KR102644783B1 - 빔 프로세싱 시스템에서 빔 스캔 크기 및 빔 위치를 사용하여 높은 처리량을 위한 방법 - Google Patents

빔 프로세싱 시스템에서 빔 스캔 크기 및 빔 위치를 사용하여 높은 처리량을 위한 방법 Download PDF

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Abstract

워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하기 위한 시스템 및 방법이 기재된다. 방법은, 빔 프로세싱 시스템에 마이크로전자 워크피스를 배치하는 단계, 마이크로전자 워크피스의 치수보다 더 작은, 빔 스캔 패턴을 위한 빔 스캔 크기를 선택하는 단계, 프로세싱 빔을 생성하는 단계, 및 마이크로전자 워크피스를 처리하기 위해 선택된 빔 스캔 크기 내에서 타겟 영역 위에 빔 스캔 패턴을 따라 프로세싱 빔을 조사함으로써 마이크로전자 워크피스의 타겟 영역을 처리하는 단계를 포함한다.

Description

빔 프로세싱 시스템에서 빔 스캔 크기 및 빔 위치를 사용하여 높은 처리량을 위한 방법
37 C.F.R. § 1.78(a)(4)에 따라, 본 출원은 2015년 9월 16일 출원된 공동 계류중인 미국 가출원 번호 제62/219,319호의 우선권을 주장하며, 이 출원은 그 전체가 참조에 의해 여기에 명확하게 포함된다.
본 발명의 기술분야는 일반적으로 재료 공정 및 반도체 집적 회로 제조 분야에 관한 것이며, 전적으로는 아니지만 보다 상세하게는 다양한 워크피스 속성(workpiece attribute)의 위치 특정 프로세싱(location specific processing)에 관한 것이다.
하나의 기술 노드로부터 다음 기술 노드로 반도체 디바이스 제조에 있어서의 기판 크기 및 피처 스케일의 발전 뿐만 아니라, 평면에서 비평면으로 변천하는 디바이스의 증가하는 복잡도로 인해, 대구경 기판에 걸친 피처 속성의 고도의 정밀도 제어에 대한 필요성이 급격하게 증가하고 있다. 빔 프로세싱 시스템 뿐만 아니라, 공간 제어된 플라즈마 및 비(non)-플라즈마 프로세싱 시스템과 같은 비(non)-빔 프로세싱 시스템을 포함한 현행 방법들이, 고도의 보정 프로세싱(corrective processing) 방식에 고려되고 있다.
예로서, GCIB(gas cluster ion beam)에 의한 위치 특정 프로세싱은, 다른 속성들 중에서도 피처 속성 균일도(예컨대, 두께 균일도)의 고도의 프로세서 제어를 가능하게 하는 매우 정밀한 방법이다. GCIB 에칭 프로세스에서, GCIB는 포커싱된 빔으로 높은 로컬 에칭 속도를 가질 수 있으며, 이는 위치 특정 프로세싱(LSP; location specific processing) 알고리즘과 결합되어, 인커밍 또는 하향 두께 균일도의 고정밀도 보정을 가능하게 한다.
가스 분자의 클러스터는 노즐을 통한 고압 가스 혼합물의 팽창 동안 발생하는 응결에 의해 형성된다. 이들 클러스터의 빔은 전자 소스를 통해 향하며, 여기에서 전자 충격에 의해 이온화되고, 그 다음 빔을 통해 웨이퍼가 스캔되는 프로세스 챔버 안으로 최대 60 kV만큼 가속화된다.
