JP4979430B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4979430B2 JP4979430B2 JP2007079170A JP2007079170A JP4979430B2 JP 4979430 B2 JP4979430 B2 JP 4979430B2 JP 2007079170 A JP2007079170 A JP 2007079170A JP 2007079170 A JP2007079170 A JP 2007079170A JP 4979430 B2 JP4979430 B2 JP 4979430B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- frequency power
- power source
- substrate
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
2…アンテナ電極
3…高周波電源
4…整合回路
5…高周波電源
6…整合回路
7…静電チャック
8…ガス供給板
9…コイル
10…整合回路
11…基板バイアス電源
12…マスフローコントローラー
13…被処理基板
14…ガス供給管
15…誘電体
16…同軸端子
17…フォーカスリング
18…基板電極
19・・・ガスボンベ
20…真空搬送室
21…搬送ロボット
22a,22b…ロードロック室
23…カセット載置部
24a,24b…ゲート
25…大気ローダ部
26…ウェハカセット
302・・・無機膜中間層
303・・・有機膜下層レジスト
304・・・シリコン酸化膜
305・・・無機膜
306・・・Si基板
401・・・ArFレジスト
402・・・無機膜中間層
403・・・有機膜下層レジスト
404・・・シリコン酸化膜
405・・・無機膜
406・・・Si基板
407・・・残渣
408・・・残渣
501・・・ArFレジスト
502・・・無機膜中間層
503・・・有機膜下層レジスト
504・・・シリコン酸化膜
505・・・無機膜
506・・・Si基板
507・・・残渣
508・・・残渣
Claims (3)
- 被処理基板にプラズマエッチングを行うプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に配置され前記被処理基板を載置する基板電極と、前記基板電極と対向するアンテナ電極と、前記アンテナ電極の下部に設けられ前記プラズマ処理室内にガスを供給しSi部材からなるガス供給板と、200MHz〜450MHzのプラズマ生成用の高周波電力を前記アンテナ電極に供給する第1の高周波電源と、前記アンテナ電極を介して前記ガス供給板に4MHz〜13.56MHzの高周波電力を供給する第2の高周波電源と、800KHz〜4MHzの高周波電力を前記基板電極に供給する第3の高周波電源とを備えるプラズマエッチング装置を用いて、予めViaパターンがパターニングされたArFレジストからなる第1の膜と、前記第1の膜の下方に配置され無機膜の中間層からなる第2の膜と、前記第2の膜の下方に配置され有機膜の下層レジストからなる第3の膜と、前記第3の膜の下方に配置されシリコン酸化膜からなる第4の膜と、前記第4の膜の下方に配置され無機膜からなる第5の膜と、を有する前記被処理基板にプラズマエッチングによりViaを形成するプラズマエッチング方法において、
前記第2の高周波電源から高周波電力を供給せずにCF系ガス以外のガスによるプラズマにより前記第3の膜にViaパターンを形成し、
前記第2の高周波電源から200W〜300Wの高周波電力を供給しながらCF系ガスによるプラズマにより前記第4の膜と前記第5の膜にViaを形成し、
前記第3の膜と前記第4の膜と前記第5の膜を前記プラズマ処理室内で前記被処理基板を搬出することなく一貫処理することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 被処理基板にプラズマエッチングを行うプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に配置され前記被処理基板を載置する基板電極と、前記基板電極と対向するアンテナ電極と、前記アンテナ電極の下部に設けられ前記プラズマ処理室内にガスを供給しSi部材からなるガス供給板と、200MHz〜450MHzのプラズマ生成用の高周波電力を前記アンテナ電極に供給する第1の高周波電源と、前記アンテナ電極を介して前記ガス供給板に4MHz〜13.56MHzの高周波電力を供給する第2の高周波電源と、800KHz〜4MHzの高周波電力を前記基板電極に供給する第3の高周波電源とを備えるプラズマエッチング装置を用いて、予めTrenchパターンがパターニングされたArFレジストからなる第1の膜と、前記第1の膜の下方に配置され無機膜の中間層からなる第2の膜と、前記第2の膜の下方に配置され有機膜の下層レジストからなる第3の膜と、前記第3の膜の下方に配置されシリコン酸化膜からなる第4の膜と、前記第4の膜の下方に配置され無機膜からなる第5の膜と、を有する前記被処理基板にプラズマエッチングによりTrenchを形成するプラズマエッチング方法において、
前記第2の高周波電源から高周波電力を供給せずにCF系ガス以外のガスによるプラズマにより前記第3の膜にTrenchパターンを形成し、
前記第2の高周波電源から高周波電力を供給せずにCF系ガスによるプラズマにより前記第4の膜と前記第5の膜にTrenchを形成し、 前記第3の膜と前記第4の膜と前記第5の膜を前記プラズマ処理室内で前記被処理基板を搬出することなく一貫処理することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1または請求項2記載のプラズマエッチング方法において、
前記第2の高周波電源から高周波電力を供給せずにO 2 ガスによるプラズマにより前記第5の膜へのVia形成後または前記第5の膜へのTrench形成後の前記第3の膜をアッシングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007079170A JP4979430B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007079170A JP4979430B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | プラズマエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008243939A JP2008243939A (ja) | 2008-10-09 |
JP4979430B2 true JP4979430B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=39914954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007079170A Expired - Fee Related JP4979430B2 (ja) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4979430B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5943369B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2016-07-05 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 熱伝導積層膜部材及びその製造方法、これを用いた放熱部品及び放熱デバイス |
JP7175162B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体のプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05299372A (ja) * | 1992-04-17 | 1993-11-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH11102898A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
JPH11191554A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2004296955A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Sony Corp | エッチングマスクの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP4652140B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2011-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体 |
-
2007
- 2007-03-26 JP JP2007079170A patent/JP4979430B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008243939A (ja) | 2008-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107431011B (zh) | 用于原子层蚀刻的方法 | |
US9177823B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
US20220051904A1 (en) | Etching method | |
US9330935B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
US9735027B2 (en) | Method for etching organic film | |
US10535531B2 (en) | Method of cyclic plasma etching of organic film using carbon-based chemistry | |
US10541146B2 (en) | Method of cyclic plasma etching of organic film using sulfur-based chemistry | |
JP2014528642A (ja) | エッチング処理条件を回復させる乾式クリーニング方法 | |
KR20140130111A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 컴퓨터 기록 매체 | |
JP4351806B2 (ja) | フォトレジストマスクを使用してエッチングするための改良技術 | |
TW201421581A (zh) | 電漿蝕刻方法 | |
KR20100004891A (ko) | 플라즈마 에칭 방법, 제어 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 | |
US20200168468A1 (en) | Etching method and substrate processing apparatus | |
US10658192B2 (en) | Selective oxide etching method for self-aligned multiple patterning | |
US10529589B2 (en) | Method of plasma etching of silicon-containing organic film using sulfur-based chemistry | |
US9449842B2 (en) | Plasma etching method | |
US20080076259A1 (en) | Plasma Etching Method | |
JP4979430B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP2001156041A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
JPWO2016079818A1 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US20130078815A1 (en) | Method for forming semiconductor structure with reduced line edge roughness | |
US10607852B2 (en) | Selective nitride etching method for self-aligned multiple patterning | |
US11328934B2 (en) | Etching method and substrate processing apparatus | |
JP2004335523A (ja) | エッチング方法及びrie装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120417 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120417 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |