JP2014239210A5 - - Google Patents
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Description
様々な実験によって、プラズマグリッドを使用した結果、極めて良好な選択性、プロファイル角、I/Dローディング、中心からエッジへの均一性を伴うエッチングプロセスが得られることが示された。いくつかの例において、選択性(すなわち、Siのエッチング速度:酸化物のエッチング速度)は、約10より大きいか、または約100よりも大きい。実際に、いくつかの例では、プラズマグリッドを用いることで、無限大の選択性が得られる場合がある。このような場合、酸化物材料がエッチングされることは実質的になく、むしろ、酸化物表面に少量の堆積が生じることがある。多くのケースにおいて得られるプロファイル角は、略垂直(例えば、約89度超)である。いくつかの実現形態において、I/Dローディングは、約2度未満であることが示された。また、いくつかの実現形態における中心からエッジへの均一性は、約2nm未満であった。
この他、本発明は、以下の適用例としても実施可能である。
[適用例1]基板上のフィーチャをエッチングするための装置であって、
プラズマを施すことが可能な内部を画成するチェンバと、
エッチング中に前記チェンバ内で基板を保持するための基板ホルダと、
前記チェンバ内でプラズマを生成するためのプラズマ発生器と、
前記プラズマチェンバの内部を、前記プラズマ発生器に近接した上部サブチェンバと、前記基板ホルダに近接した下部サブチェンバと、に分割するグリッドアセンブリと、
を備え、
前記上部サブチェンバは、前記下部サブチェンバの高さの少なくとも約1/6の高さを有し、
前記グリッドアセンブリは、2つ以上のグリッドを含み、それらは、前記チェンバ内でプラズマが生成されるときに該グリッドに誘導電流が発生することを実質的に防止する複数のスロットを有する
装置。
[適用例2]前記上部サブチェンバ内で上部ゾーン・プラズマを生成し、前記下部サブチェンバ内で下部ゾーン・プラズマを生成するという条件で、前記チェンバ内でプラズマを発生させるように設計または構成されたコントローラをさらに備え、
前記下部ゾーン・プラズマの実効電子温度は、約1eV以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの実効電子温度よりも低く、
前記下部ゾーン・プラズマの電子密度は、約5×10 9 cm −3 以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの電子密度よりも低い
適用例1に記載の装置。
[適用例3]前記コントローラは、さらに、前記下部サブチェンバ内でイオン・イオンプラズマを発生させるように設計または構成される適用例2に記載の装置。
[適用例4]前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドは、約1〜50mmの間の平均厚さを有する適用例1に記載の装置。
[適用例5]前記グリッドアセンブリの前記グリッドの少なくとも1つにおける前記スロットは、幅に対する高さのアスペクト比が、約0.01〜5の間である適用例1に記載の装置。
[適用例6]前記スロットは、方位隣接スロットから約60度以下によって隔てられている適用例1に記載の装置。
[適用例7]前記グリッドアセンブリは、第1のグリッドと第2のグリッドとを含む適用例1に記載の装置。
[適用例8]前記第1と第2のグリッドは、略同一のスロットパターンを有する適用例7に記載の装置。
[適用例9]前記第1と第2のグリッドは、相互に異なるスロットパターンを有する適用例7に記載の装置。
[適用例10]前記第1と第2のグリッドのうち少なくとも一方は、前記基板ホルダの上面に垂直な軸に関して回転可能である適用例7に記載の装置。
[適用例11]前記第1のグリッドおよび前記第2のグリッドは、前記下部サブチェンバにおけるプラズマ条件を径方向に調整することを可能にするスロットパターンを有する適用例10に記載の装置。
[適用例12]前記第1のグリッドと前記第2のグリッドとの間の距離を可変とするように、前記第1と第2のグリッドのうち少なくとも一方は可動である適用例7に記載の装置。
[適用例13]前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドは、ガスを供給するための1つまたは複数の入口を有する適用例1に記載の装置。
[適用例14]基板上のフィーチャをエッチングする方法であって、
プラズマ発生器とグリッドアセンブリとを備えるチェンバであって、前記グリッドアセンブリは、該プラズマチェンバの内部を前記プラズマ発生器に近接した上部サブチェンバと基板ホルダに近接した下部サブチェンバとに分割し、少なくとも2つのグリッドを有するものであって、前記上部サブチェンバは、前記下部サブチェンバの高さの少なくとも約1/6の高さを有する、チェンバ内の、前記基板ホルダに基板を供給し、