워크피스는 예를 들어 150 cm/s까지 정밀하게 제어되는 속도로 스캔되며, 이는 다운로드한 맵에 기초하여 또는 통합된 계측 옵션을 통해 로컬 처리 또는 에칭 속도를 정밀하게 제어하도록 프로세싱 알고리즘을 사용하여 웨이퍼 상의 모든 포인트에서 변조될 수 있다. 그러나, GCIB 프로세싱 시스템과 같은 빔 프로세싱 시스템은 열악한 처리량의 단점을 갖는다. 부분적으로, 빔 프로세싱 시스템은 전체 워크피스를 스캔하며 처리하고, 따라서 처리를 요하지 않는 워크피스의 영역을 잠재적으로 처리하며 빔 스캔을 보정을 위한 타겟 영역으로 한정하지 못한다.
본 발명의 실시예는 일반적으로 재료 공정 및 반도체 집적 회로 제조 분야에 관한 것이며, 전적으로는 아니지만 보다 상세하게는 다양한 워크피스 속성의 위치 특정 프로세싱에 관한 것이다.
하나의 실시예에 따르면, 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법이 기재된다. 방법은, 빔 프로세싱 시스템에 마이크로전자 워크피스를 배치하는 단계, 마이크로전자 워크피스의 치수보다 더 작은, 빔 스캔 패턴을 위한 빔 스캔 크기를 선택하는 단계, 프로세싱 빔을 생성하는 단계, 및 마이크로전자 워크피스를 처리하기 위해 선택된 빔 스캔 크기 내에서 타겟 영역 위에 빔 스캔 패턴을 따라 프로세싱 빔을 조사함으로써 마이크로전자 워크피스의 타겟 영역을 처리하는 단계를 포함한다.
또다른 실시예에 따르면, 마이크로전자 워크피스에 대해 위치 특정 프로세싱을 수행하도록 구성된 프로세싱 시스템이 기재된다. 시스템은, 프로세싱 빔으로 워크피스를 처리하도록 구성된 빔 프로세싱 시스템, 및 멀티프로세스 컨트롤러를 포함하고, 멀티프로세스 컨트롤러는, 마이크로전자 워크피스의 치수보다 더 작은, 빔 스캔 패턴을 위한 빔 스캔 크기를 선택하고, 프로세싱 빔을 생성하고, 마이크로전자 워크피스를 처리하기 위해 선택된 빔 스캔 크기 내에서 타겟 영역 위에 빔 스캔 패턴을 따라 프로세싱 빔을 조사함으로써 마이크로전자 워크피스의 타겟 영역을 처리하도록 프로그램가능하게 구성된다.
도 1a는 처리될 워크피스 상의 종래의 빔 스캔 패턴을 예시한다.
도 1b 및 도 1c는 다양한 실시예에 따라 처리될 워크피스 상의 상이한 빔 스캔 패턴들을 예시한다.
도 2는 실시예에 따라 워크피스를 처리하기 위한 방법을 예시한 플로우차트이다.
도 3은 실시예에 따른 보정 프로세싱 시스템의 예시를 제공한다.
도 4는 실시예에 따른 빔 프로세싱 시스템의 예시를 제공한다.
워크피스의 위치 특정 및 보정 프로세싱을 수행하기 위한 방법 및 시스템이 다양한 실시예에서 기재된다. 관련 기술분야에서의 숙련자라면, 다양한 실시예들이 구체적인 세부사항들 중의 하나 이상의 세부사항 없이도 또는 다른 대체물 및/또는 추가의 방법, 재료, 또는 컴포넌트로 실시될 수 있다는 것을 알 것이다. 다른 경우로, 잘 알려져 있는 구조물, 재료, 또는 동작은 본 발명의 다양한 실시예의 양상을 모호하게 하는 것을 피하기 위하여 도시되거나 상세하게 기재되지 않는다. 마찬가지로, 설명을 위한 목적으로, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위하여 특정 수치, 재료, 및 구성이 서술된다. 그러나, 본 발명은 구체적인 세부사항 없이도 실시될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 다양한 실시예들은 예시를 위한 표현인 것이며 반드시 실축척대로 도시된 것은 아님을 이해하여야 한다.
