JPH0690811B2 - 平板状情報記録担体の基板作成方法 - Google Patents
平板状情報記録担体の基板作成方法Info
- Publication number
- JPH0690811B2 JPH0690811B2 JP19974985A JP19974985A JPH0690811B2 JP H0690811 B2 JPH0690811 B2 JP H0690811B2 JP 19974985 A JP19974985 A JP 19974985A JP 19974985 A JP19974985 A JP 19974985A JP H0690811 B2 JPH0690811 B2 JP H0690811B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- flat
- glass substrate
- gas
- flat plate
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、溝またはピット列を有する平板状情報記録担
体の基板を作成する方法に関するものである。
体の基板を作成する方法に関するものである。
従来の技術 基板表面に微細なパターンを形成するエッチング技術
は、半導体集積回路，プリント基板，透明電導膜，さら
に光ディスクなどの情報記録媒体の製造には欠くことの
できない技術となっている。特に最近では、パターンの
微細化，プロセスの自動化などの要求から、エッチング
プロセスのドライ化が注目を集めている。既にVLSIの製
造にはドライエッチングプロセスが実用化されている
が、これよりさらに微細なサブミクロンのパターン形成
を行なう光ディスク基板の作成にも、この技術が取り入
れられている。
は、半導体集積回路，プリント基板，透明電導膜，さら
に光ディスクなどの情報記録媒体の製造には欠くことの
できない技術となっている。特に最近では、パターンの
微細化，プロセスの自動化などの要求から、エッチング
プロセスのドライ化が注目を集めている。既にVLSIの製
造にはドライエッチングプロセスが実用化されている
が、これよりさらに微細なサブミクロンのパターン形成
を行なう光ディスク基板の作成にも、この技術が取り入
れられている。
以下、第６図を参照しながら、光ディスク基板上のパタ
ーン形成をドライエッチングにより行なう方法を説明す
る。
ーン形成をドライエッチングにより行なう方法を説明す
る。
まず、高精度に研磨されたガラス基板１の表面に、フォ
トレジスト２を均一に塗布する（第６図ａ）。そして、
ガラス基板１を回転させながら、所望のピット列や溝の
構造に対応して変調を受けたレーザー光３をフォトレジ
スト２に照射する（第６図ｂ）。これを現像することに
より、フォトレジスト２の露光された領域が除去され
て、表面に同心円状または螺旋状の凹凸パターンが現わ
れる（第６図ｃ）。
トレジスト２を均一に塗布する（第６図ａ）。そして、
ガラス基板１を回転させながら、所望のピット列や溝の
構造に対応して変調を受けたレーザー光３をフォトレジ
スト２に照射する（第６図ｂ）。これを現像することに
より、フォトレジスト２の露光された領域が除去され
て、表面に同心円状または螺旋状の凹凸パターンが現わ
れる（第６図ｃ）。
次に、この凹凸パターン付きガラス基板に対し、気体プ
ラズマ４を作用させてガラス板１のエッチングを行な
う。エッチング用のガスとしては、CHF3などが用いられ
る。この時、放電により生ずるプラズマ４はガラス基板
１の表面に垂直入射してガラスをスパッタリングすると
同時に、ガラスの主成分であるSiO2などと選択的に反応
してこれを分解する作用をもつ。
ラズマ４を作用させてガラス板１のエッチングを行な
う。エッチング用のガスとしては、CHF3などが用いられ
る。この時、放電により生ずるプラズマ４はガラス基板
１の表面に垂直入射してガラスをスパッタリングすると
同時に、ガラスの主成分であるSiO2などと選択的に反応
してこれを分解する作用をもつ。
所定の深さまでエッチングを進行させた後（第６図
ｄ）、残留したフォトレジスト２をO2ガスを用いたプラ
ズマアッシングにより除去すれば、表面に所定の同心円
状または螺旋状の溝やピット列が刻まれた光ディスク用
ガラス基板が得られる（第６図ｅ）。
ｄ）、残留したフォトレジスト２をO2ガスを用いたプラ
ズマアッシングにより除去すれば、表面に所定の同心円
状または螺旋状の溝やピット列が刻まれた光ディスク用
ガラス基板が得られる（第６図ｅ）。
発明が解決しようとする問題点 光ディスク基板に形成される溝やピット列は、ディスク
に対して情報の記録再生を行なうレーザー光の案内の役
目をするため、その形状は、情報の記録再生特性に大き
く影響する。このため、光ディスクの性能向上のために
