JP4399310B2 - ドライエッチング方法並びにマイクロレンズアレイ及びその作製方法 - Google Patents
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Description
(比較例1)
3 プラズマ発生室 4 基板電極部
6、7、8 磁場コイル 9 高周波アンテナコイル
10 高周波電源 11 基板電極
13 高周波電源
Claims (6)
- 真空チャンバ内へ、エッチングガスとしてフロロカーボンガスをプラズマ雰囲気で導入して、レジストマスクで覆われたガラス基板にバイアス電圧を印加してエッチングする第一工程と、この基板へのバイアス電圧を第一工程より低い電圧に変更してエッチングする第二工程とを含むドライエッチング方法において、
該第一工程で導入するエッチングガスとして、Cx1Fy1(ただし、x1=2〜5であり、y1=4〜12であり、x1/y1≧0.4である)を添加ガスとして含むフロロカーボンガスを用い、
該第二工程で導入するエッチングガスとして、第一工程での添加ガスと異なるCx2Fy2(ただし、x2=1〜3であり、y2=4〜8であり、x2/y2<0.4である)を添加ガスとして含むフロロカーボンガスを用いてエッチングを行うことを特徴とするガラス基板のドライエッチング方法。 - 前記第一工程でガラス基板表面を平滑化した後に第二工程へ移行し、その際に、プラズマ放電を継続した状態でバイアス電圧を変更すると共に、エッチングガスを変更することを特徴とする請求項1記載のガラス基板のドライエッチング方法。
- 前記第一工程で用いる添加ガスが、C2F4、C3F6、C4F8、C5F10、C4F10、C5F12、C2F2、C3F4、C4F6、及びC5F8から選ばれた少なくとも一種のフロロカーボンガスであり、前記第二工程で用いる添加ガスが、CF4、C2F6、及びC3F8から選ばれた少なくとも一種のフロロカーボンガスであることを特徴とする請求項1又は2記載のガラス基板のドライエッチング方法。
- 前記ガラス基板が石英ガラスからなる基板であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のガラス基板のドライエッチング方法。
- 真空チャンバ内へ、エッチングガスとしてフロロカーボンガスをプラズマ雰囲気で導入して、レジストマスクで覆われたガラス基板にバイアス電圧を印加してエッチングする第一工程と、この基板へのバイアス電圧を第一工程より低い電圧に変更してエッチングする第二工程とを含むドライエッチング方法により基板表面をエッチングし、該基板表面に、その形状がほぼ球面の一部をなす複数の凸部が配列するマイクロレンズアレイを作製する方法において、該第一工程で導入するエッチングガスとしてCx1Fy1(ただし、x1=2〜5であり、y1=4〜12であり、x1/y1≧0.4である)を添加ガスとして含むフロロカーボンガスを用い、該第二工程で導入するエッチングガスとして、第一工程での添加ガスと異なるCx2Fy2(ただし、x2=1〜3であり、y2=4〜8であり、x2/y2<0.4である)を添加ガスとして含むフロロカーボンガスを用い、該第一工程で該基板表面を平滑化した後に第二工程へ移行し、その際に、プラズマ放電を継続した状態でバイアス電圧を変更すると共に、エッチングガスを変更することを特徴とするマイクロレンズアレイの作製方法。
- 前記ガラス基板が石英ガラスからなる基板であることを特徴とする請求項5記載のマイクロレンズアレイの作製方法。
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