前記上部サブチェンバ内で上部ゾーン・プラズマを生成し、前記下部サブチェンバ内で下部ゾーン・プラズマを生成するという条件で、前記チェンバ内でプラズマを発生させ、
前記下部ゾーン・プラズマと前記基板との相互作用によって、前記基板のフィーチャをエッチングし、
前記下部ゾーン・プラズマの実効電子温度は、約1eV以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの実効電子温度よりも低く、
前記下部ゾーン・プラズマの電子密度は、約5×10 9 cm −3 以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの電子密度よりも低い
方法。
[適用例15]前記グリッドアセンブリにバイアスを印加することをさらに含む適用例14に記載の方法。
[適用例16]前記基板ホルダにバイアスを印加することをさらに含む適用例14に記載の方法。
[適用例17]前記下部ゾーン・プラズマは、イオン・イオンプラズマである適用例14に記載の方法。
[適用例18]前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドを、前記基板ホルダの上面に垂直な軸に関して回転させることをさらに含む適用例14に記載の方法。
[適用例19]前記グリッドアセンブリにおける前記グリッド間の距離を変更することをさらに含む適用例14に記載の方法。
[適用例20]前記上部サブチェンバと前記下部サブチェンバには、異なる処理ガスが供給される適用例14に記載の方法。
[適用例21]前記コントローラは、さらに、前記グリッドアセンブリにバイアスを印加するように設計または構成される適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例22]前記コントローラは、さらに、前記基板ホルダにバイアスを印加するように設計または構成される適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例23]前記コントローラは、さらに、前記チェンバにエッチャントガスを供給するように設計または構成される適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例24]前記コントローラは、さらに、前記プラズマにより前記基板をエッチングする間、前記チェンバ内の圧力を約2000ミリトール未満とするように設計または構成される適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例25]前記グリッドアセンブリの各グリッドの厚さの和は、約2〜50mmの間である適用例4に記載の装置。
[適用例26]前記グリッドアセンブリの前記グリッドのうち少なくとも1つにおける前記複数のスロットは、径方向に向いているか、または略径方向に向いている適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例27]前記スロットは、方位隣接スロットから少なくとも約15度で隔てられている適用例6に記載の装置。
[適用例28]前記基板ホルダは、静電チャックである適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例29]処理ガス注入口をさらに備える適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例30]前記プラズマを発生させる際に、前記グリッドアセンブリに電流は実質的に生じない適用例14から適用例20のいずれか一項に記載の方法。
[適用例31]前記チェンバにエッチャントガスを供給することをさらに含む適用例14から適用例20のいずれか一項に記載の方法。
[適用例32]前記エッチングは、約2000ミリトール未満のチェンバ圧力で実施される適用例14から適用例20のいずれか一項に記載の方法。
[適用例33]前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドを、前記グリッドアセンブリの少なくとも1つの他のグリッドに対して動かすことをさらに含み、前記少なくとも1つのグリッドを動かすことによって、前記グリッドアセンブリを通過して前記下部サブチェンバに入るイオンおよび中性種の相対量を変更する適用例14から適用例20のいずれか一項に記載の方法。
この他、本発明は、以下の適用例としても実施可能である。
[適用例1]基板上のフィーチャをエッチングするための装置であって、
プラズマを施すことが可能な内部を画成するチェンバと、
エッチング中に前記チェンバ内で基板を保持するための基板ホルダと、
前記チェンバ内でプラズマを生成するためのプラズマ発生器と、