본 명세서 전반에 걸쳐 “하나의 실시예” 또는 “실시예”의 인용은, 이 실시예와 관련하여 기재된 특정 특징, 구조, 재료, 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되는 것을 의미하지만 모든 실시예에 존재함을 나타내는 것은 아니다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 곳에서 문구 “하나의 실시예에서” 또는 "실시예에서”의 출현은 반드시 본 발명의 동일 실시예를 인용하는 것은 아니다. 또한, 특정 특징, 구조, 재료, 또는 특성이 하나 이상의 실시예에서 임의의 적합한 방식으로 조합될 수 있다. 다른 실시예에서 다양한 추가의 층 및/또는 구조물이 포함될 수 있고 그리고/또는 기재된 특징들이 생략될 수도 있다.
여기에서 사용될 때에 “워크피스”는 일반적으로 본 발명에 따라 처리되고 있는 객체를 지칭한다. 워크피스는 디바이스, 구체적으로 반도체 또는 기타 전자 디바이스의 임의의 재료 부분 또는 구조물을 포함할 수 있고, 예를 들어 반도체 웨이퍼와 같은 베이스 워크피스 구조물이거나, 박막과 같이 베이스 워크피스 위에 있거나 이를 덮는 층일 수 있다. 따라서, 워크피스는 임의의 특정 베이스 구조물, 아래의 층 또는 위의 층, 패터닝된 또는 패터닝되지 않은 것에 한정되도록 의도되지 않으며, 오히려 임의의 이러한 층 또는 베이스 구조물 그리고 층 및/또는 베이스 구조물의 임의의 조합을 포함하는 것을 고려할 수 있다. 아래의 기재는 특정 유형의 워크피스를 참조할 수 있지만, 이는 단지 설명을 위한 목적인 것이며 한정하는 것이 아니다.
상기에 부분적으로 기재된 바와 같이, GCIB 프로세싱 시스템과 같은 빔 프로세싱 시스템은 열악한 처리량의 단점을 갖는다. 부분적으로, 빔 프로세싱 시스템은 전체 워크피스를 스캔하며 처리하고, 따라서 처리를 요하지 않는 워크피스의 영역을 잠재적으로 처리하며 빔 스캔을 보정을 위한 타겟 영역으로 한정하지 못한다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 종래의 빔 스캔 패턴(101)은 워크피스(100)의 전체 표면 영역을 커버하고 워크피스(100)의 주변 에지를 넘어 연장한다. 예를 들어, 300mm 워크피스를 처리하기 위해, 보정을 목표로 하는 영역의 크기에 관계없이, 50mm 오버스캔을 포함하여 350mm 직경의 영역이 스캔되었다.
따라서, 다양한 실시예에 따라, 처리량을 개선하기 위해, 빔 스캔 크기(111, 121)는 워크피스(110, 120)의 크기보다 더 작도록 제어될 수 있다(도 1b 및 도 1c 참조). 그리고, 균일도를 개선하기 위해, 빔 위치가 제어될 수 있다(도 1c 참조). 비균일 영역이 중심위치되지 않고 빔 스캔 영역과 일치되지 않는 경우, 균일도를 개선하기 위해 스캐너 위치 및 데이터 맵을 조정함으로써 보정을 목표로 하는 영역에 맞춰 빔 스캔 영역(121)을 정렬하도록 빔 스캔 영역이 거리(122)만큼 오프셋될 수 있다. 스캔 영역 오프셋은 수동으로 입력될 수 있거나 또는 비균일 영역의 중심을 계산하는 소프트웨어 알고리즘에 의해 자동으로 결정될 수 있다. 스캔 영역 직경은 또한 인커밍 균일도 및 원하는 보정 처리 또는 에칭 용량에 따라 조정될 수 있다. 그리고, 예를 들어, 스캔 영역은 특정 처리량 요건을 충족하도록 한정될 수 있다.