は、溝の形状を最適化する必要があるが、前述した従来
の方法では、形成される溝の形状をドライエッチングの
条件（例えばガス圧力、放電電力）などによって制御す
ることは困難であるという問題があった。
に対して情報の記録再生を行なうレーザー光の案内の役
目をするため、その形状は、情報の記録再生特性に大き
く影響する。このため、光ディスクの性能向上のために
は、溝の形状を最適化する必要があるが、前述した従来
の方法では、形成される溝の形状をドライエッチングの
条件（例えばガス圧力、放電電力）などによって制御す
ることは困難であるという問題があった。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、従来のように気
体プラズマをガラス基板面に対し垂直方向のみから入射
するのではなく、垂直方向から大きく傾いた10度以上80
度以下の方向からプラズマを入射して、溝やピット列を
形成するものである。
体プラズマをガラス基板面に対し垂直方向のみから入射
するのではなく、垂直方向から大きく傾いた10度以上80
度以下の方向からプラズマを入射して、溝やピット列を
形成するものである。
作用 この手段による作用は以下のようになる。
ドライエッチングプロセスは、異方性エッチングである
ため、エッチングは、気体プラズマの入射方向に最も著
しく進行する。このことから、ガラス基板に対する気体
プラズマの入射方向を垂直方向から10度以上80度以下の
方向にすることにより、他のエッチング条件を変更する
ことなく、溝形状を制御することができる。
ため、エッチングは、気体プラズマの入射方向に最も著
しく進行する。このことから、ガラス基板に対する気体
プラズマの入射方向を垂直方向から10度以上80度以下の
方向にすることにより、他のエッチング条件を変更する
ことなく、溝形状を制御することができる。
実施例 以下、本発明の第１の実施例について、第１図，第２図
及び第３図を参照しながら説明する。
及び第３図を参照しながら説明する。
第１図はドライエッチングプロセスにおけるガラス基板
の装着方法を示している。表面にフォトレジストによる
螺旋状の溝が形成されているガラス基板１（第６図ｃの
状態）は、ドライエッチング装置の真空チャンバー５の
内部にあるモータ６の軸に装置される。モータ３の軸は
カソード電極7,アース電極８の表面に対し垂直方向から
大きく傾いている。気体プラズマの進行方向は、電極面
に対して垂直であるから、ガラス基板１に対しては、気
体プラズマはモータ６の軸の傾き相当の角度だけ傾いて
入射することになる。
の装着方法を示している。表面にフォトレジストによる
螺旋状の溝が形成されているガラス基板１（第６図ｃの
状態）は、ドライエッチング装置の真空チャンバー５の
内部にあるモータ６の軸に装置される。モータ３の軸は
カソード電極7,アース電極８の表面に対し垂直方向から
大きく傾いている。気体プラズマの進行方向は、電極面
に対して垂直であるから、ガラス基板１に対しては、気
体プラズマはモータ６の軸の傾き相当の角度だけ傾いて
入射することになる。
ガラス基板の装着が終われば、真空チャンバー５の内部
を高真空にした後、CHF3ガスを導入して放電させ、エッ
チングを行なう。エッチングの際は、モータ６が作動し
てガラス基板１が回転するが、この時、ガラス基板１上
のフォトレジストにより形成されている螺旋状の溝のあ
る一点に注目すると、第２図a,b,cに示すように溝の断
面方向を基準にして入射する気体プラズマの入射方向が
ガラス基板１の回転に対応して時間的に変化することが
わかる。
を高真空にした後、CHF3ガスを導入して放電させ、エッ
チングを行なう。エッチングの際は、モータ６が作動し
てガラス基板１が回転するが、この時、ガラス基板１上
のフォトレジストにより形成されている螺旋状の溝のあ
る一点に注目すると、第２図a,b,cに示すように溝の断
面方向を基準にして入射する気体プラズマの入射方向が
ガラス基板１の回転に対応して時間的に変化することが
わかる。
このようなエッチングの場合、形成される溝は、第３図
に示すような側面の切り立った形状になる。
に示すような側面の切り立った形状になる。
続いて、本発明の第２の実施例について、第４図，第５
図を参照しながら説明する。
図を参照しながら説明する。
ガラス基板1,真空チャンバー5,モータ6,カソード電極7,
アース電極８の構成は第１の実施例と同様であるが、本
実施例では、ガラス基板１の上に、ガラス製のマスク板
10が置かれている。このマスク板10は、ガラス基板１の
表面の大半を覆い、気体プラズマは、マスク板10の切り
欠き部分からのみガラス基板１に入射する。従って、ガ
ラス基板１上のフォトレジストにより形成されている螺
旋状の溝からみると、気体プラズマの入射角が常に一定
となることがわかる。