前記プラズマチェンバの内部を、前記プラズマ発生器に近接した上部サブチェンバと、前記基板ホルダに近接した下部サブチェンバと、に分割するグリッドアセンブリと、
を備え、
前記上部サブチェンバは、前記下部サブチェンバの高さの少なくとも約1/6の高さを有し、
前記グリッドアセンブリは、2つ以上のグリッドを含み、それらは、前記チェンバ内でプラズマが生成されるときに該グリッドに誘導電流が発生することを実質的に防止する複数のスロットを有する
装置。
[適用例2]前記上部サブチェンバ内で上部ゾーン・プラズマを生成し、前記下部サブチェンバ内で下部ゾーン・プラズマを生成するという条件で、前記チェンバ内でプラズマを発生させるように設計または構成されたコントローラをさらに備え、
前記下部ゾーン・プラズマの実効電子温度は、約1eV以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの実効電子温度よりも低く、
前記下部ゾーン・プラズマの電子密度は、約5×10 9 cm −3 以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの電子密度よりも低い
適用例1に記載の装置。
[適用例3]前記コントローラは、さらに、前記下部サブチェンバ内でイオン・イオンプラズマを発生させるように設計または構成される適用例2に記載の装置。
[適用例4]前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドは、約1〜50mmの間の平均厚さを有する適用例1に記載の装置。
[適用例5]前記グリッドアセンブリの前記グリッドの少なくとも1つにおける前記スロットは、幅に対する高さのアスペクト比が、約0.01〜5の間である適用例1に記載の装置。
[適用例6]前記スロットは、方位隣接スロットから約60度以下によって隔てられている適用例1に記載の装置。
[適用例7]前記グリッドアセンブリは、第1のグリッドと第2のグリッドとを含む適用例1に記載の装置。
[適用例8]前記第1と第2のグリッドは、略同一のスロットパターンを有する適用例7に記載の装置。
[適用例9]前記第1と第2のグリッドは、相互に異なるスロットパターンを有する適用例7に記載の装置。
[適用例10]前記第1と第2のグリッドのうち少なくとも一方は、前記基板ホルダの上面に垂直な軸に関して回転可能である適用例7に記載の装置。
[適用例11]前記第1のグリッドおよび前記第2のグリッドは、前記下部サブチェンバにおけるプラズマ条件を径方向に調整することを可能にするスロットパターンを有する適用例10に記載の装置。
[適用例12]前記第1のグリッドと前記第2のグリッドとの間の距離を可変とするように、前記第1と第2のグリッドのうち少なくとも一方は可動である適用例7に記載の装置。
[適用例13]前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドは、ガスを供給するための1つまたは複数の入口を有する適用例1に記載の装置。
[適用例14]基板上のフィーチャをエッチングする方法であって、
プラズマ発生器とグリッドアセンブリとを備えるチェンバであって、前記グリッドアセンブリは、該プラズマチェンバの内部を前記プラズマ発生器に近接した上部サブチェンバと基板ホルダに近接した下部サブチェンバとに分割し、少なくとも2つのグリッドを有するものであって、前記上部サブチェンバは、前記下部サブチェンバの高さの少なくとも約1/6の高さを有する、チェンバ内の、前記基板ホルダに基板を供給し、
前記上部サブチェンバ内で上部ゾーン・プラズマを生成し、前記下部サブチェンバ内で下部ゾーン・プラズマを生成するという条件で、前記チェンバ内でプラズマを発生させ、
前記下部ゾーン・プラズマと前記基板との相互作用によって、前記基板のフィーチャをエッチングし、
前記下部ゾーン・プラズマの実効電子温度は、約1eV以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの実効電子温度よりも低く、
前記下部ゾーン・プラズマの電子密度は、約5×10 9 cm −3 以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの電子密度よりも低い
方法。
[適用例15]前記グリッドアセンブリにバイアスを印加することをさらに含む適用例14に記載の方法。
[適用例16]前記基板ホルダにバイアスを印加することをさらに含む適用例14に記載の方法。
[適用例17]前記下部ゾーン・プラズマは、イオン・イオンプラズマである適用例14に記載の方法。
[適用例18]前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドを、前記基板ホルダの上面に垂直な軸に関して回転させることをさらに含む適用例14に記載の方法。
[適用例19]前記グリッドアセンブリにおける前記グリッド間の距離を変更することをさらに含む適用例14に記載の方法。