보정 능력을 개선하기 위해, 향상된 보정 능력으로 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법 및 시스템이 다양한 실시예에 따라 기재된다. 도 2는 실시예에 따라 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법을 예시한 플로우차트(200)를 제공하고, 도 1c는 처리될 워크피스(120) 상의 타겟 영역(124)의 예시를 제공한다.
플로우차트(200)에 예시된 방법은, 빔 프로세싱 시스템에 마이크로전자 워크피스(120)를 배치하는 210에서 시작한다. 마이크로전자 워크피스(120)는, 예를 들어 반도체 기판을 포함할 수 있으며 마이크로전자 워크피스의 치수는 직경이고, 또는 평판 패널 디스플레이 또는 디바이스를 포함할 수 있으며 마이크로전자 워크피스의 치수는 패널의 폭 또는 길이이다.
211에서, 빔 스캔 크기는 마이크로전자 워크피스(120)의 치수보다 더 작은 빔 스캔 패턴을 위해 선택된다. 212에서, 프로세싱 빔이 생성된다. 그리고, 213에서, 마이크로전자 워크피스의 타겟 영역(124)은, 마이크로전자 워크피스를 처리하기 위해 선택된 빔 스캔 크기 내에서 타겟 영역(124)으로 빔 스캔 패턴에 따라 프로세싱 빔을 조사함으로써 처리된다.
타겟 영역(124) 내에서 처리되거나 보정될 워크피스 속성은, 마이크로전자 워크피스(120), 마이크로전자 워크피스(120) 상에 형성된 임의의 층 또는 부층, 및/또는 마이크로전자 워크피스(120) 상의 디바이스의 임의의 부분과 연관된 기하학적, 기계적, 전기적, 및/또는 광학적 파라미터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 워크피스 속성은, 막 두께, 표면 및/또는 계면 거칠기, 표면 오염, 피처 깊이, 트렌치 깊이, 비아 깊이, 피처 폭, 트렌치 폭, 비아 폭, 임계 치수(CD; critical dimension), 표면 거칠기, 또는 전기 저항, 또는 이들 중 둘 이상의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에서, 프로세싱 빔은 중성 빔, 대전 입자 빔, GCB(gas cluster beam), 또는 GCIB(gas cluster ion beam), 또는 이의 임의의 일부, 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다. 처리하는 것은, 프로세싱 빔을 통해 마이크로전자 워크피스(120)를 스캔하거나 또는 마이크로전자 워크피스(120)에 걸쳐 프로세싱 빔을 스캔하는 것을 포함할 수 있다.
빔 프로세싱 시스템을 사용하여, 빔 프로세싱 시스템의 적용되는 특성은, 워크피스 속성의 타겟 프로파일을 달성하도록 마이크로전자 워크피스(120) 상의 위치의 함수로서 워크피스(120)로부터의 파라메트릭 데이터에 적어도 부분적으로 기초하여 공간 변조될 수 있다. 예를 들어, 적용되는 특성은, 빔 선량(beam dose) 또는 드웰(dwell) 시간, 가속 전위, 빔이 통과하는 배경 가스 압력, 질량 흐름률, 총 압력, 총 온도, 빔 조성 등을 포함할 수 있다. 보정 프로세스는, 마이크로전자 워크피스(120)의 워크피스 속성의 타겟 프로파일을 달성하도록 에칭 프로세스, 증착 프로세스, 성장 프로세스, 스무딩 프로세스, 도핑 프로세스, 개질 프로세스, 또는 이들 중 둘 이상의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
방법은 추가적으로, 마이크로전자 워크피스의 적어도 일부에 관한 파라메트릭 데이터를 수집하는 단계로서, 파라메트릭 데이터는 마이크로전자 워크피스의 측정된 속성의 공간 프로파일을 포함하는 것인, 단계, 수집된 파라메트릭 데이터를 사용하여 보정 프로세싱을 위한 타겟 영역을 식별하는 단계, 및 타겟 영역의 치수에 기초하여 빔 스캔 크기를 선택하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 방법은 타겟 영역의 위치에 기초하여 마이크로전자 워크피스 상의 빔 스캔 패턴을 위한 위치를 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
빔 스캔 크기 및 빔 스캔 패턴의 위치는, 빔 스캔 패턴이 타겟 영역을 완전히 커버하고 빔 스캔 크기가 면적 크기에 기초하여 50% 이하 만큼 타겟 영역의 크기를 초과하도록 선택될 수 있다.