アース電極８の構成は第１の実施例と同様であるが、本
実施例では、ガラス基板１の上に、ガラス製のマスク板
10が置かれている。このマスク板10は、ガラス基板１の
表面の大半を覆い、気体プラズマは、マスク板10の切り
欠き部分からのみガラス基板１に入射する。従って、ガ
ラス基板１上のフォトレジストにより形成されている螺
旋状の溝からみると、気体プラズマの入射角が常に一定
となることがわかる。
このような一定の斜め方向からの気体プラズマ入射を行
なった場合、フォトレジストの膜厚や、エッチング条件
を適切に選択することにより、第５図に示すような三角
形の断面をもつ溝を形成することができる。このような
三角溝は、ディスクにレーザー光が照射されている時、
追従している溝に隣接する溝の影響をうけることにより
発生するクロストークを低減する作用をもつ。
なった場合、フォトレジストの膜厚や、エッチング条件
を適切に選択することにより、第５図に示すような三角
形の断面をもつ溝を形成することができる。このような
三角溝は、ディスクにレーザー光が照射されている時、
追従している溝に隣接する溝の影響をうけることにより
発生するクロストークを低減する作用をもつ。
なお、光ディスク基板としては、ガラス基板１をそのま
ま用いる以外に、溝パターンを金属板に転写し、さらに
それをアクリル等の基板に転写して、同一の溝構造をも
つ光ディスクを多数枚複製することもできる。
ま用いる以外に、溝パターンを金属板に転写し、さらに
それをアクリル等の基板に転写して、同一の溝構造をも
つ光ディスクを多数枚複製することもできる。
また、エッチング用のガスとしては、本実施例のCHF3以
外に、CF4,C2F6,C3F8,NF3,CCl4などを用いることができ
る。またArのような不活性ガスを用いた場合、ガラス基
板のエッチング速度は小さくなるが、パターンの形成は
可能である。
外に、CF4,C2F6,C3F8,NF3,CCl4などを用いることができ
る。またArのような不活性ガスを用いた場合、ガラス基
板のエッチング速度は小さくなるが、パターンの形成は
可能である。
さらに、ガラス板１としては一般に用いられるソーダガ
ラスの他に、石英ガラス等を用いることにより、エッチ
ング速度の改善を図ることもできる。
ラスの他に、石英ガラス等を用いることにより、エッチ
ング速度の改善を図ることもできる。
発明の効果 以上のように、本発明はガラス基板のドライエッチング
において、気体プラズマの入射方向を基板に対し垂直方
向から大きく離すことにより、様々の溝形状を有する光
ディスク基板を作成することができる。
において、気体プラズマの入射方向を基板に対し垂直方
向から大きく離すことにより、様々の溝形状を有する光
ディスク基板を作成することができる。
第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエッチン
グプロセスでのガラス基板の装着方法を示す斜視図と側
面図、第２図は本発明の第１の実施例においてガラス基
板上にフォトレジストにより形成された溝に対する気体
プラズマの入射方向の変化を示す断側面図、第３図は第
１の実施例によってガラス基板上に形成される溝の形状
を示す断面図、第４図は本発明の第２の実施例における
ドライエッチングプロセスでのガラス基板の装着方法を
示す斜視図、第５図は第２の実施例においてガラス基板
上への気体プラズマの入射方向と形成される溝の形状を
示す断面図、第６図は従来例の平板状情報記録担体の基
板作成方法を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……フォトレジスト、３……レー
ザー光、４……気体プラズマの入射方向、５……真空チ
ャンバー、６……モータ、７……カソード電極、８……
アース電極、９……交流電源、10……マスク板。
グプロセスでのガラス基板の装着方法を示す斜視図と側
面図、第２図は本発明の第１の実施例においてガラス基
板上にフォトレジストにより形成された溝に対する気体
プラズマの入射方向の変化を示す断側面図、第３図は第
１の実施例によってガラス基板上に形成される溝の形状
を示す断面図、第４図は本発明の第２の実施例における
ドライエッチングプロセスでのガラス基板の装着方法を
示す斜視図、第５図は第２の実施例においてガラス基板
上への気体プラズマの入射方向と形成される溝の形状を
示す断面図、第６図は従来例の平板状情報記録担体の基
板作成方法を示す断面図である。 １……ガラス基板、２……フォトレジスト、３……レー
ザー光、４……気体プラズマの入射方向、５……真空チ
ャンバー、６……モータ、７……カソード電極、８……
アース電極、９……交流電源、10……マスク板。
Claims (5)
- 【請求項１】同心円状または螺旋状の開口部を有するマ
