JP2013008731A - 加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバー(11)内に設けられた一対の電極の一方の表面に加工対象物(20)を配置するステップと、チャンバー(11)内にエッチングガスを導入するステップと、一対の電極間に電圧を印加して一対の電極間にプラズマを発生させることで加工対象物(20)をエッチングするステップと、を備え、加工対象物(20)が、その第1部位より第2部位において高いエッチングレートで加工されるように、少なくとも一方の電極として、電極表面の第1部位に対応する位置に凹部(13a)が設けられ、電極表面の第2部位に対応する位置に凸部(13b)が設けられた電極を用いることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
エッチング均一性(%)=(最大値−最小値)/(最大値+最小値)×100
11 チャンバー
12 アノード
13 カソード
13a 凹部
13b 凸部
14a、14b、14c バルブ
15 高周波電源
20 加工対象物
21 基材
22 エッチングマスク
Claims (13)
- チャンバー内に設けられた一対の電極の一方の表面に加工対象物を配置するステップと、
前記チャンバー内にエッチングガスを導入するステップと、
前記一対の電極間に電圧を印加して前記一対の電極間にプラズマを発生させることで前記加工対象物をエッチングするステップと、を備え、
前記加工対象物が、その第1部位より第2部位において高いエッチングレートで加工されるように、前記加工対象物の前記第1部位近傍における電界強度より前記第2部位近傍における電界強度を高めたことを特徴とする加工方法。 - 前記第1部位における前記加工対象物の加工表面と前記一方の電極の表面との距離を、前記第2部位における前記加工対象物の加工表面と前記一方の電極の表面との距離より大きくしたことを特徴とする請求項1に記載の加工方法。
- 前記一方の電極として、電極の表面の前記第1部位に対応する位置に凹部を有する電極、又は電極の表面の前記第2部位に対応する位置に凸部を有する電極を用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の加工方法。
- 前記一方の電極の凹部又は凸部は、前記プラズマ中のプラズマイオンが前記加工対象物の加工表面に略垂直に入射するよう形成されたことを特徴とする請求項3に記載の加工方法。
- 前記一方の電極の凹部又は凸部は、円柱、角柱、楕円柱のいずれかの形状を有し、六方格子、正方格子、直線のいずれかの態様で配列されたことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の加工方法。
- 前記一方の電極は、平板、曲面、半円筒のいずれかの形状を有することを特徴とする請求項3から請求項5のいずれかに記載の加工方法。
- 前記一方の電極の凹部、又は凸部と凸部との間に、誘電体が充填されたことを特徴とする請求項3から請求項6のいずれかに記載の加工方法。
- 前記加工対象物は、酸化シリコン、シリコン、アルミニウム、鉄、クロムのいずれかを含む材料で構成されたことを特徴とする請求項3から請求項7のいずれかに記載の加工方法。
- 前記エッチングガスは、フロン系ガス又は塩素系ガスであることを特徴とする請求項3から請求項8のいずれかに記載の加工方法。
- 前記加工対象物は、石英、酸化シリコン、シリコンのいずれか構成されており、前記エッチングガスは、フロン系ガスであることを特徴とする請求項3から請求項9のいずれかに記載の加工方法。
- 前記フロン系ガスは、CHF3、CH2F2、C3F8、CxFy(xは2から4の整数、yは2x)、SF6のいずれか一、又は複数を含むガスであることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の加工方法。
- 前記加工対象物の加工表面にドライエッチング用のマスクパターンが形成されたことを特徴とする請求項3から請求項11のいずれかに記載の加工方法。
- 前記マスクパターンが有する複数の孔の平面形状が、多角形、円形、楕円形のいずれかであり、前記複数の孔が、六方格子、正方格子、直線、ランダムのいずれかの態様で配列されたことを特徴とする請求項12に記載の加工方法。
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JP2003317998A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理方法及びその装置 |
JP2004179236A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング装置、及びドライエッチング方法 |
JP2006173225A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Yuzo Mori | 誘電体基板のパターン転写加工方法 |
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2011
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