이제 도 3으로 가면, 다양한 실시예에 따라 마이크로전자 워크피스에 대해 보정 프로세싱을 수행하도록 구성된 프로세싱 시스템(300)이 기재된다. 프로세싱 시스템(300)은, 보정 프로세스로 마이크로전자 워크피스를 처리하도록 구성된 보정 프로세싱 시스템(310), 및 데이터 인터페이스(330)를 갖는 멀티프로세스 컨트롤러(320)를 포함하며, 멀티프로세스 컨트롤러(320)는, 마이크로전자 워크피스의 적어도 제1 부분과 진단적으로 관련된 제1 소스(331)로부터 제1 세트의 파라메트릭 데이터를 수신하고, 마이크로전자 워크피스의 적어도 제2 부분과 진단적으로 관련된, 제1 소스(331)와는 상이한 제2 소스(332)로부터, 제2 세트의 파라메트릭 데이터를 수신하고, 보정 프로세스를 생성하고, 제1 세트의 파라메트릭 데이터와 선택적인 제2 세트의 파라메트릭 데이터의 조합을 사용하여 타겟 영역에 보정 프로세스를 적용함으로써 마이크로전자 워크피스의 타겟 영역을 처리하도록 프로그램가능하게 구성된다. 멀티프로세스 컨트롤러(320)는 또한, 추가의 데이터 소스(333, 334)와도 인터페이스할 수 있다.
프로세싱 시스템(300)은, 워크피스 속성의 타겟 프로파일을 달성하도록 마이크로전자 워크피스 상의 위치의 함수로서 제1 및 제2 세트의 파라메트릭 데이터에 적어도 부분적으로 기초하여 보정 프로세스의 적용되는 특성을 공간적으로 변조하도록 구성된 공간 변조 시스템을 포함할 수 있다. 또한, 프로세싱 시스템(300)은, 하나 이상의 마이크로전자 워크피스에 대하여 적어도 제1 세트의 파라메트릭 데이터를 수집하도록 구성된 계측 시스템을 포함할 수 있다.
하나의 실시예에 따르면, 보정 프로세싱 시스템(310)은 빔 프로세싱 시스템을 포함한다. 도 4에 도시된 바와 같이, GCIB 프로세싱 시스템(400)이 실시예에 따라 기재된다. 구체적으로, GCIB 프로세싱 시스템(400)은 가스 클러스터 빔을 생성하기 위하여 프로세스 가스 공급 시스템(415)으로부터 노즐 어셈블리(410)를 통해 진공 베셀(402)로 일차 가스를 도입하도록 구성되는 노즐 어셈블리(410)를 갖는 GCIB 소스(401)를 포함한다. 이오나이저(412)가 노즐 어셈블리(410)의 하류에 위치되고 GCIB를 생성하기 위해 가스 클러스터 빔을 이온화하도록 구성된다.
