JP2013096837A - 半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による半導体テスト治具は、プローブピン3と、プローブピン3を平面視で囲むように設けられた絶縁物2とが配設されたサセプタ1と、サセプタ1のプローブピン3および絶縁物2が配設された側の面に対向して配置され、サセプタ1側の面上に半導体チップ4を載置することが可能な下電極ステージ7とを備え、下電極ステージ7に半導体チップ4を載置してサセプタ1と下電極ステージ7とが接近する方向に移動する際、プローブピン3が半導体チップ4に形成された表面電極5と接触するとともに、絶縁物2が半導体チップ4および下電極ステージ7の両方に接触することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図7は、前提技術による半導体テスト治具の構成の一例を示す図である。図7に示すように、前提技術による半導体テスト治具は、サセプタ1(治具土台)、プローブピン3、および下電極ステージ7(ステージ)を備えている。サセプタ1にはプローブピン3が設けられており、下電極ステージ7には終端部に保護膜6が形成された半導体チップ4(被検体)が載置されている。なお、図7は、半導体チップ4に対して耐圧測定(テスト)を行うときの状態を示しており、耐圧測定を行うときはプローブピン3が半導体チップ4の表面に形成された表面電極5と接触する。
図1は、本発明の実施の形態1による半導体テスト治具の構成の一例を示す図である。なお、図1は、本実施の形態1による半導体テスト治具を用いた耐圧測定(テスト)を行うときの状態を示している。図1に示すように、本実施の形態1による半導体テスト治具は、プローブピン3と、プローブピン3を平面視で中空に囲むように設けられた絶縁物2とが配設されたサセプタ1(治具土台)と、サセプタ1のプローブピン3および絶縁物2が配設された側の面に対向して配置され、サセプタ1側の面上に半導体チップ4(被検体)を載置することが可能な下電極ステージ7(ステージ)とを備えている。また、半導体チップ4には、表面(サセプタ1側の面)に表面電極5が形成され、終端部に保護膜6が設けられている。
図4は、本発明の実施の形態2による半導体テスト治具の構成の一例を示す図である。なお、図4は、本実施の形態2による半導体テスト治具を用いた耐圧測定(テスト)を行うときの状態を示している。
図5,6は、本発明の実施の形態3による半導体テスト治具の構成の一例を示す図である。なお、図5,6は、本実施の形態3による半導体テスト治具を用いた耐圧測定(テスト)を行うときの状態を示している。
Claims (13)
- プローブピンと、
前記プローブピンを平面視で囲むように設けられた絶縁物と、
が配設された治具土台と、
前記治具土台の前記プローブピンおよび前記絶縁物が配設された側の面に対向して配置され、前記治具土台側の面上に被検体を載置することが可能なステージと、
を備え、
前記ステージに前記被検体を載置して前記治具土台と前記ステージとが接近する方向に移動する際、前記プローブピンが前記被検体に形成された電極と接触するとともに、前記絶縁物が前記被検体および前記ステージの両方に接触することを特徴とする、半導体テスト治具。 - 前記絶縁物は、前記被検体の前記治具土台側の面と、当該面に続く側面の少なくとも一部と、前記ステージとに接触することを特徴とする、請求項1に記載の半導体テスト治具。
- 前記絶縁物は、JISK6253準拠のタイプEデュロメータによって測定される硬さが5〜30であり、かつ、高絶縁性を有することを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体テスト治具。
- 前記絶縁物の前記治具土台から突出した部分の長さは、前記プローブピンの前記治具土台から突出した部分の長さと、前記プローブピンのストロークとの差の1.0〜2.0倍であることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記プローブピンの前記治具土台から突出した部分の長さは3.0〜10.00mmであり、かつ、前記プローブピンの前記ストロークは0.5〜6.0mmであることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記プローブピンは、スプリングプローブ、ワイヤープローブ、あるいは積層プローブを含む垂直式であることを特徴とする、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記絶縁物の材料は、シリコーン系ゴム、有機系ポリマー、あるいは有機・無機ハイブリッドポリマーを含むことを特徴とする、請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記絶縁物は、前記被検体および前記ステージと対向する面に薄膜コーティングが施されていることを特徴とする、請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記薄膜コーティングの材料は、シリコーン系あるいはウレタン系の材料を含むことを特徴とする、請求項8に記載の半導体テスト治具。
- 前記治具土台は、前記絶縁物の配設位置を規定する溝を有することを特徴とする、請求項1ないし9のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- 前記被検体は、ワイドバンドギャップ半導体であることを特徴とする、請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体テスト治具。
- プローブピンと、
前記プローブピンを平面視で囲むように設けられた絶縁物と、
が配設された治具土台と、
前記治具土台の前記プローブピンおよび前記絶縁物が配設された側の面に対向して配置され、前記治具土台の面上に被検体を載置することが可能なステージと、
を備えた半導体テスト治具を用いて前記被検体の耐圧を測定する耐圧測定方法であって、
(a)前記ステージに前記被検体を載置する工程と、
(b)前記工程(a)の後、前記治具土台と前記ステージとが接近する方向に移動し、前記プローブピンが前記被検体に形成された電極と接触するとともに、前記絶縁物が前記被検体および前記ステージに順次に押し当てられて両者に接触する工程と、
(c)前記プローブピンと前記ステージとに電圧を印加して前記被検体の耐圧を測定する工程と、
を備える、耐圧測定方法。 - 前記工程(b)において、
前記絶縁物は、前記被検体の前記治具土台側の面と、当該面に続く側面の少なくとも一部と、前記ステージとに順次に押し当てられてそれらに接触することを特徴とする、請求項12に記載の耐圧測定方法。
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