[適用例20]前記上部サブチェンバと前記下部サブチェンバには、異なる処理ガスが供給される適用例14に記載の方法。
[適用例21]前記コントローラは、さらに、前記グリッドアセンブリにバイアスを印加するように設計または構成される適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例22]前記コントローラは、さらに、前記基板ホルダにバイアスを印加するように設計または構成される適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例23]前記コントローラは、さらに、前記チェンバにエッチャントガスを供給するように設計または構成される適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例24]前記コントローラは、さらに、前記プラズマにより前記基板をエッチングする間、前記チェンバ内の圧力を約2000ミリトール未満とするように設計または構成される適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例25]前記グリッドアセンブリの各グリッドの厚さの和は、約2〜50mmの間である適用例4に記載の装置。
[適用例26]前記グリッドアセンブリの前記グリッドのうち少なくとも1つにおける前記複数のスロットは、径方向に向いているか、または略径方向に向いている適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例27]前記スロットは、方位隣接スロットから少なくとも約15度で隔てられている適用例6に記載の装置。
[適用例28]前記基板ホルダは、静電チャックである適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例29]処理ガス注入口をさらに備える適用例1から適用例13のいずれか一項に記載の装置。
[適用例30]前記プラズマを発生させる際に、前記グリッドアセンブリに電流は実質的に生じない適用例14から適用例20のいずれか一項に記載の方法。
[適用例31]前記チェンバにエッチャントガスを供給することをさらに含む適用例14から適用例20のいずれか一項に記載の方法。
[適用例32]前記エッチングは、約2000ミリトール未満のチェンバ圧力で実施される適用例14から適用例20のいずれか一項に記載の方法。
[適用例33]前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドを、前記グリッドアセンブリの少なくとも1つの他のグリッドに対して動かすことをさらに含み、前記少なくとも1つのグリッドを動かすことによって、前記グリッドアセンブリを通過して前記下部サブチェンバに入るイオンおよび中性種の相対量を変更する適用例14から適用例20のいずれか一項に記載の方法。
Claims (40)
- 基板上のフィーチャをエッチングするための装置であって、
プラズマを施すことが可能な内部を画成するチェンバと、
エッチング中に前記チェンバ内で基板を保持するための基板ホルダと、
前記チェンバ内でプラズマを生成するためのプラズマ発生器と、
前記チェンバの内部を、前記プラズマ発生器に近接した上部サブチェンバと、前記基板ホルダに近接した下部サブチェンバと、に分割するグリッドアセンブリと、
前記上部サブチェンバ内で上部ゾーン・プラズマを生成し、前記下部サブチェンバ内でイオン・イオンプラズマである下部ゾーン・プラズマを生成するために前記グリッドアセンブリを用いるという条件で、前記チェンバ内で前記プラズマを生成するように構成されるコントローラと、
を備え、
前記グリッドアセンブリは、少なくとも第1のグリッドおよび第2のグリッドを含み、各グリッドは、前記チェンバ内でプラズマが生成されるときに該グリッドに誘導電流が発生することを実質的に防止する複数のスロットを有するし、
前記グリッドアセンブリの前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つにおける前記複数のスロットのうち少なくとも1つは、約0.5〜1の間の幅に対する高さのアスペクト比を有する
装置。 - 前記下部ゾーン・プラズマの実効電子温度は、約1eV以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの実効電子温度よりも低く、
前記下部ゾーン・プラズマの電子密度は、約5×109cm−3以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの電子密度よりも低い
請求項1に記載の装置。 - 前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドは、約1〜50mmの間の平均厚さを有する請求項1に記載の装置。
- 前記スロットは、方位隣接スロットから約60度以下によって隔てられている請求項1に記載の装置。