スクを設けた平板状基板に対し、前記平板状基板とのな
す角が10度以上80度以下の方向からプラズマ状態の気体
を入射させて前記平板状基板表面に前記マスクに対応し
た凹凸パターンを形成することを特徴とする平板状情報
記録担体の基板作成方法。 - 【請求項２】平板状基板のうち、少なくとも凹凸パター
ンを形成する部位が、SiO2を主成分とする材料であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の平板状情報
記録担体の基板作成方法。 - 【請求項３】平板状基板のうち、少なくとも凹凸パター
ンを形成する部位がSiO2及びNa2Oを主成分とする材料で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の平板
状情報記録担体の基板作成方法。 - 【請求項４】プラズマ状態の気体として、CHF3,CF4,C2F
6,C3F8,NF3,CCl4のうち少なくとも一つを用いることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の平板状情報記録
担体の基板作成方法。 - 【請求項５】プラズマ状態の気体としてArを用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の平板状情報記
録担体の基板作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19974985A JPH0690811B2 (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 平板状情報記録担体の基板作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19974985A JPH0690811B2 (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 平板状情報記録担体の基板作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6260146A JPS6260146A (ja) | 1987-03-16 |
| JPH0690811B2 true JPH0690811B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=16412991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19974985A Expired - Lifetime JPH0690811B2 (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 平板状情報記録担体の基板作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690811B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0753270B2 (ja) * | 1993-05-13 | 1995-06-07 | 株式会社キット | タンク洗浄制御装置 |
| US9793126B2 (en) | 2010-08-04 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor |
| US9230819B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-05 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing |
| US9245761B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
| US9017526B2 (en) * | 2013-07-08 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Ion beam etching system |
| US9147581B2 (en) | 2013-07-11 | 2015-09-29 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
-
1985
- 1985-09-10 JP JP19974985A patent/JPH0690811B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6260146A (ja) | 1987-03-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |