JP2013149741A5 - - Google Patents
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Description
このように、ゲート絶縁膜としての酸化シリコン膜204の主部2040の界面窒素濃度を低くすることによって、主部2040とチャネル領域2030との界面の準位すなわち界面準位が下がる。高い界面準位は、信号電荷を扱う転送トランジスタ103(104)においては暗電流の原因となり得る。本実施形態のように界面窒素濃度を0.10原子%以下とすることにより、転送トランジスタ103(104)での暗電流を低減することができる。また、高い界面準位は、増幅トランジスタ107(108)においては1/fノイズの原因となり得る。図6(a)には、参考例として、主部2040の窒素を熱酸窒化法で形成した、界面窒素濃度が0.45原子%の場合における1/fノイズを示している。界面窒素濃度を0.10原子%以下とすることで、1/fノイズのレベルを熱酸化法を用いて形成された酸化シリコン膜と同等にすることが可能となる。図6(a)には、主部2040の窒素をプラズマ窒化法で形成した、界面窒素濃度が0.02原子%とした実施例と、0.07原子%とした実施例における1/fノイズを示している。図6(a)には示さないが、界面窒素濃度が0.10原子%の場合にも、0.07原子%とした実施例と同等の1/fノイズレベルが得られた。図6(a)から、界面窒素濃度と1/fノイズは線形的な関係よりもむしろ、指数関数的な関係にあると考察される。すなわち、界面窒素濃度が0.10原子%以下であると、熱酸化法を用いて形成された、実質的に窒素を含有しない酸化シリコン膜と同等と云うべき1/fノイズレべルを実現できるのである。
この積層膜構造は、転送トランジスタ103(104)に適用することが特に好ましい。転送トランジスタ103(104)のソースである光電変換部101(102)上に位置する窒化シリコン層2052は、光電変換部101へ向かう光の反射を低減する機能を有し得る。また転送トランジスタ103(104)のゲート電極1340上に位置する無機絶縁部材133は、ゲート電極1340へ向かう光の透過を低減する機能を有し得る。
信号処理手段20および駆動手段30は、多数のMOSFETで構成されている。信号処理手段20および駆動手段30のMOSFETを「周辺MOSFET」と称する。周辺MOSFETには、nMOSFETとpMOSFETが含まれる。周辺MOSFETのnMOSFETとpMOSFETをそれぞれ「周辺nMOSFET」と「周辺pMOSFET」と称する。さらに、周辺nMOSFETは第1周辺nMOSFETと第2周辺nMOSFETを含むことができる。周辺pMOSFETは第1周辺pMOSFETと第2周辺pMOSFETを含むことができる。第1周辺nMOSFETと第1周辺pMOSFETを併せて第1周辺MOSFETと称し、第2周辺nMOSFETと第2周辺pMOSFETを併せて第2周辺MOSFETと称する。
窒化処理を行った第1酸化シリコン膜4410、第2酸化シリコン膜4420および第3酸化シリコン膜4430は、それぞれ窒素を含有する酸化シリコン膜すなわち、酸窒化シリコン膜と呼ばれる。詳細には、第1酸化シリコン膜4410は第1酸窒化シリコン膜4411に、第2酸化シリコン膜4420は第2酸窒化シリコン膜4421に、第3酸化シリコン膜4430は第3酸窒化シリコン膜4431に変化する。プラズマ窒化の処理条件を調整することにより、酸窒化シリコン膜のシリコンウエハ300側の面における界面窒素濃度を0.10原子%以下とする。なお、上記条件では、酸窒化シリコン膜のピーク窒素濃度は0.50原子%以上となる。窒素濃度の好適な範囲および分布は先に説明したから、ここでは説明を省略する。界面窒素濃度は、上記した5つの条件のうち、とりわけガスの圧力と処理時間に大きく左右される。また、界面窒素濃度は、窒化される酸化シリコン膜の膜厚にも依存する。得てして、ガスの圧力を低くし、処理時間を短くすることで界面窒素濃度を低くすることができる。先に説明した窒素濃度分布を得るためには、酸化シリコン膜の厚みと窒化処理条件を調整する。酸化シリコン膜が窒素を含むことで、後で形成されるゲート電極などから不純物がシリコンウエハ300に混入することを抑制することができる。
(工程K)
図10(c)を用いて工程K(配線工程)を説明する。図10(c)に示すような層間絶縁層500を形成する。この層間絶縁層500は、本例ではHDP(High Density Plasma)酸化シリコン膜であるが、PSG,BSGやBPSGなどのケイ酸塩ガラス膜あってもよい。層間絶縁層500はCMP法やリフロー法、エッチバック法などの公知の方法により平坦化されている。
図10(c)を用いて工程K(配線工程)を説明する。図10(c)に示すような層間絶縁層500を形成する。この層間絶縁層500は、本例ではHDP(High Density Plasma)酸化シリコン膜であるが、PSG,BSGやBPSGなどのケイ酸塩ガラス膜あってもよい。層間絶縁層500はCMP法やリフロー法、エッチバック法などの公知の方法により平坦化されている。
Claims (20)
- 光電変換手段を備えた光電変換装置において、
前記光電変換手段は、導電体、半導体、および前記導電体と前記半導体との間に設けられた絶縁体からなる積層構造を有する半導体素子を含み、
前記絶縁体は、前記導電体と前記半導体との間に位置する主部において窒素を含有する酸化シリコン膜であって、