- 前記第1と第2のグリッドは、略同一のスロットパターンを有する請求項1に記載の装置。
- 前記第1と第2のグリッドは、相互に異なるスロットパターンを有する請求項1に記載の装置。
- 前記第1と第2のグリッドのうち少なくとも一方は、前記基板ホルダの上面に垂直な軸に関して回転可能である請求項1に記載の装置。
- 前記第1のグリッドおよび前記第2のグリッドは、前記下部サブチェンバにおけるプラズマ条件を径方向に調整することを可能にするスロットパターンを有する請求項7に記載の装置。
- 前記第1のグリッドと前記第2のグリッドとの間の距離を可変とするように、前記第1と第2のグリッドのうち少なくとも一方は可動である請求項1に記載の装置。
- 前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドは、ガスを供給するための1つまたは複数の入口を有する請求項1に記載の装置。
- 基板上のフィーチャをエッチングする方法であって、
プラズマ発生器とグリッドアセンブリとを備えるチェンバであって、前記グリッドアセンブリは、該チェンバの内部を前記プラズマ発生器に近接した上部サブチェンバと基板ホルダに近接した下部サブチェンバとに分割し、少なくとも2つのグリッドを有するものであって、チェンバ内の、前記基板ホルダに基板を供給し、
前記上部サブチェンバ内で上部ゾーン・プラズマを生成し、前記下部サブチェンバ内で下部ゾーン・プラズマを生成するという条件で、前記チェンバ内でプラズマを発生させ、
前記下部ゾーン・プラズマと前記基板との相互作用によって、前記基板のフィーチャをエッチングし、
前記下部ゾーン・プラズマの実効電子温度は、約1eV以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの実効電子温度よりも低く、
前記下部ゾーン・プラズマの電子密度は、約5×109cm−3以下であって、前記上部ゾーン・プラズマの電子密度よりも低い
方法。 - 前記グリッドアセンブリにバイアスを印加することをさらに含む請求項11に記載の方法。
- 前記基板ホルダにバイアスを印加することをさらに含む請求項11に記載の方法。
- 前記下部ゾーン・プラズマは、イオン・イオンプラズマである請求項11に記載の方法。
- 前記グリッドアセンブリの少なくとも1つのグリッドを、前記基板ホルダの上面に垂直な軸に関して回転させることをさらに含む請求項11に記載の方法。
- 前記グリッドアセンブリにおける前記グリッド間の距離を変更することをさらに含む請求項11に記載の方法。
- 前記上部サブチェンバと前記下部サブチェンバには、異なる処理ガスが供給される請求項11に記載の方法。
- 前記グリッドアセンブリの各グリッドは、プラズマが前記チェンバ内で生成されるときに該グリッドに誘導電流が発生することを実質的に防止する複数のスロットを有し、
前記グリッドアセンブリの第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つにおける前記複数のスロットのうち少なくとも1つは、約0.5〜1の間の幅に対する高さのアスペクト比を有する請求項14に記載の方法。 - 上方にプラズマ源を、下方に基板支持部を備える、プラズマ処理を実施するように構成される反応チェンバ用のグリッドアセンブリであって、
前記グリッドアセンブリの上方で生成されたイオンが通過することを可能にする穿孔部を有する第1のグリッドと、
前記グリッドアセンブリの上方で生成されたイオンが通過することを可能にする穿孔部を有する第2のグリッドと、を備え、
前記第1および第2のグリッドは、前記反応チェンバ内で用いられるように構成され、
前記第1および第2のグリッドは、前記反応チェンバに設置されたときに前記第1のグリッドが前記第2のグリッドの上方になるように、相互に略平行および略垂直に位置が揃えられ、相互に対して可動であり、
前記第1および第2のグリッドが第1の相対位置に配置されるときは、前記グリッドアセンブリは、第1のグリッドアセンブリ開口領域を有し、前記第1および第2のグリッドが第2の相対位置に配置されるときは、前記グリッドアセンブリは、第2のグリッドアセンブリ開口領域を有し、