GCIB 프로세싱 시스템(400)은 워크피스 홀더(450)를 더 포함하며, 워크피스 홀더(450) 위에는 처리될 워크피스(452)가 진공 베셀(402) 내에서 고정되어 스캔된다. 진공 베셀(402)은 감압 인클로저를 제공하도록 3개의 연결 챔버, 즉 소스 챔버(404), 이온화/가속 챔버(406) 및 프로세싱 챔버(408)를 포함한다. 3개의 챔버는 하나 이상의 진공 펌핑 시스템에 의해 적합한 동작 압력으로 배기된다. 3개의 연결 챔버(404, 406, 408)에서, 가스 클러스터 빔이 제1 챔버(소스 챔버(404))에서 형성될 수 있고, GCIB가 제2 챔버(이온화/가속 챔버(406))에서 형성될 수 있으며, 가스 클러스터 빔이 이온화 및 가속화된다. 그 다음, 제3 챔버(프로세싱 챔버(408))에서, 가속화된 GCIB가 워크피스(452)를 처리하도록 이용될 수 있다. 진공 베셀(402)은 또한 압력 셀 챔버(455)를 포함할 수 있다. 압력 셀 챔버(455)는, 압력 셀 챔버(455) 내의 압력을 높이기 위해 압력 셀 챔버(455)로 배경 가스를 공급하는 비활성 가스 공급 시스템(도 4에 도시되지 않음)에 연결된다.
GCIB 프로세싱 시스템(400)은 이차 가스 소스(425, 435, 445)를 더 포함할 수 있으며, 이차 가스 소스(425, 435, 445)는 이차 가스를 전달하는 이차 가스 공급 시스템(422, 432, 442), 및 GCIB 프로세싱 시스템(400)으로 주입된 이차 가스의 흐름을 노즐 어셈블리(410)의 하류로 동작가능하게 제어하는 이차 가스 컨트롤러(420, 430, 440)를 포함한다. 하나의 실시예에서, 이차 가스 소스(425)는 노즐 어셈블리(410)의 출구(411)의 하류로 소스 챔버(404) 안으로 이차 가스를 전달하도록 배열된다. 또다른 실시예에서, 이차 가스 소스(435)는 스키머(412)의 하류로 이온화/가속 챔버(406) 안으로 이차 가스를 전달하도록 배열된다. 또다른 실시예에서, 이차 가스 소스(445)는 최종 개구(460)의 하류로 프로세싱 챔버(408) 안으로 이차 가스를 전달하도록 배열된다. 또다른 실시예에서, 이차 가스 소스(425, 435, 445)의 임의의 조합이 사용될 수 있다.
또다른 실시예에서, 이차 가스 소스(445)는 최종 개구(460)의 하류로 프로세싱 챔버(408) 안으로 그리고 분리 거리(470) 만큼 워크피스(452)의 노출된 표면으로부터 떨어져 있는 위치에서 GCIB와 교차하는 경로를 따라 이차 가스를 전달하도록 배열된다(예를 들어, 이차 가스는 기판과 GCIB의 충돌 영역 또는 그 근방에서 프로세싱 챔버(408)로 향함). 분리 거리(470)는 10 mm 미만, 5 mm 미만, 2 mm 미만, 또는 실질적으로 닐(nil)의 거리일 수 있다(이차 가스는 기판의 노출된 표면에서 GCIB와 교차하는 젯 또는 빔일 수 있음).
이차 가스 컨트롤러(420, 430, 440)가 하나 이상의 유동 제어 밸브, 유동 센서, 또는 압력 센서에 연결될 수 있다. 그리고, 이차 가스 컨트롤러(420, 430, 440)는 이차 가스가 주입되는 압력(예컨대, 총/정체 압력), 또는 이차 가스의 유속, 또는 이들의 조합을 제어할 수 있다.
가스 클러스터 이온 빔 시스템의 설계에 관한 추가적인 세부사항은, 발명의 명칭이 “Multiple Nozzle Gas Cluster Ion Beam System”이고 2009년 4월 23일 출원된 미국 특허 출원 공보 제2010/0193701A1호, 및 발명의 명칭이 “Multiple Nozzle Gas Cluster Ion Beam Processing System and Method of Operating”이고 2010년 3월 26일 출원된 미국 특허 출원 공보 제2010/0193472A1호에서 제공되며, 이들의 내용은 그 전체가 참조에 의해 여기에 포함된다.
