JP6732371B2 - レーザアニール装置 - Google Patents
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Description
パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出力されたパルスレーザビームが入射する位置に、ドーパントが注入されたシリコンウエハを保持するステージと、
前記レーザ光源を制御する制御装置と、
前記制御装置にデータを入力する入力装置と、
前記制御装置の処理結果を出力する出力装置と
を有し、
前記制御装置に、相対的に浅い第1の層のドーパントとしてのボロンのドーズ量と相対的に深い第2の層のドーパントとしてのリンまたはヒ素のドーズ量との比と、前記第1の層のドーパントの活性化率を考慮した実効ドーズ量と前記第2の層のドーズ量との比との対応関係が記憶されており、
前記制御装置は、作製すべき半導体素子の特性から求められる前記第1の層のドーパントの実効ドーズ量、及び前記第2の層のドーパントのドーズ量が、前記入力装置を通して入力されると、前記対応関係に基づいて、前記第1の層の実際のドーズ量を求め、求められたドーズ量を前記出力装置に出力するレーザアニール装置が提供される。
図5に、ドーズ量比D1/D2と、第1のドーパントの活性化率Arと、実効ドーズ量比との関係を示す。横軸はドーズ量比D1/D2を表し、左縦軸は第1のドーパントの活性化率Arを単位「%」で表し、左縦軸は実効ドーズ量比を単位「%」で表す。図5の細い実線が第1のドーパントの活性化率Arを示す、太い実線が、実効ドーズ量比を示す。
21 レーザダイオード
22 アッテネータ
23 ビームエキスパンダ
24 ホモジナイザ
25 ダイクロイックミラー
26 集光レンズ
27 伝搬光学系
31 固体レーザ発振器
32 アッテネータ
33 ビームエキスパンダ
34 ホモジナイザ
35 ベンディングミラー
40 ビーム入射領域
41 ステージ
45 入力装置
46 出力装置
50 シリコンウエハ
50T 第1の面
50B 第2の面
51 p型のベース領域
52 n型のエミッタ領域
53 ゲート電極
54 ゲート絶縁膜
55 エミッタ電極
56 バッファ層
56a 第2の層
57 コレクタ層
57a 第1の層
58 コレクタ電極
Claims (1)
- パルスレーザビームを出力するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出力されたパルスレーザビームが入射する位置に、ドーパントが注入されたシリコンウエハを保持するステージと、
前記レーザ光源を制御する制御装置と、
前記制御装置にデータを入力する入力装置と、
前記制御装置の処理結果を出力する出力装置と
を有し、
前記制御装置に、相対的に浅い第1の層のドーパントとしてのボロンのドーズ量と相対的に深い第2の層のドーパントとしてのリンまたはヒ素のドーズ量との比と、前記第1の層のドーパントの活性化率を考慮した実効ドーズ量と前記第2の層のドーズ量との比との対応関係が記憶されており、
前記制御装置は、作製すべき半導体素子の特性から求められる前記第1の層のドーパントの実効ドーズ量、及び前記第2の層のドーパントのドーズ量が、前記入力装置を通して入力されると、前記対応関係に基づいて、前記第1の層の実際のドーズ量を求め、求められたドーズ量を前記出力装置に出力するレーザアニール装置。
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---|---|---|---|
JP2016063295A JP6732371B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | レーザアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016063295A JP6732371B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | レーザアニール装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2017183315A JP2017183315A (ja) | 2017-10-05 |
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ID=60007109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016063295A Active JP6732371B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | レーザアニール装置 |
Country Status (1)
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- 2016-03-28 JP JP2016063295A patent/JP6732371B2/ja active Active
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