前記主部の最高窒素濃度が0.10原子%より高く、前記主部の前記半導体側の面における界面窒素濃度が0.10原子%以下であることを特徴とする光電変換装置。 - 前記主部の前記最高窒素濃度が0.50原子%以上5.00原子%以下であり、前記主部の前記界面窒素濃度が0.05原子%以下である請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記半導体素子は、前記積層構造をゲートとし、ソースおよびドレインをさらに有するMOSFETあって、
前記酸化シリコン膜は、前記主部から前記ソースと前記ドレインの少なくとも一方の上に延在した延在部を有しており、前記延在部のソース側またはドレイン側の面における界面窒素濃度が0.10原子%以下である請求項1または2に記載の光電変換装置。 - 下記の(a)、(b)および(c)の少なくともいずれかを満たす請求項3に記載の光電変換装置。
(a)前記延在部の最高窒素濃度が前記主部の前記最高窒素濃度の1/2以下である。
(b)前記延在部の最高窒素濃度が1.00原子%以下である。
(c)前記延在部の厚みが、前記主部の厚みよりも小さい。 - 前記光電変換手段は、複数の光電変換ユニットを有し、
前記光電変換ユニットの各々は、
(1)光電変換部をソースとする転送トランジスタと、
(2)光電変換部で発生した信号電荷の量に応じた電気信号を生成する増幅トランジスタと、
(3)光電変換部で発生した信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、
(4)前記光電変換ユニットからの出力を制御するスイッチトランジスタと、
の少なくともいずれかを含み、
前記転送トランジスタと、前記増幅トランジスタと、前記リセットトランジスタと、前記スイッチトランジスタのうちの少なくともいずれかが、前記積層構造を有する前記半導体素子である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換手段は、複数の光電変換ユニットを有し、
前記光電変換ユニットの各々は、光電変換部をソースとする転送トランジスタと、前記転送トランジスタのドレインに電気的に接続されたゲート電極を有する増幅トランジスタと、を含み、前記転送トランジスタおよび前記増幅トランジスタが、前記半導体素子であって、前記転送トランジスタおよび前記増幅トランジスタの各々の前記主部の厚みが5.0nm以上である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - nMOSFETとpMOSFETを含む、前記光電変換手段からの信号を処理する信号処理手段をさらに備え、
前記nMOSFETおよび前記pMOSFETのゲート絶縁膜は、窒素を含有する酸化シリコン膜であって、
前記ゲート絶縁膜の最高窒素濃度が0.50原子%以上5.0原子%以下であり、前記ゲート絶縁膜のチャネル領域側の面における界面窒素濃度が0.50原子%未満である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記信号処理手段は、前記nMOSFETと前記pMOSFETを含むCMOS回路を有し、前記CMOS回路において、前記nMOSFETと前記pMOSFETのゲート電極は、前記nMOSFETに対応するn型のポリシリコンからなるn型部分と、前記pMOSFETに対応するp型のポリシリコンからなり前記n型部分に連続するp型部分と、を有し、
前記n型部分の上から前記p型部分の上に渡って、第1シリサイド層が設けられており、前記nMOSFETと前記pMOSFETのそれぞれのソースおよびドレインの上には第2シリサイド層が設けられている請求項7に記載の光電変換装置。 - 前記nMOSFETは、第1のnMOSFETと第2のnMOSFETを含み、前記pMOSFETは第1のpMOSFETと第2のpMOSFETを含み、
前記第1のnMOSFETおよび前記第1のpMOSFETのゲート絶縁膜の厚みは、前記第2のnMOSFETおよび前記第2のpMOSFETのゲート絶縁膜の厚みよりも小さい請求項7または8に記載の光電変換装置。 - 前記第1のnMOSFETおよび前記第1のpMOSFETの前記ゲート絶縁膜の最高窒素濃度が0.50原子%以上であり、前記ゲート絶縁膜のチャネル領域側の面における界面窒素濃度が0.50原子%未満であり、
前記第2のnMOSFETおよび前記第2のpMOSFETの前記ゲート絶縁膜の最高窒素濃度が0.50原子%以上であり、前記ゲート絶縁膜のチャネル領域側の面における界面窒素濃度が0.10原子%以下である請求項9に記載の光電変換装置。 - 前記第1のnMOSFETおよび前記第1のpMOSFETの前記ゲート絶縁膜の厚みが5.0nm未満である請求項9または10に記載の光電変換装置。
- 光電変換手段と前記光電変換手段からの信号を処理する信号処理手段を備えた光電変換装置において、
前記光電変換手段は、第1のMOS構造を有する半導体素子を含み、
前記信号処理手段は、第2のMOS構造を有する半導体素子を含み、
前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造の絶縁体は、導電体と半導体との間に位置する主部において窒素を含有する酸化シリコン膜であって、前記導電体の側の第1面および前記半導体の側の第2面を有し、