본 발명의 특정 실시예만 상기에 상세하게 기재되었지만, 당해 기술 분야에서의 숙련자라면 본 발명의 신규의 교시 및 이점으로부터 실질적으로 벗어나지 않고서 실시예에서 많은 변형이 가능하다는 것을 용이하게 알 수 있을 것이다. 따라서, 모든 이러한 변형은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱(location specific processing)을 수행하는 방법에 있어서,
    상기 마이크로전자 워크피스의 적어도 일부에 관한 파라메트릭 데이터 - 상기 파라메트릭 데이터는 상기 마이크로전자 워크피스의 측정된 속성의 공간 프로파일을 포함함 - 를 수집하는 단계;
    상기 수집된 파라메트릭 데이터를 사용하여 보정 프로세싱을 위한 타겟 영역을 식별하는 단계;
    빔 프로세싱 시스템에 상기 마이크로전자 워크피스를 배치하는 단계;
    상기 마이크로전자 워크피스의 치수보다 더 작은 그리고 상기 타겟 영역의 치수에 기초한, 빔 스캔 패턴을 위한 빔 스캔 크기를 선택하는 단계;
    프로세싱 빔을 생성하는 단계; 및
    상기 마이크로전자 워크피스를 처리하기 위해 선택된 빔 스캔 크기 내에서 상기 타겟 영역 위에 상기 빔 스캔 패턴을 따라 상기 프로세싱 빔을 조사함으로써, 상기 마이크로전자 워크피스의 상기 타겟 영역을 처리하는 단계
    를 포함하는, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 처리하는 단계는,
    상기 프로세싱 빔을 통해 상기 마이크로전자 워크피스를 스캔하는 단계; 및
    상기 마이크로전자 워크피스를 처리하기 위해 선택된 빔 스캔 크기 내로 상기 스캔의 공간 범위를 국한시키는 단계
    를 포함하는 것인, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 처리하는 단계는,
    상기 마이크로전자 워크피스에 걸쳐 상기 프로세싱 빔을 스캔하는 단계; 및
    상기 마이크로전자 워크피스를 처리하기 위해 선택된 상기 빔 스캔 크기 내로 상기 스캔의 공간 범위를 국한시키는 단계
    를 포함하는 것인, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 마이크로전자 워크피스는 반도체 기판을 포함하며 상기 마이크로전자 워크피스의 치수는 직경이고, 또는 상기 마이크로전자 워크피스는 평판 패널 디스플레이 또는 디바이스를 포함하며 상기 마이크로전자 워크피스의 치수는 상기 패널의 폭 또는 길이인 것인, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 프로세싱 빔은 중성 빔, 대전 입자 빔, GCB(gas cluster beam), 또는 GCIB(gas cluster ion beam), 또는 이의 임의의 일부, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 것인, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 타겟 영역의 위치에 기초하여 상기 마이크로전자 워크피스 상의 빔 스캔 패턴에 대한 위치를 결정하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 빔 스캔 크기 및 상기 빔 스캔 패턴의 위치는, 상기 빔 스캔 패턴이 상기 타겟 영역을 완전히 커버하고 상기 빔 스캔 크기가 면적 크기에 기초하여 50% 이하 만큼 상기 타겟 영역의 크기를 초과하도록, 선택되는 것인, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 측정된 속성의 타겟 프로파일을 달성하도록 상기 마이크로전자 워크피스 상의 위치의 함수로서, 상기 파라메트릭 데이터에 적어도 부분적으로 기초하여, 상기 프로세싱 빔의 적용되는 특성을 공간 변조하는 단계를 더 포함하는, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 측정된 속성은 막 두께, 표면 거칠기, 표면 오염, 피처 깊이, 트렌치 깊이, 비아 깊이, 피처 폭, 트렌치 폭, 비아 폭, 임계 치수(CD; critical dimension), 표면 거칠기, 또는 전기 저항, 또는 이들 중 둘 이상의 임의의 조합을 포함하는 것인, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 프로세싱 빔의 적용되는 특성은 빔 선량(beam dose)을 포함하는 것인, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  12. 청구항 9에 있어서, 상기 프로세싱 빔의 적용되는 특성은 빔 선량, 빔 영역, 빔 프로파일, 빔 강도, 빔 주사율, 또는 드웰(dwell) 시간, 또는 이들 중 둘 이상의 임의의 조합을 포함하는 것인, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 프로세싱 빔은, 상기 마이크로전자 워크피스의 속성의 타겟 프로파일을 달성하도록 에칭 프로세스, 퇴적 프로세스, 성장 프로세스, 스무딩 프로세스, 도핑 프로세스, 개질 프로세스, 또는 이들 중 둘 이상의 임의의 조합을 수행하는 것인, 마이크로전자 워크피스의 위치 특정 프로세싱을 수행하는 방법.