前記グリッドアセンブリの上方で生成されたプラズマは、前記第1および第2のグリッドが前記第1の相対位置に配置されるときは、前記第1のグリッドアセンブリ開口領域を通る第1のイオン束分布をもたらし、前記第1および第2のグリッドが前記第2の相対位置に配置されるときは、前記第2のグリッドアセンブリ開口領域を通る第2のイオン束分布をもたらし、前記第2のイオン束分布は、前記第1のイオン束分布に比べて、前記グリッドアセンブリの中心とは対照的に、前記グリッドアセンブリの周囲付近に比較的より集中する、グリッドアセンブリ。 - 前記グリッドアセンブリの前記第1および/または第2のグリッドは、前記第1の相対位置と前記第2の相対位置との間で相互に対して回転するように構成される請求項19に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つは、Y 2 O 3 、YF 3 、YAG、窒化チタン、またはCeO 2 の層で被覆される請求項19に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つの表面は、陽極酸化される請求項19に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つの表面は、不動態化される請求項19に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッド間の距離は、約5mm以下である請求項19に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッド間の距離は、約2mm以下である請求項24に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つは、非平面状である請求項19に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドが第3の相対位置に配置されるときは、前記第1および第2のグリッドの前記穿孔部は、グリッドアセンブリ開口領域がないように位置がずらされる請求項19に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つの前記穿孔部は、前記第1および/または第2のグリッド内で誘導電流が発生することを防止する、径方向に向いているスロットを含む請求項19に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドと垂直に位置が揃う第3のグリッドをさらに備える請求項19に記載のグリッドアセンブリ。
- 上方にプラズマ源を、下方に基板支持部を備える、プラズマ処理を実施するように構成される反応チェンバ用のグリッドアセンブリであって、
前記グリッドアセンブリの上方で生成されたイオンが通過することを可能にする穿孔部を有する第1のグリッドと、
前記グリッドアセンブリの上方で生成されたイオンが通過することを可能にする穿孔部を有する第2のグリッドと、を備え、
前記第1および第2のグリッドは、前記反応チェンバ内で用いられるように構成され、
前記第1および第2のグリッドは、前記反応チェンバに設置されたときに前記第1のグリッドが前記第2のグリッドの上方になるように相互に垂直に位置が揃えられ、前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つは、横から見たときに非平面状の断面を有する、グリッドアセンブリ。 - 前記非平面状の断面は、ドーム型または平板型を含む請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記非平面状の断面は、正弦波形状を含む請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記非平面状の断面は、矩形波形状を含む請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記非平面状の断面は、山形状を含む請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記グリッドアセンブリがプラズマ処理を実施するように構成された前記反応チェンバ内に配置されるときに、前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つは、プラズマ処理を実施するように構成された前記反応チェンバ内で処理されている基板に対して傾斜される請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つは、Y 2 O 3 、YF 3 、YAG、窒化チタン、またはCeO 2 の層で被覆される請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つの表面は、陽極酸化される請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドのうち少なくとも1つの表面は、不動態化される請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッド間の距離は、約5mm以下である請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
- 前記第1および第2のグリッドと垂直に位置が揃う第3のグリッドをさらに備える請求項30に記載のグリッドアセンブリ。
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