前記第2のMOS構造の前記主部の厚みT 2 は、前記第1のMOS構造の前記主部の厚みT 1 よりも小さく、
前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造の前記主部の最高窒素濃度が0.10原子%より大きく、
前記第1のMOS構造の前記主部のうち前記第1面からの距離がT 1 /2である第1部分における窒素濃度が、前記第2のMOS構造の前記主部のうち、前記第1面からの距離がT 2 /2である第2部分における窒素濃度よりも小さく、
前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造の前記主部の前記第2面における界面窒素濃度が0.10原子%以下であることを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1のMOS構造および前記第2のMOS構造の前記主部の最高窒素濃度が0.50原子%以上5.00原子%以下であり、前記第1のMOS構造の前記主部の前記界面窒素濃度が0.05原子%以下である請求項12に記載の光電変換装置。
- 前記信号処理手段は、第3のMOS構造を有する半導体素子を含み、
前記第3のMOS構造の絶縁体は、導電体と半導体との間に位置する主部において窒素を含有する酸化シリコン膜であって、前記第3のMOS構造の前記主部の厚みは、前記第2のMOS構造の前記主部の厚みT 2 よりも大きく、
前記第3のMOS構造の前記主部の最高窒素濃度が0.50原子%以上5.00原子%以下であり、前記第3のMOS構造の前記主部の半導体側の面における界面窒素濃度が0.10原子%以下である請求項12または13に記載の光電変換装置。 - 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の光電変換装置と、前記光電変換装置からの出力信号に基づいて画像を生成する画像生成装置と、を備える撮像システム。
- 第1領域に、MOSFETを有する光電変換手段と、
第2領域に、nMOSFETおよびpMOSFETを有する信号処理手段と、
を備えた光電変換装置の製造方法において、
シリコンウエハの第1領域に第1酸化シリコン膜を形成し、前記シリコンウエハの第2領域の或る部分に第2酸化シリコン膜を形成する酸化シリコン膜形成工程と、
プラズマ窒化法を用いて、前記第1酸化シリコン膜と前記第2酸化シリコン膜へ窒素を同時に導入する窒化工程と、
窒素が導入された前記第1酸化シリコン膜の上に、前記MOSFETのゲート電極をパターニングし、窒素が導入された前記第2酸化シリコン膜の上に、前記nMOSFETおよび前記pMOSFETのゲート電極をパターニングするパターニング工程と、を有し、
前記窒化工程を、前記第1酸化シリコン膜の最高窒素濃度が0.50原子%以上となり、前記第1酸化シリコン膜の前記シリコンウエハ側の面における界面窒素濃度が0.10原子%以下となるように行うことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記窒化工程の後、かつ、前記パターニング工程の前に、950℃以上1150℃以下の温度で前記シリコンウエハをアニールするアニール工程を有する請求項16に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記パターニング工程において、前記第1酸化シリコン膜の、前記ゲート電極と前記シリコンウエハとの間に位置する主部から延在する延在部を薄くして、前記延在部の最高窒素濃度を前記主部の最高窒素濃度よりも低くする請求項16または17に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記酸化シリコン膜形成工程は、熱酸化法、プラズマ酸化法またはラジカル酸化法を用いて前記シリコンウエハの前記第2領域の別の部分に前記第2酸化シリコン膜より厚い第3酸化シリコン膜を、前記第1酸化シリコン膜と同時に形成する段階と、熱酸化法、プラズマ酸化法またはラジカル酸化法を用いて前記シリコンウエハの前記第2領域に前記第2酸化シリコン膜を形成する段階と、を含み、
前記窒化工程において、前記第1酸化シリコン膜と前記第2酸化シリコン膜への窒素の導入と同時に、前記第3酸化シリコン膜へ窒素を導入し、
前記ゲート電極形成工程において、窒素が導入された前記第3酸化シリコン膜の上にもnMOSFETおよびpMOSFETのゲート電極を形成する請求項16乃至18のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記パターニング工程は、前記シリコンウエハの上にポリシリコン膜を形成する段階と、前記ポリシリコン膜の前記nMOSFETの前記ゲート電極になる部分へn型の不純物を導入する段階と、前記ポリシリコン膜の前記pMOSFETの前記ゲート電極になる部分へp型の不純物を導入する段階を含み、
前記パターニング工程の後、前記nMOSFETおよび前記pMOSFETの各々のソースおよびドレインを形成するイオン注入形成工程と、
前記前記nMOSFETおよび前記pMOSFETの各々のソースおよびドレインの表面および前記ゲート電極の表面をシリサイド化するシリサイド化工程と、を有する請求項16乃至19のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
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