  14. 마이크로전자 워크피스에 대해 위치 특정 프로세싱을 수행하도록 구성된 프로세싱 시스템에 있어서,
    프로세싱 빔으로 상기 마이크로전자 워크피스를 처리하도록 구성된 빔 프로세싱 시스템; 및
    멀티프로세스 컨트롤러를 포함하고,
    상기 멀티프로세스 컨트롤러는,
    상기 마이크로전자 워크피스의 적어도 일부에 관한 파라메트릭 데이터 - 상기 파라메트릭 데이터는 상기 마이크로전자 워크피스의 측정된 속성의 공간 프로파일을 포함함 - 를 수집하고;
    상기 수집된 파라메트릭 데이터를 사용하여 보정 프로세싱을 위한 타겟 영역을 식별하고;
    상기 마이크로전자 워크피스의 치수보다 더 작은 그리고 상기 타겟 영역의 치수에 기초한, 빔 스캔 패턴을 위한 빔 스캔 크기를 선택하고;
    프로세싱 빔을 생성하고;
    상기 마이크로전자 워크피스를 처리하기 위해 선택된 빔 스캔 크기 내에서 상기 타겟 영역 위에 상기 빔 스캔 패턴을 따라 상기 프로세싱 빔을 조사함으로써, 상기 마이크로전자 워크피스의 상기 타겟 영역을 처리하도록,
    프로그램가능하게 구성된 것인, 프로세싱 시스템.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 프로세싱 빔은 중성 빔, 대전 입자 빔, GCB(gas cluster beam), 또는 GCIB(gas cluster ion beam), 또는 이의 임의의 일부를 포함하는 것인, 프로세싱 시스템.
  16. 삭제
  17. 청구항 14에 있어서, 상기 멀티프로세스 컨트롤러는 또한,
    상기 타겟 영역의 위치에 기초하여 상기 마이크로전자 워크피스 상의 빔 스캔 패턴에 대한 위치를 결정하는 단계를 실행하도록 프로그램가능하게 구성된 것인, 프로세싱 시스템.
  18. 청구항 14에 있어서, 상기 멀티프로세스 컨트롤러는 또한,
    상기 측정된 속성의 타겟 프로파일을 달성하도록 상기 마이크로전자 워크피스 상의 위치의 함수로서, 상기 파라메트릭 데이터에 적어도 부분적으로 기초하여, 상기 프로세싱 빔의 적용되는 특성을 공간 변조하는 단계를 실행하도록 프로그램가능하게 구성된 것인, 프로세싱 시스템.
  19. 청구항 14에 있어서,
    하나 이상의 워크피스에 대하여 상기 파라메트릭 데이터를 수집하도록 구성된 계측 시스템을 더 포함하는, 프로세싱 시스템.
  20. 청구항 14에 있어서,
    상기 빔 스캔 크기에 의해 정의된 공간 범위 내에서 상기 프로세싱 빔을 통해 상기 마이크로전자 워크피스를 홀딩하는 워크피스 홀더를 스캔하도록 상기 빔 프로세싱 시스템 내에 배열된 스캐너를 더 포함하는, 프로세싱 시스템.
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