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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9236411B2 (en) 2011-08-03 2016-01-12 Omnivision Technologies, Inc. Color filter patterning using hard mask
US20130341692A1 (en) * 2012-06-22 2013-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Novel [N] Profile in Si-Ox Interface for CMOS Image Sensor Performance Improvement
US8941159B2 (en) 2013-01-30 2015-01-27 Omnivision Technologies, Inc. Color filter including clear pixel and hard mask
JP6206012B2 (ja) * 2013-09-06 2017-10-04 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置
JP6355311B2 (ja) * 2013-10-07 2018-07-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その製造方法及び撮像システム
JP2015109343A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
US9608033B2 (en) * 2014-05-12 2017-03-28 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera
JP6246076B2 (ja) * 2014-06-05 2017-12-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2016103615A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 キヤノン株式会社 撮像装置の製造方法、撮像装置および撮像システム
EP3113224B1 (en) 2015-06-12 2020-07-08 Canon Kabushiki Kaisha Imaging apparatus, method of manufacturing the same, and camera
US10978489B2 (en) * 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
JP2017037907A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置およびその製造方法
JP2017045873A (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2017059563A (ja) * 2015-09-14 2017-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像素子
JP2017085065A (ja) * 2015-10-30 2017-05-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2018006443A (ja) * 2016-06-29 2018-01-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2018088495A (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 キヤノン株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2019175704A1 (ja) 2018-03-16 2019-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、電気モジュールの作製方法
WO2021152943A1 (ja) * 2020-01-30 2021-08-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置
WO2023276744A1 (ja) * 2021-06-30 2023-01-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 撮像装置及びその製造方法
WO2025047500A1 (ja) * 2023-08-31 2025-03-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、電子機器、及び、撮像装置の製造方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3288796B2 (ja) 1993-03-15 2002-06-04 株式会社東芝 半導体装置
JPH104145A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4308341B2 (ja) 1998-05-25 2009-08-05 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3264265B2 (ja) 1999-03-12 2002-03-11 日本電気株式会社 Cmos半導体装置及びその製造方法
JP2002305196A (ja) * 2001-04-09 2002-10-18 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US6773999B2 (en) 2001-07-18 2004-08-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for treating thick and thin gate insulating film with nitrogen plasma
JP2003282567A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4128396B2 (ja) 2002-06-07 2008-07-30 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
TWI289905B (en) * 2002-07-23 2007-11-11 Fujitsu Ltd Image sensor and image sensor module
US7405757B2 (en) 2002-07-23 2008-07-29 Fujitsu Limited Image sensor and image sensor module
JP2004241755A (ja) * 2003-01-15 2004-08-26 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2004266040A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP4135541B2 (ja) * 2003-03-26 2008-08-20 ソニー株式会社 プラズマ表面処理方法
JP4485754B2 (ja) * 2003-04-08 2010-06-23 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法
JP4190940B2 (ja) 2003-05-13 2008-12-03 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
TWI220654B (en) 2003-07-02 2004-09-01 Ind Tech Res Inst Adjustable whirlpool electrostatic filter
JP4175649B2 (ja) * 2004-07-22 2008-11-05 松下電器産業株式会社 半導体装置
US7214631B2 (en) * 2005-01-31 2007-05-08 United Microelectronics Corp. Method of forming gate dielectric layer
US20080296644A1 (en) * 2005-05-02 2008-12-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Cmos image sensors and methods of fabricating same
DE102006017281A1 (de) 2005-05-02 2006-11-16 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon CMOS-Bildsensoren und Verfahren zum Herstellen derselben
KR100632954B1 (ko) * 2005-05-06 2006-10-12 삼성전자주식회사 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법
JP4954508B2 (ja) * 2005-08-05 2012-06-20 パナソニック株式会社 半導体装置
JPWO2007064048A1 (ja) 2005-12-02 2009-05-14 日本電気株式会社 半導体記憶装置、その駆動方法およびその製造方法
US7544533B2 (en) * 2006-01-09 2009-06-09 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus for providing an integrated circuit having p and n doped gates
JP2007317741A (ja) 2006-05-23 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
CN101620994B (zh) 2008-06-30 2011-01-12 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 掺杂栅介质层、多晶硅层及叠层顶层的最小厚度确定方法
JP5446281B2 (ja) 2008-08-01 2014-03-19 ソニー株式会社 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置
JP5538922B2 (ja) * 2009-02-06 2014-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
US8450221B2 (en) * 2010-08-04 2013-05-28 Texas Instruments Incorporated Method of forming MOS transistors including SiON gate dielectric with enhanced nitrogen concentration at its sidewalls
CN201845782U (zh) 2010-10-19 2011-05-25 格科微电子(上海)有限公司 Mos晶体管及cmos图像传感器

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