22 | 2023-09-13 | ASML Netherlands B.V. | Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark |
EP2699968B1 (en) | 2011-04-22 | 2024-02-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer |
WO2012158025A2 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing at least a part of a target |
JP2014143253A (ja) * | 2013-01-22 | 2014-08-07 | Canon Inc | 検出装置、計測装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
DE102018216344A1 (de) * | 2018-09-25 | 2020-03-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abstützung eines optischen elements |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6312859B1 (en) | 1996-06-20 | 2001-11-06 | Nikon Corporation | Projection exposure method with corrections for image displacement |
ATE352052T1 (de) * | 2000-08-18 | 2007-02-15 | Nikon Corp | Haltevorrichtung für optisches element |
JP2003337272A (ja) | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Nikon Corp | 光学系の保持装置、光学素子の位置調整方法、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
KR100777865B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2007-11-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 안경 렌즈의 제조 방법, 마킹 시스템 및 안경 렌즈 |
-
2006
- 2006-10-27 JP JP2006291938A patent/JP2008107667A/ja active Pending
-
2007
- 2007-10-26 KR KR1020070108138A patent/KR20080038051A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-10-26 US US11/925,271 patent/US7573658B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-26 TW TW096140727A patent/TW200827803A/zh unknown
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011528181A (ja) * | 2008-07-14 | 2011-11-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 変形可能な光学素子を有する光学装置 |
JP2014232878A (ja) * | 2008-07-14 | 2014-12-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 変形可能な光学素子を有する光学装置 |
US9217936B2 (en) | 2008-07-14 | 2015-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical device having a deformable optical element |
JP2016191936A (ja) * | 2008-07-14 | 2016-11-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 変形可能な光学素子を有する光学装置 |
US9798243B2 (en) | 2008-07-14 | 2017-10-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical device having a deformable optical element |
JP2010041047A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-18 | Asml Holding Nv | 多数の圧電アクチュエータを使用するアクチュエータシステム |
JP2012127842A (ja) * | 2010-12-16 | 2012-07-05 | Mitsubishi Motors Corp | 内燃機関の変位計測装置 |
CN109443278A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-08 | 松林光电科技(湖北)有限公司 | 一种透镜外径误差非旋转式检测装置 |
JP2021051181A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 株式会社ニコン | レンズ鏡筒及びレンズ鏡筒の調芯方法 |
JP7380000B2 (ja) | 2019-09-25 | 2023-11-15 | 株式会社ニコン | レンズ鏡筒及びレンズ鏡筒の調芯方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080038051A (ko) | 2008-05-02 |
US20080123203A1 (en) | 2008-05-29 |
TW200827803A (en) | 2008-07-01 |
US7573658B2 (en) | 2009-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008107667A (ja) | 光学要素の保持装置並びにその調整方法及びそれを備えた露光装置 | |
JP5171061B2 (ja) | 駆動機構 | |
JP2598408B2 (ja) | オプトーリソグラフィック装置およびこの装置のレンズ系の結像特性を制御する方法 | |
KR20120026632A (ko) | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 | |
JP6033849B2 (ja) | 測定装置を備えた光学モジュール | |
US8804131B2 (en) | Optical angle-measuring device with combined radial-circular grating | |
KR19980019031A (ko) | 스테이지 장치(a stage apparatus) | |
US7675695B2 (en) | Optical element holding apparatus | |
KR100916250B1 (ko) | 광학요소 유지장치 | |
JP2008111891A (ja) | 光学要素の保持装置及びそれを備えた露光装置 | |
US11442372B2 (en) | Method of measuring an alignment mark or an alignment mark assembly, alignment system, and lithographic tool | |
US7573659B2 (en) | Optical element holding apparatus and exposure apparatus | |
JP2007206643A (ja) | 光学素子駆動装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
US7684136B2 (en) | Driving system and optical-element driving system | |
WO2020234045A1 (en) | Actuator assemblies comprising piezo actuators or electrostrictive actuators | |
KR20090129348A (ko) | 변형기구, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP7265020B2 (ja) | ステージシステム及びリソグラフィ装置 | |
JP2021535433A (ja) | ステージ装置および物体搭載プロセスの較正方法 | |
KR20210047253A (ko) | 지지 장치, 투영 광학계, 노광 장치, 지지 장치의 조정 방법 및 물품제조방법 |