JP2014036110A5 - - Google Patents

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本発明の一観点によると、
第１の面に半導体素子が形成され、第２の面側の表層部に不純物が添加された半導体基板の、前記第２の面に、半導体レーザ発振器から出射され、第１のパルス幅を有する第１のレーザパルスを入射させる工程と、
前記第１のパルス幅の１／１０以下の第２のパルス幅を有する第２のレーザパルスを、前記第１のレーザパルスの入射領域に重ねて入射させる工程と
を有し、
前記第１のレーザパルス及び前記第２のレーザパルスの入射によって上昇する前記第１の面の温度が、予め決められている許容上限値を超えないように、前記第１のレーザパルスの立下り時刻と、前記第２のレーザパルスの立上り時刻との時間軸上の相対位置関係が設定されている半導体装置の製造方法が提供される。

Claims (1)

  1. 第１の面に半導体素子が形成され、第２の面側の表層部に不純物が添加された半導体基板の、前記第２の面に、半導体レーザ発振器から出射され、第１のパルス幅を有する第１のレーザパルスを入射させる工程と、
    前記第１のパルス幅の１／１０以下の第２のパルス幅を有する第２のレーザパルスを、前記第１のレーザパルスの入射領域に重ねて入射させる工程と
    を有し、
    前記第１のレーザパルス及び前記第２のレーザパルスの入射によって上昇する前記第１の面の温度が、予め決められている許容上限値を超えないように、前記第１のレーザパルスの立下り時刻と、前記第２のレーザパルスの立上り時刻との時間軸上の相対位置関係が設定されている半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI545627B (zh) * 2012-06-13 2016-08-11 Sumitomo Heavy Industries 半導體裝置的製造方法及雷射退火裝置
DE102014103749A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Rofin-Baasel Lasertech Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung eines Werkstücks
TW201528379A (zh) * 2013-12-20 2015-07-16 Applied Materials Inc 雙波長退火方法與設備
JP6320799B2 (ja) * 2014-03-07 2018-05-09 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP6338512B2 (ja) * 2014-11-17 2018-06-06 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法及びレーザアニール装置
JP6497903B2 (ja) * 2014-11-25 2019-04-10 住友重機械工業株式会社 レーザアニール装置
JP6771810B2 (ja) * 2015-04-20 2020-10-21 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置
JP6732371B2 (ja) * 2016-03-28 2020-07-29 住友重機械工業株式会社 レーザアニール装置
DE102016008509A1 (de) * 2016-07-13 2018-01-18 Siltectra Gmbh Laserkonditionierung von Festkörpern mit Vorwissen aus vorherigen Bearbeitungsschritten
JP2018107190A (ja) 2016-12-22 2018-07-05 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
WO2018179798A1 (ja) 2017-03-29 2018-10-04 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP7091714B2 (ja) * 2018-03-01 2022-06-28 株式会社デンソー 半導体装置
EP3667704A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-17 Laser Systems & Solutions of Europe Method for thermally processing a substrate and associated system
JPWO2021256434A1 (ja) * 2020-06-18 2021-12-23
JP7470472B1 (ja) 2023-11-21 2024-04-18 株式会社第一塗料製造所 貼り箱用接着剤、貼り箱、及び、貼り箱の製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004207691A (ja) * 2002-12-11 2004-07-22 Sharp Corp 半導体薄膜の製造方法、その製造方法により得られる半導体薄膜、その半導体薄膜を用いる半導体素子および半導体薄膜の製造装置
JP4373115B2 (ja) * 2003-04-04 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE102004030268B4 (de) * 2003-06-24 2013-02-21 Fuji Electric Co., Ltd Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements
JP4590880B2 (ja) * 2003-06-24 2010-12-01 富士電機システムズ株式会社 半導体素子の製造方法
JP4171399B2 (ja) * 2003-10-30 2008-10-22 住友重機械工業株式会社 レーザ照射装置
US7491909B2 (en) 2004-03-31 2009-02-17 Imra America, Inc. Pulsed laser processing with controlled thermal and physical alterations
JP2006351659A (ja) * 2005-06-14 2006-12-28 Toyota Motor Corp 半導体装置の製造方法
US7943534B2 (en) * 2005-08-03 2011-05-17 Phoeton Corp. Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system
JP2007123300A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Toyota Motor Corp 不純物活性化方法、レーザアニール装置、半導体装置とその製造方法
DE102008003953A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Fuji Electric Device Technology Co. Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements
JP5105984B2 (ja) 2007-07-26 2012-12-26 住友重機械工業株式会社 ビーム照射装置、及び、レーザアニール方法
JP2010171057A (ja) 2009-01-20 2010-08-05 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4678700B1 (ja) 2009-11-30 2011-04-27 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置およびレーザアニール方法
JP5307093B2 (ja) * 2010-08-23 2013-10-02 株式会社日本製鋼所 半導体デバイスの製造方法
JP5641965B2 (ja) * 2011-02-09 2014-12-17 住友重機械工業株式会社 レーザアニール方法及びレーザアニール装置
TWI545627B (zh) * 2012-06-13 2016-08-11 Sumitomo Heavy Industries 半導體裝置的製造方法及雷射退火裝置
JP5963701B2 (ja) * 2013-03-27 2016-08-03 住友重機械工業株式会社 半導体アニール装置及び温度測定方法

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