JP2013543276A - 無線周波数用途又は電力用途のための電子装置及びそのような装置を製造するためのプロセス - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
(a)支持基板上に半導体層を含む構造を形成するステップと、
(b)半導体層に構成要素を製造するステップとを含む、ステップにおいて、
ステップ(a)では、少なくとも30W/m Kの熱伝導率を有するベース層と、少なくとも5μmの厚さを有する表面層とを含む支持基板であって、その表面層が、少なくとも3000オーム・cmの電気抵抗率と、少なくとも30W/m Kの熱伝導率とを有する、支持基板が使用されることを特徴とする、プロセスである。
(a)ドナー基板の半導体層に構成要素を製造するステップと、
(b)構成要素を支持する半導体層を中間基板上に接合するステップと、
(c)構成要素を支持する層を中間層上に移し替えるためにドナー基板の残りを除去するステップと、
(d)構成要素を支持する層を支持基板上に接合するステップと、
(e)中間基板を除去するステップとを含む、プロセスにおいて、
ステップ(d)では、少なくとも30W/m Kの熱伝導率を有するベース層と、少なくとも5μmの厚さを有する表面層とを含む支持基板であって、表面層が、少なくとも3000オーム・cmの電気抵抗率と、少なくとも30W/m Kの熱伝導率とを有する、支持基板が使用されることを特徴とする、プロセスである。
第1のプロセス:支持基板上の半導体層における構成要素の製造
二重層支持基板
改変された表面領域を有する支持基板
第2のプロセス:構成要素を支持する層の支持基板上への移し替え
semiconductor on insulator)型の基板であり、すなわち、機械的な基板として作用する第1の基板22と、50nmよりも小さい厚さを有する酸化シリコンの層又はAlN、アルミナ若しくは高抵抗性多結晶質シリコンの層であり得る埋め込まれた層23と、構成要素が製造される層2とを連続的に備える。
改変された表面層を有する支持基板
得られた装置
Claims (20)
- 支持基板(1)上に電子構成要素を支持する半導体層(2’)を備える、無線周波数用途又は電力用途のための電子装置において、前記支持基板(1)が、少なくとも30W/m Kの熱伝導率を有するベース層(12)と、少なくとも5μmの厚さを有する表面層(13、14)とを含み、前記表面層が、少なくとも3000オーム・cmの電気抵抗率及び少なくとも30W/m Kの熱伝導率を有することを特徴とする、電子装置。
- 前記支持基板(1)が、シリコンベース基板(12)上に5μmよりも大きい厚さを有するAlN、アルミナ又は非晶質ダイヤモンドライクカーボンの表面層(13)を含む、二重層基板であることを特徴とする、請求項1に記載の電子装置。
- 前記支持基板(1)が、5μmよりも大きい厚さを有する多孔性表面領域(14)を含むシリコン基板であることを特徴とする、請求項1に記載の電子装置。
- 前記支持基板(1)が、5μmよりも大きい厚さを有するAlN又はアルミナ被覆で包まれたアルミニウム基板であることを特徴とする、請求項1に記載の電子装置。
- 前記支持基板(1)が、1015at/cm3よりも高い濃度で金をドープされた表面領域であって、5μmよりも大きい厚さを有する表面領域を含む、シリコン基板であることを特徴とする、請求項1に記載の電子装置。
- 前記電子構成要素を支持する前記半導体層(2’)が、シリコン、ゲルマニウム又はIII‐V族合金でできていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子装置。
- 50nmよりも小さい厚さを有する酸化シリコン層が、前記支持基板(1)と前記電子構成要素を支持する前記半導体層(2’)との間に挿入されることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子装置。
- AlN、アルミナ、非晶質ダイヤモンドライクカーボン又は高抵抗性多結晶質シリコンの層が、前記支持基板(1)と前記電子構成要素を支持する前記半導体層(2’)との間に挿入されることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子装置。
- 当該電子装置が、150mm以上の直径を有するウェハであることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子装置。
- 当該電子装置がチップであることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子装置。
- 前記表面層が、前記ベース層と前記半導体層との間にあることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載の電子装置。
- 支持基板(1)上に電子構成要素を支持する層(2’)を備える、無線周波数用途又は電力用途のための装置を製造するためのプロセスであって、以下の連続的なステップ、すなわち、
(a)前記支持基板(1)上に半導体層(2)を含む構造を形成するステップと、
(b)前記半導体層(2)に前記電子構成要素を製造するステップとを含む、プロセスにおいて、
ステップ(a)では、少なくとも30W/m Kの熱伝導率を有するベース層(12)と、少なくとも5μmの厚さを有する表面層(13、14)とを含む前記支持基板(1)であって、前記表面層が、少なくとも3000オーム・cmの電気抵抗率と、少なくとも30W/m Kの熱伝導率とを有する、前記支持基板(1)が使用されることを特徴とする、プロセス。 - 前記支持基板(1)が、シリコンベース基板(12)上に5μmよりも大きい厚さを有するAlN、アルミナ又は非晶質ダイヤモンドライクカーボンの層(13)を含む、二重層基板であることを特徴とする、請求項12に記載のプロセス。
- 前記支持基板が、5μmよりも大きい厚さを有する多孔性表面領域を含むシリコン基板であることを特徴とする、請求項12に記載のプロセス。
- 支持基板(1)上に電子構成要素を支持する層(2’)を備える、無線周波数用途又は電力用途のための装置を製造するためのプロセスであって、以下の連続的なステップ、すなわち、
(a)ドナー基板(20)の半導体層(2)に前記電子構成要素を製造するステップと、
(b)前記電子構成要素を支持する前記半導体層(2’)を中間基板(4)上に接合するステップと、
(c)前記電子構成要素を支持する前記層(2’)を前記中間層(4)上に移し替えるために前記ドナー基板(20)の残り(22)を除去するステップと、
(d)前記電子構成要素を支持する前記層(2’)を前記支持基板(1)上に接合するステップと、
(e)前記中間基板(4)を除去するステップとを含む、プロセスにおいて、
ステップ(d)では、少なくとも30W/m Kの熱伝導率を有するベース層(12)と、少なくとも5μmの厚さを有する表面層(13、14)とを含む前記支持基板(1)であって、前記表面層が、少なくとも3000オーム・cmの電気抵抗率と、少なくとも30W/m Kの熱伝導率とを有する、前記支持基板(1)が使用されることを特徴とする、プロセス。 - 前記支持基板が、シリコンベース基板(12)上に5μmよりも大きい厚さを有するAlN、アルミナ又は非晶質ダイヤモンドライクカーボンの層(13)を含む、二重層基板であることを特徴とする、請求項15に記載のプロセス。
- 前記支持基板が、5μmよりも大きい厚さを有する多孔性表面領域を含むシリコン基板であることを特徴とする、請求項15に記載のプロセス。
- 前記支持基板が、5μmよりも大きい厚さを有するAlN又はアルミナ被覆で包まれたアルミニウム基板であることを特徴とする、請求項15に記載のプロセス。
- 前記支持基板が、1015at/cm3よりも高い濃度で金をドープされた表面領域であって、5μmよりも大きい厚さを有する表面領域を含む、シリコン基板であることを特徴とする、請求項15に記載のプロセス。
- 前記ドナー基板(20)が、第1の基板(22)と、50nmよりも小さい厚さを有する酸化シリコン層(23)と、前記半導体層(2)とを連続的に含み、ステップ(c)の間、前記酸化シリコン層(23)が、前記電子構成要素を支持する前記半導体層(2’)上に残されることを特徴とする、請求項15〜19のいずれか一項に記載のプロセス。
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